显示面板的制作方法
【技术领域】
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[0001]本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有间隙物配置于信号线以及数据线交错区的显示面板。
【【背景技术】】
[0002]液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube, CRT)成为新一代显示器的主流。如今，由于平面显示器的轻薄特性，平面显示器更被配置到许多建筑物或电子设备的非平面的表面上。
[0003]在已知的液晶显示面板中，通常会通过间隙物的设置来维持显示面板的上基板以及下基板之间的间隙(cell gap) ο然而，由于间隙物会影响到周围液晶的导向，造成该处的液晶效率低落以及显示品质不佳。另一方面，近来曲面显示面板亦已经在积极的发展中。然而，在制作曲面显示面板的过程中，当上下基板于进行曲面组立的步骤时，间隙物也可能会刮伤其他膜面而使得显示面板产生漏光的情况，使得显示面板无法提供使用者较理想的显示品质。
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【发明内容】
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[0004]本发明提供一种显示面板，其可以改善传统液晶显示面板中的间隙物所造成的种种冋题。
[0005]本发明提供一种显示面板，其包括一第一基板、多个彩色滤光图案、一黑矩阵层、多个间隙物、一第二基板以及一显示介质。第一基板具有一像素阵列，且像素阵列包括多条扫描线、多条数据线、多个像素结构以及多条信号线。相邻的两条扫描线以及相邻的两条数据线定义出一像素区域。像素结构与扫描线以及数据线电性连接，其特征在于，每一像素结构包括一开关元件以及一像素电极。信号线对应像素结构设置且与数据线延伸方向不相同。彩色滤光图案配置于第一基板上，其中每一彩色滤光图案对应其中一个像素区域设置，每一彩色滤光图案具有一凹陷部以及一突出部，且每一彩色滤光图案的突出部延伸至相邻的下一个像素区域的彩色滤光图案的凹陷部中。黑矩阵层配置于第一基板上且位于彩色滤光层上，其中黑矩阵层对应扫描线以及数据线设置。间隙物配置于第一基板上且位于彩色滤光层上，其中间隙物对应配置在彩色滤光图案的突出部上。第二基板位于第一基板的对向侧。显示介质位于黑矩阵层以及第二基板之间。
[0006]基于上述，由于间隙物配置在信号线以及数据线之间的交错区(亦即非透光区)，因此可以使得显示面板的开口率提升。除此之外，由于间隙物是位于非透光区，故当间隙物刮伤其他膜层而造成的漏光现象便可以有效地被遮蔽住。
[0007]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【【附图说明】】
[0008]图1A是根据本发明一实施例的显示面板的上视示意图。
图1B是图1A的彩色滤光层的上视示意图。
图2是根据图1A的剖线A-A’的剖面示意图。
图3是根据图1A的剖线B-B’的剖面示意图。
图4是根据本发明一实施例的显示面板的剖面示意图，其是对应图1A的A-A’剖面线的处的显示面板的剖面示意图。
图5是根据本发明一实施例的显示面板的剖面示意图，其是对应图1A的B-B’剖面线的处的显示面板的剖面示意图。
图6是根据本发明另一实施例的显示面板的上视示意图。
【符号说明】
[0009]10、20:显示面板 100:第一基板
G1:栅绝缘层 102:绝缘层
104:保护层
105:凹陷部
106:突出部 200:第二基板 300:显示介质 DL1、DL2、DL3、DL4:数据线 SL:扫描线
CL:信号线 G1、G2、G3、G4:栅极 S1、S2、S3、S4:源极 D1、D2、D3、D4:漏极 CH1、CH2、CH3、CH4:通道层 TFTl:第一有源元件 TFT2:第二有源元件 TFT3:第三有源元件 TFT4:第四有源元件 Cl:第一接触窗 C2:第二接触窗 C3:第三接触窗 C4:第四接触窗 PEl:第一像素电极 PE2:第二像素电极 PEla:第一主像素电极 PElb:第一子像素电极 PE2a:第二主像素电极
PE2b:第二子像素电极
CF1、CF2、CF3:彩色滤光图案
BM:黑矩阵层
MPS:主间隙物
SPS:次间隙物
CR:交错区
CS:储存电容器
Xl:最短距离
【【具体实施方式】】
[0010]图1A是根据本发明一实施例的显示面板10的上视示意图，为了详细的绘示显示面板10上的元件，图1A的显示面板10省略绘示基板、对向基板以及显示介质。图2是根据图1A的剖线A-A’的剖面示意图。图3是根据图1A的剖线B-B’的剖面示意图。
[0011]请同时参照图1A、图2以及图3，首先，提供一第一基板100。第一基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。紧接着，在第一基板100上形成多条扫描线SL、多条信号线CL以及多个栅极Gl?G2。换言之，扫描线SL、信号线CL以与门栅极Gl?G2属于同一膜层。在本实施例中，扫描线SL以及信号线CL的延伸方向相同，但本发明不限于此。在其他实施例中，扫描线SL以及信号线CL的延伸方向亦可以为不完全相同。扫描线SL、信号线CL以与门栅极Gl?G2—般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，扫描线SL、信号线CL以与门栅极Gl?G2也可以使用其他导电材料，例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导材料的堆叠层。
[0012]接着，在扫描线SL、信号线CL以与门栅极Gl?G2上形成栅绝缘层GI，如图2以及图3所示。栅绝缘层GI的材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。在此之后，在栅绝缘层GI上形成通道层CHl?CH2，而通道层CHl?CH2的材质可选择为非晶硅、多晶硅或是氧化物半导体材料，但本发明不限于此。
[0013]之后，在栅绝缘层GI以及通道层CH1、CH2上形成多条数据线DLl?DL2、多个源汲SI?S2以及多个漏极Dl?D2。在本实施例中，数据线DLl?DL2、源汲SI?S2以及漏极Dl?D2属于同一膜层。扫描线SL以及数据线DLl?DL2彼此交错(interlaced)设置。换言之，扫描线SL的延伸方向与数据线DLl?DL2的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DLl?DL2的延伸方向垂直。另一方面，信号线CL的延伸方向与数据线DLl?DL2的延伸方向并不相同。数据线DLl?DL2的材料可以与扫描线SL相同也可以不同。详细来说，数据线DLl?DL2 —般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，数据线DLl?DL2也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、金属材料与其它导材料的堆叠层或其它合适的材料。在本实施例中，相邻的两条扫描线SL以及相邻的两条数据线DLl?DL2定义出一像素区域(未标示出)。
[0014]栅极Gl?G2、源极SI?S2、漏极Dl?D2以及通道层CHl?CH2构成一第一有源元件TFTl以及一第二有源元件TFT2。详细来说，在本实施例中，栅极G1、源极S