抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法，属于一种衍射光栅的制备技术领域，即在近场全息曝光时，通过在垂直于光栅矢量方向上的微位移抑制位相掩模初始的垂直于光栅矢量方向的次生干扰图形，降低制作光栅的杂散光水平、并提高光栅的占宽比均匀性。

技术研发人员：刘颖;林达奎;陈火耀;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军
受保护的技术使用者：中国科学技术大学
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2017.10.20