技术特征：
技术总结
本申请涉及一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，所述阵列基板还包括一配向电极层，包括至少两个平行共面设置的配向电极；一像素电极层，包括至少两个平行共面设置的像素电极；一公共电极层。本申请通过将HVA制程中的电极作为配向电极代替传统的IPS结构中的摩擦配向，减小了IPS制程中的摩擦痕，实现了较低操作电压达到较高的穿透率的技术效果。
技术研发人员：陈俊吉
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.11.20
技术公布日：2018.04.20