技术特征：
1.一种方法，包括：提供多个衬底，其中所述多个衬底中的每一者包括第一目标区域以及第二目标区域；以及定位多个接近式掩模在等离子体源与所述多个衬底之间，其中所述多个接近式掩模中的第一接近式掩模包括第一组开口，所述第一组开口容许离子束由此穿过到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域，且其中所述多个接近式掩模中的第二接近式掩模包括第二组开口，所述第二组开口容许所述离子束由此穿过到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：自所述等离子体源朝向所述多个衬底递送所述离子束；以及在所述第一接近式掩模或所述第二接近式掩模处接收所述离子束。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：提供所述多个接近式掩模中的第三接近式掩模，其中所述第三接近式掩模包括第三组开口，所述第三组开口容许所述离子束由此穿过到达所述多个衬底中的每一者的第三目标区域。4.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述离子束蚀刻第一衬底以及第二衬底，以在所述第一目标区域中形成第一成角光栅，且在所述第二目标区域中形成第二成角光栅。5.根据权利要求4所述的方法，还包括使所述第一接近式掩模与所述多个衬底相对于彼此旋转。6.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述第一成角光栅包括形成第一多个鳍，所述第一多个鳍相对于所述多个衬底中的每一者的基础表面以第一角度形成，且其中形成所述第二成角光栅包括形成第二多个鳍，所述第二多个鳍相对于所述多个衬底中的每一者的所述基础表面以第二角度形成。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子束是在被所述第二接近式掩模接收之前在所述第一接近式掩模处接收的成角离子束。8.一种系统，包括：源，将束递送到工件；多个衬底，耦合到所述工件，所述多个衬底中的每一者包括第一目标区域及第二目标区域；以及多个接近式掩模，可定位在所述源与所述工件之间，其中所述多个接近式掩模中的第一接近式掩模包括第一组开口，所述第一组开口容许所述束由此穿过以撞击所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域，且其中所述多个接近式掩模中的第二接近式掩模包括第二组开口，所述第二组开口容许所述束由此穿过以撞击所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述多个衬底中的每一者还包括第三目标区域，且其中所述多个接近式掩模中的第三接近式掩模包括第三组开口，所述第三组开口容许所述束由此穿过以撞击所述多个衬底中的每一者的所述第三目标区域。10.根据权利要求8所述的系统，其中所述第一组开口中的每一开口具有第一尺寸，其中所述第二组开口中的每一开口具有第二尺寸，且其中所述第一尺寸与第二尺寸不同。11.根据权利要求8所述的系统，其中所述第一目标区域包括第一成角光栅，且所述第
二目标区域包括第二成角光栅。12.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一成角光栅包括第一多个鳍，所述第一多个鳍相对于所述多个衬底中的每一者的基础表面形成第一角度，且其中所述第二成角光栅包括第二多个鳍，所述第二多个鳍相对于所述多个衬底中的每一者的所述基础表面形成第二角度。13.根据权利要求11所述的系统，其中所述源是等离子体源，且其中所述束是成角离子束。14.一种用于处理衬底的装置，包括：源；第一衬底，用于接收来自所述源的离子束；以及多个接近式掩模，可定位在所述源与所述第一衬底之间，其中所述多个接近式掩模中的第一接近式掩模包括第一组开口，所述第一组开口容许所述离子束由此穿过以在所述第一衬底形成第一成角光栅，且其中所述多个接近式掩模中的第二接近式掩模包括第二组开口，所述第二组开口容许所述离子束由此穿过以形成所述第一衬底的第二成角光栅。15.根据权利要求14所述的装置，还包括第二衬底，其中所述第一衬底与第二衬底中的每一者包括第三成角光栅，且其中所述多个接近式掩模中的第三接近式掩模包括第三组开口，所述第三组开口容许所述离子束由此穿过以形成所述第一衬底以及所述第二衬底的第三成角光栅。
技术总结
公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。所述第二目标区域。所述第二目标区域。
技术研发人员：摩根
受保护的技术使用者：瓦里安半导体设备公司
技术研发日：2019.01.03
技术公布日：2022/9/23