光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法

光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法
【专利摘要】本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
【专利说明】光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造工艺【技术领域】，特别涉及一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法。
【背景技术】
[0002]集成电路制造工艺中，光刻工艺是利用照相技术将掩膜板上图形转移到晶片上光刻胶层的过程。光刻胶是一种对光敏感的高分子化合物，使用适当波长的光透过具有选择性图形的掩膜板，未被掩膜板遮挡的区域经过光照会发生交联、分解或聚合等化学反应，再通过显影液和光刻胶反应，使光刻胶选择性的溶解于显影液中，从而得到所需要的图形窗口，之后再通过刻蚀、注入、退火等工艺形成图形转移过程。
[0003]光刻胶的主要成分是树脂、感光材料、溶剂和添加剂，其中树脂是聚合材料，是光刻胶中不同材料的粘合剂，决定光刻胶的粘附性、厚度和热稳定性；感光材料是在曝光时吸收光能发生化学反应，形成溶于或不溶于显影液的图形区域；溶剂主要作用是使光刻胶在涂到晶片表面前保持液体的状态，具有良好的流动性；添加剂一般只在特殊需求的光刻胶中使用，主要目的是改善光刻胶的某些性能，如改善光刻胶的反射添加染色剂等。常用的光刻胶从种类上分为正性光刻胶和负性光刻胶，简称正胶和负胶。其中正胶指的是曝光区域光刻胶溶于显影液，形成图形打开区，负胶指的是曝光区域光刻胶不溶于显影液，形成图形保护区。正胶和负胶相比，具有更高的解析度和分辨率，对于制作较小尺寸的图形时需要用正胶，但正胶价格比负胶贵，负胶在早期的半导体制造中普遍使用。
[0004]光刻工艺的基本流程如下:
[0005]1、将硅片涂覆六甲基乙硅氮烷(简称HMDS)，HMDS在加热的条件下与释放的02反应形成三甲基甲硅烷(Si [CH3])的氧化物，键合在硅表面，形成疏水的表面，增加硅片表面与光刻胶的粘附性能；金属层由于和光刻胶的粘附性较佳，一般在匀胶前不涂覆六甲基乙硅氮烷，但一般都需要做一个高温烘烤，以排除硅片表面的水汽，保证硅片和光刻胶的粘附性。
[0006]2、涂匀光刻胶，光刻胶的厚度、均匀性主要受到光刻胶粘附性和匀胶台转速的影响，以及受匀胶方式(静态还是动态匀胶)影响。
[0007]3、匀胶后烘，也称为前烘，主要目的是通过进行高温烘焙使存在光刻胶中的溶剂挥发出来，降低灰尘的沾污，减轻因高速旋转形成的薄膜应力，提高光刻胶的附着性。
[0008]4、对准曝光，使从光刻机中具有一定波长范围的光透过光刻版，通过选择性的光照形成光刻版上图形的复制过程，受光照的光刻胶发生化学反应，形成可溶于相应显影液的混合物。具体的，对于正胶来说，曝光区的光刻胶会生成羧酸，可溶于显影液，而对于负胶而言，曝光区光刻胶会生成交联聚合物，不溶于显影液。
[0009]5、曝光后烘，主要目的是消除驻波效应。驻波效应指的是曝光过程中在曝光区和非曝光区边界将会形成曝光强弱相间的过渡区，影响显影后的图形尺寸和分辨率，增加烘烤后可以使曝光区和非曝光区之间的过度区域光刻胶形貌平缓。[0010]6、光刻显影，通过曝光和曝光后烘后的光刻胶，在曝光区域形成潜在的图形，在显影液溶解冲水的作用下，形成光刻版上的光刻图形。具体的，对于正胶而言，曝光区的光刻胶形成羧酸，显影液呈碱性，可迅速中和逐层溶解；对于负胶而言，曝光区的光刻胶形成不溶于显影液的交联聚合物，未曝光区的光刻胶在显影液中形成凝胶体后迅速分解。
[0011]7、显影后烘，在显影后的高温处理主要是去除光刻胶中的剩余溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀力和阻挡力，还可以减少光刻胶表面张力以减少缺陷，同时使光刻胶边缘轮廓得到修正。
[0012]8、光刻检查，线宽测量，显影后做光刻质量的检查。此时对于光刻工艺中重点项目如光刻版是否正确、光刻胶质量、图形质量、线宽、对偏等是否满足产品的要求进行检测。
[0013]9、返工或刻蚀,对于合格的娃片安排刻蚀,形成最终形貌，对于不符合要求的娃片，需要选择返工。返工的程序一般是先将光刻胶去除，再重做一遍光刻的步骤，最终形成满足产品要求的光刻图形。
[0014]对于光刻返工工艺中光刻胶的去除，常用的方法是湿法去胶和干法去胶。湿法去胶指的是使用液体浸润发生化学反应的方法，湿法去胶又分为有机溶液去胶和无机溶液去胶。有机溶液使用的是丙酮或者EBR (Edge Bead Rinse)清洗液。相对EBR清洗液，丙酮很容易出现去胶不尽的异常，但EBR清洗液使用成本比丙酮高的多。无机溶剂基本是含硫酸(H2S04)和双氧水(H202)的混合液，使光刻胶中的碳元素氧化成为二氧化碳，但由于会腐蚀金属，所以无机溶液去胶方法一般只在金属层之前使用，且去胶时间较长，时间成本较闻。
[0015]干法去胶指的是使用等离子体，使光刻胶在氧等离子体中发生化学反应，生成气态的一氧化碳、二氧化碳和水汽，并由真空系统排出。但干法去胶存在的显著问题是受设备波动、气体流量、反应温度、腔体压力等影响出现去胶不尽、去胶均匀性不佳、颗粒沾污等异常，同时硅片表面由于等离子体的轰击反应变得不平整光滑，在后续的返工过程中，硅片和光刻胶的粘附性变得很差，会出现光刻胶脱落的现象。
[0016]随着半导体制造技术的发展，线宽要求越来越小，负胶较差的解析度、分辨率已经不能满足生产制造的需求，在半导体制造中除了特殊器件外已经很少使用负胶。同时随着材料技术的发展，正胶和负胶的生产成本已经相差不大，所以在实际中，正胶已经成为使用最广泛的光刻胶材料。而传统的正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，常出现去胶不尽、颗粒沾污或者影响硅片表面状态，不仅无法达到返工效果，还给返工硅片带来风险。传统的光刻返工方法中正胶去胶单步时间和材料成本较高，不仅严重影响返工及效率，还会产生较大的设备占用率，所以优化光刻返工流程中正性光刻胶的去除方法，提供高效质优的返工方案已成为本领域技术人员需要解决的问题。

【发明内容】

[0017]本发明的目的在于提供一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，常出现去胶不尽、颗粒沾污或者影响硅片表面状态，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险；以及正胶去胶单步时间和材料成本较高，不仅严重影响返工及效率，还会产生较大的设备占用率的问题。
[0018]为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻胶去除方法，所述光刻胶去除方法包括:
[0019]步骤10:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶；
[0020]步骤11:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光；
[0021]步骤12:对曝光后的正性光刻胶进行显影；
[0022]步骤13:对介质层或金属层进行清洗及烘烤。
[0023]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤11中，所述曝光光源的波长为0.1nm ?600nm。
[0024]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤10中，所述正性光刻胶经过了光刻工艺中的选择性曝光或显影；或者所述正性光刻胶未经过曝光。
[0025]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤11中，所述曝光光源的波长与光刻工艺中当道曝光工艺中的曝光光源的波长相同。
[0026]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤11中，所使用的曝光机的出光口与所述正性光刻胶之间无阻挡物。
[0027]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤11中，在对所述正性光刻胶进行曝光的过程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次数是I次或者多次。
[0028]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤12中，对曝光后的正性光刻胶进行显影的显影条件与光刻工艺中当道显影工艺中的显影条件相同。
[0029]可选的，在所述的光刻胶去除方法中，在步骤13中，所述烘烤的工艺温度为90°C ?140 °C。
[0030]本发明还提供一种光刻工艺返工方法，所述光刻工艺返工方法包括:
[0031 ] 步骤20:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶；
[0032]步骤21:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光；
[0033]步骤22:对曝光后的正性光刻胶进行显影；
[0034]步骤23:对介质层或金属层进行清洗及烘烤 '及
[0035]步骤24:在半导体衬底上执行涂匀光刻胶、匀胶后烘、对准曝光、曝光后烘、光刻显影、显影后烘及光刻检查工艺。
[0036]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤21中，所述曝光光源的波长为
0.1nm ?600nm。
[0037]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤20中，所述正性光刻胶经过了光刻工艺中的选择性曝光或显影；或者所述正性光刻胶未经过曝光。
[0038]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤21中，所述曝光光源的波长与光刻工艺中当道曝光工艺中的曝光光源的波长相同。
[0039]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤21中，所使用的曝光机的出光口与所述正性光刻胶之间无阻挡物。
[0040]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤21中，在对所述正性光刻胶进行曝光的过程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次数是I次或者多次。
[0041]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤22中，对曝光后的正性光刻胶进行显影的显影条件与光刻工艺中当道显影工艺中的显影条件相同。
[0042]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤23中，所述烘烤的工艺温度为90°C ~140 °C。
[0043]可选的，在所述的光刻工艺返工方法中，在步骤24中，当发现正性光刻胶存在异常时，则中断步骤24，并重新执行步骤21至步骤23。
[0044]在本发明提供一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
【专利附图】

【附图说明】
[0045]图1是本发明实施例一的光刻胶去除方法的流程示意图；
[0046]图2a~2c是本发明实施例一的光刻胶去除方法所形成的器件剖面示意图；
[0047]图3是本发明实施例二的光刻工艺返工方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0048]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0049]【实施例一】
[0050]在本实施例一中，提供了一种光刻胶去除方法，具体的，请参考图1，其为本发明实施例一的光刻胶去除方法的流程示意图。如图1所示，所述光刻胶去除方法包括:
[0051]步骤SlO:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶；
[0052]步骤Sll:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光；
[0053]步骤S12:对曝光后的正性光刻胶进行显影；
[0054]步骤S13:对介质层或金属层进行清洗及烘烤。
[0055]具体的，请结合参考图2a~2c，图2a~2c为本发明实施例一的光刻胶去除方法所形成的器件剖面示意图。
[0056]如图2a所示，提供半导体衬底21，所述半导体衬底21上形成有介质层和/或金属层22，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶23。其中，所述半导体衬底21可以是硅衬底、锗硅衬底、II1- V族元素化合物衬底或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底。本实施例中采用的是硅衬底。更具体地，本实施例中采用的硅衬底上可以形成有MOS场效应晶体管或双极型晶体管等半导体器件。
[0057]所述介质层和/或金属层22指既可以是一层介质层，也可以是一层金属层，还可以是包含介质层和金属层的复合层。当是包含介质层和金属层的复合层时，既可以是所述金属层位于所述介质层上面，也可以是所述介质层位于所述金属层上面。当所述金属层位于所述介质层上面时，所述正性光刻胶23位于所述金属层之上；当所述介质层位于所述金属层上面时，所述正性光刻胶23位于所述介质层之上。具体的，所述介质层的材料可以为氧化物、氮化物、氮氧化物或多晶硅等；所述金属层的材料可以为铝、铜、氮化钛、钛、钨单种金属，也可以是多种合金、硅合金等。
[0058]请继续参考图2a，在本实施例中，所述正性光刻胶23经过了光刻工艺中的显影工艺，即已经形成了光刻版上的光刻图形。在本申请的其他实施例中，所述正性光刻胶23也可以为未经过曝光工艺的正性光刻胶，例如，在光刻工艺中的曝光步骤之前已经发现正性光刻胶存在颗粒化或者厚度不均等异常，则此时即可以进行光刻胶去除工艺。在本申请的其他实施例中，所述正性光刻胶23还可以是经过了选择性曝光工艺、但尚未经过显影工艺，即形成了潜在图形。
[0059]接着，请参考图2b，选择曝光光源对所述正性光刻胶23进行曝光，所述曝光光源的波长为0.1nm?600nm。具体的，所述曝光光源可以为紫外光、电子束或者X射线。进一步的，所述曝光光源的波长与光刻工艺中当道曝光工艺中的曝光光源的波长相同，由此，可以不改变曝光机的设定条件，从而简化工艺步骤。在本申请的其他实施例中，所述曝光的工艺条件也可相对于前一道曝光的工艺条件作出改变。
[0060]进一步的，在对所述正性光刻胶23进行曝光的过程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次数是I次或者多次。例如，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍，所使用的曝光次数是2次或更多次；或者，所使用的曝光能量是通常曝光能量的2倍多更多倍，所使用的曝光次数仅为I次。在此，通过曝光能量及曝光次数的设定/选择，以达到更好去除正性光刻胶23的目的，即使得正性光刻胶23去除干净。
[0061]请继续参考图2b，在本实施例中，所使用的曝光机的出光口与所述正性光刻胶23之间无阻挡物，即曝光机发出的光线24无遮挡的照射至正性光刻胶23上，由此，能够使得所述正性光刻胶23得到充分的曝光。优选的，所述光线24的照射范围Zl大于等于所述正性光刻胶23所占据的范围Z2，由此，能够使得所述正性光刻胶23得到充分、全面的曝光。
[0062]接着，请参考图2c，对曝光后的正性光刻胶23进行显影，从而去除介质层或金属层上的正性光刻胶23。其中，所述显影的方式为轨道显影或者槽式显影。优选的，所述显影的工艺条件与光刻工艺中当道显影工艺中的显影工艺条件相同，即所述显影工艺所需要的显影液可以为当前所使用的显影液，由此，既能够简化工艺又能够降低成本。优选的，所述显影的工艺时间比光刻工艺中当道显影工艺中的显影工艺的时间长，由此能够保证正性光刻胶23充分显影去除。在此，根据光刻原理，经过曝光的正性光刻胶会发生化学反应变成羧酸，形成可溶于相应显影液的混合物，从而实现正性光刻胶23的去除。
[0063]进一步的，对曝光后的正性光刻胶23进行显影，去除了正性光刻胶23之后，对所述介质层或金属层(即去除正性光刻胶23之后所显露出的膜层)进行清洗及烘烤。通过清洗工艺能够将介质层或金属层22表面的聚合物予以清除，从而保证介质层或金属层22表面的清洁。同时，通过烘烤工艺能够排除介质层和/或金属层22 (包括半导体衬底21)表面的水汽，保证后续进行光刻返工工艺时光刻胶能够很好的附着于介质层或金属层22表面。优选的，所述烘烤的工艺温度为90°C~140°C。
[0064]在本实施例中，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的，在光刻胶去除方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
[0065]【实施例二】
[0066]在本实施例二中，提供了一种光刻工艺返工方法，具体的，请参考图3，其为本发明实施例二的光刻工艺返工方法的流程示意图。如图3所示，所述光刻工艺返工方法包括:
[0067]步骤20:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶；
[0068]步骤S21:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光；
[0069]步骤S22:对曝光后的正性光刻胶进行显影；
[0070]步骤S23:对介质层或金属层进行清洗及烘烤 '及
[0071]步骤S24:在半导体衬底上执行涂匀光刻胶、匀胶后烘、对准曝光、曝光后烘、光刻显影、显影后烘及光刻检查工艺。
[0072]具体的，先执行步骤S21至步骤S23，进行光刻胶去除工艺，对此可相应参考实施例一，本实施例二对此不再赘述。
[0073]在去除了正性光刻胶之后，接着即可在半导体衬底上执行涂匀光刻胶、匀胶后烘、对准曝光、曝光后烘、光刻显影、显影后烘及光刻检查工艺，即再次执行正常的光刻工艺，由此实现光刻工艺的返工。此外，在步骤24中，当发现正性光刻胶存在异常时，则中断步骤24，并重新执行步骤21至步骤23，即可以进行多次返工。在本实施例中，在半导体衬底上执行涂匀光刻胶、匀胶后烘、对准曝光、曝光后烘、光刻显影、显影后烘及光刻检查工艺可参考【背景技术】中描述，本申请对此不再赘述。
[0074]在此，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
[0075]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【权利要求】
1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括: 步骤10:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶； 步骤11:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光； 步骤12:对曝光后的正性光刻胶进行显影； 步骤13:对介质层或金属层进行清洗及烘烤。
2.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤11中，所述曝光光源的波长为 0.1nm ~600nm。
3.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤10中，所述正性光刻胶经过了光刻工艺中的选择性曝光或显影；或者所述正性光刻胶未经过曝光。
4.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤11中，所述曝光光源的波长与光刻工艺中当道曝光工艺中的曝光光源的波长相同。
5.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤11中，所使用的曝光机的出光口与所述正性光刻胶之间无阻挡物。
6.如权利要求1~5中任一项所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤11中，在对所述正性光刻胶进行曝光的过程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次数是I次或者多次。
7.如权利要求1~5中任一项所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤12中，对曝光后的正性光刻胶进行显影的显影条件与光刻工艺中当道显影工艺中的显影条件相同。
8.如权利要求1~5中任一项所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在步骤13中，所述烘烤的工艺温度为90°C~140°C。
9.一种光刻工艺返工方法，其特征在于，包括: 步骤20:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶； 步骤21:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光； 步骤22:对曝光后的正性光刻胶进行显影； 步骤23:对介质层或金属层进行清洗及烘烤 '及 步骤24:在半导体衬底上执行涂匀光刻胶、匀胶后烘、对准曝光、曝光后烘、光刻显影、显影后烘及光刻检查工艺。
10.如权利要求9所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤21中，所述曝光光源的波长为0.1nm~600nm。
11.如权利要求9所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤20中，所述正性光刻胶经过了光刻工艺中的选择性曝光或显影；或者所述正性光刻胶未经过曝光。
12.如权利要求9所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤21中，所述曝光光源的波长与光刻工艺中当道曝光工艺中的曝光光源的波长相同。
13.如权利要求9所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤21中，所使用的曝光机的出光口与所述正性光刻胶之间无阻挡物。
14.如权利要求9~13所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤21中，在对所述正性光刻胶进行曝光的过程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次数是I次或者多次。
15.如权利要求9~13所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤22中，对曝光后的正性光刻胶进行显影的显影条件与光刻工艺中当道显影工艺中的显影条件相同。
16.如权利要求9~13所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤23中，所述烘烤的工艺温度为90°C~140°C。
17.如权利要求9~13所述的光刻工艺返工方法，其特征在于，在步骤24中，当发现正性光刻胶存在异常时，则中断步骤24，并重新执行步骤21至步骤23。
【文档编号】G03F7/42GK103558739SQ201310596199
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】杨彦涛, 江宇雷, 钟荣祥, 崔小锋, 吴继文, 袁媛 申请人:杭州士兰集成电路有限公司