阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.在终端产品创新领域，透明屏以其全新的展示模式，轻薄的外观设计和高端科技氛围，在户外广告、玻璃幕墙等领域占有一席之地，给每个人带来了前所未有的视觉体验和全新的应用体验。液晶显示器(liquid crystal display，lcd)、发光二极管(light-emitting diode，led)透明屏、以及有机发光二极管(organic light-emitting diode)透明屏应用而生，迅速成为广告商的新宠，成为新媒体发展的新趋势。然而透明显示屏因为驱动线路的金属走线问题，使其背板的开口率不高，导致其显示的透明度不高，整体的显示亮度不高，使人们的观感变差。
3.因此，亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以改善当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题。
5.本技术实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个子像素单元；其中，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；
6.其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，相邻两个所述子像素单元内的公共电极连续且电连接。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，每一个所述子像素单元包括栅极层和设置于所述栅极层上的源漏极层；
9.其中，所述公共电极与所述栅极层以及所述源漏极层异层设置。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于所述源漏极层上的有机绝缘层、设置于所述有机绝缘层上的所述公共电极、设置于所述公共电极上的钝化层以及设置于所述钝化层上的所述像素电极；
11.其中，所述钝化层的介电常数大于所述有机绝缘层的介电常数。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述有机绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有机绝缘层的厚度与所述钝化层的厚度的比值大于或者等于2。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述公共电极以及所述像素电极的材料均包
括氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化铬以及氧化铟锌中的至少一种。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于衬底上并覆盖所述栅极层的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上且与所述栅极层对应设置的有源层以及设置于所述栅极绝缘层上且与所述有源层电性连接的所述源漏极层。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于衬底上的遮光层、设置于所述衬底上并覆盖所述遮光层的缓冲层、设置于所述缓冲层上的有源层、设置于所述有源层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的所述栅极层、设置于所述缓冲层上且完全覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层的层间绝缘层以及设置于所述层间绝缘层上的所述源漏极层。
17.相应地，本技术实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板、对置基板以及设置在所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层，所述阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；
18.其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。
19.本技术实施例提供一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容，其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内；上述阵列基板通过将每一所述子像素单元内的公共电极采用透明材料制成，且在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内，从而使得构成存储电容的所述公共电极完全覆盖所述阵列基板上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元的开口率，更进一步提高了所述阵列基板的透过率。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的阵列基板的第一截面结构示意图；
22.图2为本技术实施例提供的阵列基板中公共电极的平面结构示意图；
23.图3为本技术实施例提供的阵列基板的第二截面结构示意图。
具体实施方式
24.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方
位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
25.本技术实施例针对当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题，本技术实施例可以改善上述技术问题。
26.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
27.请参阅图1至图3，本技术实施例提供一种阵列基板10，所述阵列基板10包括多个子像素单元20；其中，每一所述子像素单元20包括由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容；
28.其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内。
29.本技术实施例提供的阵列基板10通过将每一所述子像素单元20内的公共电极108采用透明材料制成，且在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内，从而使得构成存储电容的所述公共电极108完全覆盖所述阵列基板10上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极108采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元20的开口率，更进一步提高了所述阵列基板10的透过率。
30.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
31.实施例一
32.如图1所示，为本技术实施例提供的阵列基板10的第一截面结构示意图；其中，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，每一个所述薄膜晶体管均为背沟道蚀刻型结构。
33.具体地，所述阵列基板10包括多个子像素单元20，每一所述子像素单元20包括由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容；
34.其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内。
35.在本技术实施例中，所述阵列基板10包括衬底101、设置于所述衬底101上的栅极层102、设置于所述衬底101上并完全覆盖所述栅极层102的栅极绝缘层103、设置于所述栅极绝缘层103上的有源层104、设置于所述栅极绝缘层103上并覆盖部分所述有源层104的源漏极层105、设置于所述栅极绝缘层103上并覆盖部分所述源漏极层105以及部分所述有源层104的第一无机绝缘层106、设置于所述第一无机绝缘层106上的有机绝缘层107、设置于所述有机绝缘层107上的所述公共电极108、设置于所述有机绝缘层107上并完全覆盖所述公共电极108的钝化层109以及设置于所述钝化层109上的像素电极110；
36.其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述有源层104在所述衬底101上的正投影位于所述栅极层102内。
37.在本技术实施例中，所述源漏极层105包括源极1051以及与所述源极1051分离设置的漏极1052，所述源极1051与所述有源层的一端电性连接，所述漏极1052还与所述有源层104的相对另一端电性连接。
38.具体地，所述钝化层109具有开口1091，所述开口1091的深度大于所述钝化层109
的厚度；所述像素电极110完全覆盖所述开口1091，且在所述开口1091的底部直接与所述源漏极层105的漏极1052电性连接。
39.在本技术实施例中，所述衬底101可以是玻璃基板或者聚酰亚胺薄膜，所述衬底101还可以由一层或多层聚酰亚胺薄膜构成。所述栅极层102的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料；所述栅极绝缘层103的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，以起到绝缘保护的作用。所述有源层104的材料可以是氧化铟镓锌或氧化铟锌等金属氧化物半导体材料。所述源漏极层105的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。
40.在本技术实施例中，所述第一无机绝缘层106的材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料中的一种或多种，用于隔绝水氧，起到绝缘并保护其他功能膜层的作用；所述有机绝缘层107的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。
41.在本技术实施例中，所述钝化层109的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述有机绝缘层107的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种；所述公共电极108以及所述像素电极110的材料均包括氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化铬以及氧化铟锌中的至少一种。
42.在本技术实施例中，所述公共电极108与所述栅极层102以及所述源漏极层105异层设置。进一步地，所述公共电极108设置于所述有机绝缘层107上；这样设置可以使得由所述公共电极108与所述像素电极110构成的所述存储电容内存在的绝缘材料的厚度(本技术实施例中为钝化层109)在合理的范围内。
43.在本技术实施例中，所述钝化层109的介电常数大于所述有机绝缘层107的介电常数；这样设置可以增大所述存储电容的存储电容量。
44.在本技术实施例中，所述有机绝缘层107的厚度与所述钝化层109的厚度的比值大于或者等于2。其中，所述钝化层109优选为2000埃米，所述有机绝缘层107的厚度优选为5000埃米。
45.进一步地，由于所述公共电极108设置在所述有机绝缘层107上，从而使得所述有机绝缘层107可以作为平坦层以使所述公共电极108的膜层平坦化。
46.更进一步地，由于所述有机绝缘层107的厚度与所述钝化层109的厚度的比值大于或者等于2，从而使得所述像素电极110与所述源漏极层105同层设置的数据线22的厚度距离增大，减少了所述像素电极110与所述数据线22之间产生的寄生电容(cpd)对信号传输的影响；同时，使得所述公共电极108与所述栅极层102同层设置的扫描线21的厚度距离增大，减少了所述公共电极108与所述扫描线21之间产生的寄生电容(cpg)对信号传输的影响。
47.如图2所示，为本技术实施例提供的阵列基板10中公共电极108的平面结构示意图；具体地，所述阵列基板10包括沿第一方向d1排列的多条所述扫描线21以及沿第二方向d2排列的多条所述数据线22，所述第一方向d1与所述第二方向d2交叉。多条所述扫描线21与多条所述数据线22交叉的区域形成所述子像素单元20；
48.其中，相邻两个所述子像素单元20内的公共电极108连续且电连接。
49.在本技术实施例中，所述公共电极108设置于与第一区域23相邻的第二区域，所述第一区域23为所述阵列基板10上对应于多个薄膜晶体管所在的区域，所述第二区域为所述
阵列基板10上远离多个薄膜晶体管所在的区域。在所述第二区域中，所述公共电极108完全覆盖沿第一方向d1排列的所述扫描线21以及沿第二方向d2排列的所述数据线22。
50.这样设计是由于所述公共电极108为透明材料，采用整面连接设计可以替代用所述栅极层102所在的金属膜层走线设计，可以有效提高所述子像素单元20的开口率，进一步提高所述阵列基板10的透过率。
51.针对当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题，本技术实施例提供的一种阵列基板10；该阵列基板10包括多个子像素单元20，每一所述子像素单元20包括多个背沟道蚀刻型结构的薄膜晶体管、由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容，其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内；上述阵列基板10通过将每一所述子像素单元20内的公共电极108采用透明材料制成，且在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内，从而使得构成存储电容的所述公共电极108完全覆盖所述阵列基板10上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极108采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元20的开口率，更进一步提高了所述阵列基板10的透过率。
52.实施例二
53.如图3所示，为本技术实施例提供的阵列基板10的第二截面结构示意图；其中，本技术实施例二中的阵列基板10的结构与本技术实施例一中的阵列基板10的结构相同或相似，不同之处仅在于，所述阵列基板10内设置有多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅结构。顶栅结构可以在很大程度上改善由于所述源漏极层105与所述栅极层102在垂直方向上面积重叠导致的寄生电容问题。
54.具体地，所述阵列基板10包括所述衬底101、设置于所述衬底101上的遮光层111、设置于所述衬底101上并完全覆盖所述遮光层111的缓冲层112、设置于所述缓冲层112上的所述有源层104、设置于所述有源层104上的所述栅极绝缘层103、设置于所述栅极绝缘层103上的所述栅极层102、设置于所述缓冲层112并完全覆盖所述有源层104、所述栅极绝缘层103以及所述栅极层102的层间绝缘层113、设置于所述层间绝缘层113上的所述源漏极层105、设置于所述层间绝缘层113上并覆盖所述源漏极层105的所述第一无机绝缘层106、设置于所述第一无机绝缘层106上的所述有机绝缘层107、设置于所述有机绝缘层107上的所述公共电极108、设置于所述有机绝缘层107上并覆盖所述公共电极108的所述钝化层109以及设置于所述钝化层109上的所述像素电极110；
55.其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内。
56.在本技术实施例中，所述缓冲层112的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，起到隔绝水氧的作用。所述遮光层111的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。
57.具体地，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述有源层104在所述衬底101上的正投影位于所述遮光层111内。这样设置可以防止外界光线对所述有源层104产生不良电性影响。
58.在本技术实施例中，所述阵列基板10上包括第一过孔1131、第二过孔1132以及第三过孔1133；其中，所述源漏极层105的源极1051通过第一过孔1131与所述遮光层111电性连接，所述源漏极层105的所述源极1051还通过第二过孔1132与所述有源层104的一端电性连接，所述源漏极层105的漏极1052通过第三过孔1133与所述有源层104的另一端电性连接。
59.进一步地，所述阵列基板10还包括第四过孔1092，所述第四过孔1092贯穿所述钝化层109、所述有机绝缘层107以及部分所述第一无机绝缘层106并暴露出所述源漏极层105的所述漏极1052，所述像素电极110完全填充所述第四过孔1092并与所述源漏极层105的所述漏极1052电性连接。
60.针对当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题，本技术实施例提供的一种阵列基板10；该阵列基板10包括多个子像素单元20，每一所述子像素单元20包括多个顶栅结构的薄膜晶体管、由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容，其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内；上述阵列基板10通过将每一所述子像素单元20内的公共电极108采用透明材料制成，且在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内，从而使得构成存储电容的所述公共电极108完全覆盖所述阵列基板10上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极108采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元20的开口率，更进一步提高了所述阵列基板10的透过率。
61.相应地，本技术实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板10、对置基板以及设置在所述阵列基板10与所述对置基板之间的液晶层；
62.其中，所述阵列基板10包括多个子像素单元20，每一所述子像素单元20包括由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容；
63.其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内。
64.具体地，所述显示面板应用于透明显示器、移动终端以及室外大屏显示中。
65.本技术实施例提供一种阵列基板10及显示面板；该阵列基板10包括多个子像素单元20，每一所述子像素单元20包括由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容，其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内；上述阵列基板10通过将每一所述子像素单元20内的公共电极108采用透明材料制成，且在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内，从而使得构成存储电容的所述公共电极108完全覆盖所述阵列基板10上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极108采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元20的开口率，更进一步提高了所述阵列基板10的透过率。
66.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板10以及显示面板进行了详细介绍，本
文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。