一种转印版的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种转印版，以解决现有转印版结构导致印刷出的取向膜厚度不均匀，导致后续摩擦取向不均匀所造成的液晶分子取向异常的问题。所述转印版，包括基膜以及位于所述基膜之上的多个网点组成的网点阵列，所述基膜划分为活性区和包围所述活性区的非活性区，所述活性区与液晶显示区域对应；其中，所述活性区内的网点阵列具有第一网点角度，所述非活性区内的网点阵列具有第二网点角度，所述第二网点角度小于所述第一网点角度。
【专利说明】一种转印版
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种转印版。
【背景技术】
[0002]在薄膜场效应晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-1XD)的制作工艺中，需要在液晶盒的玻璃基板上涂覆一层取向剂形成均匀的取向膜，该取向膜使涂覆在其上的液晶分子沿着一定的方向排列，并根据电场控制使液晶分子按照规定的方向进行偏转，进而使最终包括该液晶盒的液晶显示面板正常显示。
[0003]其中，在玻璃基板上形成取向膜的过程如图1所示，首先将取向剂101通过点胶机102滴加到均胶辊103与刮刀104的接触位置，接着用刮刀104把均胶辊103上的取向剂101涂布均匀，然后均胶辊103与挂有预先形成图形的转印版105的印刷辊106接触，将取向剂101转印到转印版105上，最后通过转印版105把取向剂101印刷到基台107上的玻璃基板108的表面形成取向膜。其中，转印版105的结构如图2所示，转印版包括基膜109和基膜109之上的密度均匀、大小相同的多个网点110，在各网点110之间吸附的取向剂101的量相同。
[0004]在实际生产操作中，由于转印版转印技术的原因，在将取向剂101印刷到玻璃基板8上时，取向剂101会往印刷方向流动并向四周扩散，使转印版边缘的取向剂101处于过饱和状态时被印刷到玻璃基板108上的显示区域四周，造成形成的取向膜的边缘过厚产生凸起(Halo)区，从而导致形成的取向膜厚度不均匀。
[0005]如图3所示，在玻璃基板8上的取向膜111凸起部位即为Halo区112，图4为具有Halo区112的液晶面板的俯视图，其中液晶显示区域为113。如果在液晶显示面板的显示区域内出现Halo区112，在取向摩擦时会导致摩擦不均匀，使液晶分子取向异常。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供一种转印版，用以解决现有转印版结构导致印刷出的取向膜厚度不均匀，导致后续摩擦取向不均匀所造成的液晶分子取向异常的问题。
[0007]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0008]本发明实施例提供一种转印版，包括基膜以及位于所述基膜之上的多个网点组成的网点阵列，所述基膜划分为活性区和包围所述活性区的非活性区，所述活性区与液晶显示区域对应；其中，所述活性区内的网点阵列具有第一网点角度，所述非活性区内的网点阵列具有第二网点角度，所述第二网点角度小于所述第一网点角度。
[0009]本实施例中，转印版的所述非活性区内的网点阵列的网点角度小于所述活性区内的网点阵列的网点角度，使得转印版在对取向膜进行印刷时，能够降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度，有利于使后续的摩擦取向更均匀，减少液晶分子的取向异常。
[0010]优选的，所述第一网点角度的范围为O?90度，所述第二网点角度的范围为O?75度。
[0011]优选的，所述第一网点角度为75度，所述第二网点角度为45度。本实施例中，使转印版的所述非活性区内的网点阵列的网点角度相对所述活性区内的网点阵列的网点角度进行改变，以较小的所述第二网点角度对取向膜的边缘区域进行印刷，从而减缓取向膜的边缘区域的厚度波动，从而降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度和减小Halo区的览度。
[0012]优选的，所述活性区内的网点阵列具有第一开口率，所述非活性区内的网点阵列具有第二开口率，所述第二开口率大于所述第一开口率。
[0013]所述第一开口率为25?40%，所述第二开口率为30?45%。
[0014]优选的，所述第一开口率为30%，所述第二开口率为35%。本实施例中，所述第二开口率大于所述第一开口率，因此非活性区内的各网点之间的间隙增大，从而增加非活性区承载的取向剂的总量，使得在印刷过程中取向膜边缘部分不会由于取向剂总量的不足而出现较大的波动。
[0015]优选的，所述活性区和所述非活性区各自区域内的网点阵列的网点分布密度均一。本实施例中，转印版上的网点分布密度均一，有利于进行取向膜印刷均匀。
[0016]优选的，所述活性区和所述非活性区的网点阵列的网点形状相同。本实施例中，转印版上的网点形状相同，有利于进行取向膜印刷均匀。
[0017]优选的，所述活性区和所述非活性区的网点阵列的网点为圆形网点。
[0018]优选的，所述非活性区域的截面的最小宽度为300微米。本实施例中，所述非活性区域内的网点相对所述活性区的网点角度的较小，所述非活性区域所对应的取向膜的Halo高度降低且Halo区的宽度减小，有利于摩擦取向和制备窄边框显示面板。
[0019]本发明实施例有益效果如下:转印版的所述非活性区内的网点阵列的网点角度小于所述活性区内的网点阵列的网点角度，使得转印版在对取向膜进行印刷时，能够减缓取向膜的边缘区域的厚度波动，从而降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度，有利于使后续的摩擦取向更均匀，减少液晶分子的取向异常，从而提高显示面板的品质；进一步的，所述非活性区域内的网点相对所述活性区进行网点角度的变小，所述非活性区域所对应的取向膜的Halo区的宽度减小，有利于制备窄边框显示面板。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1为现有技术中在玻璃基板上形成取向膜过程的示意图；
[0021]图2为现有技术中转印版的结构示意图；
[0022]图3为现有技术中在玻璃基板上形成的取向膜的示意图；
[0023]图4为现有技术中取向膜形成的Halo区的俯视图；
[0024]图5为本发明实施例提供的一种转印版的俯视图；
[0025]图6为本发明实施例中转印版中活性区内网点阵列的局部示意图；
[0026]图7为本发明实施例中转印版中非活性区内网点阵列的局部示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0028]参见图5，本发明实施例提供一种转印版，包括基膜I以及位于基膜I之上的多个网点2组成的网点阵列，基膜I划分为活性区3和包围活性区的非活性区4，活性区3与液晶显示区域对应；其中，活性区3内的网点阵列具有第一网点角度，非活性区4内的网点阵列具有第二网点角度，第二网点角度小于第一网点角度。网点角度表示的是网点2排列的方向，即由基准线转到网点2对角线的连接所转过的角度，在本实施例中，基准线为水平线。参见图6示出的转印版中活性区3内网点阵列的局部示意图，网点阵列包括多个网点
2。其中X为基准线，Y为活性区3内网点阵列的网点线，α为第一网点角度。参见图7示出的转印版中非活性区4内网点阵列的局部示意图，网点阵列包括多个网点2，其中X为基准线，Y为非活性区4内网点阵列的网点线，β为第二网点角度，本实施例中，第二网点角度β小于第一网点角度α。
[0029]本实施例中，转印版的非活性区4内的网点阵列的网点角度(如图7所示的第二网点角度β)小于活性区3内的网点阵列的网点角度(如图6所示的第一网点角度α)，使得转印版在对取向膜进行印刷时，能够降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度，有利于使后续的摩擦取向更均匀，减少液晶分子的取向异常。
[0030]所述第一网点角度的范围可以为O?90度，所述第二网点角度的范围可以为O?75度。优选的，所述第一网点角度α为75度，第二网点角度β为45度。本实施例中，使转印版的所述非活性区4内的网点阵列的网点角度相对所述活性区内的网点阵列的网点角度进行改变，即由第一网点角度α为75度变为第二网点角度β为45度，以较小的所述第二网点角度β对取向膜的边缘区域进行印刷，从而减缓取向膜的边缘区域的厚度波动，在印刷取向膜时能够降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度和Halo区的宽度。
[0031]所述第一开口率可以在25?40%之间取值，所述第二开口率可以在30?45%之间取值。优选的，所述活性区3内的网点阵列具有第一开口率，所述非活性区4内的网点阵列具有第二开口率，所述第二开口率大于所述第一开口率。开口率是指转印版上网点2的面积占总转印版面积的比例。优选的，所述第一开口率为30%，所述第二开口率为35%。本发明实施例中，第二开口率大于第一开口率，因此非活性区4内的各网点2之间的间隙增大，从而增加非活性区4承载的取向剂的总量，使得在印刷过程中取向膜边缘部分不会由于取向剂总量的不足而出现较大的波动。
[0032]优选的，所述活性区3和所述非活性区4各自区域内的网点阵列的网点2分布密度均一。本实施例中，转印版上的所述活性区3内的网点2分布密度均一，转印版上的所述非活性区4内的网点2分布密度均一，有利于进行取向膜印刷均匀。
[0033]优选的，所述活性区3和所述非活性区4的网点阵列的网点2形状相同。网点2的形状可以为正方形或圆形，优选的，所述活性区3和所述非活性区4的网点阵列的网点2为圆形网点。本实施例中，转印版上的网点2形状相同，有利于进行取向膜印刷均匀。
[0034]优选的，所述非活性区域4的截面的最小宽度为300微米。本实施例中，所述非活性区域4内的网点2相对所述活性区3网点角度的较小，使得印刷取向膜时所述非活性区域4所对应的取向膜的Halo高度降低且Halo区的宽度减小，有利于摩擦取向和制备窄边框显示面板。
[0035]本发明实施例有益效果如下:转印版的所述非活性区内的网点阵列的网点角度小于所述活性区内的网点阵列的网点角度，使得转印版在对取向膜进行印刷时，能够减缓取向膜的边缘区域的厚度波动，从而降低取向膜边缘部分的Halo区的平均高度，有利于使后续的摩擦取向更均匀，减少液晶分子的取向异常，从而提高显示面板的品质；进一步的，所述非活性区域内的网点相对所述活性区进行网点角度的变小，所述非活性区域所对应的取向膜的Halo区的宽度减小，有利于制备窄边框显示面板。
[0036]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种转印版，其特征在于，包括基膜以及位于所述基膜之上的多个网点组成的网点阵列，所述基膜划分为活性区和包围所述活性区的非活性区，所述活性区与液晶显示区域对应；其中，所述活性区内的网点阵列具有第一网点角度，所述非活性区内的网点阵列具有第二网点角度，所述第二网点角度小于所述第一网点角度。
2.如权利要求1所述的转印版，其特征在于，所述第一网点角度的范围为O?90度，所述第二网点角度的范围为O?75度。
3.如权利要求2所述的转印版，其特征在于，所述第一网点角度为75度，所述第二网点角度为45度。
4.如权利要求1至3任一项所述的转印版，其特征在于，所述活性区内的网点阵列具有第一开口率，所述非活性区内的网点阵列具有第二开口率，所述第二开口率大于所述第一开口率。
5.如权利要求4所述的转印版，其特征在于，所述第一开口率为25?40%，所述第二开口率为30?45%。
6.如权利要求5所述的转印版，其特征在于，所述第一开口率为30%，所述第二开口率为 35%。
7.如权利要求1所述的转印版，其特征在于，所述活性区和所述非活性区各自区域内的网点阵列的网点分布密度均一。
8.如权利要求1所述的转印版，其特征在于，所述活性区和所述非活性区的网点阵列的网点形状相同。
9.如权利要求8所述的转印版，其特征在于，所述活性区和所述非活性区的网点阵列的网点为圆形网点。
10.如权利要求1所述的转印版，其特征在于，所述非活性区域的截面的最小宽度为300微米。
【文档编号】G02F1/1337GK104317110SQ201410673638
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年11月21日 优先权日:2014年11月21日
【发明者】郑先锋, 金相旭, 张建政, 程晋燕 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司