电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子照相感光构件、各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相 设备、和酞菁晶体。
【背景技术】
[0002] 因为在电子照相领域中通常用作图像曝光装置的半导体激光器的振荡波长在650 至820nm的长波长范围内，对在该长波长范围内的光具有高的感光度的电子照相感光构件 现在正在开发。
[0003] 酞菁颜料作为对范围为此类长波长区域的光具有高的感光度的电荷产生物质是 有效的。特别是氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性，并且迄今已经报道了各种晶型。
[0004] 虽然使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性，但问题在于，生 成的光载流子趋于残存在感光层中从而用作记忆体，容易导致例如重影等电位变化。
[0005] 专利文献1公开了在酸溶法期间特定的有机电子受体向酞菁颜料中的添加具有 敏化效果。然而，所述方法具有的问题在于，添加剂（有机电子受体）可以进行化学变化， 并且向期望的晶型的变换在一些情况下会困难。
[0006] 专利文献2公开了颜料和特定的有机电子受体的湿式粉碎处理使得同时晶型变 换和在晶体的表面中有机电子受体的引入，导致改善的电子照相性能。
[0007] 专利文献3公开了一种包含极性有机溶剂的羟基镓酞菁晶体。在使用例如N，N-二 甲基甲酰胺等变换溶剂的情况下，将极性有机溶剂引入至晶体，使得获得具有优异的感光 度特性的晶体。
[0008] 引用列表
[0009] 专利f献
[0010] 专利文献1 :日本专利申请特开No. 2001-40237
[0011] 专利文献2 :日本专利申请特开No. 2006-72304
[0012] 专利文献3 :日本专利申请特开No.H7-331107
【发明内容】
[0013] 发明要解决的问题
[0014] 如上所述，已经做出各种尝试来改善电子照相感光构件。
[0015] 近年来，为了进一步改善高品质图片，期望防止在各种环境下由于重影导致的图 像劣化。在根据专利文献2的方法中，有机电子受体没有充分地包含于生产的酞菁晶体中， 所述有机电子受体处于简单的混合物状态或附着至表面。因此，存在改善的需要。发现的 是，在专利文献3记载的方法中，生成的光载流子容易残存在感光层中从而用作记忆体，在 一些情况下容易导致例如重影等电位变化。
[0016] 本发明的目的是提供一种电子照相感光构件，其不仅在常温常湿环境下，而且在 低温低湿环境下，特别是在严苛条件下，降低由于重影导致的图像缺陷。此外，本发明的目 的是提供各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0017] 另外，本发明的目的是提供一种在晶体内包含特定的4-哌啶酮化合物的酞菁晶 体。
[0018] 用于解决问题的方案
[0019] 根据本发明的一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成在 所述支承体上的感光层；其中所述感光层包含其中含有由下式（1)表示的化合物的酞菁晶 体：
[0020]
[0021] 式（1)
[0022] 其中R1表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未 取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为取代的芳基 的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。
[0023] 根据本发明的另一方面，提供一种处理盒，其一体化支承电子照相感光构件，和选 自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置，所述处理盒可拆 卸地安装至电子照相设备的主体。
[0024] 根据本发明的又一方面，提供一种电子照相设备，其具有电子照相感光构件，和充 电装置、曝光装置、显影装置以及转印装置。
[0025] 根据本发明的又一方面，提供一种在晶体内包含由下式（1)表示的化合物的酞菁 晶体。
[0026]
[0027] 式（1)
[0028] 其中R1表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取代或未 取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为取代的芳基 的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。
[0029]发明的效果
[0030] 本发明可以提供一种电子照相感光构件，其不仅可以在常温常湿环境下，而且可 以在低温低湿环境下，特别是在严苛条件下，输出具有降低的由于重影导致的图像缺陷的 图像。本发明还可以提供各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0031] 本发明还可以提供一种作为电荷产生物质的具有优异性能的酞菁晶体。
[0032] 本发明的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。
【附图说明】
[0033] 图1是设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意 图。
[0034] 图2是在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。
[0035] 图3是在实施例1_2中获得的羟基嫁酿菁晶体的粉末X射线衍射图。
[0036] 图4是在实施例1_4中获得的羟基嫁酿菁晶体的粉末X射线衍射图。
[0037] 图5是在实施例1_5中获得的羟基嫁酿菁晶体的粉末X射线衍射图。
【具体实施方式】
[0038] 现在将根据附图详细地描述本发明的优选实施方案。
[0039] 如上所述，电子照相感光构件包括支承体和形成在所述支承体上的感光层。根据 本发明，电子照相感光构件的感光层包含其中含有由下式（1)表示的4-哌啶酮化合物的酞 菁晶体：
[0040]
[0041] 式（1)
[0042] 在式（1)中，R1表示甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、取 代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，条件是，作为取代 的芳基的取代基，排除乙酰基和苯甲酰基。
[0043] 式⑴中的R1可以是甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、烷氧基羰基、苄氧基羰基、烯基、 取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基。取代的烷基的取 代基的实例包括烷氧基、吗琳基烷氧基、^?烷基氣基、烷氧基幾基、芳基、芳氧基、卤素原子、 氰基和吗啉基。取代的芳基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤 素原子、硝基、氰基、甲酰基和吗啉基。取代的杂环基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二 烷基氨基、烷氧基羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基和吗啉基。
[0044] 更优选的是，式（1)中的R1是取代或未取代的烷基，其中，甲基、乙基或苄基是特 别优选的。
[0045] 在式（1)中，R1更优选表示取代或未取代的苯基，并且特别优选表示未取代的苯 基。取代的苯基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、卤素原子、甲酰基、氰基和硝基。
[0046] 式⑴中的烯基的实例包括2-丙烯基、1-环己烯基和1-环戊烯基。
[0047] 式（1)中的芳基的实例包括苯基、萘基和联苯基。
[0048] 式（1)中的杂环基的实例包括吡啶基、嘧啶基、咪唑基、噻吩基和呋喃基。
[0049] 式（1)中的取代或未取代的烷基的取代基的实例包括：例如甲氧基、乙氧基和 2-(吗啉基）-乙氧基等烷氧基；例如二甲基氨基和二乙基氨基等二烷基氨基；例如甲氧基 幾基和乙氧基幾基等烷氧基幾基；例如苯基、奈基、联苯基、硝基苯基、甲苯基等可以具有取 代基的芳基；例如吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、咪唑基、噻吩基、呋喃基等杂环基；例如 氟原子、氯原子和溴原子等卤素原子；硝基；氰基；以及吗啉基。
[0050] 式⑴中的取代或未取代的芳基的取代基的实例包括：例如甲基、乙基和丙基等 烷基；例如甲氧基和乙氧基等烷氧基；例如^甲基氣基和^乙基氣基等^烷基氣基；例如 甲氧基羰基和乙氧基羰基等烷氧基羰基；例如氟原子、氯原子和溴原子等卤素原子；硝基； 氰基；以及甲酰基。
[0051] 式（1)中的取代或未取代的杂环基的取代基的实例包括：例如甲基和乙基等烷 基；例如甲氧基和乙氧基等烷氧基；例如^甲基氣基和^乙基氣基等^烷基氣基；例如氣 原子、氯原子和溴原子等卤素原子；硝基；氰基；苯基；以及甲酰基。
[0052] 虽然以下示出包含于酞菁晶体中的4-哌啶酮化合物的优选的具体实例（示例性 化合物），但本发明不限于此。
[0053]
[0055] 如下所述，构成本发明的晶体内含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶体的酞菁的 实例包括无金属酞菁和可以具有轴向配体的金属酞菁，并且酞菁可以具有取代基。氧钛酞 菁晶体和镓酞菁晶体是特别优选的，其具有优异的感光度，但容易导致重影。
[0056] 如下所述，构成本发明的晶体内含有由式（1)表示的化合物的镓酞菁晶体的镓酞 菁的实例包括其镓原子具有卤素原子、羟基或烷氧基作为轴向配体的镓酞菁分子。酞菁环 可以包括例如卤素原子等取代基。
[0057] 在晶体内进一步包含N，N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体是优选的。
[005