静电偏转系统和显示设备的制作方法

文档序号:2923083阅读:598来源:国知局
专利名称:静电偏转系统和显示设备的制作方法
技术领域
本发明涉及一种用于偏转电子束的静电偏转系统。本发明还涉及一种包含这种静电偏转系统的阴极发光矩阵显示设备。
背景技术
静电偏转是用于在例如阴极射线管(CRT),光刻机器,扫描电子显微镜及一些其它分析仪器中的表面上扫描电子束。一般通过在电子束穿过的一对电极上施加电压差(偏转电压)来获得静电偏转。所述电极间的最终电场使电子束偏转。为了在表面上扫描电子束,使用动态偏转电压,即电极上的电压差具有依赖于时间的分量。
静电偏转的典型优点是电子束可以以高速偏转(允许高的扫描频率),且相对简单,构造也不昂贵。
可选择地,可以使用磁场来偏转电子束。尽管磁偏转系统的结构更加复杂,但其本身具有高偏转灵敏度的优点。
为了在使用静电偏转时获得大的偏转角,一般需要使用相对高的偏转电压。结果,偏转电极之间的强电场对电极间穿过的电子束具有非常显著的散焦效应。由此使得将要被扫描的表面上的电子束的点尺寸变得相当大。
对于显示的应用,静电偏转一般仅用于其中偏转角不大于大约45度的应用,例如示波镜的阴极射线管。迄今为止,在电视或监视器的CRT中,一直使用磁偏转系统。
使用静电偏转的显示设备的例子是从US5,189,335中了解到的矩阵显示设备。该矩阵显示设备使用多个电子束,其中每个电子束都与显示屏的一部分相关。为每个电子束都提供一静电偏转系统。在穿过偏转电极之前,通过聚焦用于确定等电位电子透镜的电极来将电子束聚焦。
此外,偏转散焦大。为了解决该问题,在US5,189,335中,给聚焦电极施加动态聚焦电压,并在一个偏转器内将电子束形成为横渡(cross-over)的线。尽管该设计中点尺寸均匀,但其仍就相对大,从而导致了较差的图像质量和清晰度。

发明内容
本发明的目的是提供一种静电偏转系统,其减小了在被扫描的表面上的电子束的点尺寸。
该目的通过依照本发明的如独立权利要求1中所述的静电偏转系统来实现。从属权利要求2-6中描述了进一步有利的实施方案。
依照本发明的静电偏转系统在操作过程中形成了与至少一组偏转电极集成的聚焦电子透镜。在聚焦电极与至少第一偏转电极之间形成了双电位型电子透镜场。该电子透镜提供了对电子束相对强的聚焦作用。为了形成合适的电子透镜场,一般在各个电极之间施加一或几kV的电压差。
一般地,双电位型聚焦透镜包括负透镜部分和正透镜部分,其每一个基本上都定位在组成电子透镜场的各个电极之一上。在本情形中,这意味着聚焦透镜场从聚焦电极一直分布到第一偏转点,也就是,在其中基本上发生第一偏转电极偏转作用的点。
结果,现在可通过聚焦透镜来补偿第一偏转电极的偏转散焦效应。由此,依照本发明的静电偏转系统减小了被扫描的表面上的电子束的点尺寸。优选地,会聚效果使得将电子束聚焦在将被扫描的表面上。
在操作中,聚焦电极通常接收聚焦电压。第一和第二偏转电极优选每个都以一对电极设置在穿过电子束的相对侧面上的形式而提供。成对的偏转电极都接收静态(DC)偏转电压,在其上添加动态(AC)偏转电压。该动态偏转电压作为所述对中单个电极间的电压差来施加。
因而,形成了电子束穿过的电子偏转场,所述场的分量基本上垂直于电子束的传播方向。因而电子束可以偏转的第一和第二方向垂直于电子束传播的方向。
依照本发明,一般给电极施加千伏数量级的静态电压,而动态偏转电压是一百或几百伏的数量级。与静态偏转电压相比,动态偏转电压很小,结果偏转散焦相对很小,且减小了由偏转电极分散的束。
聚焦电极一般与第一偏转电极合作,从而组成在第一方向上起作用的聚焦电子透镜。优选地,聚焦电极还与第二偏转电极结合,从而聚焦电子透镜还在第二方向上起作用。该情形中,由于现在可在两个方向上聚焦,因此点尺寸可以尤其地小。
在优选的实施方案中,聚焦电极和第一和第二偏转电极被定位,使得当从电子束传播方向看时,聚焦电极最靠近形成电子束的装置设置,第一和第二偏转电极定位在聚焦电极的后面。
在该情形中,聚焦透镜的正部基本上位于聚焦电极上,第一方向的聚焦透镜的负部基本上位于第一偏转电极上,第二方向的聚焦透镜的负部基本上位于第二偏转电极上。穿过的电子束首先被会聚,且在偏转电极的位置处其再次被分散为较小的程度。
如果点尺寸在一个方向上小于在另一个方向上,该实施方案是最有利的。通过适当地设置第一和第二偏转电极的静态偏转电压,可对第一和第二方向调整负透镜部分的强度。也就是说,对于两个方向,负透镜部分可以大约相等,或可选择地,负透镜部分对于一个方向相对较强,而对于另一个方向相对较弱。
在后一情形中,为该对偏转电极设置静态偏转电压为相同的值,可在最接近聚焦电极的偏转电极处有效切断聚焦透镜场。结果,聚焦透镜对于另一组偏转电极基本上不具有负部。
例如,如果第一偏转电极比第二偏转电极更靠近聚焦电极,则第二方向的聚焦透镜仅由基本上位于聚焦电极上的正部构成,并基本上不具有负部,因为电场被切断了。因而聚焦透镜的会聚效果在第二方向上可以尽可能的高。而且,负透镜部的缺少显著减少了对第二方向上非常小的点尺寸有贡献的透镜像差。
在第二个优选的实施方案中,聚焦电极与第一何第二偏转电极设置为使得在电子束传播的方向上看时,第一和第二偏转电极之一设置为最靠近用于形成电子束的装置,且聚焦电极设置在第一和第二偏转电极后面。
在该实施方案中,偏转电极设置在聚焦电极前面。在常规的设计中,这将导致电子束在进入聚焦透镜前而被预偏转,导致电子束偏离中心并以相对于透镜主轴的某一角度进入聚焦透镜。这导致了大的透镜像差,因而导致较差的点质量,由于聚焦透镜动作的低偏转灵敏度使得电子束朝着光轴向回弯曲。
在第二个优选实施方案中已经克服了这种预偏转问题。将聚焦透镜与偏转器集成,特别是与基本上位于与偏转电极相同位置处的透镜的正部。因此,电子束在进入聚焦透镜之前不会偏转。集成的聚焦透镜具有良好的点质量和良好的偏转灵敏度。
优选地,动态(AC)偏转电压至多是静态(DC)偏转电压的10%。结果,由偏转电极分散的电子束特别低,获得了屏幕上特别小的点尺寸。
优选地,聚焦电极中的孔具有不对称的形状,更优选地为椭圆形。在该情形中,对于第一和第二方向,可独立地调整位于聚焦电极处或附近的聚焦透镜部的强度。
本发明的另一个目的是提供一种具有静电偏转系统的显示设备,其中图像质量相对高。
该目的通过独立权利要求7中所述的矩阵显示器来实现。从属权利要求8和9中给出了进一步有利的实施方案。
因而,依照本发明的矩阵显示设备包括用于产生电子束的装置和具有多个图像元的显示屏,所述显示屏供给有阳极电压,并设置成用于接收所述电子束,所述电子束与包括预定数量图像元的所述显示屏的一部分相关。
所述电子束借助在上面列出的静电偏转系统的实施方案是可偏转的。该偏转系统在显示屏的表面上,尤其在与电子束相关的显示屏的部分上扫描所述电子束。通过双电位聚焦电子透镜,电子束聚焦在显示屏上,从而显示屏上电子束的点尺寸非常小。同时,大大防止了偏转散焦,因为部分透镜与偏转器重合。
与装配有静电偏转系统的现有显示设备相比,这些效果导致了相对高的图像锐度和质量。
该矩阵显示设备一般依靠使用多个电子束,每个都与显示屏的一部分相关。以下述方式构造该静电偏转系统,即其能在每个电子束上操作。
在优选的实施方案中,最靠近显示屏设置的一个所述电极的静态电压至少为阳极电压的50%。就是说,如果聚焦电极最靠近显示屏,则聚焦电极至少为阳极电压的50%,如果其中一个偏转电极最靠近显示屏,则相应的静态偏转电压至少为阳极电压的50%。
在该情形中,最后的电极与显示屏之间的加速场相对较弱。这防止了反向散射电子的问题。
当电子束与显示屏碰撞时,一般入射电子的大约30%被反向散射。如果加速场相当大,则反向散射的电子可以偏转回屏幕,其中它们在不希望的位置处产生了光,由此导致相对亮的图像背景,并因而导致不足够的暗黑级。减小了对比度,甚至可能在10∶1之下,这对于显示器应用是不能接受的。通过给最末电极提供充分高的电压(即阳极电压的至少50%),可大大防止该问题。
此外,相对强的加速场还影响电子束偏转。通过加速场来使电子束朝着其原始方向向回弯曲,这样减小了偏转灵敏度。而且当首次向回弯曲的电子束增加了像差时,恶化了点质量,并且在偏转电极处需要较大的偏转角,其导致了额外的偏转散焦。此外,通过将最末电极的静态电压设置为充分高的值可再次防止或至少减小了这些影响。
优选地,所述静态电压的最小值至少为阳极电压的10%。


现在将参照附图解释和阐明本发明。附图是示意性的并没有以任何比例画出。在附图中图1A和1B示出了依照本发明的静电偏转系统第一个实施方案的顶视图和侧视图;图2A和2B示出了依照本发明的静电偏转系统第二个实施方案的顶视图和侧视图;和图3示出了包含第二个实施方案的矩阵显示设备。
具体实施例方式
图1中示出了依照本发明静态偏转系统的第一个实施方案。其是具有简单构造的带有集成的电子束聚焦的紧凑型偏转系统。该系统包括三个电光元件,即,从电子源130看去为聚焦电极110、一对水平偏转电极(x-偏转器)112和一对垂直偏转电极(y-偏转器)114。因而聚焦电极110最靠近电子源130,偏转电极对中的一个,即y-偏振器114最靠近要被扫描的表面140。一般地,在y-偏转器114和表面140之间设置漂移空间144。
操作时,聚焦电极110接收几千伏,例如4kV的聚焦电压。偏转电极112,114接收静态偏转电压,该电压优选比聚焦电压大几千伏,例如为11kV。此外,偏转电极112,114接收具有例如大约1kV幅度的动态偏转电压。
这些电光元件合作来使电子束132偏转。通过电子源130产生电子束132。通过给偏转电极112,114供给具有依赖于时间的分量的动态偏转电压,可在表面140上扫描电子束132。在偏转之前,电子束132沿电光主轴134传播。
聚焦电子透镜与偏转系统集成。该实施方案中的电子透镜聚焦电子束132,使得基本上在一个方向上聚焦于表面140,该情形中为垂直方向上。聚焦电子透镜由在水平方向上用等位线120表示、而在垂直方向上用等位线121表示的聚焦透镜场构成。
聚焦透镜场基本上限定在聚焦电极110与x-偏转器112之间。所述电极间的电压差略微较大,如几千伏,从而形成充分强的双电位型聚焦透镜。由于x-偏转器112和y-偏转器114接收相同的或相似的静态电压,x-偏转器与y-偏转器之间的空间128基本上没有电场。
聚焦透镜的正部126形成在聚焦透镜场的低电压侧上,因而基本上在聚焦电极110的位置处。在水平方向上,聚焦透镜的负部127形成在聚焦透镜场的高电压侧上,因而在x-偏转器112的位置处。在垂直方向上,水平偏转电极112为垂直偏转电极114遮蔽了聚焦透镜场。结果,聚焦透镜在垂直方向上基本不具有负部。在垂直方向上缺少负透镜部显著减小了透镜像差,因而导致了在表面140上点142的垂直直径由其的小。
如引言中所述,偏转电极112,114导致的静电偏转引起了电子束132的偏转散焦。然而,在本发明的实施方案中偏转散焦是一个小问题,因为(动态)偏转电压比(静态)偏转电压小得多。
聚焦电极110包括用来使电子束132穿过的孔,该孔可以是不对称的形状,优选为椭圆形。因而,在该实施方案中,该孔直径在水平方向上小于在垂直方向上。在水平方向上聚焦透镜的正部126强于垂直方向上。这补偿了仅存在于水平方向上的负透镜部127。这有利于也减小水平方向上表面140上点142的直径。
可以改变x-偏转器112单个电极的分离,从而在高偏转灵敏度(需要小的分离)和高聚焦透镜质量(需要大的分离)之间调整偏转系统。由于透镜质量不是问题,因此y-偏转器114的单个电极的分离可以尽可能地小。在该第一个实施方案中,x-偏转器112的厚度应当是其分离的数量级,以确保有效地将y-偏转器114与聚焦透镜场屏蔽。一般地,偏转器的厚度和分离是几毫米的数量级。
漂移空间144一般没有电场,其意味着要被扫描的表面140应优选与偏转电极112,114处于相同的静态电压。如果在漂移空间144中存在电场,则这是有利的,电子束132将向着电光主轴134的方向向回弯曲。因而,具有无场漂移空间144的电光偏转系统具有相对高的偏转灵敏度。
尽管静电偏转系统的第一个实施方案允许将电子束有效地聚焦在要被扫描的表面上,以及可以忽略的偏转散焦,但缺点是为了获得无场漂移空间144,给偏转电极112,114施加了大约10kV的相对高的静态偏转电压。结果,动态偏转电压必须相对较高,需要更昂贵的驱动电子装置,以便保持足够高的偏转角,和/或偏转电极本身必须相对厚。
图2中所示的第二个实施方案允许使用几千伏,如3kV的较低静态偏转电压,因而可使用较低的动态偏转电压。通过改变聚焦电极和偏转电极的顺序,使之成为可能。现在,将聚焦电极210设置为最靠近表面240,偏转电极212,214设置在电子源230与聚焦电极210之间。一般地,漂移空间244设置在聚焦电极210与表面240之间。
借助y-偏转器214偏转电子束,从而使其沿着y-偏转器214与表面240之间的垂直偏转轴237传播。此外,其被x-偏转器212偏转,从而其沿着x-偏转器212与表面240之间的水平偏振轴236传播。
为了该目的,x-偏转器212接收水平偏转电压。在x-偏转器212的单个电极之间构成了水平偏转场222。类似地,y-偏转器214接收垂直偏转电压,在y-偏转器214的单个电极之间构成了垂直偏转场224。
如前面所述,第二个实施方案的偏转系统不会或几乎不受到使点质量退化的预偏转问题的影响。这是由下列事实导致的,即聚焦透镜的正部226与各个偏转器重合。因而,在水平方向上正部226位于水平偏转电极212处,且在垂直方向上正部226位于垂直偏转电极214处。
由于其位置在偏转电极本身处,聚焦透镜的正部226大大抵偿了偏转散焦的影响。而且,电子束在进入聚焦透镜之前不被偏转。结果,集成的聚焦透镜具有良好的点质量和高的偏转灵敏度。
在该实施方案中,聚焦透镜的正部226与偏转器重合。在y-偏转器214与聚焦电极210之间分布垂直方向上的聚焦透镜场221,且在聚焦电极210与x-偏转器212之间分布水平方向上的聚焦透镜场220。
为了到达该目的,该实施方案中提供给两对偏转电极的静态偏转电压通常不是相同的。例如,可以给x-偏转器212提供2,5kV,可以给y-偏转器214提供3,5kV。此外,偏转电极与聚焦电极210之间的电压差是几千伏,从而获得充分强的双电位型聚焦透镜。给聚焦电极210例如提供7kV。
y-偏转器214更靠近表面240,然而由于在垂直方向上聚焦透镜场221的较高的电场强度,所以垂直方向上的聚焦透镜的正部226强于水平方向上。因而,可以设计聚焦透镜,使得电子束232在两个方向上都聚焦到要被扫描的表面240上。
现在在聚焦电极210的位置处聚焦透镜具有两个方向的负部227。然而,由于透镜强度依赖于聚焦电极与偏转电极间的电压差,且该电压差充分大时,不会危及透镜的聚焦作用。在该实施方案中,负透镜部227甚至有利于增加偏转灵敏度,因为其能偏转电子束232进一步远离电光主轴234。
减小的静态偏转电压还减小了将要提供给偏转电极的动态偏转电压。例如,以最高水平偏转角施加在x-偏转器212的电极之间的电压差为125V(叠加在2,5kV的静态电压上),以最高垂直偏转角施加在y-偏转器214的电极之间的电压差为300V(叠加在3,5kV的静态电压上)。
例如将6,5kV提供给聚焦电极210,供给要被扫描的表面240例如11kV。在该情形中,在漂移空间244中存在小的加速场。然而,模拟显示出这种场不会显著使偏转的电子束232在光电主轴234的方向上向回弯曲。
依照本发明的静电偏转系统优选地应用在阴极发光显示设备中。在这种显示设备中,要被扫描的表面是包含设置有磷光材料的图像元(像素)346的显示屏340。当被电子束撞击时磷光材料发光。通过在显示屏340的像素346上扫描一个或多个电子束,可在显示屏340上显示图像。由此,可根据施加给显示设备的视频信息来调制电子束的束电流。
在图3中,示出了矩阵显示设备,其包含有依照前面所列出的第二个实施方案的静电偏转系统。
显示屏340上的像素346以片344组成,每个片都与电子源330相关。电子源330可以是热离子阴极,线阴极或冷阴极,例如半导体阴极或场发射阴极。在最后一种情形中,场发射阴极包括多个尖锥(Spindt)发射器或碳纳米管。可选择地,电子源330可包括电子压缩器,像例如在国际专利申请WO 2003/041039中所公开的电子束引导腔,其具有下述优点,即通过电子源330的出射孔而提供了相对亮且同质的电子束。在另一个可选择的实施方案中,电子源330是电子束引导沟道的提取孔,如申请人的未公开欧洲专利申请02077523.5中所述的。
在显示屏340与电子源330之间设置静电偏转系统300,与上面的第二个实施方案相似。因而,电子束332在撞击到显示屏340上之前首先穿过x-偏转器312,313,y-偏转器314,315,然后是聚焦电极310。操作时,偏转器在与所述电子源330相关的片344的整个表面上扫描源于电子源330的电子束332。
x-偏转器312,313具有例如0,2mm的厚度,y-偏转器314,315具有例如0,6mm的厚度。x偏转器312,313和y-偏转器314,315之间的间隔d1例如为0,5mm,y-偏转器314,315与聚焦电极310之间的间隔d2例如为1mm。
操作时偏转器和聚焦电极310组成了聚焦电子透镜,其将电子束332聚焦在显示屏340上。在穿过聚焦电极310中的孔311后,电子束进入了基本没有电场的漂移空间328。
因为漂移空间328基本没有电场,所以后向散射的电子几乎不会向着屏幕向回偏转,而是向着聚焦电极310传播并由此被俘获。而且,通过这样的无电场漂移空间328,可防止偏转的电子束332向着电光主轴的方向向回弯曲的问题。也大大防止了漂移空间328中的束像差。
如所述的,漂移空间328基本上没有电场,即可允许小的电加速场。这就可能减小施加给聚焦电极310的聚焦电压。一般地,显示屏340与聚焦电极310之间的电位差应当小于后向散射电子束的整体能量(以电子伏特为单位)。如果漂移空间328的长度d3例如为2cm,则可计算出聚焦电压应当至少为施加给显示屏340的阳极电压的一半。例如,聚焦电压为6,5kV,阳极电压为11kV。
操作时,施加动态偏转电压作为相邻偏转电极312,313和314,315间的电压差。在图3中所示的设计中,这导致了相邻的电子束相对地偏转。结果,当电子束332寻址图像元346时,在相邻的块344中寻址由347,348和349表示的图像元。因此像素驱动电子装置需要包含专门的驱动方案,其要考虑不同显示屏块344的不同扫描顺序。
可选择的设计对每个块344都具有分别的两组水平偏转电极312,313和垂直偏转电极314,315。尽管其允许使用更简单的驱动方案,但需要更多的电极和电连接,从而该可选择的设计具有更复杂的结构。
该显示设备例如是具有平坦显示屏幕的32英寸屏幕直径宽屏(16∶9纵横比)显像管。在电子源330为申请人的未公开欧洲专利申请02077523.5中所述的电子束引导沟道的提取孔的情形中,20mm的漂移空间328允许这种显示设备的深度为大约80mm。可以评价,在该情形中,显示屏340上的块344应具有大约9mm乘9mm的尺寸。
静电偏转系统300的最大偏转角限制了块尺寸。在高端显示设备中,对图像锐度和因此对显示屏上电子束点的最大可允许尺寸的要求,使得可以由静电偏转系统300偏转电子束322的最大角为大约25度。而且,因为小的漂移空间的长度仅仅为20mm,所以该情形中块尺寸特别小。
假定可观看的屏幕面积是约620mm乘350mm的32英寸宽屏管,则显示屏340应被分为大约2700个块。
这种显示设备具有类似阴极射线管的观看特性,同时仅具有80mm的很小深度。常规32英寸阴极射线管的深度为大约500mm。
为了降低依照本发明的显示设备的制造成本,可使用较大的块,然而其需要聚焦电极与显示屏之间的漂移空间在长度上增加。因为更长的漂移空间,所以显示设备的深度也增加了。
例如,当结合了第二个实施方案的静电偏转系统时,使用大约100mm的漂移空间可将块尺寸增加到大约43mm乘43mm。因而,块的数量减小到120个。然而,显示器的深度增加到大约160mm。
附图是示意性的并没有以比例画出。不同附图中的相同元件用相同的参考标记表示。尽管已经参照优选的实施方案描述了本发明,但应当理解到本发明不限于这些优选的实施方案。而是其包括在所附权利要求的范围内由熟练技术人员所作的所有变化。
概括地,本发明涉及一种用于偏转电子束的静电偏转系统和一种设置有这种静电偏转系统的矩阵显示设备。偏转系统具有水平方向和垂直方向的偏转器,以及聚焦电极。通过在聚焦电极与至少一个偏转器之间施加充分高的电压差,如几千伏,则可将双电位型聚焦电子透镜与偏转系统集成。由此,系统获得了电子束的同时偏转并将电子束聚焦到要被扫描的表面上。在矩阵显示设备中,电子束保持聚焦在显示屏上,由此获得了相对小的点尺寸和较高的图像质量。一般地,显示屏被分为多个部分。操作时,每个部分都由分离的电子束扫描。
权利要求
1.一种用于偏转电子束(132)的静电偏转系统,包括-第一偏转电极(112),用于在第一方向上静电偏转电子束(132);-第二偏转电极(114),用于在与第一方向垂直的第二方向上静电偏转电子束,以及-聚焦电极(110),至少与所述第一偏转电极(112)合作,用于在操作中在聚焦电极(110)与第一偏转电极(112)之间建立聚焦电子透镜场(120,121),所述聚焦电子透镜场(120,121)至少在第一方向上聚焦电子束。
2.如权利要求1中所述的静电偏转系统,其中聚焦电极(210)与第一偏转电极(212)和第二偏转电极(214)合作,用于在第一和第二方向上聚焦电子束(232)。
3.如权利要求1或2中所述的静电偏转系统,其中,当在电子束(132)传播的方向上看时,聚焦电极(110)最靠近电子源(130)设置,第一和第二偏转电极(112;114)位于聚焦电极(110)后面。
4.如权利要求1或2中所述的静电偏转系统,其中,当在电子束(232)传播的方向上看时,第一和第二偏转电极(212;214)其中之一最靠近电子源(230)设置,聚焦电极(210)位于第一和第二偏转电极后面。
5.如权利要求1中所述的静电偏转系统,其中第一和第二偏转电极(112,114)每个都设置用于接收静态偏转电压和动态偏转电压,所述动态偏转电压至多为所述静态偏转电压的10%。
6.如权利要求1中所述的静电偏转系统,其中聚焦电极(110)设置有具有椭圆形状的孔。
7.一种矩阵显示设备,包括-用于产生电子束(332)的电子源(330);-具有多个图像元(346;347;348;349)的显示屏(340),所述显示屏提供有阳极电压,且设置成用于接收所述电子束(332),该电子束与包含预定数量的图像元的所述显示屏(340)的一部分(344)相关,其中电子束(332)可通过权利要求1中所述的静电偏转系统(300)来偏转,用于在显示屏(340)的相关部分(344)上扫描电子束(332),电子束通过聚焦电子透镜聚焦在显示屏上。
8.如权利要求7中所述的矩阵显示器,其中将聚焦电极(310),第一偏转电极(312,313)和第二偏转电极(314,315)设置成用于至少接收静态电压,最靠近显示屏(340)设置的所述电极(310)其中之一的静态电压至少为阳极电压的50%。
9.如权利要求8中所述的矩阵显示器,其中所述静态电压的最小值至少为阳极电压的10%。
全文摘要
本发明涉及一种用于偏转电子束(132)的静电偏转系统和一种设置有这种静电偏转系统的矩阵显示设备。该偏转系统具有水平方向和垂直方向的偏转器(112,114)及聚焦电极(110)。通过在聚焦电极(110)与偏转器(112,114)中的至少一个之间施加充分高的电压差,例如几千伏,则可将双电位型聚焦电子透镜与偏转系统集成。由此,该系统在获得了电子束(132)偏转的同时还将该电子束聚焦到要被扫描的表面(140)上。在矩阵显示设备中,电子束(332)保持聚焦在显示屏(340)上,由此获得了相对小的点尺寸和高质量的图像。一般地,显示屏被分为多个部分(344)。操作时,每个部分都由单独的电子束(332)扫描。
文档编号H01J31/12GK1806308SQ200480016220
公开日2006年7月19日 申请日期2004年6月1日 优先权日2003年6月12日
发明者M·C·J·M·维斯森伯格, F·A·范亚比伦, H·M·R·科坦拉亚德, A·H·M·霍特斯拉格 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司
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