骤的处理时间改变为8小时以外，以与实施例10相同的方式来生 产电子照相感光构件。
[0135] 实施例13
[0136] 除了湿式研磨步骤的处理时间改变为16小时以外，以与实施例10相同的方式来 生产电子照相感光构件。
[0137] 实施例14
[0138] 除了湿式研磨步骤的处理时间改变为24小时以外，以与实施例10相同的方式来 生产电子照相感光构件。
[0139] 实施例15
[0140] 除了湿式研磨步骤的处理时间改变为48小时以外，以与实施例10相同的方式来 生产电子照相感光构件。
[0141] 实施例16
[0142] 除了湿式研磨步骤的处理时间改变为96小时以外，以与实施例10相同的方式来 生产电子照相感光构件。
[0143] 实施例17
[0144] 除了将湿式研磨步骤的设备改变为超声分散器并且处理时间改变为1小时以外， 以与实施例1相同的方式来生产电子照相感光构件。
[0145] 实施例18
[0146] 除了将在湿式研磨步骤中混合的有机化合物从10份的N，N-二甲基甲酰胺改变为 10份的二甲亚砜以外，以与实施例10相同的方式来生产电子照相感光构件。
[0147] 实施例19
[0148] 除了将在盐酸处理步骤中混合的200份的盐酸水溶液改变为100份的盐酸水溶液 以外，以与实施例2相同的方式来生产电子照相感光构件。
[0149] 比较例1
[0150] 除了将在湿式研磨步骤中混合的有机化合物从10份的N，N-二甲基甲酰胺改变为 10份的四氢咲喃以外，以与实施例18相同的方式来生产电子照相感光构件。图5表明测量 的吸收光谱。
[0151] 比较例2
[0152] 除了湿式研磨步骤的处理时间改变为48小时以外，以与实施例9相同的方式来生 产电子照相感光构件。在比较例2中的吸收光谱在范围为646nm以上且668nm以下的范围 (范围A)内不具有最大峰，但在643nm处具有最大峰。
[0153] 比较例3
[0154] 除了将在电子照相感光构件的生产步骤中的氯镓酞菁晶体（电荷产生物质）改变 为在日本专利特开No. 2005-249964的合成例2中记载的方法获得的氯镓酞菁晶体以外，以 与实施例1相同的方式来生产电子照相感光构件。在比较例3中的吸收光谱在646nm以上 且668nm以下的范围（范围A)内不具有最大峰，但在672nm处具有最大峰。
[0155] 比较例4
[0156] 除了将在电子照相感光构件的生产步骤中的氯镓酞菁晶体（电荷产生物质）改变 为在日本专利特开No. 2009-62475的比较例1中记载的方法获得的氯镓酞菁晶体以外，以 与比较例3相同的方式来生产电子照相感光构件。在比较例4中的吸收光谱在782nm以上 且809nm以下的范围（范围B)内不具有最大峰，但在780nm处具有最大峰。
[0157] 表 1
[0158] 晶体的生产条件
[0159]
[0161] 电子照相感光构件的感光度的评价
[0162] 将感光度使用生产的电子照相感光构件来评价。
[0163] 通过将各个生产的电子照相感光构件的电子照相特性由使用弯曲的NESA玻璃的 直接电压施加型电子照相感光构件测量设备来测量而测量感光度。特别地，首先，为了除去 电子照相感光构件的滞后（电位的滞后），将电子照相感光构件的整个表面由具有特定的 光量（1 μ J/cm2)的光来照射。照射之后的10毫秒，将电子照相感光构件的表面在暗位置 充电，以致电子照相感光构件的表面具有特定的电位（Vd:-700V)。在暗位置中，将电子照 相感光构件的表面在充电之后曝光两秒，以致曝光之后的电位（VI)是-200V，并且将该曝 光量（μ J/cm2)评价为感光度。曝光量越小，电子照相感光构件的感光度越高。当曝光量 是0. 300 μ J/cm2以下时，判断本发明的效果实现。图6表明在该评价中的电子照相感光构 件的表面电位的变化。
[0164] 表 2
[0165] 吸收光谱的结果和评价结果
[0166]
[0167] 虽然参考示例性实施方案已经描述了本发明，但要理解的是，本发明不限于公开 的示例性实施方案。以下权利要求的范围符合最广泛的解释从而涵盖全部这样的修改和等 同的结构和功能。
【主权项】
1. 一种电子照相感光构件，其依序包括： 支承体；和 感光层， 其特征在于，其中所述感光层包含氯镓酞菁晶体， 所述氯镓酞菁晶体在吸收光谱的波长范围为646nm以上且668nm以下和波长范围为 782nm以上且809nm以下的各个范围内具有一个以上的峰，并且 当将在646nm以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第 一峰并且将在782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为 第二峰时，所述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。2. -种电子照相感光构件，其依序包括： 支承体； 电荷产生层；和 电荷输送层， 其特征在于，其中所述电荷产生层包含氯镓酞菁晶体， 所述氯镓酞菁晶体在吸收光谱的波长范围为646nm以上且668nm以下和波长范围为 782nm以上且809nm以下的各个范围内具有一个以上的峰，并且 当将在646nm以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第 一峰并且将在782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为 第二峰时，所述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。3. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述第二峰的吸光度是所述第 一峰的吸光度的0. 65至0. 99倍。4. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述第二峰位于791nm以上且 798nm以下的波长范围内。5. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述第一峰位于657nm以上且 665nm以下的波长范围内。6. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中在所述氯镓酞菁晶体内包含选 自由丙酮、二甲亚砜、N-甲基甲酰胺、和N，N-二甲基甲酰胺组成的组的至少一种有机化合 物。7. -种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体， 其特征在于，其中所述处理盒一体化地支承根据权利要求1-6任一项所述的电子照相 感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置、和清洁构件组成的组的至少一种。8. -种电子照相设备，其特征在于包括： 根据权利要求1-6任一项所述的电子照相感光构件； 充电装置； 曝光装置； 显影装置；和 转印装置。9. 一种氯镓酞菁晶体，其特征在于，在吸收光谱的波长范围为646nm以上且668nm以下 和波长范围为782nm以上且809nm以下的各个范围内包括一个以上的峰，并且 其中当将在646nm以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定 为第一峰并且将在782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假 定为第二峰时，所述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。10. -种根据权利要求9所述的氯镓酞菁晶体的制造方法，所述方法的特征在于包括： 通过将镓化合物和形成酞菁环的化合物在氯化芳香族化合物中反应而合成氯镓酞菁 晶体的合成步骤； 通过进行其中在所述合成步骤中获得的所述氯镓酞菁晶体与硫酸混合的酸溶处理而 获得羟基镓酞菁晶体的酸溶步骤； 通过将在所述酸溶步骤中获得的所述羟基镓酞菁晶体与盐酸水溶液混合而获得氯镓 酞菁晶体的盐酸处理步骤；和 通过将在所述盐酸处理步骤中获得的所述氯镓酞菁晶体与选自N，N-二甲基甲酰胺和 二甲亚砜的至少一种有机化合物混合并且进行湿式研磨处理而获得包含有机化合物的氯 嫁酿菁晶体的步骤。11. 根据权利要求10所述的氯镓酞菁晶体的制造方法， 其中用于所述盐酸处理步骤的所述盐酸水溶液的浓度是10质量％以上，并且 基于lmol的所述羟基镓酞菁晶体的使用量，在所述盐酸水溶液中的盐酸的使用量是 lOmol以上。
【专利摘要】本发明涉及电子照相感光构件，处理盒和电子照相设备，以及氯镓酞菁晶体和其制造方法。一种电子照相感光构件依序包括支承体和感光层。所述感光层包含氯镓酞菁晶体。所述氯镓酞菁晶体在吸收光谱的波长范围为646nm以上且668nm以下和波长范围为782nm以上且809nm以下的各个范围内具有一个以上的峰。当将在646nm以上且668nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第一峰并且将在782nm以上且809nm以下的波长范围内的峰之中具有最大吸光度的峰假定为第二峰时，所述第一峰的吸光度大于所述第二峰的吸光度。
【IPC分类】G03G5/02, G03G5/04
【公开号】CN105573072
【申请号】CN201510713876
【发明人】西田孟, 田中正人, 川原正隆
【申请人】佳能株式会社
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年10月28日
【公告号】DE102015118422A1, US20160124326