电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体及其生产方法_4

文档序号:9809612阅读:来源:国知局
JR,TAYCA CORPORATION 制造)、43 份的甲阶酚醛树脂(商品名:Phenolite J-325, DIC Corporation 制造,固成分含量:70质量%)、0·015份的硅油(商品名:SH28PA,Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)、3. 6 份的娃树脂颗粒(商品名:Tospearl 120,Toshiba Silicone Co.,Ltd.制造)、50份的2-甲氧基-1-丙醇、和50份的甲醇装入球磨机并且分散20小时 从而制备导电层形成用涂布液。将导电层形成用涂布液通过浸渍施涂至支承体上从而形成 涂膜。将该涂膜通过在140°C下进行加热1小时而固化从而形成厚度为15 μπι的导电层。
[0126] 随后,将 10 份的共聚物尼龙(商品名:Amilan CM8000,Toray Industries, Inc. 制造)和30份的甲氧基甲基化6尼龙(商品名:Toresin EF-30T,Teikoku Chemical Industries Co.,Ltd.制造)溶解在甲醇400份/正丁醇200份的混合溶剂中从而制备底 涂层形成用涂布液。将底涂层形成用涂布液通过浸渍施涂至导电层上从而形成涂膜。将涂 膜在80°C下干燥6分钟从而形成厚度为0. 42 μm的底涂层。
[0127] 随后,将2份的实施例1-1中获得的氯镓酞菁晶体(电荷产生物质)、1份的聚乙 烯醇缩丁醛(商品名:S-LEC BX-1,SEKISUI CHEMICAL C0.,LTD.制造)、和52份的环己酮 装入使用直径为1mm的玻璃珠的砂磨机并且分散6小时。然后,将75份的乙酸乙酯添加至 此从而制备电荷产生层形成用涂布液。将电荷产生层形成用涂布液通过浸渍施涂至底涂层 上从而形成涂膜。将涂膜在l〇〇°C下干燥10分钟从而形成厚度为0. 20 μπι的电荷产生层。
[0128] 随后,将28份的由以下式(C-1)表示的化合物(电荷输送物质(空穴输送性化合 物))、
[0129]
[0130] 4份的由以下式(C-2)表示的化合物(电荷输送物质(空穴输送性化合物))、和
[0131]
[0132] 40 份的聚碳酸酯(商品名:Iupilon Z200,Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation制造)溶解在一氯苯200份/二甲氧基甲烧50份的混合溶剂中从而制备电荷 输送层形成用涂布液。将电荷输送层形成用涂布液通过浸渍施涂至电荷产生层上从而形成 涂膜。将涂膜在120°C下干燥30分钟从而形成厚度为18 μπι的电荷输送层。
[0133] 因此,生产了实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
[0134] 实施例2-2至2-16和比较例2-1至2-3
[0135] 除了将实施例1-1中获得的氯镓酞菁晶体改变为表2中列出的那些以外,以与实 施例2-1相同的方式来生产电子照相感光构件。
[0136] 电子照相感光构件的感光度的评价
[0137] 感光度使用所生产的电子照相感光构件来评价。
[0138] 通过由使用弯曲的NESA玻璃的直流电压施加型电子照相感光构件测量设备测量 各生产的电子照相感光构件的电子照相特性来测量感光度。特别地,首先,为了除去电子照 相感光构件的滞后(hysteresis)(电位的滞后),将电子照相感光构件的整个表面用具有 特定的光量(1 μ J/cm2)的光来照射。照射10毫秒之后,将电子照相感光构件的表面在暗 位置充电,以致电子照相感光构件的表面具有特定的电位(Vd :-700V)。在暗位置中,将电 子照相感光构件的表面在充电之后曝光2秒,以致曝光之后的电位(VI)是-200V,并且将该 曝光量(μ J/cm2)评价为感光度。曝光量越小,电子照相感光构件的感光度越高。当曝光 量是0. 500 μ J/cm2以下时,判断实现了本发明的效果。图7表明在该评价中的电子照相感 光构件的表面的电位变化。
[0139] 表 2
[0140] 生产条件和评价结果
[0141]
[0142] 虽然已参考示例性实施方案描述了本发明,但要理解的是,本发明不限于公开的 示例性实施方案。以下权利要求的范围符合最广泛的解释从而涵盖全部这样的修改以及等 同的结构和功能。
【主权项】
1. 一种电子照相感光构件,其依序包括: 支承体;和 感光层, 其特征在于:所述感光层包括通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获得的氯镓 酿菁晶体。2. -种电子照相感光构件,其依序包括: 支承体; 电荷产生层;和 电荷输送层, 其特征在于:所述电荷产生层包括通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获得的 氯嫁酿菁晶体。3. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件,其中所述氯镓酞菁晶体是在CuK α 的X射线衍射图案中的布拉格角2Θ为7.Γ ±0.2°、16.5° ±0.2°、25.8° ±0.2°、 27. 2° ±0.4°、和28. 2° ±0.2°处具有峰的晶体。4. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件,其中在所述氯镓酞菁晶体内包含有 机化合物。5. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件,其中所述羟基镓酞菁晶体通过对原 料氯镓酞菁晶体进行酸溶处理的步骤而获得。6. -种处理盒,其可拆卸地安装至电子照相设备的主体, 其特征在于:所述处理盒一体化地支承根据权利要求1-5任一项所述的电子照相感光 构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置、和清洁装置组成的组的至少一种。7. -种电子照相设备,其特征在于包括: 根据权利要求1-5任一项所述的电子照相感光构件; 充电装置; 曝光装置; 显影装置;和 转印装置。8. -种氯镓酞菁晶体,其特征在于:是通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获 得的。9. 根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体,其中所述羟基镓酞菁晶体通过对原料氯镓酞 菁晶体进行酸溶处理的步骤而获得。10. 根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体,其中所述氯镓酞菁晶体在CuKa的X 射线衍射图案中的布拉格角2Θ为7. 1° ±0.2°、16.5° ±0.2°、25.8° ±0.2°、 27.2° ±0.4°、和 28. 2° ±0.2° 处具有峰。11. 根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体,在其内包含有机化合物。12. -种氯镓酞菁晶体的生产方法,其特征在于所述方法包括: 通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获得氯镓酞菁晶体的盐酸处理步骤。13. 根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法,其中所述氯镓酞菁晶体 在CuK α的X射线衍射图案中的布拉格角2 Θ为7. 1 ° ±0. 2 °、16. 5 ° ±0. 2 °、 25.8° ±0.2°、27· 2° ±0.4°、和 28. 2° ±0.2° 处具有峰。14. 根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括:在所述盐酸处 理步骤之前,通过对原料氯镓酞菁晶体进行酸溶处理而获得所述羟基镓酞菁晶体的步骤。15. 根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括:在所述盐酸处 理步骤之后,将所述氯镓酞菁晶体和有机化合物混合并且进行湿式研磨处理从而获得其内 包含所述有机化合物的氯镓酞菁晶体的步骤。
【专利摘要】本发明涉及一种电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体及其生产方法。一种电子照相感光构件依序包括支承体和感光层。所述感光层包括通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获得的氯镓酞菁晶体。
【IPC分类】G03G5/06, C09B67/50, G03G21/18, C07D487/22
【公开号】CN105573074
【申请号】CN201510714344
【发明人】西田孟, 田中正人, 川原正隆, 久野纯平, 渡口要, 平野秀敏
【申请人】佳能株式会社
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年10月28日
【公告号】US20160124325
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