技术特征：
技术总结
本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。
技术研发人员：齐藤隆史;山田慎吾;森山久美子
受保护的技术使用者：株式会社SK电子
技术研发日：2018.02.01
技术公布日：2018.08.10