电子照相感光体用圆筒状支持体及其制造方法、电子照相感光体、处理盒和成像装置的制造方法

电子照相感光体用圆筒状支持体及其制造方法、电子照相感光体、处理盒和成像装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种电子照相感光体用圆筒状支持体及其制造方法，所述支持体包含铝合金，其包含Si：0.4重量％至0.8重量％、Fe：0.7重量％以下、Cu：0.15重量％至0.4重量％、Mn：0.15重量％以下、Mg：0.8重量％至1.2重量％、Cr：0.04重量％至0.35重量％、Zn：0.25重量％以下、Ti：0.15重量％以下，和余量：Al和杂质，其中所述铝合金晶粒的平均面积为3.0μm2至100μm2。本发明还涉及电子照相感光体、处理盒以及成像装置。即使当本发明的电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度变薄时，其仍具有高强度和高形状精度。
【专利说明】
电子照相感光体用圆筒状支持体及其制造方法、电子照相 感光体、处理盒和成像装置
技术领域
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光体用圆筒状支持体、其制造方法、电子照相感光体、 处理盒及成像装置。
【背景技术】
[0002] 在相关技术领域中，电子照相成像装置已经是众所周知的使用电子照相感光体而 连续进行充电、曝光、显影、转印、清洁等工序的装置。
[0003] 作为电子照相感光体，已知的有：通过在铝等导电性支持体上层叠通过曝光而产 生电荷的电荷产生层和输送电荷的电荷传输层而获得的功能分离型电子照相感光体；或者 包括具有产生电荷的功能和输送电荷的功能的单一层的单层型感光体。
[0004] 专利文献1公开了一种感光体鼓用铝板，其包含0. 3重量％至I. 0重量％的Fe和 0. 2重量％至0. 8重量％的Si，其中Fe/Si〈3,板面的平均结晶粒度为35 μπι以下，拉延比 (毛坯直径/冲孔直径）为2时的制耳率在3%以下。
[0005] 专利文献2公开了一种通过对铝合金进行冷冲压成型而获得的冲压成型制品，所 述铝合金包含4. 5重量％至7. 5重量％的Ζη、0. 3重量％至0. 8重量％的Mg、0. 1重量％至 0. 2重量％的Cu中的一种或两种以上，并进一步包含0. 15重量％至0. 4重量％的Μη、0. 05 重量％至〇. 3重量％的0和0. 1重量％至0. 3重量％的21中的一种或多种，其中Mn+Cr+Zr 的总量为〇. 25重量％以上，余量由Al和杂质构成。
[0006] [专利文献 1] JP-A_61-044148
[0007] [专利文献 2] JP-A-2006-188730

【发明内容】

[0008] 本发明的目的在于提供一种电子照相感光体用圆筒状支持体，与使用具有特定成 分组成的铝合金（该具有特定成分组成的铝合金晶粒的平均面积超过100μπι 2)来获得电 子照相感光体用圆筒状支持体的情况相比，即使当本发明的电子照相感光体用圆筒状支持 体的厚度变薄时，其仍具有高强度和高形状精度。
[0009] 上述目的通过以下构造实现。
[0010] 根据本发明的第一方面，提供了一种电子照相感光体用圆筒状支持体，其包含：
[0011] 铝合金，包括
[0012] Si :0.4 重量％至 0.8 重量％、
[0013] Fe :0.7 重量％ 以下、
[0014] Cu :0· 15 重量％至0.4 重量％、
[0015] Mn :0· 15 重量％ 以下、
[0016] Mg :0· 8 重量％至 L 2 重量％、
[0017] Cr :0.04 重量％至 0.35 重量％、
[0018] Zn :0· 25 重量％ 以下、
[0019] Ti :0· 15重量％以下，和 [0020] 余量：Al和杂质，
[0021] 其中所述铝合金的晶粒的平均面积为3.0 μm2至100 μm2。
[0022] 根据本发明的第二方面，提供了一种电子照相感光体用圆筒状支持体，其由如下 方法制备：
[0023] 对铝合金进行冷冲压以获得成型制品，
[0024] 对在所述冷冲压中获得的所述成型制品进行固溶处理，
[0025] 对所述经固溶处理的成型制品进行形状加工，以及
[0026] 对所述经形状加工的成型制品进行时效硬化处理，
[0027] 其中所述铝合金包含Si :0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15 重量％至〇. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％ 至〇. 35重量％、Zn :0. 25重量％以下、Ti :0. 15重量％以下、以及余量：Al和杂质。
[0028] 根据本发明的第三方面，在根据第一方面的电子照相感光体用圆筒状支持体中， 所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. 〇3mm至I. 5_。
[0029] 根据本发明的第四方面，在根据第一方面的电子照相感光体用圆筒状支持体中， 所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. Imm至〇. 9_。
[0030] 根据本发明的第五方面，在根据第一方面的电子照相感光体用圆筒状支持体中， 所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. 2mm至0. 8_。
[0031] 根据本发明的第六方面，在根据第一方面的电子照相感光体用圆筒状支持体中， 所述晶粒的平均面积为5. 0 μ m2至80 μ m 2。
[0032] 根据本发明的第七方面，在根据第一方面的电子照相感光体用圆筒状支持体中， 所述晶粒的平均面积为7. 0 μ m2至70 μ m 2。
[0033] 根据本发明的第八方面，提供了一种电子照相感光体，其包括
[0034] 根据第一方面至第七方面任一方面所述的电子照相感光体用圆筒状支持体；和
[0035] 设置在电子照相感光体用圆筒状支持体上的感光层。
[0036] 根据本发明的第九面，提供了一种处理盒，其可从成像装置上拆卸下来，该处理盒 包括根据本发明的第八方面所述的电子照相感光体。
[0037] 根据本发明的第十方面，提供了一种成像装置，包括：
[0038] 根据第八方面所述的电子照相感光体；
[0039] 充电单元，其为所述电子照相感光体的表面充电；
[0040] 静电潜像形成单元，其在所述已充电的电子照相感光体的表面上形成静电潜像；
[0041] 显影单元，其利用含有调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面上的 所述静电潜像显影，以形成调色剂图像；以及
[0042] 转印单元，其将所述调色剂图像转印至记录介质。
[0043] 根据本发明的第十一方面，提供了一种制造电子照相感光体用圆筒状支持体的方 法，包括：
[0044] 制备铝合金，
[0045] 对所述铝合金进行冷冲压以获得成型制品，
[0046] 对在所述冷冲压中获得的所述成型制品进行固溶处理，
[0047] 对经所述固溶处理的所述成型制品进行形状加工，以及
[0048] 对经所述形状加工的所述成型制品进行时效硬化处理。
[0049] 根据本发明的第十二方面，在根据本发明第十一方面的制造电子照相感光体用圆 筒状支持体的方法中，所述固溶处理是在温度范围为300°C至600°C的加热温度下进行的。
[0050] 根据本发明的第十三方面，在根据本发明第十一方面的制备电子照相感光体用圆 筒状支持体的方法中，所述时效硬化处理是在l〇〇°C至300°C的温度范围内进行的。
[0051] 根据第一、第六或第七方面，关于通过使用具有上述成分组成的铝合金而获得的 电子照相感光体用圆筒状支持体，所述方面提供了这样一种电子照相感光体用圆筒状支持 体，与具有上述特定成分组成的铝合金晶粒的平均面积超过100 μ Hi2的情况相比，根据本发 明的电子照相感光体用圆筒状支持体即使当其厚度变薄时仍具有高强度和高形状精度。
[0052] 根据本发明的第二方面，关于通过使用具有上述成分组成的铝合金而获得的电子 照相感光体用圆筒状支持体，所述方面提供了这样一种电子照相感光体用圆筒状支持体， 与电子照相感光体用圆筒状支持体通过包括切削加工的方法制备的情况相比，根据本发明 的电子照相感光体用圆筒状支持体即使当其厚度变薄时仍具有高强度和高形状精度。
[0053] 根据第三、第四或第五方面，关于通过使用具有上述成分组成的铝合金而获得的 电子照相感光体用圆筒状支持体，所述方面提供了这样一种电子照相感光体用圆筒状支持 体，即使当所述圆筒状支持体的厚度为〇. 〇3_至I. 5_时，其仍具有高强度和高形状精度。
[0054] 根据第八、第九或第十方面，提供了一种其中应用了电子照相感光体用圆筒状支 持体的电子照相感光体、处理盒、和成像装置，关于通过使用具有上述成分组成的铝合金而 获得的电子照相感光体用圆筒状支持体，与具有上述特定成分组成的铝合金晶粒的平均面 积超过100 μπι2的情况相比，即使当本发明的电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度变薄 时，其仍具有高强度和高形状精度。
[0055] 根据本发明的第十一、十二或十三方面，提供了一种制造电子照相感光体用圆筒 状支持体的方法，关于通过使用具有上述成分组成的铝合金而获得的电子照相感光体用圆 筒状支持体，与电子照相感光体用圆筒状支持体通过包括切削的方法制备的情况相比，即 使当所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度变薄时，其仍具有高强度和高形状精度。
【附图说明】
[0056] 下面将参照如下附图对本发明的示例性实施方案进行详细描述，其中：
[0057] 图1为示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体一个构成例的 部分截面图；
[0058] 图2为示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体另一构成例的 部分截面图；
[0059] 图3为示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体另一构成例的 部分截面图；
[0060] 图4为示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体另一构成例的 部分截面图；
[0061] 图5为示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体另一构成例的 部分截面图；
[0062] 图6A至6C为示意性示出根据本发明示例性实施方案的支持体的部分制造工艺 (冲压）的视图；
[0063] 图7A和7B为示意性示出根据本发明示例性实施方案的支持体的部分制造工艺 (拉伸和展薄（drawing and ironing))的视图；
[0064] 图8为示意性示出根据本发明示例性实施方案的成像装置的一个例子的构成的 视图；以及
[0065] 图9为示意性示出根据本发明示例性实施方案的成像装置的另一个例子的构成 的视图。
【具体实施方式】
[0066] 下面，将参照附图对本发明的实施方案进行描述。在图中，具有相似功能的元件具 有相同的附图标记，并省略任何不必要的描述。
[0067] 电子照相感光体用圆筒状支持体
[0068] 根据示例性实施方案的电子照相感光体用圆筒状支持体（以下，有时简称为"支 持体"）包含铝合金，其包含0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15重量％ 至〇. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％至0. 35 重量％、Zn :0.25重量％以下、Ti :0. 15重量％，余量为铝和不可避免的杂质（以下，有时简 称为"特定铝合金"）。铝合金的晶粒的平均面积为3. 0 μ m2至100 μ m 2。
[0069] 由于根据上述示例性实施方案的支持体具有上述构造，所以即使支持体的厚度变 薄（以下，将支持体的厚度称为"壁厚"，并且使厚度变薄简称为"厚度变薄"），也能获得具 有高强度以及高形状精度的支持体。尽管原因尚未明确，但据认为原因如下。
[0070] 通常来说，作为用于电子照相感光体（以下，有时称为"感光体"）的支持体，为了 提高圆筒度，选择具有高硬度及优良加工性的材料。具体来说，通过控制各项物理性能（例 如杨氏模量）来提高支持体的圆筒度。
[0071] 例如，当使用具有优良加工性的纯铝制备支持体时，可以获得高的形状精度（例 如，圆筒度）。然而，由于铝是软的，强度可能较低。因此，例如当使支持体的厚度变薄时（例 如，0. 4mm以下），在对支持体施加外力的情况中，支持体可容易地塑性变形（永久变形），并 且在一些情况下支持体的功能不容易展现。
[0072] 另一方面，当使用经过加工硬化的高硬度铝合金制备支持体时，即使在支持体的 厚度变薄的情况下也可以获得高强度，但是在加工过程中的残留应力会导致支持体本身形 变，从而降低了形状精度。
[0073] 相反地，由于在根据示例性实施方案的支持体的制备过程中通过使用特定铝合金 而改进了支持体的可加工性，因此形状精度得以改进。由于当制备支持体时，特定铝合金 的晶粒的平均面积在上述范围内，从而提高了对抗外力的强度。因此，据认为，即使当厚度 变薄时，也能获得具有高强度和高精度的支持体。
[0074] 根据示例性实施方案的支持体，因为可以得到具有高强度和高形状精度的支持 体，所以图像再现性得到改善，并抑制了图像缺陷（例如浓度降低或空隙）。此外，通过降低 厚度可以减少所使用的铝合金的量。
[0075] 电子照相感光体
[0076] 根据示例性实施方案的电子照相感光体包括示例性实施方案的支持体和布置在 上述支持体上的感光层。
[0077] 图1为示意性示出了根据示例性实施方案的电子照相感光体7A的层构成的一个 例子的剖面图。图1所示的电子照相感光体7A具有这样的结构，其中在支持体4上依次层 叠有底涂层1、电荷产生层2及电荷传输层3。在这种情况下，电荷产生层2及电荷传输层 3构成感光层5。
[0078] 图2至图5分别为示意性示出了根据示例性实施方案的电子照相感光体的其他层 构成例子的截面图。
[0079] 图2及图3所示的电子照相感光体7B和7C包括感光层5,在该感光层5中，电荷 产生层2和电荷传输层3具有与图1所示电子照相感光体7A的情况中类似的分离功能，并 且形成有保护层6作为最外层。图2所示的电子照相感光体7B具有这样的结构，其中在支 持体4上依次层叠有底涂层1、电荷产生层2、电荷传输层3及保护层6。图3所示的电子照 相感光体7C具有这样的结构，其中在支持体4上依次层叠有底涂层1、电荷传输层3、电荷 产生层2、和保护层6。
[0080] 另一方面，在图4和图5中所不的电子照相感光体7D和7E中，单一层（单层型感 光层10)中包含电荷产生材料和电荷传输材料且其功能被一体化。在图4所不的电子照相 感光体7D的结构中，在支持体4上依次层叠有底涂层1和单层型感光层10。在图5所示的 电子照相感光体7E的结构中，在支持体4上依次层叠有底涂层1、单层型感光层10和保护 层6。
[0081] 在各电子照相感光体7A至7E中，底涂层1的设置并不是必须的。
[0082] 以下，对电子照相感光体的各要素进行说明。另外，在以下说明中省略各要素的符 号进行说明。
[0083] 支持体
[0084] 根据示例性实施方案的支持体包含具有上述成分组成的特定铝合金。
[0085] 特定铝合金
[0086] Si 和 Mg
[0087] Si的含量在0. 4重量％至0. 8重量％的范围内、Mg的含量在0. 8重量％至1. 2重 量％的范围内。当Si和Mg的含量在上述范围内时，可以提高支持体的强度。Si与Mg共存 并形成Mg2Si析出物，从而提高了支持体的强度。
[0088] Cu
[0089] Cu的含量在0.15重量％至0.4重量％的范围内。当Cu的含量在上述范围内时， 可以提高支持体的强度。Cu增加了 Mg2Si析出物，从而提高了支持体的强度。
[0090] Fe
[0091] Fe的含量在0.7重量％以下的范围内。当Fe的含量在上述范围内时，可以提高支 持体的强度。在合金中，Fe与Al和Si键合从而结晶化，并且还具有能抑制晶粒粗化的功 能。对Fe含量的下限没有特别限制，（例如）可为0. 05重量％以上。
[0092] Mn、Cr、Zn 和 Ti
[0093] Mn的含量在0. 15重量％以下的范围内，Cr的含量在0. 04重量％至0. 35重量％ 的范围内，Zn的含量在0. 25重量％以下的范围内，且Ti的含量在0. 15重量％以下的范围 内。当Mn、Cr、Zn和Ti含量在上述范围内时，可以获得微细化的晶粒。此外，可以抑制晶粒 粗化。对Mn、Zn和Ti含量的下限没有特别限制，例如Mn含量的下限为0. 03重量％以上、 Zn含量的下限为0. 03重量％以上、且Ti含量的下限为0. 03重量％以上。
[0094] 杂质
[0095] 除了上述组分和铝之外，特定铝合金还包含杂质。杂质可以包含在铝原料中、以及 制造特定铝合金基底金属的过程中。此外，例如，杂质可为诸如Ga、V、Ni、B、Zr和Ca之类 的成分。
[0096] 晶粒的平均面积
[0097] 在本示例性实施方案的支持体中，如上所述，特定铝合金的晶粒的平均面积为 3. 0 μ m2至100 μ m2。从获得即使当厚度变薄时仍具有高强度和高形状精度的支持体的角度 出发，平均面积优选在5. 0 μ m2至80 μ m 2的范围内。平均面积更优选在7. 0 μ m2至70 μ m 2 的范围内。
[0098] 此处，在本示例性实施方案的支持体中，特定铝合金的"晶粒"是指构成特定铝合 金的多晶结构的每个晶体。"晶粒的平均面积"是指晶粒的面积的平均值。
[0099] 晶粒的平均面积的数值是用扫描电子显微镜（SEM)通过观察并测量晶粒面积而 得到的。具体来说，按如下方式进行测量。
[0100] 首先，在距离支持体的轴向上的一端和另一端5mm的位置处、以及支持体的轴向 上的中心位置处，由圆周方向上相隔90度的4个位置准备测量用样品（总计4X3 = 12个 位置）。接着，将测量用样品嵌入环氧树脂中，然后进行研磨处理。所述研磨处理是通过如 下方式进行的：通过使用耐水砂纸#500对样品进行研磨，随后进行磨光以实现镜面抛光。 使用VE SEM(由KEYENCE公司制造）对经过研磨处理的测量用样品进行观察并测量。
[0101] 在各样品的横截面内，通过使用安装在上述VE SEM(由KEYENCE公司制造）中的图 像处理软件计算如下晶粒的面积，其中上述晶粒位于距离基体的外周面30 μπιΧ20 μπι(轴 向X厚度方向）的范围内的位置，将12个位置处的样品晶粒面积除以样品数而得到平均 值，并且将该平均值设为基体中的晶粒的平均面积。
[0102] 测量待测感光体的晶粒的平均面积的方法如下。
[0103] 首先，准备待测量的感光体。接着，例如，使用溶剂或者一些手段（例如，工具）去 除感光层（例如，电荷产生层、电荷传输层）和底涂层。此外，将裸露的底涂层去除从而形 成测量用样品。然后，按照上述操作中待测样品的方式来测量支持体晶粒的平均面积。
[0104] 制造根据本示例性实施方案支持体的方法没有特别限定，只要支持体的晶粒的平 均面积在上述范围内。
[0105] 作为制造支持体的方法，例如可使用这样的方法，该方法包括以下工序：特定铝合 金的制备工序；对特定铝合金进行冷冲压以形成成型制品的第一加工工序；对第一加工工 序中获得的成型制品进行固溶处理的工序；对经固溶处理的成型制品进行形状加工的第二 加工工序；以及对经形状加工的成型制品进行时效硬化处理的工序。
[0106] 以下，将描述上述制造方法的每个工序。
[0107] 图6Α至6C为示意性示出了工序的例子的图示，在这些工序中，通过冷冲压（以 下，有时简称为"冲压"）将由特定铝合金形成的工件（以下，有时简称为"炉渣（slag)"） 形成为圆筒状成型制品。图7A和7B为示出了工序的例子的图示，其中将通过冲压而成型 的圆筒状成型制品的外周面展薄（ironed)以制造根据本示例性实施方案的支持体。
[0108] 特定铝合金的制备
[0109] 首先，准备作为待加工材料的特定铝合金并用润滑剂将其涂布，以制备特定铝合 金的炉渣30。
[0110] 当使用除特定铝合金外的其他含铝金属（例如纯铝）时，即使通过以下工序也不 能获得具有高硬度和高强度的支持体。
[0111] 冲压（第一加工）
[0112] 如图6A所示，将涂布有润滑剂的特定铝合金的炉渣30置于设置在模具（阴模）20 中的圆形孔24内。接着，如图6B所示，利用圆柱状冲头（阳模）21对置于模具20内的炉 渣30进行压制。由此，将炉渣30从模具20的圆形孔24中拉伸并成形为圆筒状并覆盖冲 头21的周围。成形后，如图6C所示，提起冲头21并使其通过脱模器22的中央孔23。由此 拔出冲头21而得到圆筒状成型制品4A。
[0113] 通过这样的冲压，通过加工硬化提高了硬度，由此可制造厚度薄且硬度高的铝合 金制圆筒状成型制品4A。
[0114] 成型制品4A的厚度没有特别限定。例如，当制备厚度（壁厚）为0· 03mm至I. 5mm 的支持体时，通过冲压成型的成型制品4A的厚度优选为0.1 mm至2. 0,且更优选为0. 05mm 至 I. 7mm〇
[0115] 固溶处理
[0116] 将由冲压成型的圆筒状成型制品4A加热并随后冷却。通过这种处理，构成圆筒状 成型制品4A的特定铝合金达到合金组分均匀地固溶的状态，即（也就是合金组分溶于铝合 金中的状态），并且特定铝合金变软。
[0117] 进行固溶处理时的加热温度在300°C至600°C的范围内。从进一步提高形状精度 的角度出发，加热温度优选在350°C至600°C的范围内。加热温度更优选在380°C至600°C 的范围内。
[0118] 此外，加热时间可以在0. 2小时至4. 0小时的范围内。从进一步提高形状精度的 角度出发，加热时间优选在〇. 4小时至3. 0小时的范围内。加热时间更优选在0. 5小时至 2小时的范围内。
[0119] 关于冷却经固溶处理而被加热的圆筒状成型制品4A的冷却速度，从实现合金组 分溶于特定铝合金中并变软的状态这一角度出发，圆筒状成型制品4A的冷却速度可为（例 如）1°C /s。此外，冷却的特定铝合金可被冷却至（例如）室温（如25°C )至100°C的温度 范围内。
[0120] 形状加工（第二加工）
[0121] 接下来，对经固溶处理的圆筒状成型制品4A进行形状加工，并校正成型制品A的 形状。在形状加工过程中，例如如图7A所示，经固溶处理的圆筒状成型制品4A被圆柱状冲 头31推进模具32内，从而对其进行拉伸并使其直径缩小。然后，如图7B所示，成型制品 被推入直径更小的模具33中，从而进行展薄。在形状加工过程中，可以进行展薄而不进行 拉伸，或者可以分开的方式通过多个阶段进行展薄。也就是说，可以只进行拉伸或展薄的一 者，也可以二者都进行。可根据展薄操作的次数来调整成型制品4B的厚度和圆筒度。
[0122] 对经形状加工的成型制品4B的厚度没有特别限制。例如，当制备厚度（壁厚）为 0· 03mm至I. 5mm的支持体时，成型制品的厚度优选为0· Imm至2. 0mm，且更优选为0· 05mm 至 I. 7mm〇
[0123] 时效硬化处理
[0124] 接下来，对已通过形状加工而进行了形状矫正的圆筒状成型制品4B进行加热并 保持。通过该处理，合金组分从构成圆筒状成型制品4B的特定铝合金中析出（也就是析出 强化），并且获得的支持体具有高硬度和高强度。
[0125] 从提高支持体的强度的角度出发，时效硬化处理可以在加热温度为KKTC至 300°C的范围内进行。保持时间可以为1小时以上。对保持时间的上限没有特别限定，并优 选在例如3小时以下的范围内。
[0126] 通过上述制造方法，即使当支持体厚度变薄时，也能获得具有高强度和高形状精 度的支持体。也就是说，通过如下工序可获得上述性能，这些工序为：通过冷冲压从而加工 成型制品；通过固溶处理而软化该成型制品；并通过形状加工校正经软化的成型制品的形 状；此外，通过时效硬化处理使合金组分析出。当厚度变薄时，可获得重量更轻的支持体。
[0127] 本示例性实施方案的支持体可以制备成厚度例如为0. 03mm至1. 5_。从制备具 有高强度和高形状精度的支持体的角度出发，厚度更优选为〇. 〇5_至1. 0_，还更优选为 0. 1臟至0· 9臟，且特别优选为0· 2mm至0· 8臟。
[0128] 通过各上述工序来制备本示例性实施方案的支持体，可获得晶粒的平均面积为 3. 0 μ m2至100 μ m2的支持体。当由上述工序制备支持体时，可以通过例如控制固溶处理条 件（加热条件和冷却条件）和时效硬化处理条件等来调节晶粒的平均面积。
[0129] 本示例性实施方案的支持体具有高精度（例如圆筒度）。该圆筒度的数值表示原 本应当为圆筒的部分与几何学圆筒间的误差的大小。例如，本示例性实施方案的支持体的 圆筒度为60 μm以下。从具有高的形状精度的角度出发，圆筒度优选在40 μm以下。
[0130] 此外，作为示出形状精度的指数，除了圆筒度之外，还有圆度、同轴度等。从更高的 形状精度的角度出发，圆度优选在30 μπι以下，且同轴度优选在20 μπι以下。
[0131] 使用由Tokyo Seimitsu公司制造的R0NDC0M 60Α，以如下条件测量圆筒度、圆度 和同轴度：放大率：200倍；测量速度（转速）：6° /min，（垂直移动速度）3mm/s ;过滤器： 数字过滤器2RC。
[0132] 此外，支持体厚度（壁厚）的偏差（以下，有时简称为"厚度偏差"）越小越优选。 例如，厚度偏差优选在30 μπι以下。
[0133] 厚度变差是通过使用点测头千分尺，并测量支持体的端部截面中位于对角线上的 四个点处的壁厚，并计算最大值和最小值之间的差值而获得的数值。
[0134] 由于所获得的圆筒度、圆度、同轴度和厚度偏差位于上述范围内，因此本示例性实 施方案的支持体可满足作为感光体用支持体的特性。
[0135] 当将感光体用于激光打印机的情况下，激光的振荡波长优选为350nm至850nm， 波长越短，分辨率越优异，因此是优选的。当该电子照相感光体用在激光打印机中时，为了 防止在照射激光时产生干涉条纹，优选将支持体的表面粗糙化至中心线平均粗糙度Ra为 0. 04 μπι至0.5 μπι。当Ra为0.04 μπι以上，则可得到防止干涉的效果。另一方面，当Ra为 0· 5 μπι以下，贝IJ可有效j；也抑制画质变粗半造的倾向。
[0136] 当将不连续光用于光源时，则并不特别需要进行用于防止干涉条纹的粗糙化。然 而，粗糙化更适合于延长使用寿命，这是因为将支持体的表面粗糙化可防止产生缺陷。
[0137] 粗糙化的方法的例子包括：湿式珩磨，其中使研磨剂悬浮于水中以制备悬浮液，并 将该悬浮液喷于支持体上；无心磨削，其中使支持体与旋转的磨石进行挤压以连续地进行 连续磨削；以及阳极氧化处理；等等。
[0138] 粗糙化方法的另一例子包括这样的方法，其中：将导电性或半导电性粉末分散在 树脂中，在支持体的表面上形成层，并利用分散于该层中的颗粒将该层粗糙化，而不将支持 体的表面粗糙化。
[0139] 利用阳极氧化处理的粗糙化处理是这样一种工艺：在电解液中通过对作为阳极的 支持体进行阳极氧化从而在支持体的表面上形成氧化膜。电解液的例子包括硫酸溶液和草 酸溶液。然而，利用阳极氧化而形成的多孔阳极氧化膜本身具有化学反应性，易于受到污 染，并且由环境引起的电阻波动大。因此，优选进行封孔处理，即，对于多孔阳极氧化膜，通 过在加压水蒸汽或沸水（其中可以添加诸如镍盐之类的金属盐）中的水合反应的体积膨胀 来将阳极氧化膜转化为更稳定的水合氧化物。
[0140] 例如，阳极氧化膜的膜厚优选为0. 3 μ m至15 μ m。当厚度在上述范围内时，趋向于 表现出针对注入的阻隔性能。此外，可表现出抑制因重复使用而使残余电位增加的趋势。
[0141] 可利用酸处理液对支持体的表面进行处理，或进行勃姆石处理。
[0142] 利用酸处理液进行的处理以（例如）以下方式进行。首先，准备由磷酸、铬酸和氢 氟酸形成的酸处理液。关于磷酸、铬酸和氢氟酸在酸处理液中的混合比例，例如：磷酸为10 重量％至11重量％，铬酸为3重量％至5重量％，并且氢氟酸为0. 5重量％至2重量％。全 部这些酸的总浓度优选在13. 5重量％至18重量％的范围内。例如，处理温度优选为42°C 至48°C。膜的膜厚优选为0. 3 μ m至15 μ m。
[0143] 勃姆石处理可以这样进行：将支持体浸在温度为90°C至100°C的纯水中5分钟至 60分钟，或者将支持体与温度为90°C至120°C的热水蒸汽接触5分钟至60分钟。膜的膜厚 优选为0. Ιμπι至5μπι。可以使用膜溶解性低的电解质溶液（如己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸 盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐和柠檬酸盐）进一步对膜进行阳极氧化 处理。
[0144] 底涂层
[0145] 底涂层例如是包含无机颗粒和粘结剂树脂的层。
[0146] 无机颗粒的例子包括具有约IO2 Ω cm至IO11 Ω cm的粉末电阻（体积电阻率）的无 机颗粒。
[0147] 其中，作为具有上述电阻值的无机颗粒，优选金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒、氧化 钛颗粒、氧化锌颗粒和氧化锆颗粒，且尤其优选氧化锌颗粒。
[0148] 通过BET法测定的无机颗粒的比表面积例如优选是10m2/g以上。
[0149] 无机颗粒的体积平均粒径例如优选为50nm至2000nm (更优选从60nm至1000 nm)。
[0150] 基于粘结剂树脂的量，无机颗粒的含量例如优选为10重量％至80重量％，且更优 选为40重量％至80重量％。
[0151] 无机颗粒可以是已进行了表面处理的那些。可以将已进行了不同的表面处理或具 有不同粒径的无机颗粒中的两种或多种组合使用。
[0152] 表面处理剂的例子包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝偶合剂和表面活性剂。特别 优选硅烷偶联剂，且更优选具有氨基的硅烷偶联剂。
[0153] 具有氨基的硅烷偶合剂的例子包括：3_氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2_(氨基乙 基）-3_氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2_(氨基乙基）-3_氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、和 N，N-双（2-羟乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷，但不限于此。
[0154] 这些硅烷偶联剂可以其两种或多种的混合物使用。例如，具有氨基的硅烷偶联剂 和另一种硅烷偶联剂可以组合使用。所述硅烷偶联剂的其它例子包括：乙烯基三甲氧基硅 烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2_(3, 4-环氧环己基）乙基三 甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基 三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、 N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-双（2-羟乙基）-3-氨基丙基三乙 氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷，但不限于此。
[0155] 使用表面处理剂的表面处理方法可以是任何一种已知的方法，并且可以是干式法 或湿式法。
[0156] 相对于所述无机颗粒的量，表面处理剂的处理量例如优选为0. 5重量％至10重 量％。
[0157] 这里，从电特性长期稳定性和载流子阻挡特性优异的角度出发，优选在底涂层中 包含无机颗粒和受电子化合物（受体化合物）。
[0158] 受电子化合物的例子包括电子传输材料如醌系化合物，如氯醌和溴醌；四氰基对 苯二醌二甲烷系化合物；芴酮系化合物，如2, 4, 7-三硝基芴酮和2, 4, 5, 7-四硝基-9-芴 酮；噁二唑系化合物，如2- (4-联苯基）-5- (4-叔丁基苯基）-1，3, 4-噁二唑、2, 5-双（4-萘 基）-1，3,4_噁二唑、和2, 5-双（4-二乙基氨基苯基）-1，3,4_噁二唑；咕吨酮系化合物；噻 吩系化合物；和联苯醌系化合物，如3, 3'，5, 5' -四-叔丁基联苯醌。
[0159] 特别地，作为受电子化合物，优选具有蒽醌结构的化合物。作为具有蒽醌结构的受 电子化合物，优选羟基蒽醌系化合物、氨基蒽醌系化合物、氨基羟基蒽醌系化合物等，且具 体而言，优选蒽醌、茜素、醌茜、1，5-二羟基蒽醌、红紫素等。
[0160] 所述受电子化合物可以与无机颗粒一起分散的方式而被包括在底涂层中，或可以 附着在无机颗粒表面上的方式被包括在其中。
[0161] 将所述受电子化合物附着在无机颗粒表面上的方法的例子包括干式法和湿式法。
[0162] 干式法是用于将受电子化合物附着到无机颗粒表面上的这样的方法：其中，在用 具有高剪切力的搅拌器等搅拌无机颗粒的同时，将受电子化合物直接滴加或以溶液滴加的 形式加入所述无机颗粒中或与干燥空气或氮气一起喷雾至其中，其中所述溶液为受电子化 合物被溶解在有机溶剂中。优选在不高于溶剂沸点的温度下加入或喷雾所述受电子化合 物。在加入或喷雾所述受电子化合物后，可以进一步在100°C或更高的温度下进行无机颗粒 的烘焙。所述烘焙可以在任何温度和时间下进行，对此没有限制，由此可以获得所需的电子 照相特性。
[0163] 湿式法是用于将受电子化合物附着至无机颗粒表面的这样的方法：其中，通过搅 拌、超声波、砂磨机、磨碎机、球磨机等将所述无机颗粒分散在溶剂中，然后加入该受电子化 合物，并进一步搅拌或分散该混合物，然后将溶剂除去。作为除去溶剂的方法，可通过过滤 或蒸馏除去该溶剂。除去溶剂后，可以进一步在l〇〇°C或更高的温度下烘焙所述颗粒。所述 烘焙可以在任何温度和时间下进行，对此没有限制，由此可以获得所需的电子照相特性。在 湿法中，在加入受电子化合物前，可除去包含在所述无机颗粒中的水分，用于除去水分的方 法的例子包括通过在溶剂中搅拌和加热无机颗粒、或通过与溶剂共沸去除的方式来除去水 分的方法。
[0164] 另外，所述受电子化合物的附着可以在使用表面处理剂对无机颗粒表面处理之前 或之后进行，且所述受电子化合物的附着可以与使用表面处理剂所进行的表面处理同时进 行。
[0165] 相对于所述无机颗粒的量，受电子化合物的含量例如优选为0. 01重量％至20重 量％，且更优选0. 01重量％至10重量％。
[0166] 在底涂层中使用的粘结剂树脂的例子包括已知的材料，例如公知的聚合物，例如 乙缩醛树脂（如聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺 树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚醚树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯 酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树 月旨、有机硅改性醇酸树脂、尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树 月旨、醇酸树脂、和环氧树脂；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛系化合 物；和硅烷偶联剂。
[0167] 在底涂层中使用的粘结剂树脂的其它例子包括具有电荷传输性基团的电荷传输 树脂和导电性树脂（如聚苯胺）。
[0168] 其中，作为在底涂层中使用的粘结剂树脂，不溶于上层的涂布溶剂的树脂是合适 的，且特别地，热固性树脂如尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯 树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂以及通过固化剂和至少一种选自下组的树脂反 应获得的树脂是合适的，所述组由聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙 烯酸类树脂、聚乙烯醇树脂、和聚乙烯醇缩醛组成。
[0169] 在组合使用两种或多种这些粘结剂树脂的情况下，设定合适的混合比。
[0170] 各种添加剂可以用于所述底涂层以改善电特性、环境稳定性或图像质量。
[0171] 添加剂的例子包括已知的材料，如多环缩合型或偶氮型电子传输颜料、锆螯合化 合物、钛螯合化合物、铝螯合化合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物、和硅烷偶联剂。用于如 上所述的无机颗粒的表面处理的硅烷偶联剂也可作为添加剂加入到底涂层中。
[0172] 作为添加剂的硅烷偶联剂的例子包括：乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基 丙基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2_(3, 4-环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧 基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三 乙氧基硅烷、N_2_ (氛基乙基）_3_氛基丙基二甲氧基硅烷、N_2_ (氛基乙基）_3_氛基丙基 甲基甲氧基硅烷、N，N-双（2-羟乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅 烷。
[0173] 锆螯合化合物的例子包括：丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮丁醇 锆、乙酰乙酸乙酯丁醇锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬 脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁醇锆、硬脂酸锆丁醇盐、和异硬脂酸丁醇锆。
[0174] 钛螯合化合物的例子包括：钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚体、四 (2-乙基己基）钛酸酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、辛二醇酸钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸 钛乙酯、三乙醇氨钛、和聚硬脂酸羟基钛。
[0175] 铝螯合化合物的例子包括：异丙醇铝、单丁氧基二异丙醇铝、丁酸铝、二乙基乙酰 乙酸二异丙酸铝、和三（乙基乙酰乙酸）铝。
[0176] 这些添加剂可以单独使用，或作为其二种或多种的混合物或缩聚物使用。
[0177] 底涂层的维氏硬度优选为35以上。
[0178] 底涂层的表面粗糙度（凸凹不平的十点高度）调整为在（1/4)η λ到（1/2) λ的 范围内以防止出现莫尔图像，其中λ代表曝光的激光波长且η代表上层的折射率。
[0179] 为了调整表面粗糙度也可以在底涂层中加入树脂颗粒等。所述树脂颗粒的例子包 括有机硅树脂颗粒和交联的聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒。此外，为了调节表面粗糙度，底涂 层的表面可以被抛光。抛光方法的例子包括擦光研磨、喷砂处理、湿式珩磨和研磨处理。
[0180] 对底涂层的形成没有特别限制，并可使用公知的形成方法。然而，例如通过如下方 法进行底涂层的形成：形成用于形成底涂层的涂布液的涂膜（所述涂布液通过将上述组分 加入溶剂中而得到），并将该涂膜干燥，然后根据需要加热。
[0181] 用于形成底涂层形成用涂布液的溶剂的例子包括已知的有机溶剂，如醇系溶剂、 芳香族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮系溶剂、酮醇系溶剂、醚系溶剂、和酯系溶剂。
[0182] 这些溶剂的例子包括常见有机溶剂如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、 甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲乙酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、 四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、和甲苯。
[0183] 在制备底涂层形成用涂布液时，用于分散无机颗粒的方法的例子包括已知的方 法，如使用辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨、涂料振动机等的方法。
[0184] 另外，作为将底涂层形成用涂布液涂布至支持体上的方法，包括常规方法如刮涂 法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、微珠涂布法、气刀涂布法、帘涂法。
[0185] 底涂层的膜厚度被设定在一定的范围内，例如优选15 μπι以上，且更优选20 μπι至 50 μ m〇
[0186] 中间层
[0187] 虽然在图中未示出，可以在底涂层和感光层之间设置中间层。
[0188] 所述中间层例如是包含树脂的层。在中间层中使用的树脂的例子包括聚合化合 物，如缩醛树脂（例如聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、 聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、 聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机 硅-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、和三聚氰胺树脂。
[0189] 中间层可以是包含有机金属化合物的层。在中间层中使用的有机金属化合物的例 子包括含有金属原子如错、钛、错、猛和娃的有机金属化合物。
[0190] 这些用于中间层的化合物可以单独使用或作为多个化合物的混合物或缩聚物来 使用。
[0191] 其中优选包含含有锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。
[0192] 对所述中间层的形成没有特别限定，可使用公知的形成方法。例如通过如下方法 进行中间层的形成：形成用于形成中间层的涂布液的涂膜（所述涂布液通过将上述组分 加入溶剂中而得到），并将该涂膜干燥，然后根据需要加热。
[0193] 作为用于形成中间层的涂布方法，可使用常见的方法如浸涂法、挤出涂布法、线棒 涂布法、喷涂法、刮涂法、刮刀涂布法、帘涂法。
[0194] 将中间层的膜厚度设定为，例如优选0. 1 μπι至3 μπι。此外，中间层可以被用作底 涂层。
[0195] 电荷产生层
[0196] 电荷产生层例如是包含电荷产生材料和粘结剂树脂的层。另外，电荷产生层可以 是其中的电荷产生材料被沉积的层。其中电荷产生材料被沉积的层适用于其中使用非相干 光源（如发光二极管（LED)和有机电致发光（EL)图像阵列）的情况。
[0197] 电荷产生材料的例子包括偶氮颜料如双偶氮和三偶氮颜料；稠合芳香族颜料，例 如二溴蒽嵌蒽酮颜料；茈颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；和三方硒。
[0198] 其中为了对应于在近红外区域中的激光曝光，优选使用金属或非金属酞菁颜料作 为电荷产生材料，并且具体更优选羟基镓酞菁、氯镓酞菁、二氯酞菁锡等和氧钛酞菁。
[0199] 另一方面，为了对应于在近紫外区的激光曝光，作为电荷产生材料，优选稠合芳香 族颜料，例如二溴蒽嵌蒽酮；硫靛颜料；四氮杂卟啉系化合物；氧化锌；三方硒；双偶氮颜料 等。
[0200] 在使用非相干光源例如在450nm至780nm具有发光中心波长的LED和有机EL图 像阵列的情况下，可以使用上述电荷产生材料，但是从分辨率的角度而言，当感光层被用作 具有20 μ m以下厚度的薄膜时，所述感光层中的电场强度增加，从而由于从基体的电荷注 入导致带电减少。因此，容易产生如所谓黑点之类的图象缺陷。当使用容易引起暗电流生 成的电荷产生材料作为P型半导体时，如三方硒和酞菁颜料，该现象将变得更加明显。
[0201] 相反，在其中η型半导体如稠合芳香族颜料、茈颜料、偶氮颜料被用作电荷产生材 料的情况下，不容易产生暗电流，并且即使作为薄膜使用时也可以防止被称为黑点的图像 缺陷。然而，对η型电荷产生材料没有特别的限制。
[0202] 另外，可以如下进行η型材料的判定：通过使用通常使用的飞行时间法，利用光电 流的极性，将其中电子比作为载流子的空穴更容易流出的电荷产生材料确定为η型材料。
[0203] 在电荷产生层中使用的粘结剂树脂可选自宽范围的绝缘树脂，此外所述粘结剂树 脂可以选自有机光电导性聚合物，如聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅 烷。
[0204] 粘结剂树脂的例子包括聚乙烯醇缩丁醛树脂、多芳基系化合物树脂（由双酚和芳 香族二元羧酸制成的缩聚物）、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共 聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、聚氨 酯树脂、环氧树脂、酪蛋白树脂、聚乙烯醇树脂和聚乙烯吡咯烷酮树脂。术语"绝缘"是指体 积电阻率为IO 13Qcm以上。
[0205] 这些粘结剂树脂可单独使用或作为其两种或更多种的混合物使用。
[0206] 此外，该电荷产生材料与粘结剂树脂的混合比（重量比）优选在10 :1到1:10的 范围内。
[0207] 此外，在电荷产生层中可包括公知的添加剂。
[0208] 对电荷产生层的形成方法没有特别限定，可使用公知的形成方法。例如，通过如下 方法进行电荷产生层的形成：形成用于形成电荷产生层的涂布液的涂膜（所述涂布液是通 过将上述组分加入溶剂中而得到），并将该涂膜干燥，然后根据需要加热。此外，也可通过沉 积电荷产生材料来完成所述形成。通过沉积形成电荷产生层特别适合于使用稠合芳香族颜 料或茈颜料作为电荷产生材料的情况。
[0209] 用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂的例子包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁 醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁 烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。这些溶剂可以单独使用或作为其两种或更多种 的混合物使用。
[0210] 对于将颗粒（例如电荷产生材料）分散于电荷产生层形成用涂布液中的方法，例 如可使用：利用如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机和卧式砂磨机之类的介质分散机，以 及如搅拌机、超声分散机、辊磨机和高压均质器之类的无介质分散机的分散方法。高压均质 器的例子包括：碰撞体系，其中通过在高压下使分散体撞击液体或撞击壁而使所述粒子分 散；和贯穿系统，其中通过在高压下使分散体贯穿微细流路而使所述粒子分散。
[0211] 在分散过程中电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的有效平均粒径为 0· 5 μπι以下，优选0· 3 μπι以下，并且更优选为0· 15 μπι以下。
[0212] 用于在底涂层（或中间层）上涂布电荷产生层形成用涂布液的方法的例子包括常 见的方法，如刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、微珠涂布法、气刀涂布法和帘涂法。
[0213] 将电荷产生层的膜厚度设定在一定的范围内，例如，优选为0.1 ym至5.0 μπι，并 且更优选〇. 2 μ m至2. 0 μ m。
[0214] 电荷传输层
[0215] 电荷传输层例如是包括电荷传输材料和粘结剂树脂的层。所述电荷传输层可以是 包括聚合物电荷传输材料的层。
[0216] 电荷传输材料的例子包括电子传输化合物，如醌系化合物如对苯醌、氯醌、溴醌、 和蒽醌；四氰基对苯二醌二甲烷系化合物；芴酮系化合物如2, 4, 7-三硝基芴酮；咕吨酮系 化合物；二苯甲酮系化合物；氰乙烯基系化合物；和乙烯系化合物。电荷传输材料的其它例 子包括空穴传输化合物如三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、芳基烷烃系化合物、芳基取 代的乙烯系化合物、芪系化合物、蒽系化合物和腙系化合物。可以单独使用或以其两种或更 多种组合使用这些电荷传输材料，但并不限于此。
[0217] 从电荷迀移性的角度来看，电荷传输材料优选为由如下结构式（a-Ι)代表的三芳 基胺衍生物、以及由如下结构式（a-2)代表的联苯胺衍生物。
[0218]
[0219] 在结构式（a-Ι)中，Arn、ArT2和Ar T3各自独立地代表取代或未取代的芳 基、-C6H4-C (RT4) = C (RT5) (RT6)或-C6H4-CH = CH-CH = C (RT7) (Rts)，且 Rt4、Rt5、Rt6、Rt7和 R TS 各自独立地代表氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。
[0220] 上述各基团的取代基的例子包括卤原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5 个碳原子的烷氧基。上述各基团的取代基的其他例子包括被具有1至3个碳原子的烷基取 代的取代氨基。
[0221]
[0222] 在结构式（a-2)中，R?和Rt92各自独立地代表氢原子、原子、具有1至5个碳原 子的烷基、或者具有1至5个碳原子的烷氧基；R T1°\ RT1°2、RT11$P R Τ112各自独立地代表卤原 子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、被具有1或2个碳原子的 烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-C(R m) = C (RT13) (Rt14)或-CH = CH-CH = C(Rtis) (RT16) ;RT12、RT13、RT14、RtIP Rt16各自独立地代表氢原子、取代或未取代的烷基、或取代或未 取代的芳基；且Tml、Tm2、Tnl和Tn2各自独立地代表0至2的整数。
[0223] 上述各基团的取代基的例子包括卤原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1至5 个碳原子的烷氧基。此外，上述各基团的取代基的其他例子包括被具有1至3个碳原子的 烷基取代的取代氨基。
[0224] 此处，在由结构式（a-Ι)代表的三芳基胺衍生物以及由结构式（a-2)代表的联苯 胺衍生物中，从电荷迀移性的角度来看，具有式"_C 6H4-CH = CH-CH = C(RT7) (Rts) "的三芳基 胺衍生物以及具有式"-CH = CH-CH = C(RT15) (Rn6) "的联苯胺衍生物是尤其优选的。
[0225] 作为聚合物电荷传输材料，使用了具有电荷传输性的已知材料，如聚-N-乙烯基 咔唑和聚硅烷。聚酯系聚合物电荷传输材料等是尤其优选的。此外，聚合物电荷传输材料 可以单独使用，或者与粘结剂树脂组合使用。
[0226] 用于电荷传输层中的粘结剂树脂的例子包括：聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、多芳基化 合物树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯 树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋 酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、有机硅树脂、有机硅醇酸树脂、苯 酚-甲醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚N-乙烯基咔唑、和聚硅烷。其中，聚碳酸酯树脂和多 芳基化合物树脂是适合的。这些粘结剂树脂可单独使用，或者可两种或多种组合使用。
[0227] 电荷传输材料与粘结剂树脂的混合比（重量比）优选为10:1至1:5。
[0228] 电荷传输层可含有除了上述组分之外的已知的添加剂。
[0229] 对电荷传输层的形成方法没有特别的限制，可使用已知的形成方法。然而，例如通 过如下方法进行电荷传输层的形成：形成用于电荷传输层形成用涂布液的涂膜（所述涂布 液是通过将上述组分加入溶剂中而得到），并将该涂膜干燥，然后根据需要加热。
[0230] 电荷传输层形成用涂布液的溶剂的例子包括常见的有机溶剂，例如：芳香烃，如 苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮，如丙酮和2-丁酮滷代脂肪经，如二氯甲烧、氯仿和二氯乙烷； 以及环状醚或直链醚，如四氢呋喃和乙醚。这些溶剂可单独使用或将其两种或更多种组合 使用。
[0231] 将电荷传输层形成用涂布液涂布于电荷产生层上的方法的例子包括常见方法，如 刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、微珠涂布法、气刀涂布法和帘涂法。
[0232] 例如，将电荷传输层的膜厚设定为优选在5 μπι至50 μπι的范围内，且更优选在 10 μ m至30 μ m的范围内。
[0233] 保护层
[0234] 保护层根据需要设置在感光层上。保护层例如出于防止带电时的感光层的化学变 化或进一步改善感光层的机械强度的目的而设置。
[0235] 因此，保护层可以应用由固化膜（交联膜）构成的层。这些层的例子包括如下述 1)或2)所示的层。
[0236] 1)由含有在同一分子内具有反应性基团及电荷传输性骨架的含反应性基团的电 荷传输材料的组合物的固化膜构成的层（也就是，含有该含反应性基团的电荷传输材料的 聚合物或交联物的层）
[0237] 2)由含有非反应性的电荷传输材料和不具有电荷传输性骨架而具有反应性基团 的含反应性基团的非电荷传输材料的组合物的固化膜构成的层（也就是，含有非反应性的 电荷传输材料和该含反应性基团的非电荷传输材料的聚合物或交联物的层）
[0238] 含有含反应性基团的电荷传输材料的反应性基团的例子包括已知的反应性基团 如链聚合性基团、环氧基、-OH、-OR [其中R代表烷基]、-NH2、-SH、-C00H、-SiRtil3 M0RQ2) Qn [其 中Rw代表氢原子、烷基、取代的或未取代的芳基；Rti2代表氢原子、烷基、或三烷基甲硅烷基； 以及Qn代表1-3的整数]。
[0239] 对链聚合性基团没有特别的限制，只要其为自由基聚合性官能团即可。例如，该链 聚合性基团为具有包含至少一个碳双键的基团的官能团。其具体例子包括，含有选自乙烯 基、乙烯基醚基团、乙烯基硫醚基团、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物等中的 至少一者的基团。其中，从具有优异的反应性的角度来看，链聚合性基团优选是含有选自乙 烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、及其衍生物中的至少一者的基团。
[0240] 对含反应性基团的电荷传输材料的电荷传输骨架没有特别的限制，只要所述骨架 具有电子照相感光体中的已知结构即可。其例子包括，衍生自含氮正空穴传输化合物（例 如三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物或腙系化合物等）的骨架，该骨架具有与氮原子共 辄的结构。其中，优选三芳基胺骨架。
[0241 ] 具有反应性基团以及电荷传输骨架的含反应性基团的电荷传输材料，非反应性电 荷传输材料和含反应性基团的非电荷传输材料可选自已知材料。
[0242] 保护层可含有除上述成分之外的已知添加剂。
[0243] 保护层的形成方法没有特别限制且使用已知的形成方法。例如，通过形成保护层 形成用涂布液的涂膜形成保护层，所述涂布液通过将上述成分加入溶剂中获得，干燥所述 涂膜并根据需要通过加热等固化所述涂膜。
[0244] 制备保护层形成用涂布液的溶剂的例子包括芳族溶剂，例如甲苯或二甲苯；酮类 溶剂，例如甲基乙基酮、甲基异丁基酮或环己酮；酯类溶剂，例如乙酸乙酯或乙酸丁酯；醚 类溶剂，例如四氢呋喃或二噁烷；溶纤剂类溶剂，例如乙二醇单甲醚；和醇类溶剂，例如异 丙醇或丁醇。这些溶剂可单独使用、或者作为其两种或更多种的混合物使用。
[0245] 保护层形成用涂布液可不含溶剂。
[0246] 将保护层形成用涂布液涂布到感光层（例如，电荷传输层）的方法的例子包括常 见方法，如浸涂法、挤出涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮涂法、气刀涂布法和帘涂法等。
[0247] 例如，保护层的膜厚优选设定为在1 μ m至20 μ m的范围内，且更优选为在2 μ m至 10 μ m的范围内。
[0248] 单层型感光层
[0249] 单层型感光层（电荷产生层和电荷传输层）为包含例如电荷产生材料、电荷传输 材料以及粘结剂树脂和其他已知添加剂的层。这些材料与上文中用于电荷产生层和电荷传 输中描述的那些材料相同。
[0250] 在单层型感光层中，相对于总固溶物含量，电荷产生材料的含量可以为10重量％ 至85重量％，且优选为20重量％至50重量％。此外，在单层型感光层中，相对于总固溶物 含量，电荷传输材料的含量可以为5重量％至50重量％
[0251] 单层型感光层的形成方法与电荷产生层和电荷传输层的形成方法相同。
[0252] 例如，单层型感光层的厚度可以为5 μ m至50 μ m，且优选为10 μ m至40 μ m。
[0253] 成像装置（和处理盒）
[0254] 根据本发明示例性实施方案的成像装置设置有电子照相感光体；充电单元，其对 所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，其在已充电的电子照相感光体的表 面上形成静电潜像；显影单元，其利用包含调色剂的显影剂将形成于电子照相感光体的表 面上的静电潜像显影，并形成调色剂图像；以及转印单元，其将调色剂图像转印至记录介质 的表面上。进一步，根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体应用为电子照相感光体。
[0255] 作为示例性实施方案的成像装置，已知的成像装置如包括定影单元的装置，该定 影单元将已转印至记录介质表面的调色剂图像定影；直接转印型装置，其中将形成于电子 照相感光体表面上的调色剂图像直接转印至记录介质上；中间转印型装置，其中将形成于 电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印部件的表面上，然后将已转印至 一次转印部件表面上的调色剂图像二次转印至记录介质的表面上；包括清洁单元的装置， 该清洁单元在调色剂转印之后、充电之前对电子照相感光体的表面进行清洁；包括中和单 元的装置，在调色剂图像转印之后、充电之前，该中和单元利用中和光照射图像保持部件的 表面以进行除电；以及包括电子照相感光体的加热部件的装置，该加热部件用于加热电子 照相感光体并降低相对温度。
[0256] 在中间转印型装置的情况下，转印单元的构成例如包括：中间转印介质，调色剂图 像被转印至该中间转印介质的表面上；一次转印单元，其将形成于图像保持部件的表面上 的调色剂图像一次转印至中间转印介质的表面上；和二次转印单元，其将已转印至中间转 印介质的表面上的调色剂图像二次转印至记录介质的表面上。
[0257] 根据本发明示例性实施方案的成像装置可为干式显影型成像装置和湿式显影型 (使用液体显影剂的显影型）的成像装置中的任意一种。
[0258] 此外，根据本发明示例性实施方案的成像装置中，例如，包括电子照相感光体的部 分可具有能够从成像装置上拆卸下来的盒结构（处理盒）。作为处理盒，例如，优选使用包 括根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的处理盒。进一步，除了该电子照相感光 体外，处理盒可还包括，例如，选自由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和转印单元构 成的组中的至少一者。
[0259] 以下，示出了根据本发明示例性实施方案的成像装置的一个例子，但本发明并不 限定于此。另外，对图中所示的主要部分进行说明，省略了对其它部分的说明。
[0260] 图8为表示本实施方式的成像装置的一个例子的概略构成图。
[0261] 如图8所示，根据示例性实施方案的成像装置100具备具有电子照相感光体7的 处理盒300、曝光装置9 (静电潜像形成装置的一个例子）、转印装置40 ( -次转印装置）和 中间转印体50。在成像装置100中，曝光装置9设置于可从处理盒300的开口部对电子照 相感光体7曝光的位置，转印装置40隔着中间转印体50配置于与电子照相感光体7相对 的位置，中间转印体50被配置为其一部分与电子照相感光体7接触。虽然未图示，但也可 以举出将中间转印体50上所转印的调色剂图像转印于记录介质（例如用纸）的二次转印 装置。中间转印体50、转印装置40(-次转印装置）、及二次转印装置（未图示）相当于转 印装置的一个例子。
[0262] 图8中整体支撑在壳体内的处理盒300包括电子照相感光体7、充电单元8 (充电 单元的一个例子）、显影单元11 (显影单元的一个例子）和清洁单元13 (清洁单元的一个例 子）。清洁单元13具有清洁刮刀131 (清洁部件的一个例子），该清洁刮刀131被设置为与 电子照相感光体7的表面相接触。对清洁刮刀131的【具体实施方式】没有限制，清洁部件还 可以是导电或绝缘纤维构件，其可以单独使用或与清洁刮刀131组合使用。
[0263] 在图8中，作为成像装置，示出具有将润滑剂14供给于电子照相感光体7的表面 的纤维状部件132 (辊状）及辅助清洁的纤维状部件133 (平整刷状）的例子。然而，这些 可根据需要配置。
[0264] 以下，对本实施方式的成像装置的各构成进行说明。
[0265] 充电装置
[0266] 作为充电装置8,例如，使用采用导电性或半导电性的充电辊、充电刷、充电膜、充 电橡胶刮片、充电管等的接触型充电装置。此外，还可使用已知的充电装置本身如非接触型 辊状充电器，以及栅格充电器和电晕管充电器（它们均利用电晕放电）
[0267] 曝光装置
[0268] 曝光装置9可以以预定的图像方式将电子照相感光体7的表面曝光于射线（如半 导体激光射线、LED射线和液晶快门射线）下的光学设备。光源的波长可以是在电子照相感 光体的光谱敏感波长范围内的波长。作为半导体激光的波长，主要是激光发射波长在780nm 附近的近红外波长。然而，可使用的激光射线波长并不局限于这种波长，并可使用发射波长 在600nm范围的激光、或者作为蓝色激光的具有在400nm至450nm范围内的任意发射波长 的激光。为形成彩色图像，使用能够获得多波束输出的平面发光型激光光源是有效的。
[0269] 显影装置
[0270] 作为显影装置11，例如可使用常用显影装置，其中成像时与显影剂接触或不接触。 对这种显影装置11没有特别限定，只要其具有上述功能即可，并且可根据所需用途适当选 择。其例子包括已知的显影装置，其中利用刷或辊将单组份或双组份显影剂施加至电子照 相感光体7上。其中，使用在其表面上保持有显影剂的显影辊的显影装置是优选的。
[0271] 显影装置11中使用的显影剂可以是仅由调色剂形成的单组份显影剂、或者是由 调色剂和载体形成的双组份显影剂。此外，显影剂可为磁性显影剂或非磁性显影剂。作为 这些显影剂，可使用已知显影剂。
[0272] 清洁装置
[0273] 作为清洁装置13,使用设有清洁刮片131的清洁刮片型装置。
[0274] 此外，除了清洁刮片型，还可使用毛刷清洁型，以及同时进行显影和清洁的类型。
[0275] 转印装置
[0276] 转印装置40的例子包括已知的转印充电装置自身，如使用带、辊、膜、橡胶片等的 接触型转印充电装置；利用电晕放电的栅格转印充电装置和利用电晕放电的电晕管转印 充电装置。
[0277] 中间转印部件
[0278] 作为中间转印部件50,可使用被赋予半导电性的由聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳 酸酯、多芳基化合物、聚酯、橡胶等构成的带形式（中间转印带）。另外，除了带形式以外，所 述中间转印部件还可采取鼓的形式。
[0279] 图9是示出了本发明示例性实施方案的成像装置的另一个实例的结构示意图。
[0280] 图9所示成像装置120是具有四个处理盒300的串联型全色成像装置。在成像装 置120中，四个处理盒300彼此平行地置于中间转印部件50上，并且一个电子照相感光体 可被用于一种颜色。此外，除了成像装置120是串联型以外，成像装置120与成像装置100 具有相同的构造。
[0281] 实施例
[0282] 以下，基于本发明的实施例进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。在以下 说明中，除非另有说明，"份"和" ％ "分别基于重量的"份"和" ％ "
[0283] 实施例1
[0284] 支持体1的制备
[0285] 准备涂布了润滑剂的铝合金（"成分组成" ：Si :0. 5重量％、Fe :0. 6重量％、Cu : 0. 2 重量％、Mn :0. 1 重量％、Mg :1. 0 重量％、Cr :0. 1 重量％、Zn :0. 2 重量％、Ti :0. 05 重 量％、余量：铝和不可避免的杂质）的炉渣。使用该炉渣，利用模具（阴模）和冲头（阳模） 进行冲压以制备Φ 32mm的圆筒状成型制品。
[0286] 接着，在350°C的温度条件下加热经冲压成型的圆筒状成型制品0. 5小时，然后冷 却以进行固溶处理。
[0287] 接着，对经固溶处理的圆筒状成型制品进行展薄一次以矫正形状。
[0288] 然后，将经形状矫正的圆筒状成型制品加热到300°C并保持1小时，以进行时效硬 化。由此，制备了支持体1。
[0289] 实施例2至12和比较例1至6
[0290] 支持体2至18的制备
[0291] 按照与支持体1相同的方式制备支持体2至18,不同之处在于：使用具有表1所 示的成分组成的铝合金，并且根据表2所示改变了支持体的制备条件。
[0292] 比较例7至8
[0293] 支持体19和20
[0294] 利用具有表1所示的成分组成的铝合金，并通过常规的挤出拉伸加工来制备圆筒 状成型制品，并对该圆筒状成型制品的表面进彳丁切削从而制备Φ30ι?πι的支持体19和20。
[0295] 比较例9
[0296] 支持体21的制备
[0297] 利用具有与实施例1相同的成分组成的铝合金，并通过常规的挤出拉伸加工来制 备圆筒状成型制品，并对该圆筒状成型制品的表面进行切削从而制备Φ30_的支持体21。
[0298] 比较例10
[0299] 通过对具有与实施例1相同的成分组成的铝合金进行冲压，并随后进行展薄一次 而不进行固溶处理，从而试图制备壁厚为〇. 3_的支持体。然而，未能获得具有所需形状的 支持体。
[0300] 通过上述方法测量在各例中制备的每个支持体的形状（圆筒度、圆度、同轴度、厚 度偏差、晶粒的平均面积和壁厚）。测量结果在表3中示出。
[0301] 电子照相感光体的制备
[0302] 使用各例中得到的支持体，通过以下所示的方法制作电子照相感光体。
[0303] 底涂层的形成
[0304] 将100重量份的氧化锌（平均粒径：70nm:由Tayca公司生产，比表面积值： 15m 2/g)与500重量份的四氢呋喃一同搅拌混合，并向其中加入1. 3重量份的硅烷偶联剂 (KBM503,由Shin-Etsu Chemical株式会社生产），随后搅拌所得物2小时。接下来，通过减 压蒸馏除去四氢呋喃，并在120°C的温度下烘焙3小时，以获得经硅烷偶联剂进行了表面 处理的氧化锌。
[0305] 将110重量份的所述经表面处理的氧化锌与500重量份的四氢呋喃一同搅拌混 合，向其中加入通过使〇. 6重量份茜素溶解于50重量份四氢呋喃而获得的溶液，随后在 50°C的温度下搅拌所得物5小时。此后，通过减压过滤收集其中加有茜素的氧化锌，在60°C 下减压干燥以获得附加有茜素的氧化锌。
[0306] 通过将60重量份的附加有茜素的氧化锌、13. 5重量份的固化剂（封端异氰酸酯 Sumidur 3175,由 Sumitomo-Bayer Urethane 公司生产）和 15 重量份的丁酸树脂（S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical公司生产）溶解于85重量份的甲乙酮中从而制备溶液，将38 重量份的该溶液与25重量份的甲乙酮混合。利用玻璃珠直径为I mmq>的砂磨机将该混合 物分散2小时，从而获得分散液。
[0307] 向所获得的分散液中加入作为催化剂的0. 005重量份的二月桂酸二辛基锡和45 重量份的有机硅树脂颗粒（T0SPAL 145,由GE Toshiba Silicone公司生产），从而获得底 涂层形成用涂布液。通过浸渍涂布法将该底涂层形成用涂布液涂布在上述各例中制备的支 持体上，并在170°C下干燥并固化30分钟，从而获得膜厚度为23 μm的底涂层。
[0308] 电荷产生层的形成
[0309] 将1重量份的羟基镓酞菁与1重量份聚乙烯醇缩丁醛（S-LEC BM-S，由Sekisui Chemical株式会社制）及80重量份乙酸正丁酯混合而获得液体混合物，其中在X射线衍 射图谱中，所述羟基镓酞菁在布拉格角（2 Θ ±0.2° )为7.5°、9. 9°、12. 5°、16. 3°、 18.6°、25.Γ和28. 3°处具有强衍射峰。利用具有玻璃珠的涂料搅拌器将该液体混合物 进行分散1小时，由此制备电荷产生层形成用涂布液。将得到的电荷产生层形成用涂布液 浸渍涂布于所形成的底涂层上，在100°c下加热干燥10分钟，以形成膜厚0. 15 μ m的电荷产 生层。
[0310] 电荷传输层的形成
[0311] 使2. 6重量份的下述式（CT-I)所示的联苯胺化合物、及3重量份的具有下述式 (B-I)所示的重复单元的高分子化合物（粘均分子量：40, 000)溶解于25重量份的THF中， 从而制备电荷传输层形成用涂布液。通过浸渍涂布法将得到的电荷传输层形成用涂布液涂 布在上述电荷产生层上，并在130°C下将其加热45分钟，以形成膜厚20 μm的电荷传输层。
[0312]
[0313] 评价
[0314] 下落试验
[0315] 将在实施例和比较例中制备的各感光体安装于彩色成像装置（富士施乐公司制、 Docu Print C1100)的处理盒上，使其从距地面1.5m的高度自由下落而与地面碰撞。
[0316] 关于下落之后支持体的变形，利用东京精密公司制R0NDC0M 60A测定其圆度，并 目测确认是否变形。
[0317] 此后，将其安装到打印机上，在A4纸（由富士施乐公司制，C2纸）上打印半色调 密度为50%的打印图像（具有低密度图像质量的图像）。然后，在20, 000张 A4纸（由富 士施乐公司制，C2纸）上打印面积覆盖率为2%的字符图像，以确认图像以及在实际使用中 会发生的问题。
[0318] 结果如表3所示。
[0319] 变形
[0320] A :没有圆度变化并且不存在问题
[0321] B :即使与下落前相比圆度发生了 30 μπι的劣化，在实际使用上仍不存在问题。
[0322] C :即使与下落前相比圆度发生了大于30 μπι小于等于100 μπι的劣化，在实际使用 上仍不存在问题。
[0323] D :与下落前相比，圆度的劣化超过100 μ m。
[0324] 图像质量
[0325] A :没有问题
[0326] B :即使图像密度改变，然而实际使用上没有问题。
[0327] C :在打印20, 000张纸后，图像密度显著降低。
[0328] D :从第一张打印纸开始就存在由变形导致的空白。


[0332] 在表1至3中，术语"晶粒"是指"晶粒的平均面积"。 1 从以上结果可以发现，与比较例相比，实施例中各项形状测量结果均令人满意。此 外，还发现与比较例相比，实施例中的变形和图像质量评价结果是优良的。因此，据发现，即 使厚度变薄，仍然获得了高强度和高形状精度。
[0334] 提供对本发明的示例性实施方案的上述描述是为了举例和说明。并非旨在穷举， 或将本发明限于所公开的具体形式。显然对于本领域技术人员，各种变型和修改将是显而 易见的。选择并描述这些实施方案为的是更好地说明本发明的原理和其实际应用，从而使 得本领域技术人员理解本发明的多种实施方案，并且其多种变型适用于所预期的特定用 途。本发明的范围旨在通过所附权利要求及其等同形式限定。
【主权项】
1. 一种电子照相感光体用圆筒状支持体，其包含： 错合金，该错合金包含： Si :0.4重量％至0.8重量％、 Fe :0. 7重量％以下、 Cu :0. 15重量％至0. 4重量％、 Μη :0. 15重量％以下、 Mg :0· 8重量％至1. 2重量％、 Cr :0.04重量％至0.35重量％、 Zn :0. 25重量％以下、 Ti :0. 15重量％以下，和 余量:A1和杂质， 其中所述铝合金的晶粒的平均面积为3. 0 μ m2至100 μ m2。2. -种电子照相感光体用圆筒状支持体，其由如下方法制备： 对铝合金进行冷冲压以获得成型制品， 对在所述冷冲压中获得的所述成型制品进行固溶处理， 对所述经固溶处理的成型制品进行形状加工，以及 对所述经形状加工的成型制品进行时效硬化处理， 其中所述铝合金包含Si :0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15重 量％至0. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％至 〇. 35重量％、Zn :0. 25重量％以下、Ti :0. 15重量％以下、以及余量：A1和杂质。3. 根据权利要求1所述的电子照相感光体用圆筒状支持体， 其中所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. 〇3mm至1. 5_。4. 根据权利要求1所述的电子照相感光体用圆筒状支持体， 其中所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. 1_至〇. 9_。5. 根据权利要求1所述的电子照相感光体用圆筒状支持体， 其中所述电子照相感光体用圆筒状支持体的厚度为〇. 2mm至0. 8_。6. 根据权利要求1所述的电子照相感光体用圆筒状支持体， 其中所述晶粒的平均面积为5. 0 μ m2至80 μ m2。7. 根据权利要求1所述的电子照相感光体用圆筒状支持体， 其中所述晶粒的平均面积为7. 0 μ m2至70 μ m2。8. 一种电子照相感光体，其包括 根据权利要求1至7中任一项所述的电子照相感光体用圆筒状支持体；和 设置在所述电子照相感光体用圆筒状支持体上的感光层。9. 一种处理盒， 其可从成像装置上拆卸下来，该处理盒包括根据权利要求8所述的电子照相感光体。10. -种成像装置，其包括 根据权利要求8所述的电子照相感光体； 充电单元，其为所述电子照相感光体的表面充电； 静电潜像形成单元，其在所述已充电的电子照相感光体的表面上形成静电潜像； 显影单元，其利用含有调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面上的所述 静电潜像显影，以形成调色剂图像；以及 转印单元，其将所述调色剂图像转印至记录介质。11. 一种制造电子照相感光体用圆筒状支持体的方法，包括： 制备铝合金， 对所述铝合金进行冷冲压以获得成型制品， 对在所述冷冲压中获得的所述成型制品进行固溶处理， 对经所述固溶处理的所述成型制品进行形状加工，以及 对经所述形状加工的所述成型制品进行时效硬化处理。12. 根据权利要求11所述的制造电子照相感光体用圆筒状支持体的方法， 其中所述固溶处理是在温度范围为300°C至600°C的加热温度下进行的。13. 根据权利要求11所述的制造电子照相感光体用圆筒状支持体的方法， 其中所述时效硬化处理是在l〇〇°C至300°C的温度范围内进行的。
【文档编号】G03G21/18GK105843002SQ201510570465
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年9月9日
【发明人】为政博史
【申请人】富士施乐株式会社