专利名称：一种tft液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法
技术领域：
本发明涉及TFT液晶显示器制作技术领域，更具体的说是涉及一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法。
背景技术：
在TFTCThin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)液晶显示器的制作过程中，光刻是很重要的工艺环节，通过光刻工艺可以将掩膜版上的图形复制到基板上，用以形成液晶显示器的阵列基板。光刻工艺通常包括清洗烘干、涂底、涂覆光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工艺制程。TFT液晶显示器的实际生产过程中，光刻工艺中通常会由于线宽超标、显影过度、 对位不准确等原因而使得产品出现异常，因此需要进行返修，在返修制程中需要将光刻胶剥离，然后再重新进行光刻。现有的TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法通常采用的是湿法去胶的方式。但是随着TFT液晶显示器的发展，人们对其显示效果的要求越来越高，特别是对于一些高端产品，如高PPI (Pixels Per Inch，每英寸像素数目)的TFT液晶显示器、宽视角TFT液晶显示器等，即便在返修制程中，轻微的光刻胶残留也会对后续工艺造成影响，从而最终影响产品的功能，而湿法去胶方式通常不能将光刻胶，特别是在光刻过程中进行硬烘时被过烘的光刻胶，完全剥离干净。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，用以解决不能有效剥离光刻胶，而导致对后续工艺产生影响的技术问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案—种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，包括按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离光刻胶表层部分；进行湿法去胶，将剩余的光刻胶剥离。优选地，所述预设干法去胶参数包括刻蚀时间、气体成分、气体流量、真空度和射频功率。优选地，所述预设干法去胶参数是根据干法刻蚀速率、光刻胶厚度以及底层膜材料设置的。优选地，所述干法去胶具体为采用等离子化学反应干法刻蚀法去胶。优选地，所述干法去胶具体为采用等离子干法刻蚀法去胶。优选地，所述光刻胶表层部分包括光刻胶过烘部分，所述光刻胶过烘部分包括光刻胶图形边缘区域的光刻胶和光刻胶图形过孔区域的光刻胶。优选地，所述进行湿法去胶，将剩余光刻胶剥离具体为采用化学药液湿法刻蚀，将剩余光刻胶剥离。
优选地，所述化学药液包括水系脱膜液或者溶剂系脱膜液。优选地，所述将剩余光刻胶剥离后还包括清洗并重新涂覆光刻胶层，进行曝光显影。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供了一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，首先按照预设的干法去胶参数，剥离掉光刻胶的表层部分； 然后再进行湿法去胶，剥离掉剩余的光刻胶。由于过烘的光刻胶都是位于表层，因此采用干法去胶将表层的光刻胶剥离即可以实现将过烘的光刻胶剥离干净，剩余的光刻胶可以采用湿法去胶的方式去除。本发明能够将返修制程的光刻胶剥离干净，对底层膜材料损伤小，从而提高了产品的良品率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本发明一种光刻胶剥离方法实施例1的流程图；图2为最简单的“直线图形”光刻胶未剥离前的剖面示意图；图3为最简单的“直线图形”光刻胶进行干法去胶后的剖面示意图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。正如背景技术中所述，在TFT (Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)液晶显示器返修制程中进行光刻胶剥离时，采用湿法去胶的方式容易存在光刻胶残留的现象，因而在重新进行第二次光刻时，如果第一次曝光和第二次曝光的对位存在稍微偏差，这些残留光刻胶的地方就变成了需要被刻蚀掉的地方，但是却被残留的光刻胶保护起来，从而造成了底层膜层的残留，进而造成最终形成的产品的功能缺陷。此外，残留的光刻胶本身也会影响产品的质量。发明人在研究中发现，采用湿法去胶方式导致光刻胶残留的原因，主要是由于在光刻制程的硬烘过程中，光刻胶较薄的区域容易被过烘，而过烘的光刻胶在脱膜液中的溶解速率很慢甚至不溶解，从而导致光刻胶剥离不干净。因此，发明人基于该原因，转变思想，首先采用预设的干法去胶参数，去除掉光刻胶的表层部分，然后再进行湿法去胶，剥离掉剩余的光刻胶。由于过烘的光刻胶都是分布在光刻胶的表层，因此采用合适的干法去胶参数，先将表层的光刻胶去除，对于剩余的光刻胶直接采用湿法去胶方式去除。本发明的实施方案，能够将返修制程中的光刻胶去除干净，避免了残留的光刻胶对后续工艺造成的影响，同时也减少了对底层膜材料的损伤。参见图1，示出了本发明一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法实施例1的流程图，所述方法可以包括
步骤101 按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离光刻胶表层部分。所述预设干法去胶参数可以包括刻蚀时间、气体成分、气体流量、真空度和射频功率等参数。由于干法刻蚀的刻蚀效果决定于刻蚀设备、刻蚀材料以及底层膜材料。为了避免干法刻蚀对底层膜材料的损伤，需要尽量保证干法刻蚀中，对底层膜材料的刻蚀速率足够慢。所述的预设干法去胶参数是根据干法刻蚀速率、光刻胶厚度和底层膜材料等来具体设置的。所述底层膜即是指被光刻胶层所覆盖的那一层。待刻蚀设备选定，且确定刻蚀材料为光刻胶后，即可设定预设干法去胶参数。根据光刻胶的厚度以及干法刻蚀速率，可以设定具体的刻蚀时间，使得能够在该刻蚀时间内可以将光刻胶表层去除。由于过烘的光刻胶均分布在光刻胶的表层，剥离该光刻胶的表层部分也即能够将过烘的光刻胶去除。所述光刻胶的表层部分包括光刻胶图形边缘区域和光刻胶图形过孔区域等光刻胶较薄的区域的光刻胶，由于光刻胶比较薄，在光刻制程的硬烘过程中，这些区域的光刻胶容易被过烘，从而使得直接采用湿法去胶的方式不容易将过烘的光刻胶剥离掉。 因此本实施例首先按照预设干法去胶参数进行干法去胶，以保证将过烘部分的光刻胶去除干净。对应不同的底层膜材料，可以选择不同的气体成分以及各气体含量之间的比例关系。根据希望达到的干法刻蚀速率可设定气体流量、真空度以及刻蚀设备的射频功率，其中真空度是指刻蚀设备的腔室压强。所述预设参数的设置，需要满足能够将过烘区域的光刻胶正好剥离而不至于损坏底层膜材料。在实际应用中，按照设定的预设干法去胶参数，进行干法去胶后，还可以根据剥离后的光刻胶是否有残留或者是否对底层膜造成损伤，对所述预设干法去胶参数进行调整， 以使得光刻胶剥离更准确。进行干法去胶时，根据预设的干法去胶参数可以去除容易被过烘的区域的光刻胶，同时其他区域的光刻胶表面也将被去除掉一定厚度。所述干法去胶具体可以采用等离子体化学反应干法刻蚀法进行去胶，等离子体化学反应干法刻蚀法是在等离子体状态下，氧离子、氧原子与光刻胶通过化学反应以及物理轰击的共同作用下，将光刻胶去除的一种方法。其去胶的过程如下将氧气及其它辅助气体通入设备反应腔室，气体在射频电场的作用下形成等离子体态，在等离子体当中有离子、电子、带电粒子、以及具有高化学活性的中性原子及自由基。 通过带电粒子的物理轰击，氧离子及高化学活性的中性氧原子与光刻胶反应生成一氧化碳 CO、二氧化碳C02、水H20等，生成的副产物通过真空泵排出真空腔室。所述干法去胶还可以采用等离子干法刻蚀法进行去胶，所述等离子干法刻蚀法去胶采用的是分子量较大的气体，以物理轰击的方式去胶，通过正性离子或者中性基团对光刻胶进行轰击，从而将光刻胶剥离掉。下面结合图示来描述该干法去胶的过程，参见图2，示出了最简单的“直线图形”光刻胶未剥离前的剖面示意图，其中光刻胶202位于底层膜201上。由图2可以看出，图形边缘区域的光刻胶比较薄，因此在硬烘过程中容易被过烘。需要说明的是，图2只示出了边缘区域较薄的光刻胶。此外，在实际应用中，过孔区域的光刻胶由于地势比较低洼，过孔区域往往不容易被显影干净，因此也容易残留一层较薄的光刻胶，因此在硬烘过程中也容易被过烘。这些过烘的光刻胶直接采用湿法去胶的方式不容易去除干净，因此本发明实施例首先通过干法刻蚀去除一部分光刻胶，以能够将过烘的光刻胶剥离掉。具体参见图3，示出了最简单的“直线图形”光刻胶进行干法去胶后的剖面示意图。 由图3可以看出，进行干法去胶后，光刻胶被剥离了一定厚度，如图3中的被剥离的光刻胶 2021，该被剥离的光刻胶2021为光刻胶的表层部分，而由于边缘区域过烘的光刻胶包含在该表层部分，因此去除光刻胶的表层部分即能够将过烘的光刻胶剥离掉。由于按照预设干法去胶参数，进行干法去胶后，只是剥离掉部分光刻胶，即光刻胶表层部分，并未将光刻胶全部剥离，还剩余一定厚度的光刻胶，如图中的剩余光刻胶2022， 因此采用本实施例的方案还减少了干法去胶对底层膜201的损伤。步骤102 进行湿法去胶，将剩余的光刻胶剥离。由步骤101中按照预设干法去胶参数进行干法去胶，去除光刻胶表层部分，光刻胶被剥离一定厚度，过烘部分的光刻胶可以被剥离掉，因此对于剩余的光刻胶，可以直接采用湿法去胶的方式进行剥离。所述湿法去胶即是利用化学药液进行湿法剥离，所述化学药液可以是水系脱膜液或者溶剂系脱膜液，利用脱膜液与光刻胶发生化学反应，将光刻胶溶解，剩余光刻胶即可被剥离干净。需要说明的是，进行湿法去胶后还可以对剥离掉光刻胶后的基板进行清洗，并重新涂覆光刻胶层，进行曝光显影，重新制作光刻胶图形。本发明实施例首先按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离掉表层的光刻胶， 再采用湿法去胶的方式，将剩余的光刻胶剥离，由于干法去胶采用的是物理轰击或者等离子体化学反应，从而可以将表层光刻胶中过烘的部分剥离掉，而对于剩余的光刻胶，采用湿法去胶的方式去除，从而既保证了光刻胶完全剥离，避免了对后续制作工艺产生的影响，同时节约了成本，减少对底层材料的损耗。本发明所述的技术方案特别适用于高PPI (Pixels Per Inch，每英寸像素数目) 的TFT液晶显示器，以及广视角TFT液晶显示器的返修制程中，对于高PPI、广视角等高端的TFT液晶显示器来说，返修制程中光刻胶轻微的残留都可能导致产品的显示缺陷。而采用本发明的技术方案，首先进行干法去胶剥离掉表层光刻胶，然后用湿法去胶的方式将剩余的光刻胶剥离，从而可将光刻胶剥离干净，之后可重新进行光刻制程及后续制程提高了广品良品率。当然本发明的技术方案也可以应用于其他需要进行光刻胶剥离的工艺制程中，凡是应用本发明技术方案实现的光刻胶剥离，均应属于本发明的保护范围。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一
6致的最宽的范围。
权利要求
1.一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，其特征在于，包括 按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离光刻胶表层部分；进行湿法去胶，将剩余的光刻胶剥离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设干法去胶参数包括刻蚀时间、气体成分、气体流量、真空度和射频功率。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设干法去胶参数是根据干法刻蚀速率、光刻胶厚度以及底层膜材料设置的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法去胶具体为采用等离子化学反应干法刻蚀法去胶。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法去胶具体为采用等离子干法刻蚀法去胶。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶表层部分包括光刻胶过烘部分，所述光刻胶过烘部分包括光刻胶图形边缘区域的光刻胶和光刻胶图形过孔区域的光刻胶。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行湿法去胶，将剩余光刻胶剥离具体为采用化学药液湿法刻蚀，将剩余光刻胶剥离。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述化学药液包括水系脱膜液或者溶剂系脱膜液。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将剩余光刻胶剥离后还包括 清洗并重新涂覆光刻胶层，进行曝光显影。
全文摘要
本发明提供了一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法，所述方法包括按照预设干法去胶参数，进行干法去胶，剥离光刻胶表层部分；进行湿法去胶，将剩余光刻胶剥离。通过本发明实施例，能够有效将光刻胶剥离干净，避免了残留的光刻胶对后续工艺造成的影响。
文档编号G03F7/42GK102436154SQ20111043558
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年12月21日
发明者于春崎, 任思雨, 刘兴华, 李建华, 胡君文, 谢凡, 陈建荣 申请人:信利半导体有限公司