技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个子像素单元；其中，每一所述子像素单元包括：公共电极，由透明材料构成；以及像素电极，设置于所述公共电极的一侧，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述子像素单元内的公共电极连续且电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一个所述子像素单元包括栅极层和设置于所述栅极层上的源漏极层；其中，所述公共电极与所述栅极层以及所述源漏极层异层设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：有机绝缘层，设置于所述源漏极层上；所述公共电极，设置于所述有机绝缘层上；钝化层，设置于所述公共电极上；所述像素电极，设置于所述钝化层上；其中，所述钝化层的介电常数大于所述有机绝缘层的介电常数。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述有机绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度与所述钝化层的厚度的比值大于或者等于2。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极以及所述像素电极的材料均包括氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化铬以及氧化铟锌中的至少一种。8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，设置于衬底上并覆盖所述栅极层；有源层，设置于所述栅极绝缘层上且与所述栅极层对应设置；以及所述源漏极层，设置于所述栅极绝缘层上且与所述有源层电性连接。9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：遮光层，设置于衬底上；缓冲层，设置于所述衬底上并覆盖所述遮光层；有源层，设置于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置于所述有源层上；栅极层，设置所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置于所述缓冲层上且完全覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层；以及所述源漏极层，设置于所述层间绝缘层上。10.一种显示面板，包括阵列基板、对置基板以及设置在所述阵列基板与所述对置基板
之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括：公共电极，由透明材料构成；以及像素电极，设置于所述公共电极的一侧，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。
技术总结
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多个子像素单元，每一子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于公共电极的一侧的像素电极，公共电极和像素电极构成阵列基板的存储电容，其中，在阵列基板的俯视图方向上，像素电极在公共电极上的正投影位于公共电极内；上述阵列基板通过将每一子像素单元内的公共电极采用透明材料制成，且在阵列基板的俯视图方向上，像素电极在公共电极上的正投影位于公共电极内，从而使得构成存储电容的公共电极完全覆盖阵列基板上远离薄膜晶体管的区域，替代了公共电极采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了子像素单元的开口率，更进一步提高了阵列基板的透过率。更进一步提高了阵列基板的透过率。更进一步提高了阵列基板的透过率。
技术研发人员：谢少朋
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.02.24
技术公布日：2022/5/5