1.自发光激光匀光管，其特征在于：包括通过连接支架(320)连接为一体的匀光管本体(310)和阵列激光器(330)，阵列激光器(330)包括底座，底座近匀光管本体侧构造有至少一个环状的屋脊结构，任一屋脊结构的侧面均中心对称地设有半导体激光芯片，半导体激光芯片包括红光半导体激光芯片、绿光半导体激光芯片以及蓝光半导体激光芯片。
2.根据权利要求1所述的自发光激光匀光管，其特征在于：底座内部设有温度传感器，温度传感器用于采集半导体激光芯片的工作温度并对应产生温度信号。
3.根据权利要求2所述的自发光激光匀光管，其特征在于：底座处设有电气接口，电气接口包括用于向半导体激光芯片供电的供电接口。
4.根据权利要求3所述的自发光激光匀光管，其特征在于：红光半导体激光芯片、绿光半导体激光芯片以及蓝光半导体激光芯片分别采用不同的供电接口单独供电。
5.根据权利要求3所述的自发光激光匀光管，其特征在于：电气接口还包括用于读取温度信号的数据接口。
6.根据权利要求1所述的自发光激光匀光管，其特征在于：底座内设有用于固定屋脊结构的基板，基板内侧设有用于安置半导体激光芯片的电路板。
7.根据权利要求6所述的自发光激光匀光管，其特征在于：半导体激光芯片与基板共晶焊接，半导体激光芯片与电路板金线连接。
8.根据权利要求1～7中任一所述的自发光激光匀光管，其特征在于：红光半导体激光芯片、绿光半导体激光芯片以及蓝光半导体激光芯片的功率比为1:0.86:0.52。
9.根据权利要求8中所述的自发光激光匀光管，其特征在于：任意相邻半导体激光芯片间的间距为2～5mm。