充电构件、处理盒和电子照相设备的制作方法
【专利摘要】提供一种充电构件，其不发生可包括不均匀带电的异常放电，并且其表面层几乎不被污染由此使得能够长时间均匀带电。一种充电构件，其包括基体、弹性层和表面层，其中表面层含有分别由以下通式(1)、化学式(2)和通式(3)表示的构成单元，并且具有Si-O-Ti键、Ti-O-M键和Si-O-M键的高分子化合物。M表示选自由V、Nb和W组成的组的原子。(1)(2)TiO4/2(3)MO5/2
【专利说明】充电构件、处理盒和电子照相设备
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于电子照相设备的接触充电的充电构件，以及处理盒和电子照相设 备。
【背景技术】
[0002] 为了可以充分并均匀地确保感光构件和充电构件之间的抵接辊隙，通常构造具有 含有橡胶的弹性层的抵接感光构件以使感光构件充电的充电构件。由于此类弹性层不可避 免地含有低分子量组分，因此低分子量组分由于充电构件的长期使用可以朝向充电构件的 表面渗出从而污染感光构件的表面。为了解决该问题，日本专利申请特开No. 2001-173641 提出其中用无机氧化物涂膜或无机-有机杂化涂膜涂布弹性层的外周面以抑制低分子量 组分朝向充电构件的表面渗出的构造。
[0003] 顺便提及，近年来，伴随着电子照相图像形成过程的速度的增加，感光构件和充电 构件彼此接触的时间已变得相对短，这对稳定和确保感光构件的充电是不利的。可以说，在 这种情况下，具有打算抑制低分子量组分渗出的、在其外周面上形成的厚膜的充电构件对 稳定和确保感光构件的充电是不利的。此外，抵接充电构件的感光构件的滑动摩擦的增加 促进渗出物从弹性层和表面层的析出，由此在某些情况下难以长时间使感光构件均匀地充 电。此外，由于感光构件表面上的电荷输送层随着充电构件和感光构件之间的滑动摩擦的 增加而容易受到刮擦，要求电荷输送层形成具有增加的厚度。然而，感光构件的电荷输送层 的厚度增加导致电荷输送层的静电容量的降低，由此使得由充电构件供给的电荷不稳定从 而引起在某些情况下由于异常放电导致的充电不均匀。
[0004] 为了使感光构件稳定且均匀地充电，也提出抑制由于局部的泄漏导致的异 常放电的方法。为了抑制此类由于异常放电引起的充电不均匀，日本专利申请特开 No. 2010-197590公开了其中具有离子导电性的中间层设置于电阻调节层上，以及具有绝缘 性的表面层进一步设置在中间层上的导电辊。
[0005] 引用列表 [0006] 专利文献
[0007] PTLl :日本专利申请特开 No. 2001-173641
[0008] PTL2 :日本专利申请特开 No. 2010-197590
【发明内容】
[0009] 发明要解决的问是页
[0010] 然而，根据本发明人的研究，关于日本专利申请特开No. 2001-173641中描述的充 电构件，存在于有机-无机杂化膜中的微细电子缺陷在某些情况下已经引起异常放电。此 夕卜，关于日本专利申请特开No. 2010-197590中描述的导电辊，在重复输出图像时离子性物 质已渗出，由此使得在某些情况下难以稳定且均匀地充电。
[0011] 本发明的目的在于提供能够稳定地使被充电体充电，并且即使在进行形成长时间 保持其性能的电子照相图像的情况下也几乎不改变的充电构件。此外，本发明的目的是提 供能够稳定地形成高品质电子照相图像的电子照相设备和处理盒。
[0012] 用于解决问题的方案
[0013] 根据本发明的一个方面，提供充电构件，其包括基体、弹性层和表面层，其中表面 层含有具有由以下通式（1)、化学式（2)和通式（3)表示的构成单元，并且具有Si-O-Ti键、 Ti-O-M键和Si-O-M键的高分子化合物。
[0014]
【权利要求】
1. 一种充电构件，其包括：基体、弹性层和表面层，其特征在于，所述表面层含有具有 由以下通式（1)、化学式（2)和通式（3)表示的构成单元，并且具有Si-O-Ti键、Ti-O-M键 和Si-O-M键的高分子化合物：
TiO4A化学式⑵ M05/2 通式（3) 通式（3)中，M为选自由V、Nb和W组成的组的任意原子；和通式（1)中，RjPR2各自 独立地表示以下通式（4)-(7)的任意一种；
通式（4)-⑵中：R3-R7、R1Q-R14、R 19、R2Q、R25和R26各自独立地表示氢、具有1-4个碳原 子的烷基、羟基、羧基或氨基；R8、R9、R15_R18、R 23、R24和R29-R32各自独立地表示氢或具有1-4 个碳原子的烷基；R21、R22、R27和R28各自独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷氧基或具有 1-4个碳原子的烷基；n、m、1、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数；p和r各自 独立地表示4以上且12以下的整数；1和7各自独立地表示O或1 和"**"分别表示 与通式（1)中的硅原子和氧原子的键合位置。
2.根据权利要求1所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，通式（1)中的R1和 馬各自独立地为选自由以下通式（8)-(11)表示的结构的任意一种：
通式（8)-(11)中，N、M、L、Q、S和T各自独立地表示1以上且8以下的整数；以及X' 和y'各自独立地表示O或1;以及和分别表示与式（1)中的硅原子和氧原子的 键合位置。
3. 根据权利要求1或2所述的充电构件，其中所述高分子化合物中M的原子数与M和 Ti的原子数之和的比MAM+Ti)为0. 005以上且0. 95以下。
4. 根据权利要求3所述的充电构件，其中所述MAM+Ti)为0. 01以上且0. 90以下。
5. 根据权利要求1-4的任意一项所述的充电构件，其中所述高分子化合物中硅的原子 数与M和Ti的原子数之和的比Si AM+Ti)为0.05以上且7.0以下。
6. 根据权利要求5所述的充电构件，其中所述SV(M+Ti)为0. 10以上且5. 0以下。
7. 根据权利要求1-6的任意一项所述的充电构件，其中所述表面层的厚度为 10-1000nm。
8. 根据权利要求7所述的充电构件，其中所述表面层的厚度为50-500nm。
9. 一种电子照相设备，其特征在于，其包括：感光构件和与所述感光构件接触配置的 根据权利要求1-8的任意一项所述的充电构件。
10. -种处理盒，其特征在于，其包括：感光构件和与所述感光构件接触配置的根据权 利要求1-8的任意一项所述的充电构件，所述处理盒构造为从电子照相设备的主体可拆 卸。
【文档编号】G03G15/02GK104335124SQ201380026708
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2013年5月15日 优先权日:2012年5月22日
【发明者】仓地雅大, 儿玉真隆, 土井孝之, 铃村典子, 益启贵, 黑田纪明 申请人:佳能株式会社