电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体及其生产方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光构件、使用该电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备、与氯嫁酿菁晶体和该氯嫁酿菁晶体的生广方法。
【背景技术】
[0002] 具有作为感光体的优异的功能的酞菁颜料用作用于电子照相感光构件、太阳能电 池、传感器、和开关元件等的材料。已知的是，不仅在其中晶形不同的情况下，而且在其中晶 体的形成过程不同的情况下，此类酞菁颜料展示出不同的感光度特性。
[0003] 日本专利特开No. 2000-344778公开了 一种通过对镓酞菁晶体进行酸溶处理来生 产具有高的感光度的羟基镓酞菁晶体的方法。日本专利特开No. 11-172143公开了一种通 过将氯镓酞菁晶体或羟基镓酞菁晶体使用氢碘酸来处理而获得的碘镓酞菁晶体。
【发明内容】
[0004] 本发明提供了一种具有高的感光度的电子照相感光构件、使用所述电子照相感光 构件的处理盒和电子照相设备、与具有高的感光度的氯镓酞菁晶体和所述氯镓酞菁晶体的 生产方法。
[0005] 本发明的进一步特征将参考附图从以下示例性实施方案的描述中变得明显。
【附图说明】
[0006] 图1表明实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0007] 图2表明实施例1-1中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0008] 图3表明实施例1-6中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0009] 图4表明实施例1-9中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0010] 图5表明实施例1-12中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0011] 图6表明实施例1-13中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。
[0012] 图7是描述电子照相感光构件的感光度的评价的图。
[0013] 图8表明包括包含电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例性结构的 实例。
[0014] 图9A和9B表明电子照相感光构件的层结构的实例。
【具体实施方式】
[0015] 酞菁颜料具有作为感光体的优异功能，但在一些用途中，随着日益增加的市场需 求，已经需要更高的感光度。特别地，在此类酞菁颜料中，氯镓酞菁晶体例如用作电子照相 感光构件的电荷产生物质。然而，随着近期电子照相设备的高速化的实现（高速处理），酞 菁颜料需要具有与从前相比更高的感光度。
[0016] 因此，本发明提供了一种具有高的感光度的氯镓酞菁晶体和所述氯镓酞菁晶体的 生产方法、使用所述氯镓酞菁晶体的电子照相感光构件、以及使用所述电子照相感光构件 的处理盒和电子照相设备。
[0017] 在本发明的实施方案中，氯镓酞菁晶体通过将羟基镓酞菁晶体与盐酸水溶液混合 而获得。可以通过研磨处理或搅拌处理来进行该混合。
[0018] 作为由本发明人对通过以上特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体进行的研究的 结果，已经发现的是，这样的氯镓酞菁晶体具有作为感光体的优异功能并且可用作电子照 相感光构件、太阳能电池、传感器、和开关元件等的材料。特别地已经发现的是，当氯镓酞菁 晶体用作电子照相感光构件的材料时，氯镓酞菁晶体具有实现电子照相感光构件的高的感 光度的吸收特性。
[0019] 本发明人已经研究了具有高的感光度的氯镓酞菁晶体通过特定的生产方法来获 得的原因。因此，例如X射线衍射等的用于鉴别晶形的典型使用的分析方法有时也没有区 分上述氯镓酞菁晶体和公知的氯镓酞菁晶体。然而，在通过特定的生产方法生产的氯镓酞 菁晶体与通过除了该特定的生产方法以外的方法生产的氯镓酞菁晶体之间在感光度方面 存在明显的差别。例如，在CuKa的X射线衍射中于相同位置处具有峰的氯镓酞菁晶体中， 通过特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体具有与通过除了该特定的生产方法以外的方法 生产的氯镓酞菁晶体相比较高的感光度。虽然这原因依然不清楚，但本发明人推测：在通过 特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体中，趋于产生载流子（carrier)的J聚集体和趋于使 产生的载流子流动的Η聚集体以由晶体产生的载流子的量增加的这样的期望状态形成了 晶体（当前没有用于验证该现象的特殊方法）。
[0020] 根据本发明实施方案的氯镓酞菁晶体，即，通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶 液混合而获得的氯嫁酿菁晶体是例如在CuKa的X射线衍射图案中的布拉格角2Θ为 7.1。±0.2。、16.5。±0.2。、25.8。±0.2。、27.2。±0.4。和28.2。±0.2。处具有 峰的氯镓酞菁晶体。在本发明的实施方案中，酞菁晶体的X射线衍射在以下条件下通过粉 末X射线衍射仪来测量。
[0021] 使用的测量仪器：X射线衍射仪RINT-TTR II，Rigaku Corporation制造
[0022] X 射线管：Cu
[0023] 管电压：50kV
[0024] 管电流：300mA
[0025] 扫描模式：2 θ / Θ扫描
[0026] 扫描速度：4· 0。/min
[0027] 采样步幅大小：0.02°
[0028] 起始角度（2Θ) :5.0。
[0029] 终止角度（2 Θ) :40.0°
[0030] 附件：标准样品保持架
[0031] 滤光器：不使用
[0032] 入射单色仪：使用
[0033] 对向单色仪（counter monochromator):不使用
[0034] 发散狭缝：开启
[0035] 发散纵向限制狭缝：10. 00mm
[0036] 散射狭缝：开启
[0037] 接收狭缝：开启
[0038] 计数器：闪烁计数器
[0039] 盐酸处理步驟
[0040] 羟基镓酞菩晶体
[0041] 鉴于与盐酸水溶液的反应性，用作原料的羟基镓酞菁晶体是例如在CuK α的X射 线衍射图案中的布拉格角2 Θ为6. 9° ±0.2°和26. 4° ±0.2°处具有峰的晶体。
[0042] 例如，羟基镓酞菁晶体通过对在CuKa的X射线衍射图案中的布拉格角2Θ为 7· Γ ±0.2°、16. 5° ±0.2°、25· 8° ±0.2°、和 28. 2° ±0.2° 处具有峰的氯镓酞菁晶 体（原料）进行酸溶处理的步骤而获得。换言之，酸溶处理在盐酸处理步骤之前进行。另外， 例如，原料氯镓酞菁晶体在CuKa的X射线衍射图案中的布拉格角2 Θ为7. Γ ±0.2°、 16.5° ±0.2°、25· 8° ±0.2°、和 28. 2° ±0.2° 处具有峰并且在 27. 2° ±0.4° 处不 具有峰。
[0043] 用于酸溶处理的酸优选硫酸并且更优选浓硫酸。
[0044] 盐酸水溶液
[0045] 在盐酸处理步骤中，鉴于反应性，与羟基镓酞菁晶体混合的盐酸水溶液的浓度优 选10质量％以上并且更优选30质量％以上。
[0046] 在盐酸处理步骤中，基于lmol的使用的羟基镓酞菁晶体，与羟基镓酞菁晶体混合 的盐酸的量优选lOmol以上并且更优选lOOmol以上。
[0047] 湿式研磨步驟
[0048] 在盐酸处理步骤之后，可以进一步进行将获得的氯镓酞菁晶体和有机化合物混合 并且进行湿式研磨处理的湿式研磨步骤。通过该湿式研磨步骤，将有机化合物引入氯镓酞 菁晶体，因此可以获得其内包含有机化合物的氯镓酞菁晶体。因为由晶体产生的载流子的 量增加，就感光度的增加而言，这样的氯镓酞菁晶体是期望的。在本发明的实施方案中，"湿 式研磨处理"是使用例如砂磨机、球磨机或油漆搅拌器等的研磨设备或例如均质机、混合叶 轮或磁力搅拌器等的搅拌设备来进行的处理。研磨处理时间是例如1至100小时。
[0049] 有机化合物
[0050] 用于湿式研磨步骤的有机化合物的实例包括：酰胺系溶剂，例如甲酰