一种阵列基板检测方法及检测系统与流程

本发明涉及阵列基板检测技术领域，尤其涉及一种阵列基板检测方法及检测系统。

背景技术：

OLED产品设计复杂，良率远比LCD低，而阵列基板是OLED产品的关键部件，在阵列基板上设置有多种金属配线，如基板上相互平行的栅极线和公共电极线，或互相垂直的栅极线和数据线等。

目前在阵列基板检测(Array test)的时候,现有阵列基板测试设备仅能定位发生短路的金属配线，而不能定位线不良发生的具体位置，必须依靠加测CSI设备来定位短路发生的位置，具体来说，CSI设备主要是基于发生短路的栅极或金属线上的直流电流产生的磁场，通过移动的线圈探测器产生涡流的方法来定位发生短路的位置，但是CSI也只能定位栅线(Gate)与数据线(data)交叉的点位，定位的点数大于实际发生不良的点数，需要通过高精度图像控制器(Charge-coupled Device，CCD)或者人工在高精度CCD下查找，对于Gate与VDD，Data与VDD发生的不良CSI是无法定位的，而对于COA制程的显示面板，阵列基板上有彩膜图形导致CSI的高精度CCD也无法定位金属线短路发生的位置。

技术实现要素：

针对现有技术的缺陷，本发明提供一种阵列基板检测方法及检测系统，能够解决现有技术中的阵列基板检测设备无法精确定位阵列基板上金属线发生短路的具体位置的问题。

第一方面，本发明提供了一种阵列基板检测方法，包括：

检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置；

采用热探测元件扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息。

优选地，所述检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置，包括：

在所述阵列基板与透明感应电极之间加入第一预设电压，以在所述阵列基板与所述透明感应电极间形成电场；

光源发出的光线透过所述透明感应电极入射至PDLC膜层，并通过反射层反射至所述透明感应电极；

根据接收到的反射光线分析获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

优选地，所述检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置，包括：

控制电子束发射至所述阵列基板中接入预设电流的像素电极，以使所述像素电极反射所述电子束获得二次电子束；

根据所述二次电子束获得所述像素电极的电压；

根据所述像素电极的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

优选地，所述采用热探测元件扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息，包括：

通过热成像显微镜对所述金属线进行检测，以对所述金属线上的发热点进行定位，获得所述金属线上发生短路的坐标信息。

优选地，所述方法还包括：

对于所述阵列基板的非显示区域，通过热成像扫描仪扫描所述非显示区域的金属线区域，获取金属线上的发热点；

通过热成像显微镜对所述金属线上的发热点进行定位，获得非显示区域中发生短路的坐标信息。

优选地，所述方法还包括：

根据所述坐标信息，对发生短路的金属线进行修复。

第二方面，本发明提供了一种阵列基板检测系统，包括：金属线检测设备及热探测元件；

所述金属检测设备，用于检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置；

所述热探测元件，用于扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息。

优选地，所述金属线检测设备包括：光源、透明感应电极、PDLC膜层、反射层及第一控制器；

所述光源设置于所述透明感应电极背离所述PDLC膜层的一侧；所述PDLC膜层位于所述透明感应电极与反射层之间；所述阵列基板设置于所述反射层背离所述PDLC膜层的一侧，且所述阵列基板与所述透明感应电极之间加有第一预设电压；

所述光源发出的光线透过所述透明感应电极入射至PDLC膜层，并通过反射层反射至所述透明感应电极；

所述第一控制器，用于根据接收到的反射光线分析获得发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置。

优选地，所述金属线检测设备包括：电子束发射设备及第二控制器；

所述电子束发射设备，用于控制电子束发射至阵列基板中接入预设电流的像素电极，以使所述像素电极反射所述电子束获得二次电子束；

所述电子束接收设备，用于接收所述二次电子束；

所述第二控制器，用于根据所述二次电子束获得所述像素电极的电压；根据所述像素电极的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

优选地，所述热探测元件包括：热成像显微镜；

所述热成像显微镜，用于对所述金属线进行检测，以对所述金属线上的发热点进行定位，获得所述金属线上发生短路的坐标信息。

优选地，所述热探测元件还包括：热成像扫描仪；

所述热成像扫描仪，用于扫描所述阵列基板非显示区域的金属线区域，获取金属线上的发热点；

相应地，所述热成像显微镜，用于对所述金属线上的发热点进行定位，获得非显示区域中发生短路的坐标信息。

优选地，所述检测系统还包括：修复设备；

所述修复设备，用于根据所述坐标信息，对发生短路的金属线进行修复。

由上述技术方案可知，本发明提供一种阵列基板检测方法及检测系统，在检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置后，进一步通过热探测元件扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息，如此，本发明能够实现对金属线上的短路发生位置进行精确定位，提高了对阵列基板的不良检测成功率，且基于发生短路的精确位置，有利于后续修复阵列基板上出现短路的金属线，解决了现有技术中的阵列基板检测设备无法精确定位阵列基板上金属线发生短路的具体位置的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例提供的一种阵列基板检测方法的流程示意图；

图2是本发明一实施例提供的一种金属线检测设备的结构示意图；

图3是图2所示的金属线检测设备在加入预设电压时的结构示意图；

图4是本发明另一实施例提供的一种金属线检测设备的结构示意图；

图5是本发明另一实施例提供的一种阵列基板检测方法的流程示意图；

图6是本发明一实施例提供的一种阵列基板检测系统的结构示意图；

图7是本发明另一实施例提供的一种阵列基板检测系统的结构示意图；

图2～图4中的标记说明：1-阵列基板；2-透明感应电极；3-PDLC膜层；4-反射层；5-光源；6-电子束发射设备；7-电子束接收设备；11-像素电极；61-电子束；62-二次电子束。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明一实施例提供的一种阵列基板检测方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：

S1：检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置。

需要说明的是，金属线可为所述阵列基板上的栅线、数据线、公共电极线等，则金属线发生短路包括栅线和栅线之间的短路、栅线和数据线之间的短路、数据线和数据线之间的短路、栅线和公共电极线之间的短路、及数据线和公共电极线之间的短路等。

S2：采用热探测元件扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息。

具体来说，由于金属线上发生短路的位置会发热，因此采用热探测元件扫描发生不良的金属线，可确定该金属线上的发热点，从而确定该金属线发生短路的坐标信息。

由此可见，本实施例在检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置后，进一步通过热探测元件扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息，如此，本发明能够实现对金属线上的短路发生位置进行精确定位，提高了对阵列基板的不良检测成功率，且基于发生短路的精确位置，有利于后续修复阵列基板上出现短路的金属线，解决了现有技术中的阵列基板检测设备无法精确定位阵列基板上金属线发生短路的具体位置的问题。

上述步骤S1中检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置可通过下述两种方式获得：

在本发明的一个可选实施例中，步骤S1具体包括如下子步骤：

S11：在所述阵列基板与透明感应电极之间加入第一预设电压，以在所述阵列基板与所述透明感应电极间形成电场；

S12：光源发出的光线透过所述透明感应电极入射至PDLC膜层，并通过反射层反射至所述透明感应电极；

S13：根据接收到的反射光线分析获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

具体来说，如图2及图3所示的金属线检测设备包括：阵列基板1、透明感应电极2、PDLC膜层3、反射层4及光源5。所述光源5设置于所述透明感应电极2背离所述PDLC膜层3的一侧；所述PDLC膜层3位于所述透明感应电极2与反射层4之间；所述阵列基板1设置于所述反射层4背离所述PDLC膜层3的一侧。其中，透明感应电极可由ITO制成。

如图2所示，在阵列基板1和透明感应电极2之间未加入电压时，液晶分子朝各个方向排列，则从光源5发出的光线，透过透明感应电极2、PDLC膜层至反射层4，而被反射层4反射后的光线经PDLC膜层3至透明感应电极2出射，则多束光线朝多个方向出射。如图3所示，当在阵列基板1和透明感应电极2之间加入预设电压时，PDLC膜层3中的液晶分子均顺着电场的方向排列，则从光源5发出的光线，经透过透明感应电极2、PDLC膜层至反射层4，而被反射层4反射后的光线经PDLC膜层3至透明感应电极2出射，而多束光线均沿垂直于阵列基板1的方向出射，而若阵列基板1上某金属线发生短路，则透明感应电极2与阵列基板1上的该金属线对应的像素电极之间的电场会发生变化，使得该金属线对应的光线出射方向与其他光线出射方向不同，因此，通过上述步骤可检测出发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板1上的排列位置。即为阵列基板1加电后，检测像素电极上方PDLC膜层3的穿透率来检测金属线不良。

在本发明的一个可选实施例中，步骤S1具体包括如下子步骤：

S11’：控制电子束发射至所述阵列基板中接入预设电流的像素电极，以使所述像素电极反射所述电子束获得二次电子束；

S12’：根据所述二次电子束获得所述像素电极的电压；

S13’：根据所述像素电极的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

具体来说，如图4所示，阵列基板1上包括多个阵列排布的像素单元，每个像素单元包括一个像素电极11。电子束发射装置6控制电子束61发射至阵列基板1中接入预设电流的像素电极11，以使所述像素电极11反射所述电子束61获得二次电子束62。采用电子束接收设备7(如电子束管)接收所述二次电子束，并根据接收到的二次电子束获得所述像素电极11的电压。进一步地，将该电压与预设电压进行比较，若该电压大于或者小于所述预设电压，表明该像素电极11对应的金属线存在短路，由此，可获得对所述像素电极11的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板1上的排列位置。

在本发明的一个可选实施例中，上述步骤S2，具体可包括：

通过热成像显微镜对所述金属线进行检测，以对所述金属线上的发热点进行定位，获得所述金属线上发生短路的坐标信息。

具体来说，通过步骤S1检测出发生短路的金属线及其排列位置后，在其排列位置处采用热成像显微镜对所述金属线进行检测，从而获得发热点成像，从而进一步基于该热成像对发热点进行定位，则获得的发热点坐标信息即为金属线上发生短路的具体位置信息。

在本发明的一个可选实施例中，所述方法还可包括如下步骤：

A01：对于所述阵列基板的非显示区域，通过热成像扫描仪扫描所述非显示区域的金属线区域，获取金属线上的发热点；

A02：通过热成像显微镜对所述金属线上的发热点进行定位，获得非显示区域中发生短路的坐标信息。

由此可见，对于阵列基板上的非显示区域，也可采用热探测元件获得其发生短路的金属线的具体位置。具体地，首先通过热扫描仪扫描非显示区域的金属线区域，从而获得金属线上的发热点位置，然后通过热成像显微镜对该发热点进行热成像，并进一步根据该热成像获得发热点的具体坐标信息，即为金属线发生短路的坐标信息。而现有技术中无法获得非显示区域中发生短路金属线的位置信息，则本实施例相比于现有技术，能够进一步对阵列基板的非显示区域的金属线不良进行检测。

进一步地，如图5所示，步骤S2之后，所述方法还包括如下步骤：

S3：根据所述坐标信息，对发生短路的金属线进行修复。

具体来说，由于上述实施例能够获得金属线发生短路的具体位置信息，即坐标信息，则基于该坐标信息。能够进一步对发生短路的金属线采用修复设备进行修复，有效提高了阵列基板的良率。

图6是本发明一实施例中的一种阵列基板检测系统的结构示意图，如图6所示，该阵列基板检测系统包括：金属线检测设备601及热探测元件602。其中：

所述金属检测设备601用于检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置；所述热探测元件602用于扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息。

由此可见，本实施例中，通过金属检测设备601检测获取发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置后，进一步通过热探测元件602扫描所述金属线，确定在所述金属线上发生短路的坐标信息，如此，本发明能够实现对金属线上的短路发生位置进行精确定位，提高了对阵列基板的不良检测成功率，且基于发生短路的精确位置，有利于后续修复阵列基板上出现短路的金属线，解决了现有技术中的阵列基板检测设备无法精确定位阵列基板上金属线发生短路的具体位置的问题。

在本发明的一个可选实施例中，如图2及图3所示，所述金属线检测设备601包括：光源5、透明感应电极2、PDLC膜层3、反射层4及第一控制器(图2及图3中未示出)。

其中，所述光源5设置于所述透明感应电极2背离所述PDLC膜层3的一侧；所述PDLC膜层3位于所述透明感应电极2与反射层4之间；所述阵列基板1设置于所述反射层4背离所述PDLC膜层3的一侧，而进行金属线检测时，如图3所示，所述阵列基板1与所述透明感应电极2之间加有第一预设电压。

具体地，所述光源5发出的光线透过所述透明感应电极2入射至PDLC膜层3，并通过反射层4反射至所述透明感应电极2。进一步地，所述第一控制器，用于根据接收到的反射光线分析获得发生短路的金属线及所述金属线在阵列基板上的排列位置。如图3所示，当在阵列基板1和透明感应电极2之间加入预设电压时，PDLC膜层3中的液晶分子均顺着电场的方向排列，则从光源5发出的光线，经透过透明感应电极2、PDLC膜层至反射层4，而被反射层4反射后的光线经PDLC膜层3至透明感应电极2出射，而多束光线均沿垂直于阵列基板1的方向出射，而若阵列基板1上某金属线发生短路，则透明感应电极2与阵列基板1上的该金属线对应的像素电极之间的电场会发生变化，使得该金属线对应的光线出射方向与其他光线出射方向不同，因此，通过上述步骤可检测出发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板1上的排列位置。即为阵列基板1加电后，检测像素电极上方PDLC膜层3的穿透率来检测金属线不良。

在本发明的一个可选实施例中，如图4所述金属线检测设备601包括：电子束发射设备6、电子束接收设备7及第二控制器(图4中未示出)。其中，

所述电子束发射设备6用于控制电子束发射至阵列基板中接入预设电流的像素电极，以使所述像素电极反射所述电子束获得二次电子束；所述电子束接收设备7用于接收所述二次电子束；所述第二控制器，与所述电子束接收设备7连接，用于根据所述二次电子束获得所述像素电极的电压；根据所述像素电极的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板上的排列位置。

具体起说，如图4所示，阵列基板1上包括多个阵列排布的像素单元，每个像素单元包括一个像素电极11。电子束发射装置6控制电子束61发射至阵列基板1中接入预设电流的像素电极11，以使所述像素电极11反射所述电子束61获得二次电子束62。采用电子束接收设备7(如电子束管)接收所述二次电子束，并根据接收到的二次电子束获得所述像素电极11的电压。进一步地，将该电压与预设电压进行比较，若该电压大于或者小于所述预设电压，表明该像素电极11对应的金属线存在短路，由此，可获得对所述像素电极11的电压判断获得发生短路的金属线及所述金属线在所述阵列基板1上的排列位置。

在本发明的一个可选实施例中，所述热探测元件602包括：热成像显微镜。

其中，所述热成像显微镜用于对所述金属线进行检测，以对所述金属线上的发热点进行定位，获得所述金属线上发生短路的坐标信息。

如此，在金属线检测设备601检测出发生短路的金属线及其排列位置后，在其排列位置处采用热成像显微镜对所述金属线进行检测，从而获得发热点成像，从而进一步基于该热成像对发热点进行定位，则获得的发热点坐标信息即为金属线上发生短路的具体位置信息。

在本发明的一个可选实施例中，所述热探测元件还包括：热成像扫描仪；

所述热成像扫描仪，用于扫描所述阵列基板非显示区域的金属线区域，获取金属线上的发热点；

相应地，所述热成像显微镜，用于对所述金属线上的发热点进行定位，获得非显示区域中发生短路的坐标信息。

由此可见，现有技术中无法获得非显示区域中发生短路金属线的位置信息，则本实施例相比于现有技术，能够进一步对阵列基板的非显示区域的金属线不良进行检测。

在本发明的一个可选实施例中，如图7所示，所述检测系统还包括：修复设备603。

所述修复设备603用于根据所述坐标信息，对发生短路的金属线进行修复。

具体来说，由于上述实施例能够获得金属线发生短路的具体位置信息，即坐标信息，则修复设备603基于该坐标信息。能够进一步对发生短路的金属线采用修复设备进行修复，有效提高了阵列基板的良率。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。