多光束干涉光刻辅助曝光装置的制造方法

文档序号:9274133阅读:286来源:国知局
多光束干涉光刻辅助曝光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于多光束干涉光刻曝光技术领域,具体涉及一种多光束干涉光刻辅助曝 光装置。
【背景技术】
[0002] 目前,多光束干涉光刻曝光实验过程中,一般采用干板架夹持基片,手动推动和旋 转基片来改变曝光位置或进行同一位置多次曝光。虽然,这种控制方法可以满足最基本的 实验需求,但是,用干板架夹持基片可能损伤到基片,多次曝光时无法确保曝光位置的重合 度,而且多次碰触基片极易污染基片表面,影响实验结果。现有的步进光刻机的工件台利用 精密测量和控制技术,能够对基片进行精确定位,但是其昂贵的价格限制了其在普通干涉 光刻实验中的使用。

【发明内容】

[0003] 有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置。
[0004] 为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的: 本发明实施例提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,该装置包括底座、光阑吸附底 座、辅助曝光光阑、基片旋转台,所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上,所述辅助曝 光光阑设置在光阑吸附底座上,所述辅助曝光光阑上设置有开孔,所述基片旋转台上设置 有第一读数指针,并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘,所述基 片吸盘中心设置有抽气孔。
[0005] 上述方案中,所述基片旋转台上设置有第一锁紧螺钉。
[0006] 上述方案中,所述光阑吸附底座、基片旋转台下部的侧面分别设置有光阑吸附底 座锁紧螺钉、旋转台锁紧螺钉。
[0007] 上述方案中,所述底座为一维平移导轨。
[0008] 上述方案中,所述底座包括升降台、二维平移导轨,所述升降台的下平台的侧边垂 直设置有刻度立柱,所述升降台的上平台的侧边水平设置有第二读数指针,所述二维平移 导轨设置在所述升降台的上平台上,所述二维平移导轨位于光阑吸附底座、基片旋转台的 下方。
[0009] 上述方案中,所述开孔位于辅助曝光光阑的边缘,所述辅助曝光光阑上设置有刻 度,所述光阑吸附底座上设置有第三读数指针、第二锁紧螺钉。
[0010] 与现有技术相比,本发明的有益效果: 本发明利用吸盘吸附固定基片,由多维移动导轨配合360°旋转台,通过控制吸盘实现 吸盘上所吸附基片的平移及旋转,配备辅助曝光光阑,最终实现基片曝光位置及区域的选 择,其中的移动及旋转部件均具有刻度标尺,便于读取基片移动位移及旋转角度,使得对基 片曝光位置的控制更为精确。
【附图说明】
[0011] 图1为本发明实施例1提供的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置的结构示意图; 图2为本发明实施例2提供的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置的结构示意图; 图3为通过实施例2的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置进行多次曝光时曝光区域及 基片对应曝光区域位置变换示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0013] 实施例1: 本发明实施例提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,如图1所示,该装置由底座1、 光阑吸附底座2、辅助曝光光阑3及其上的开孔4、基片旋转台9及其上的第一读数指针5、 第一锁紧螺钉6、基片吸盘7、抽气孔8、旋转台锁紧螺钉10、光阑吸附底座锁紧螺钉11组 成;基片旋转台9上有基片吸盘7,吸盘中心有抽气孔8,用于基片的吸附固定,方便基片的 取放,且能免于基片夹持损伤;所述底座1为一维平移导轨,所述基片旋转台9在一维平移 导轨上移动,对吸附于基片吸盘7表面的基片位置进行调整操作;所述基片旋转台9外围一 周有刻度,侧面固定第一读数指针5,方便读取基片转动角度;所述基片旋转台9上半部分 的外壁上配备第一锁紧螺钉6,用于角度固定及锁紧;所述基片旋转台9底部有旋转台锁紧 螺钉10,用于其在一维平移导轨上的锁紧定位;所述光阑吸附底座2也能够在一维平移导 轨上面移动,方便基片的安装调整;所述光阑吸附底座2上安装有带开孔4的辅助曝光光阑 3,所述光阑吸附底座2的上半部分放置辅助曝光光阑3的区域内置磁铁,利用磁铁吸附辅 助曝光光阑3,便于更换不同形状、大小开孔的辅助曝光光阑3,以限制曝光区域范围;所述 光阑吸附底座2底部有光阑吸附底座锁紧螺钉11,用于光阑吸附底座2在一维平移导轨上 的锁紧定位。
[0014] 实施例1适用于基片单一位置处的单曝光或多曝光。
[0015] 实施例2 : 本发明实施例还提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,如图2所示,该装置包含底 座1、开孔4位于边缘处的辅助曝光光阑3、具有旋转功能的光阑吸附底座2及其上的第三 读数指针14和第二锁紧螺钉15,其余同实例1 ;所述底座1包括升降台12、二维平移导轨 13,所述升降台12的下平台的侧边垂直设置有刻度立柱17,所述升降台12的上平台的侧边 水平设置有第二读数指针16,所述二维平移导轨13设置在所述升降台12的上平台上,所述 二维平移导轨13位于光阑吸附底座2、基片旋转台9的下方;所述二维平移导轨13及升降 台12相结合实现光阑吸附底座2及基片旋转台9三维方向的移动,进而实现基片曝光位置 的调整对准;所述辅助曝光光阑3可沿轴线360°旋转,辅助曝光光阑3外围一周有刻度, 所述光阑吸附底座2上半部分侧面固定第三读数指针14,方便读取辅助曝光光阑3的转动 角度,所述光阑吸附底座2具有旋转功能,所述光阑吸附底座2上半部分的外壁上配备第二 锁紧螺钉15,用于辅助曝光光阑3的角度固定及锁紧,其余特征同实例1 ;若只转动基片,能 够实现基片圆周一圈不同位置的单曝光,若将辅助曝光光阑3及基片同时转动所需要的角 度,再利用二维平移导轨13及升降台12,将辅助曝光光阑3上的开孔4以及对应基片上的 曝光区调整到转动前曝光的位置,能够实现基片圆周一圈该区域的多曝光。
[0016]实施例2用于圆形基片当基片直径与辅助曝光光阑直径相近时,在圆形基片上实 现圆周一圈的单曝光或多曝光。
[0017] 图3为在平行于基片的平面坐标系内,通过图2所示的装置进行多曝光时开 孔4及基片对应曝光区域的位置变换示意(以第二象限为例,其余象限原理相同),图 中圆形区域〇为开孔4及基片对应曝光区域。假设基片在0点(光轴位置)处进行第 一次曝光,然后将基片和辅助曝光光阑3同时转动相同的角度0,用第二锁紧螺钉15 和第一锁紧螺钉6固定对应旋转台,此时〇位于A点,偏离光轴位置,水平方向偏移 竖直方向偏移5 - 5 -i?cos设,其中R为曝光区域的旋转半径。利用二维平移导 轨13及升降台12调整〇回到初始位置0处,再次曝光,从而实现该区域的多次曝光。当 0=90°时,〇移动至B点处,将二维平移导轨沿x轴正方向平移R,升降台向上升高R,固 定位置后再次进行曝光,实现同一位置两次正交曝光。
[0018] 本发明利用吸盘吸附基片,位移调整装置可分别实现基片和辅助曝光光阑的旋 转、平移,及选择或更换不同曝光区域位置的功能。
[0019] 本发明的基片旋转台9和光阑吸附底座2上均标有刻度,能够通过对应读数指针 读取基片及光阑的转动角度,进一步获得位移信息。
[0020] 本发明结构简单合理,便于基片安装调整,能够实现基片不同位置的单、多次曝 光,提高多次曝光的重合度,调整无需碰触基片,减少基片污损概率,辅助曝光光阑更换方 便,适用于不同的需求。
[0021] 以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于,该装置包括底座(I )、光阑吸附底 座(2)、辅助曝光光阑(3)、基片旋转台(9)所述光阑吸附底座(2)、基片旋转台(9)设置在底 座(1)上,所述辅助曝光光阑(3)设置在光阑吸附底座(2)上,所述辅助曝光光阑(3)上设 置有开孔(4),所述基片旋转台(9)上设置有第一读数指针(5),并且所述基片旋转台(9)靠 近光阑吸附底座(2)的侧面设置有基片吸盘(7),所述基片吸盘(7)中心设置有抽气孔(8)。2. 根据权利要求1所述的多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于:所述基片旋转 台(9 )上设置有第一锁紧螺钉(6 )。3. 根据权利要求1或2所述的多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于:所述光阑 吸附底座(2)、基片旋转台(9)下部的侧面分别设置有光阑吸附底座锁紧螺钉(11)、旋转台 锁紧螺钉(10)。4. 根据权利要求3所述的多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于:所述底座(1)为 一维平移导轨。5. 根据权利要求3所述的多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于:所述底座(1)包 括升降台(12)、二维平移导轨(13),所述升降台(12)的下平台的侧边垂直设置有刻度立柱 (17),所述升降台(12)的上平台的侧边水平设置有第二读数指针(16),所述二维平移导轨 (13)设置在所述升降台(12)的上平台上,所述二维平移导轨(13)位于光阑吸附底座(2)、 基片旋转台(9)的下方。6. 根据权利要求5所述的多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于:所述开孔(4)位 于辅助曝光光阑(3)的边缘,所述辅助曝光光阑(3)上设置有刻度,所述光阑吸附底座(2) 上设置有第三读数指针(14)、第二锁紧螺钉(15)。
【专利摘要】本发明公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台,所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上,所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上,所述辅助曝光光阑上设置有开孔,所述基片旋转台上设置有第一读数指针,并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘,所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明结构简单合理,便于基片安装调整,能够实现基片不同位置的单、多次曝光,提高多次曝光的重合度,调整无需碰触基片,减少基片污损概率,辅助曝光光阑更换方便,适用于不同的需求。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN104991426
【申请号】CN201510491702
【发明人】张锦, 马丽娜, 蒋世磊, 孙国斌, 杭凌侠, 弥谦
【申请人】西安工业大学
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年8月12日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1