电光调制器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种电光调制器，其包括一个晶体基底、一对光波导、一个第一电极及两个第二电极。该晶体基底包括一个极化反转区。该对光波导自该晶体基底的一个第一表面向内扩散而形成、相互平行且分别形成于该极化反转区内及该极化反转区外。该第一电极设置在该第一表面上且覆盖该对光波导。该两个第二电极与该第一电极极性相反且与该第一电极相互平行地设置于该第一电极两侧。由于所在位置的极化方向相反，该对光波导内的光波在未施加电场时已经存在180度的相位差，因此可以共用该第一电极。如此可以简化电路，即该对光波导共用一该第一电极，从而简化该电光调制器的结构。
【专利说明】电光调制器
【技术领域】
[0001]本发明涉及高速光通讯系统，特别涉及一种电光调制器。
【背景技术】
[0002]随着高速光通讯系统的发展，电光调制器成为热门的研究课题。一种电光调制器的原理主要是利用电光效应将调制微波加载于电极，电极的极间电场作用于光波导、改变光波导的折射率，从而改变光波导传输的激光的输出功率，实现调制的目的。然而，现有的电光调制器由于电极设置不合理，导致结构复杂、工艺要求高、容易造成短路且调制所需的半波电压高，功耗较高。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，有必要提供一种简化结构的电光调制器。
[0004]一种电光调制器，其包括一个晶体基底、一对光波导、一个第一电极及两个第二电极。该晶体基底包括一个极化反转区。该对光波导自该晶体基底的一个第一表面向内扩散而形成、相互平行且分别形成于该极化反转区内及该极化反转区外。该第一电极设置在该第一表面上且覆盖该对光波导。该两个第二电极与该第一电极极性相反且与该第一电极相互平行地设置于该第一电极两侧。
[0005]采用上面的电光调制器，由于所在位置的极化方向相反，该对光波导内的光波在未施加电场时已经存在180度的相位差，因此可以共用该第一电极。如此可以简化电路，SP该对光波导共用一该第一电极，从而简化该电光调制器的结构。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为本发明较佳实施 方式的电光调制器的立体示意图。
[0007]图2为图1的电光调制器沿线I1-1I的剖面示意图。
[0008]主要元件符号说明
电光调制器I ?ο
晶体基底 11
极化反转区.--
第一表面 120
Wn TW
光波导 —~
第一电极 13a
第二电极
隔离层 TF
输出段_15
_输入段
激光入口 162
jjg|l7~
如下【具体实施方式】将结合上述附 图进一步说明本发明。【具体实施方式】
[0009]请参阅图1及图2，本发明较佳实施方式的电光调制器10其包括一个晶体基底
11、一对光波导12、一个第一电极13a及两个第二电极13b。该晶体基底11包括一个极化反转区110。该对光波导12自该晶体基底11的一个第一表面120向内扩散而形成、相互平行且分别形成于该极化反转区110内及该极化反转区110外。该第一电极13a设置在该第一表面120上且覆盖该对光波导12。该两个第二电极13b与该第一电极13a极性相反且与该第一电极13a相互平行地设置于该第一电极13a两侧。
[0010]以往，为了使一对光波导的光波具有180度的相位差，从而达到最大调变效果，通常需在这对光波导上设置极性相反的电极，然而，如此一来工艺较复杂，同时，由于这对光波导之间的间隙一般较小，电极容易短接。
[0011]而采用上面的电光调制器10，由于所在位置的极化方向相反，该对光波导12内的光波在未施加电场时已经存在180度的相位差，因此可以共用该第一电极13a。如此，可以简化电路(该对光波导12共用一该第一电极13a)。同时，相对于现有技术需形成两个间隙间隙较小的电极，可以降低工艺难度，并且可以避免不良(不会发生电极短路现象)。
[0012]另外，如此设置，该第一电极13a与该对第二电极13b的极间电场E (请参图2)与该对光波导12传输的激光的光场(一般填满该对光波导12的横截面)的电光重叠积分因子(即电场I与光场的重叠部分)最大，可以达到整个光场的大小(即该对光波导12的横截面积大小)。
[0013]而根据电光效应的原理可知:
【权利要求】
1.一种电光调制器，其包括一个晶体基底、一对光波导、一个第一电极及两个第二电极；该晶体基底包括一个极化反转区；该对光波导自该晶体基底的一个第一表面向内扩散而形成、相互平行且分别形成于该极化反转区内及该极化反转区外；该第一电极设置在该第一表面上且覆盖该对光波导；该两个第二电极与该第一电极极性相反且与该第一电极相互平行地设置于该第一电极两侧。
2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，该晶体基底的材料采用铌酸锂晶体。
3.如权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，该晶体基底基本呈矩形，在该第一表面且位于该对光波导的两侧分别形成一个切口。
4.如权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，该对第二电极分别位于该两个切口的上表面。
5.如权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，该第一表面面向+Z晶轴，该电光调制器为+Z切，而该极化反转区的+Z晶轴与该晶体基底的+Z晶轴方向相反。
6.如权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，该电光调制器还在该第一表面及该两个切口的上表面形成有一个隔离层；该对第一电极及该对第二电极均设置于该隔离层上。
7.如权利要求6所述的电光调制器，其特征在于，该隔离层采用二氧化硅。
8.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，每个光波导为通过金属扩散而成的半圆柱结构；该对光波导均延伸出一个输出段，而其中一个该光波导与其对应的输出段相背的一端还具有一个输入段；该输入段延伸到在该晶体基底的侧面，并形成有一个激光入□。
【文档编号】G02F1/035GK103513445SQ201210209974
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年6月25日 优先权日:2012年6月25日
【发明者】黄新舜 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司