本发明涉及光学领域，尤其涉及一种光学偏转系统。
背景技术：
现有光学偏转器主要以机械结构为主，包括微机械结构（如mems），由于涉及到机械运动，因此主要存在以下问题：尺寸偏大、响应速度慢、存在可活动部件要带来的稳定性及可靠性等问题。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种响应速度高、调节范围大且精度高的光学偏转系统。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种光学偏转系统，其沿光的传播方向依序包括第一偏转器和第二偏转器，所述第一偏转器包括第一电极对和设在第一电极对内的第一电光晶体，所述第一电光晶体为ktn晶体；所述第二偏转器包括第二电极对和设在第二电极对内的第二电光晶体，所述第二电光晶体为plzt晶体或ln晶体。
所述第二电光晶体由两块楔角块叠加组成。
本发明采用以上技术方案，具有以下有益效果：ktn晶体作为大范围角度精调，而plzt晶体或ln晶体等电光材料作为小范围角度精调，从而实现高精度大范围角度偏转调节。另外，本发明的光学偏转系统还具有响应速度快、尺寸小和稳定性高等特点。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；
图1为本发明光学偏转系统的示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明一种光学偏转系统，其沿光的传播方向依序包括第一偏转器1和第二偏转器2，第一偏转器1包括第一电极对11和设在第一电极对11内的第一电光晶体12，第一电光晶体12为ktn晶体；第二偏转器2包括第二电极对21和设在第二电极对21内的第二电光晶体22，第二电光晶体22可以是plzt晶体或ln晶体等其他电光晶体。
其中，第二电光晶体22可以单块晶体，也可以由两块楔角块叠加组成，通过两个楔角块相对位置的变化，可以精确控制第二电光晶体22的光学厚度。
本发明的工作原理：通过改变施加在电极对上电压的大小和方向，改变电光晶体的折射率以实现光的偏转，本实例中，ktn晶体可实现±22°范围内的大范围角度调节，而plzt晶体或ln晶体等电光材料可实现0.1-1°范围内的小范围角度精调，以解决ktn晶体角度偏转大但精度不够的问题。
总之，本发明可以实现高精度大范围角度偏转调节，而且具有响应速度快、尺寸小和稳定性高等特点。