1.一种可调谐MEMS-FP滤波器，包括：
具有上表面和下表面的半导体或介电衬底；
连接至所述衬底下表面的固定反射镜；
设置在所述衬底上表面的底部电极，以及设置在所述衬底上表面的AR层；
具有上表面和下表面的可移动反射镜，所述可移动反射镜由一个或多个悬挂梁支撑，并且包括MEMS、多层介电DBR反射镜以及设置在所述可移动反射镜上表面的顶部电极，其中在所述可移动反射镜的下表面和所述衬底的上表面之间形成气隙；
其中在所述固定反射镜和可移动反射镜之间形成光腔；以及
在所述顶部电极和底部电极之间提供电压以改变所述光腔腔长的电压源。
2.根据权利要求1所述的可调谐MEMS-FP滤波器，其中所述多层DBR反射镜包括：Si/SiO2、Si/Al2O3、SiO2/TiO2或Ta2O5/SiO2。
3.根据权利要求1所述的可调谐MEMS-FP滤波器，其中所述衬底包括选自Si、InP、GaAs或GaP的半导体或介电材料。
4.根据权利要求1所述的可调谐MEMS-FP滤波器，其中所述固定反射镜包括高反射率(HR)涂层。
5.根据权利要求1所述的可调谐MEMS-FP滤波器，其中所述固定反射镜包括多层介电DBR反射镜。
6.一种可调谐MEMS-FP滤波器，包括：
具有上表面和下表面的半导体或介电衬底；
连接至所述衬底下表面的固定反射镜、设置在所述衬底上表面的底部电极以及设置在所述衬底上表面的AR层；
具有上表面和下表面的可移动反射镜，所述可移动反射镜由一个或多个悬挂梁支撑，并且包括多层介电DBR反射镜以及设置在所述上表面的顶部电极，其中在所述可移动反射镜的下表面和所述衬底的上表面之间形成气隙；
其中在所述固定反射镜和可移动反射镜之间形成光腔；以及
在所述顶部电极和底部电极之间提供电压以改变所述光腔腔长的电压源。
7.根据权利要求6所述的可调谐MEMS-FP滤波器，其中所述固定反射镜包括高反射率(HR)涂层。
8.一种自由空间线性腔可调谐激光光源，包括如权利要求1所述的可调谐MEMS-FP滤波器。
9.根据权利要求8所述的可调谐激光光源，进一步包括一增益介质、两个透镜以及一端部反射镜。
10.根据权利要求9所述的可调谐激光光源，其中所述增益介质为SOA。
11.一种光纤耦合环形腔可调谐激光光源，包括如权利要求1所述的MEMS-FP滤波器、光纤耦合增益介质以及光纤耦合器。
12.根据权利要求11所述的光纤耦合环形腔可调谐激光光源，其中所述增益介质为SOA。
13.一种制备MEMS-FP滤波器的方法，所述方法包括：
从衬底的下表面蚀刻切口；
将一个或多个多层介电DBR反射镜沉积到所述切口的表面；
将抗反射涂层沉积到所述衬底的上表面；
对所述抗反射涂层进行图形化以及蚀刻；
将底部电极沉积到所述衬底的上表面；
对所述底部电极进行图形化以及蚀刻；
将牺牲层、MEMS结构以及顶部电极沉积在所述图形化抗反射涂层以及底部电极的顶部上；
对所述顶部电极进行图形化以及蚀刻；
将一个或多个多层介电DBR反射镜沉积到所述MEMS结构以及顶部电极上；
对所述MEMS结构上的多层介电DBR反射镜进行图形化以及蚀刻，以及
选择性蚀刻所述MEMS结构以及牺牲层以产生气隙以及将所述衬底连接至所述MEMS结构的支撑框架。
14.一种具有MEMS腔的MEMS-FP滤波器，所述MEMS腔为滤波器腔的一部分。