电子照相感光构件，处理盒和电子照相设备，以及氯镓酞菁晶体和其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光构件、使用该电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备、和氯嫁酿菁晶体和该氯嫁酿菁晶体的制造方法。
【背景技术】
[0002] 具有作为光导电体的优异功能的酞菁颜料用作用于电子照相感光构件、太阳能电 池、传感器、和开关元件等的材料。酞菁颜料依照其结构具有各种吸收光谱。
[0003] 日本专利特开No. 2005-249964公开了一种氯镓酞菁晶体，其在具有波长范围为 600nm以上且900nm以下的吸收光谱中在770nm以上且790nm以下的波长范围内拥有具有 最大吸光度的峰。日本专利特开No. 2009-62475公开了一种氯镓酞菁晶体，其在吸收光谱 的760nm以上且773nm以下的波长范围内拥有具有最大吸光度的峰。
【发明内容】
[0004] 根据本发明的一个方面的电子照相感光构件依序包括支承体和感光层。所述感光 层包含氯镓酞菁晶体。所述氯镓酞菁晶体在吸收光谱的波长范围为646nm以上且668nm以 下和波长范围为782nm以上且809nm以下的各个范围内具有一个以上的峰。当将在646nm 以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第一峰并且将在 782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第二峰时，所 述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。
[0005] 本发明的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。
【附图说明】
[0006] 图1表明包括包含电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例性结构的 一个实例。
[0007] 图2A和2B表明电子照相感光构件的层结构的实例。
[0008] 图3表明实施例1中测量的吸收光谱。
[0009] 图4表明实施例10中测量的吸收光谱。
[0010] 图5表明比较例1中测量的吸收光谱。
[0011] 图6是说明电子照相感光构件的感光度的评价的图。
【具体实施方式】
[0012] 酞菁颜料具有作为光导电体的优异功能，但在一些用途中，随着市场需要的增加， 已经需要较高的感光度。特别地，在这样的酞菁颜料中，例如，氯镓酞菁晶体用作电子照相 感光构件的电荷产生物质。然而，随着近期实现了高速电子照相设备（高速处理），酞菁颜 料需要具有与从前相比更高的感光度。
[0013] 因此，本发明涉及提供一种具有高的感光度的氯镓酞菁晶体和所述氯镓酞菁晶体 的制造方法。本发明涉及提供使用前述氯镓酞菁晶体的电子照相感光构件、和使用所述电 子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0014] 根据本发明的实施方案的氯镓酞菁晶体在吸收光谱的波长范围为646nm以上且 668nm以下和波长范围为782nm以上且809nm以下的各个范围内具有一个以上的峰。在 646nm以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰（第一峰）具有大于 在782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰（第二峰）的最大 吸光度时。本发明人已经发现这样的氯镓酞菁颜料展示出高的感光度。
[0015] 也已经发现的是，具有高的感光度的电子照相感光构件通过将上述特定的氯镓酞 菁晶体添加至电子照相感光构件的感光层（电荷产生层）来生产。本发明人推测：这是因 为：由于在由曝光的电子的转移概率与再结合之间的良好平衡，具有特定的吸收光谱的氯 镓酞菁晶体可以有效地产生载体（carrier)。
[0016] 鉴于更有效地产生载体，第二峰的吸光度是例如第一峰的吸光度的0. 65至0. 99 倍。
[0017] 第二峰位于例如波长范围为791nm以上且798nm以下内，并且第一峰位于例如波 长范围为657nm以上且665nm以下内。
[0018] 在本发明的实施方案中，将氯镓酞菁晶体的吸收光谱通过以下方法来测量。
[0019] 首先，将2份的氯镓酞菁晶体、1份的聚乙烯醇缩丁醛（商品名：S-LEC BX-1， SEKISUI CHEMICAL CO.，LTD.制造）、和52份的环己酮装入使用具有直径为1mm的玻璃 珠的砂磨机并且分散6小时。然后，将75份的乙酸乙酯添加至此从而制备氯镓酞菁晶体 分散液。将制备的氯镓酞菁晶体分散液施涂至Lumirror (型号：T60,厚度：100 μπι，Toray Industries, Inc.制造）从而形成涂膜。将所得涂膜干燥从而形成具有厚度为0.20 μπι的 氯镓酞菁晶体分散膜。在以下测量条件下使用该分散膜来测量吸收光谱。
[0020] 使用的测量仪器：UV-Visible Spectrophotometer JASCO V-570, JASC0 Corporation 制造
[0021] 测光模式：Abs吸光度测量
[0022] 响应：快速
[0023] 带宽：2. Onm
[0024] 扫描速度：200nm/min
[0025] 数据获得间隔：0.5nm
[0026] 在本发明的实施方案中，例如，具有特定的吸收光谱的氯镓酞菁晶体通过（1)合 成步骤、（2)酸溶步骤、和（3)盐酸处理步骤来获得。特别地，氯镓酞菁晶体期望地通过（2) 酸溶步骤来获得。另外，在其中含有有机化合物的氯镓酞菁晶体可以通过（4)湿式研磨步 骤来获得。
[0027] (1)合成步骤
[0028] 合成步骤是通过将镓化合物和形成酞菁环的化合物在氯化芳香族化合物中反应 而合成氯镓酞菁晶体的步骤。镓化合物是例如三氯化镓。另外，形成酞菁环的化合物是例 如邻苯二甲腈并且氯化芳香族化合物是例如α-氯萘。
[0029] (2)酸溶步骤
[0030] 酸溶步骤是通过进行其中在所述合成步骤中获得的氯镓酞菁晶体与酸混合的酸 溶处理而获得羟基镓酞菁晶体的步骤。用于酸溶步骤的酸优选硫酸并且更优选浓硫酸。
[0031] (3)盐酸处理步骤
[0032] 盐酸处理步骤是通过将在所述酸溶步骤中获得的羟基镓酞菁晶体与盐酸水溶液 混合而获得氯嫁酿菁晶体的步骤。
[0033] 在盐酸处理步骤中，鉴于反应性，与羟基镓酞菁晶体混合的盐酸水溶液的浓度优 选10质量％以上并且更优选30质量％以上。
[0034] 在盐酸处理步骤中，基于lmol的使用的羟基镓酞菁晶体，与羟基镓酞菁晶体混合 的盐酸的量优选lOmol以上并且更优选lOOmol以上。
[0035] (4)湿式研磨步骤
[0036] 湿式研磨步骤是将在所述盐酸处理步骤中获得的氯镓酞菁晶体与有机化合物混 合并且进行湿式研磨处理的步骤。该有机化合物在湿式研磨步骤中引入氯镓酞菁晶体，因 此可以获得其中含有有机化合物的氯镓酞菁晶体。在本发明的实施方案中，"湿式研磨处 理"是使用例如砂磨机、球磨机或油漆搅拌器等的研磨设备或例如均质机、混合叶轮或磁力 搅拌器等的搅拌设备来进行的处理。研磨处理时间是例如1至100小时。
[0037] 在本发明的实施方案中，例如，鉴于感光度的增加，在氯镓酞菁晶体中包含有机化 合物。这是因为当在氯镓酞菁晶体中包含有机化合物时，促进在由光照射之后残留在感光 层中的载体（残余载体）的移动。
[0038] 用于湿式研磨步骤的有机化合物的实例包括：酰胺系溶剂，例如甲酰胺、N，N_二 甲基甲酰胺、N，N_二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、和N-甲 基-2-吡咯烷酮滷素系溶剂，例如氯仿；醚系溶剂，例如四氢呋喃；亚砜系溶剂，例如二甲 亚砜；酮系溶剂，例如丙酮。其中，特别使用选自由丙酮、二甲亚砜、N-甲基甲酰胺和N, N-二 甲基甲酰胺组成的组的至少一种。
[0039] 用于湿式研磨步骤的有机化合物的量是例如基于质量的氯镓酞菁晶体的使用量 的5至30倍。基于氯镓酞菁晶体的含量，在湿式研磨步骤之后引入晶体的有机化合物的含 量优选0. 1质量％以上且1. 5质量％以下并且更优选0. 10质量％以上且0. 80质量％以 下。在氯镓酞菁晶体中的有机化合物的含量可以通过改变在湿式研磨步骤之前的氯镓酞菁 晶体的处理条件和湿式研磨条件来控制。在本发明的实施方案中，有机化合物的含量可以 通过核磁共振光谱法（H-NMR)来测定。在下述实施例中，H-NMR测量使用硫酸-D2(D 2S04) 作为溶剂并且使用BRUKER制造的AVANCEIII 500作为测量仪器来进行。
[0040] 下一步，将描述其中根据本发明的实施方案的上述氯镓酞菁晶体用作电子照相感 光构件的电荷产生物质的情况。
[0041] 电子照相感光构件
[0042] 根据本发明的实施方案的电子照相感光构件包括支承体和感光层。所述感光层可 以是同时含有电荷输送物质和电荷产生物质的单层型感光层或分别包括含有电荷产生物 质的电荷产生层和含有电荷输送物质的电荷输送层的多层型（功能分离型）感光层。鉴于 电子照相特性，特别使用依序包括支承体、电荷产生层和电荷输送层的电子照相感光构件。
[0043] 图2A和