电光学装置、电光学装置用基板及电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种具备提高反射性电极的反射率并且即使采用向液晶层施加交流电场的方式也不会发生烧焦等不良情况的电光学装置及具备该电光学装置的电子设备。在电光学装置(100)中，由于在像素电极(9a)(反射性电极)的上层形成有由多层电介质膜(低折射率层181和高折射率层182)构成的第一电介质层(18)，因此基于像素电极(9a)的反射率高。另外，由于在像素电极(9a)的上层形成有电介质多层膜，因此若在公共电极(21)的上层形成第二电介质层(28)，则能够使像素电极(9a)侧与公共电极(21)侧的功函数一致或使其近似，所以即使交流驱动液晶层(50)，也能在液晶层(50)中形成对称的电场。
【专利说明】电光学装置、电光学装置用基板及电子设备
[0001]本申请是申请号为“200910173477.9”，申请日为2009年09月18日，发明名称为
“电光学装置及电子设备”之申请的分案申请。
【技术领域】
[0002]本发明涉及ー种反射型的电光学装置及具备该电气光学装置的电子设备。
【背景技术】
[0003]在各种电光学装置中，反射型的液晶装置具有在隔着液晶层对置配置的ー对基板的一方形成有反射性电极、在另一方形成有透光性电极的结构，由反射性电极和透光性电极中的一方构成像素电极，由另一方构成公共电极。在该电光学装置中，作为反射性电极使用招系材料或银系材料等金属材料，作为透光性材料使用ITO (Indium Tin Oxide)等。这里，期望反射性电极的反射率高，但是在反射性电极的表面形成取向膜等高折射率层时，存在反射率减低的问题。因此，提出了在反射性电极的上层形成由多层电介质膜构成的高反射膜(參照专利文献I)。
[0004]【专利文献I】:日本特开平11-2707号公报
[0005]在电光学装置中，通过反射性电极和透光性电极向液晶层施加交流电场，但是在像素电极与公共电极中，由于功函数不相同，因此在液晶层中会被施加非対称的电场。例如，构成透光性电极的ITO的功函数约为5.0eV，相对于此，构成反射性电极的铝的功函数约为3.2eV。其结果，在电光学装置中长时间显示同一图案时易发生烧焦等不良情況。该不良情况即使像专利文献I所述的结构那`样在反射性电极的表面形成由电介质多层膜构成的高反射膜，也同样会发生。另外，以防止上述的烧焦为目的，大多会向施加在反射性电极和透光性电极的电压赋予偏移量来确保对称性，但是，会因为环境温度的变化或随时间的经过而导致平衡受到破坏。
【发明内容】
[0006]鉴于以上的问题，本发明的课题在于提供一种提高反射性电极的反射率，并且即使采用向液晶层施加交流电场的方式，也不会发生烧焦等不良情况的电光学装置及具备该电光学装置的电子设备。
[0007]为了解决上述课题，本发明的电光学装置的特征在于，具有:相互对置的第一基板和透光性的第二基板；液晶层，其夹持在所述第一基板与所述第二基板之间；反射性电极，其设置在所述第一基板与所述液晶层之间，构成像素电极和公共电极之中的ー个；透光性电极，其设置在所述第二基板与所述液晶层之间，构成像素电极和公共电极之中的另ー个；第一电介质层，其设置在所述反射性电极与所述液晶层之间，由多个电介质膜构成；和第二电介质层，其设置在所述透光性电极与所述液晶层之间，由一层或多层电介质膜构成。
[0008]本发明的电光学装置中，在反射性电极的上层形成有由多层电介质膜构成的第一电介质层，该第一电介质层作为高反射膜而起作用。因此，基于反射性电极的反射率高。因此，由于能够提高显示光量，所以能够进行明亮的显示。另外，在本发明中，利用在反射性电极的上层形成第一电介质层这一点，能够用简单的结构来防止交流驱动液晶层时的烧焦等。即，在本发明中，由于在反射性电极的上层形成有第一电介质层，因此，若在透光性电极的上层形成第二电介质层，则能够使反射性电极侧与透光性电极侧的功函数一致。因此，即使交流驱动液晶层，也能够在液晶层中形成対称的电场。因此，即使在电光学装置中长时间显示同一图案也不会发生烧焦。
[0009]本发明中，优选所述第一电介质层中在最靠近所述液晶层ー侧设置的电介质膜与所述第二电介质层中在最靠近所述液晶层ー侧设置的电介质膜由相同材料形成。采用该结构时，由于能够使反射性电极侧与透光性电极侧的功函数一致，因此能够在液晶层中形成対称的电场。因此，即使在电光学装置中长时间显示同一图案也不会发生烧焦。
[0010]在本发明中，优选所述第二电介质层由ー层电介质膜构成的结构。在透光性电极的表面形成第二电介质层时，若第二电介质层引起的电容小，则施加给液晶层的电压会变小。因此，若使第二电介质层为ー层电介质膜，则能够使第二电介质层引起的电容变大，因此能够抑制施加给液晶层的电压的降低。因此，即使提高驱动电压，也能很好地驱动液晶层。
[0011]在本发明中，例如能够采用所述反射性电极为像素电极、所述透光性电极为公共电极的结构。另外，也可以采用所述反射性电极为公共电极、所述透光性电极为像素电极的结构。
[0012]本发明中，能够在所述反射性电极中使用铝或铝合金等铝系材料、银或银合金等银系材料。在本发明中，从成本和蚀刻等加工的容易性的观点出发，所述反射性电极优选为招系材料。
[0013]应用了本发明的电光学装置能够作为移动电话机或便携式计算机等电子设备而应用。另外，应用了本发明的电光学装置也能应用在作为电子设备的投射型显示装置中，该投射型显示装置具备用于向电光学装置提供光的光源部、投射被所述电光学装置光调制后的光的投射光学系统。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是表示应用了本发明的反射型电光学装置的电气结构的方块图。
[0015]图2(a)和(b)分别是从对置基板侧观察应用了本发明的反射型电光学装置的液晶面板和各构成要素的俯视图和其H-H'剖视图。
[0016]图3(a)和(b)分别是应用了本发明的反射型电光学装置中使用的元件基板中的相邻的像素的俯视图和在相当于其A-A'线的位置处截断电光学装置时的剖视图。
[0017]图4是在应用了本发明的电光学装置的制造方法中形成数据线、漏极电极和层间绝缘膜之后一直到形成用于形成像素电极的反射性导电膜为止的エ序剖视图。
[0018]图5是在应用了本发明的电光学装置的制造方法中图案形成反射性导电膜井形成像素电极之后一直到形成第一电介质层为止的エ序剖视图。
[0019]图6利用应用了本发明的电光学装置的电子设备的说明图。
[0020]图中:9a-像素电极(反射性电极)；10-第一基板；18-第一电介质层；20-第二基板；21_公共电极(透光性电极)；28_第二电介质层；30_场效应型晶体管；50_液晶层；100-电光学装置；IOOa-像素；181-低折射率层；182_高折射率层。
【具体实施方式】
[0021]參照【专利附图】
【附图说明】本发明的实施方式。另外，在反射型液晶装置(反射型电光学装置)中，像素电极和公共电极之中的一方由反射性电极构成，像素电极和公共电极之中的另ー方由透光性电极构成，但是在以下的说明中，以像素电极由反射性电极构成、公共电极由透光性电极构成时为中心进行说明。另外，在以下的说明中參照的图中，由于将各层或各部件设为在图面上能够识别的程度的大小，因此各层或各部件的缩尺不相同。而且，流过场效应型晶体管的电流的方向反转时源极与漏极会对调，但是在以下的说明中为了方便，将连接有像素电极的ー侧作为漏极，将连接有数据线的一侧作为源极来进行说明。
[0022](整体结构)
[0023]图1是表示应用了本发明的反射型电光学装置的电结构的块图。如图1所示，电光学装置100具有液晶面板100p，液晶面板IOOp具备在其中央区域多个像素IOOa排列成矩阵状的像素区域10b。在该液晶面板IOOp的后述的第一基板10中，像素区域IOb的内侧纵横延伸有多根数据线6a和多根扫描线3a，对应于那些焦点的位置处构成有像素100a。每ー个像素IOOa中形成有作为像素开关元件的场效应型晶体管30和后述的像素电极9a。场效应型晶体管30的源极与数据线3a电连接，场效应型晶体管30的栅极与扫描线3a电连接，场效应型晶体管30的漏极与扫描电极9a电连接。
[0024]第一基板10中的像素区域IOb的外侧区域中构成有扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101。数据线驱动电路101与各数据线6a的一端电连接，依次向各数据线6a提供从图像处理电路提供的图像信号。扫描线驱动电路104与各扫描线3a电连接，并依次向各扫描线3a提供扫描信号。
[0025]各像素IOOa中，像素电极9a隔着液晶与后述的形成在对置基板上的公共电极对置，构成液晶电容50a。另外，在各像素IOOa中，为了防止由液晶电容50a保持的图像信号的变动，与液晶电容50a并联地附加了保持电容60。在本方式中，为了构成保持电容60，形成有跨过多个像素IOOa与扫描线3a并列延伸的电容线3b。
[0026](液晶面板和元件基板的结构)
[0027]图2(a)和(b)分别是从对置基板侧观察应用了本发明的电光学装置100的液晶面板IOOp和各构成要素的俯视图和其H-H'剖视图。如图2(a)和(b)所示，在电光学装置100的液晶面板IOOp中，第一基板10 (元件基板)与第二基板20 (对置基板)隔着一定的间隙由密封材料107粘合，密封材料107沿着第二基板20的边缘配置。密封材料107是由光硬化树脂或热硬化性树脂等构成的粘合剂，混合有用于将两基板间的距离设为规定值的玻璃纤维或玻璃细珠等间隙材料。在本方式中，第一基板10的基体是透光性基板10d，第二基板20的基体也是同样的透光性基板20d。
[0028]第一基板10中，在密封材料107的外侧区域中沿着第一基板10的ー边形成有数据线驱动电路101和多个端子102，沿着与该ー边相邻的其它边形成有扫描线驱动电路104。另外，在第二基板20的角部的至少ー处中形成有用于在第一基板10与第二基板20之间获得电导通的上下导通部件109。
[0029]在后面会详述，第一基板10中矩阵状地形成有由铝或铝合金等铝系材料、银或银合金等银系材料构成的反射性的像素电极9a (反射性电极)。在本方式的像素电极9a中利用上述金属材料中的铝或铝合金等铝系材料。
[0030]相对于此，第二基板20中，在密封材料107的内侧区域形成有由遮光性材料构成的外框108，将其内侧作为图像显示区域10a。第二基板20中形成有由IT0(Indium TinOxide)膜构成的公共电极21(透光性电极)。另外，有时在第二基板20中会在与像素电极9a之间对置的位置处形成叫做黑底或黑条的遮光膜(未图示)。
[0031]另外，像素区域IOb中，在与外框108重叠的区域中构成假想像素时，该情况下在像素区域IOb之中，将除了假想像素的区域作为图像显示区域IOa来利用。
[0032]在该反射型电光学装置100中，在从第二基板20侧入射的光被像素电极9a反射后再次从第二基板20侧射出期间由液晶层50按每ー个像素进行光调制的结果，显示出图像。这里，电光学装置100能够作为便携式计算机、移动电话机等电子设备的彩色显示装置而利用，此时，第二基板20中形成滤色器(未图示)或保护膜。另外，在第二基板20的光入射侧的面上，根据使用的液晶层50的种类，即，TN(twisted nematic)模式、STN(超级TN)模式等动作模式或正常白色模式/正常黑色模式，以规定的朝向配置偏光膜、相位差膜、偏振板等。而且，电光学装置100在后述的投射型显示装置(液晶投影仪)中，能够作为RGB用光阀来使用。此时，在各个RGB用的各电光学装置100中，由于将通过RGB色分解用的分色镜分解的各顔色的光作为投射光来分别入射，因此不形成滤色器。
[0033](各像素的结构)
[0034]图3(a)和(b)分别是应用了本发明的反射型电光学装置100中使用的第一基板10中的相邻的像素的俯视图和在相当于其A-A'线的位置处切断电光学装置100时的剖视图。另外，图3(a)中，数据线6a用点划线表示，扫描线3a和电容线3b用实线表示，半导体层Ia用细的虚线表示，像素电极9a用双点划线表示。
[0035]如图3(a)、(b)所示，第一基板10中，在由石英基板或玻璃基板等构成的透光性基板IOd的第一面IOx和第二面IOy之中的、位于第二基板20侧的第一面IOx上，形成有由氧化硅膜等构成的透光性基底绝缘层15，并且在其上层侧的与像素电极9a重叠的位置处形成有N沟道型的场效应型晶体管30。场效应型晶体管30相对于由岛状的多晶硅或岛状的单晶半导体层构成的半导体层la，具备形成有沟道区域lg、低浓度源极区域lb、高浓度源极区域Id、低浓度漏极区域lc、高浓度漏极区域Ie的LDD构造。在半导体层Ia的表面侧形成有由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的透光性的栅极绝缘层2，栅极绝缘层2的表面侧形成有由金属膜或掺杂硅膜等构成的栅极电极(扫描线3a)。另外，半导体层Ia的从高浓度漏极区域Ie开始的延伸部分，隔着栅极绝缘层2与电容线3b对置，从而形成了保持电容60。
[0036]在本方式中，场效应型晶体管30具备LDD(Lightly Doped Drain)构造,但是也可以采用高浓度源极区域和高浓度漏极区域在扫描线3a上自对准地形成的构造。另外，在本方式中，栅极绝缘层2由通过热氧化形成的氧化硅膜构成，但是也能使用通过CVD法等形成的氧化硅膜或氮化硅膜。而且，栅极绝缘层2中，也能使用通过热氧化形成的氧化硅膜与通过CVD法等形成的氧化硅膜或氮化硅膜构成的多层膜。而且，在第一基板10中，作为基体，能够使用单晶硅基板。
[0037]在场效应型晶体管30的上层侧，形成有由氧化硅膜或氮化硅膜等透光性绝缘膜构成的层间绝缘膜71、72。层间绝缘膜71的表面上形成有由金属膜或掺杂硅膜构成的数据线6a和漏极电极6b，数据线6a通过形成在层间绝缘膜71上的接触孔71a与高浓度源极区域Id电连接，漏极电极6b通过形成在层间绝缘膜71上的接触孔71b与高浓度漏极区域Ie电连接。层间绝缘膜72的表面上像素电极9a形成为岛状，像素电极9a通过形成在层间绝缘膜72上的接触孔72b与漏极电极6b电连接。进行该电连接时，在本方式中，接触孔72b的内部被叫做塞子(plug)8a的导电膜掩埋，像素电极9a通过塞子8a与漏极电极6b电连接。
[0038]像素电极9a的表面侧依次层叠有后述的第一电介质层18与取向膜16。这里，层间绝缘膜72的表面与塞子8a的表面形成连续的平坦面，且该平坦面上形成有像素电极9a。
[0039]第二基板20中，在透光性基板20d的与第一基板10对置的整个面上满涂状地形成有由ITO膜构成的公共电极21，公共电极21的表面侧依次形成有后述的第二电介质层28与取向膜26。
[0040]这样构成的第一基板10与第二基板20对置配置为像素电极9a与公共电极21相对的方式，且在这些基板间，在被密封材料107包围的空间内封入了作为电光学物质的液晶层50。液晶层50在未被施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过形成在第一基板10和第二基板20中的取向膜16、26处于规定的取向状态。液晶层50例如由ー种或混合多种向列相液晶的物质构成。取向膜16、26由进行了摩擦处理的聚酰亚胺膜等构成。
[0041]在本方式中，基于均匀地进行对取向膜16的摩擦的观点，相邻的像素电极9a之间被表面绝缘膜73掩埋。因此，像素电极9a的表面与表面绝缘膜73的表面形成连续的平坦面，在该平坦面上形成有第一电介质层18和取向膜16。
[0042](第一电介质层18的结构)
[0043]在本方式的电光学装置100中，像素电极9a使用了由铝材料构成的反射性导电膜，但在像素电极9a的表面直接形成取向膜16时反射率变低。因此，在本方式中，在像素电极9a与取向膜16之间(像素电极9a的上层)形成有第一电介质层18。该第一电介质层18是由多个电介质膜构成的电解质多层膜，作为高反射膜而起作用。因此，在像素电极9a的上层形成取向膜16也能得到高反射率。
[0044]该第一电介质层18是由折射率低的电解质膜构成的低折射率层181与由比该低折射率层181折射率高的电解质膜构成的高折射率层182交替层叠的电解质多层膜。第一电介质层18具有低折射率层181与高折射率层182交替形成一层共计形成2层的结构、或将低折射率层181与高折射率层182作为ー组来层叠多组(例如2组)的结构。在本方式中，第一电介质层18具有低折射率层181与高折射率层182交替形成一层共计形成2层的结构。
[0045]这里，低折射率层181与高折射率层182被定义为折射率相对意义上的高低，而其高低并不存在绝对的数值。因此，例如，若将折射率小于1.7的物质作为低折射率层181、将折射率为1.7以上的物质作为高折射率层182来定义，则作为低折射率层181和高折射率层182，使用以下材料的单一系或混合系。
[0046]低折射率层181:
[0047]氟化镁(MgF2)/ 折射率=1.38 ；
[0048]ニ氧化硅(SiO2) / 折射率=1.46 ；[0049]氟化镧(LaF3)/ 折射率=1.59 ；
[0050]氧化铝(Al2O3)/ 折射率=1.62 ；
[0051]氟化铈(CeF3)/折射率=1.63。
[0052]高折射率层182:
[0053]氧化铟(In2O3)/ 折射率=2.00 ；
[0054]氮化硅(SiN) /折射率=2.05 ；
[0055]氧化钛(TiO2)/折射率=2.10 ；
[0056]氧化锆(ZrO2)/折射率=2.10 ；
[0057]氧化钽(Ta2O5)/ 折射率=2.10 ；
[0058]氧化钨(WO3) /折射率=2.35 ；
[0059]硫化锌(ZnS) /折射率=2.35 ；
[0060]氧化铈(CeO2)/ 折射率=2.42。
[0061]使用这些中的任一电介质膜，都将低折射率层181和高折射率层182各自的光学膜厚nd(n=折射率，d=厚度)设定为设计时的波长入。的1/4倍。另外，第一电介质层18至少形成在像素电极9a的上层上即可，但是在本发明中形成在第一基板10的整个面或大致整个面上。
[0062]这里，设计时的波长\。能够设定为可视区的任意的波长。此时，针对低折射率层181的设计时的波长入。与针对高折射率层182的设计时的波长入。可以是相互相同的结构或者相互不同的结构中的任ー个。
[0063](第二电介质层28的结构)
[0064]在电光学装置100中，交流驱动液晶层50时，在像素电极9a与公共电极21中，由于功函数不同，因此在液晶层50中会形成非対称的电场。其结果，在电光学装置100中，长时间显示同一图案时会发生烧焦等不良情況。因此，在本方式的电光学装置100中，利用在像素电极9a的上层形成由电介质多层膜构成的第一电介质层18来使像素电极9a侧的功函数与公共电极21侧的功函数一致或使其近似。
[0065]S卩，在本方式中，由于在像素电极9a的上层(像素电极9a与取向膜16之间)形成有由电介质多层膜构成的第一电介质层18，因此在公共电极21的上层(公共电极21与取向膜26之间)采用形成了ー层或多层的第二电介质层28的结构。
[0066]作为该第二电介质层28，能够使用上述的电介质膜，使用这些电介质膜的任ー个，都能使像素电极9a侧的功函数与公共电极21侧的功函数一致或使其近似。因此，即使交流驱动液晶层50，也能够在液晶层50中形成对称或大致对称的电场。因此，在电光学装置100中，即使长时间显示同一图案也不会发生烧焦。
[0067]这里，若作为第二电介质层28而使用氧化硅膜，则具有能够由在第一基板10的制造エ序中使用的材料成膜的优点。另外，若第一电介质层18中形成在最上层的电介质膜与第二电介质层28中形成在最上层的电介质膜为同样的材料，则能够使像素电极9a侧与公共电极21侧的功函数一致。因此，由于能够在液晶层50中形成对称或大致对称的电场，所以能够可靠防止电光学装置100中的烧焦。
[0068]另外，第二电介质层28能够由ー层或多层的电介质膜形成,但是优选由ー层电介质膜构成第二电介质层28。在公共电极21的表面上形成第二电介质层28时,若由第二电介质层28引起的电容小，则施加给液晶层50的电压会变小，但是若第二电介质层28为ー层电介质膜时，能够使第二电介质层28引起的电容变大。因此，由于能够抑制施加在液晶层50的电压的降低，所以，即使增加驱动电压，也能够很好地驱动液晶层50。
[0069](电光学装置100的第一基板10的制造方法)
[0070]以下，參照图4和图5来说明应用了本发明的电光学装置100的制造方法并详述电光学装置100的结构。图4是在应用了本发明的电光学装置100的制造方法中形成数据线6a、漏极电极6b和层间绝缘膜72之后一直到形成用于形成像素电极9a的反射性导电膜为止的エ序剖视图，图5是在应用了本发明的电光学装置100的制造方法中图案形成反射性导电膜并形成像素电极9a之后一直到形成第一电介质层18为止的エ序剖视图。
[0071]首先，如图4(a)所示，在透光性基板IOd的第一面IOx上，形成场效应型晶体管30、数据线6a、漏极电极6b之后，由氧化硅等形成层间绝缘膜72。之后，使用光刻技术和蚀刻技术，在层间绝缘膜72中形成接触孔72b。
[0072]之后，在塞子形成エ序中，如图4(b)所示，在层间绝缘膜72中厚厚地形成由钥等构成的导电膜8之后，从表面研磨导电膜8。其结果，如图4(c)所示，除去形成在层间绝缘膜72的表面上的导电膜8，导电膜8作为塞子8a仅残留在接触孔72b内。作为该研磨，能够利用化学机械研磨，在化学机械研磨中，通过包含在研磨液中的化学成分的作用以及研磨剂与透光性基板IOd之间的相对移动，能够快速获得平滑的研磨面。更具体而言，在研磨装置中，使由贴附了无纺布、发泡聚氨酯、多孔质氟树脂等构成的研磨布(衬垫)的定盘与保持第一基板10的保持器相对旋转来进行研磨。此时，例如，研磨布与透光性基板IOd之间提供包含平均粒径为0.01?20 y m的氧化铈粒子、作为分散剂的丙烯酸酯衍生物和水的研磨剂。
[0073]之后，在像素电极形成エ序中，如图4(d)所示，在层间绝缘膜72的表面与塞子所构成的平坦面上形成由铝材料构成的反射性导电膜9之后，利用光刻技术和蚀刻技术来图案形成反射性导电膜9，如图5(a)所示，将像素电极9a形成为岛状。
[0074]之后，在表面绝缘膜形成エ序中，如图5(b)所示，按照覆盖像素电极9a的表面和在相邻的像素电极9a间露出的层间绝缘膜72的表面的方式形成表面绝缘膜73之后，进行研磨エ序。其结果，如图5(c)所示，成为露出像素电极9a的表面，并且相邻的像素电极9a的间隙9s被表面绝缘膜73掩埋的状态。该研磨中也能够利用化学机械研磨。
[0075]然后，在第一电介质层形成エ序中，如图5(d)所示，按照覆盖像素电极9a的表面和表面绝缘膜73的表面的方式，在第一基板10的整个面或大致整个面上依次形成多层电介质膜(低折射率层181和高折射率层182)，并形成由电介质多层膜构成的第一电介质层
18。在该电介质膜的形成中，能够利用溅射法、真空蒸镀法、离子镀覆法等PVD(PhysicalVapor Deposition)法或 CVD(Chemical Vapor Deposition)法等。
[0076]之后，如图3(b)所示，在第一电介质层18的表面涂敷聚酰亚胺膜等来形成取向膜16之后,进行摩擦处理。
[0077](电光学装置100的第二基板20的制造方法)
[0078]制造图3(b)所示的第二基板20时，在透光性基板20d的表面形成由ITO膜构成的公共电极21 (透光性电极)之后，按照覆盖公共电极21的表面的方式，在透光性基板20d的整个面或大致整个面形成第二电介质层28。在该电介质膜的形成中，也能利用溅射法、真空蒸镀法、离子镀覆法等PVD法或CVD法等。之后，在第二电介质层28的表面上涂敷聚酰亚胺膜等来形成取向膜26之后，进行摩擦处理。
[0079](本方式的主要效果)
[0080]如以上说明，在本方式的电光学装置100中，在像素电极9a(反射性电极)的上层形成有由多层电介质膜(低折射率层181和高折射率层182)构成的第一电介质层18，该第ー电介质层18作为高反射膜而起作用。因此，基于像素电极9a的反射率高。因此，由于能够提高显示光量，所以能够进行明亮的显示。
[0081]另外，由于通过第一电介质层18来提高像素电极9a的反射率，因此能够在像素电极9a中使用铝系材料。因此，与在像素电极9a中使用银系材料时相比，能够谋求成本的降低、图案形成エ序等的简化。
[0082]在本方式中，利用在像素电极9a的上层形成第一电介质层18 (电介质膜多层膜)这一点，用简单的结构能够防止交流驱动液晶层50时的烧焦等。即，在本方式中，由于在像素电极9a的上层形成有电介质多层膜，因此若在公共电极21的上层形成第二电介质层28，则能够使像素电极9a侧与公共电极21侧的功函数一致或使其近似，所以，能够在液晶层50中形成対称的电场。因此，即使在电光学装置100中长时间显示同一图案也不会发生烧焦
坐寸o
[0083](其它实施方式)
[0084]在上述实施方式中，是ー种像素电极9a为反射性电极、公共电极21为透光性电极的结构，但是像素电极9a为透光性电极、公共电极21为反射性电极的电光学装置中也可应用本发明。
[0085]另外，參照图6 (a)，在以下说明的电子设备(投射型显示装置1000)那样规定了向3个电光学装置100 (电光学装置100R、电光学装置100G、电光学装置100B)入射的光的波长时，针对设计第一电介质层18时的波长入。，也可以按姆ー电光学装置100 (电光学装置100R、电光学装置100G、电光学装置100B)设定最佳的值。
[0086](向电子设备的搭载例)
[0087]本发明的反射型电光学装置100能够用于图6(a)所示的投射型显示装置(液晶投影仪/电子设备)或图6(b)、(C)所示的便携式电子设备。
[0088]图6 (a)所示的投射型显示装置1000具有偏振照明装置800，该偏振照明装置800中沿着系统光轴L配置有光源部810、积分透镜(integrator lens) 820、偏振变换元件830。另外，投射型显示装置1000具有:将沿着系统光轴L从偏振照明装置800射出的S偏振光束通过S偏振光束反射面841反射的偏振光束分离器840 ;在被偏振光束分离器840的S偏振光束反射面841反射的光之中分离蓝色光(B)成分的分色镜842 ;对分离出蓝色光之后的光束中的红色光(R)的成分进行反射并分离的分色镜843。另外，投射型显示装置1000具备各颜色光入射的3个电光学装置100 (电光学装置100R、100G、iOOB)。该投射型显示装置1000将被3个电光学装置100R、100G、100B调制后的光通过分色镜842、843以及偏振光束分离器840合成之后，由投射光学系统850向屏幕860投射该合成光。
[0089]在该结构的电子设备(反射型电光学装置100)中，规定了向3个电光学装置
100(电光学装置100R、100G、100B)入射的光的波长。因此,在第一基板10中形成第一电介质层18时，针对决定低折射率层181和高折射率层182的各自的光学膜厚nd时的波长入。，也可以按每ー电光学装置100 (电光学装置100R、电光学装置100G、电光学装置100B)设定最佳的值。米用该结构时，在姆ー电光学装置100R、100G、100B中第一电介质层18的结构不相同，但是由于在姆ー电光学装置100R、100G、100B中能够形成最佳的第一电介质层18,因此能够提高投射型显示装置1000的亮度。
[0090]下面，如图6(b)所示的移动电话机3000具备多个操作按钮3001、滚动按钮3002以及作为显示単元的电光学装置100。通过操作滚动按钮3002来滚动显示在电光学装置100中的画面。图6(c)所示的信息便携终端(PDA:Personal Digital Assistants)具备多个操作按钮4001、电源开关4002以及作为显示単元的电光学装置100，操作电源开关4002时，在电光学装置100中显示地址薄或日程表等各种信息。
[0091]而且，若在第二基板20等中形成滤色器，则能够形成可彩色显示的电光学装置100。另外，若使用形成有滤色器的电光学装置100，则也能够构成单板式的投射型显示装置。
[0092]另外，作为搭载应用了本发明的电光学装置100的电子设备，除了图6 (a)、(b)、
(c)所示的设备以外，还可列举头部安装显示器、数码照相机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型磁带录像机、车载导航装置、寻呼机、电子记事本、电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS終端、银行终端等电子设备等。
【权利要求】
1.ー种电光学装置，其特征在于，包含: 第I基板； 第2基板，其与所述第I基板对置地配置，使光透过； 液晶，其配置在所述第I基板与所述第2基板之间； 第I电极，其配置在所述第I基板与所述液晶之间，对光进行反射； 第2电极，其配置在所述第2基板与所述液晶之间，使光透过； 第I电介质层，其配置在所述第I电极与所述液晶之间；和 第2电介质层，其配置在所述第2电极与所述液晶之间， 所述第I电介质层，包含具有第I折射率的第I折射率层和具有比所述第I折射率大的第2折射率的第2折射率层， 所述第I折射率层配置在所述第2折射率层与所述第I电极之间。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在干， 还包含配置在所述第I电介质层与所述液晶之间的第I取向膜。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在干， 还包含配置在所述第2电介质层与所述液晶之间的第2取向膜。
4.根据权利要求1~3中任ー项所述的电光学装置，其特征在干， 所述第I电极是像素电极，` 所述第2电极是公共电极。
5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在干， 所述第I电极含有铝。
6.根据权利要求1~5中任ー项所述的电光学装置,其特征在于， 所述第I折射率不足1.7，所述第2折射率是1.7或1.7以上。
7.根据权利要求1~6中任ー项所述的电光学装置,其特征在于， 所述第I电介质层，将所述第I折射率层与所述第2折射率层的组层叠多个而形成。
8.根据权利要求4或5所述的电光学装置，其特征在干， 所述像素电极包含第I像素电极与第2像素电极， 在所述第I像素电极以及所述第2像素电极、与所述第I基板之间，配置有第I绝缘层， 在所述第I像素电极与所述第2像素电极之间，配置有第2绝缘层， 与所述第I像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第I折射率层。
9.根据权利要求8所述的电光学装置，其特征在干， 在所述第I绝缘层的开ロ配置有塞子， 所述第I像素电极，经由所述塞子与晶体管电连接。
10.ー种电光学装置用基板，其特征在于，包含: 第I基板； 第I电极，其对光进行反射；和 第I电介质层，其被配置成覆盖所述第I电极， 所述第I电介质层，包含具有第I折射率的第I折射率层和具有比所述第I折射率大的第2折射率的第2折射率层，所述第I折射率层配置在所述第2折射率层与所述第I电极之间。
11.根据权利要求10所述的电光学装置用基板，其特征在干， 还包含被配置成覆盖所述第I电介质层的第I取向膜。
12.根据权利要求10或11所述的电光学装置用基板，其特征在干， 所述第I电极是像素电极。
13.根据权利要求12所述的电光学装置用基板，其特征在干， 所述第I电极含有铝。
14.根据权利要求10~13中任ー项所述的电光学装置用基板，其特征在干， 所述第I折射率不足1.7，所述第2折射率是1.7或1.7以上。
15.根据权利要求10~14中任ー项所述的电光学装置用基板，其特征在干， 所述第I电介质层，将所述第I折射率层和所述第2折射率层的组层叠多个而形成。
16.根据权利要求12或13所述的电光学装置用基板，其特征在干， 所述像素电极包含第I像素电极与第2像素电极， 在所述第I像素电极以及所述第2像素电极、与所述第I基板之间，配置有第I绝缘层， 在所述第I像素电极与所述第2像素电极之间，配置有第2绝缘层， 与所述第I像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第I折射率层。
17.根据权利要求16所述的电光学装置用基板，其特征在干， 在所述第I绝缘层的开ロ配置有塞子， 所述第I像素电极，经由所述塞子与晶体管电连接。
18.—种电子设备,其特征在于， 包含权利要求1~9中任ー项所述的电光学装置、或者权利要求10~17中任ー项所述的电光学装置用基板。
【文档编号】G02F1/1335GK103558709SQ201310451090
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2009年9月18日 优先权日:2008年9月29日
【发明者】川上泰 申请人:精工爱普生株式会社