技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光阻结构及晶圆曝光装置。本所述光阻结构包括：光敏层，包括用于覆盖晶圆的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且能够吸收自所述第二表面射入的第一光线；量子点，掺杂于所述光敏层中，适于在所述第一光线激发下产生能够被所述光敏层吸收的第二光线。本实用新型削弱了驻波效应对曝光过程的影响，确保了晶圆产品的质量。
技术研发人员：沈雪;古哲安;黄志凯;叶日铨
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2018.11.02
技术公布日：2019.05.10