一种液晶显示面板的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示面板。
【【背景技术】】
[0002]TFT-LCD液晶显示屏是薄膜晶体管型液晶显示屏，TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)液晶为每个像素都设有一个半导体开关，每个像素都可以通过点脉冲直接控制，利用液晶作为光阀控制光源形成显示，每个像素上都设有一个半导体开关，在LTPS (LowTemperature Poly-silicon，低温多晶娃技术)工艺中，半导体器件由低温多晶娃作为通道层，通过金属扫描线和信号线实现开关特性，而LTPS产品在高解析度和窄边框的条件下，为使框胶固化更充分，在边框开口率上逐步降低到接近20%甚至更小，对应框胶固化需求的能量和照度也需要大幅度加大。高能量及高照度的UV对成盒panel内液晶的键结断裂，影响液晶屏的Image sticking表现。并且在现行LTPS配向技术上，已由传统的摩擦配向方式逐步转为光配向技术，与传统的摩擦配向方式相比，光配向技术主要采用高能量和高照度的UV光照射TFT-1XD Array侧以及CF侧，配向膜经过UV照射后，形成配向力，提供液晶的初始配向能力，形成Pre-tilt angle。高能量的UV波段对LTPS TFT半导体器件会造成不可恢复的损伤，经UV照射后，器件特性会发生漂移，造成半导体开关器件失效，造成阈值电压偏移和1n/1ff异常。
[0003]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0004]本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，其能在不增加任何工艺和成本的前提下，改善成膜条件得到高密的二氧化硅薄膜，利用全反射特性，避免UV照射的影响，可减少一道UV mask，保证器件特性不受影响。
[0005]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0006]—种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括:彩膜基板，以及相对设置的阵列基板；其中，
[0007]所述阵列基板包括:
[0008]玻璃基板；
[0009]器件层，设置于所述玻璃基板的上方，所述器件层内设有薄膜晶体管；
[0010]在所述器件层的同侧设置有两层紫外防护层，第一层紫外防护层靠近UV光源，第二层紫外防护层远离UV光源；所述第一层紫外防护层对UV光的折射率大于所述第二层紫外防护层。
[0011]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括用于使液晶分子按特定方向排列的配向膜层，所述配向膜层位于所述阵列基板上靠近所述彩膜基板的表面；
[0012]在对所述配向膜层进行光配向处理时，所述第一层紫外防护层和所述第二层紫外防护层均位于所述器件层与所述配向膜层之间。
[0013]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括用于使液晶分子按特定方向排列的配向膜层，所述配向膜层位于所述阵列基板上靠近所述彩膜基板的表面；
[0014]在对配向膜层进行光配向处理时，所述第一层紫外防护层为所述配向膜层，所述第二层紫外防护层位于所述器件层与所述配向膜层之间。
[0015]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括:
[0016]绝缘层，位于所述配向膜层与所述器件层之间，且至少部分区域与所述配向膜层邻接；
[0017]像素电极层，位于所述配向膜层与所述绝缘层之间；
[0018]所述第二层紫外防护层为所述绝缘层。
[0019]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述液晶显示面板还包括用于对接固定所述阵列基板与所述彩膜基板的框胶；
[0020]在对所述框胶进行光固化处理时，所述UV光源从所述阵列基板的玻璃基板侧入射，所述第一层紫外防护层和所述第二层紫外防护层均位于所述器件层与所述玻璃基板之间。
[0021]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述玻璃基板与所述器件层之间；
[0022]所述缓冲层为多层结构，包括所述第一层紫外防护层和所述第二层紫外防护层。
[0023]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述缓冲层包括第一氮化硅层、氧化硅层、以及第二氮化硅层；所述第一氮化硅层或所述第二氮化硅层中的任一靠近玻璃基板的一层是第一层紫外防护层，而与之相比远离玻璃基板的是第二层紫外防护层。
[0024]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述器件层与所述玻璃基板之间还设置有多个光遮挡片，每一所述光遮挡片与一所述薄膜晶体管正对设置并完全覆盖该薄膜晶体管。
[0025]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括:
[0026]配向膜层，用于使液晶分子按特定方向排列的，所述配向膜层位于所述阵列基板上靠近所述彩膜基板的表面；
[0027]绝缘层，位于所述配向膜层与所述器件层之间，且至少部分区域与所述配向膜层邻接，所述配向膜层对UV光的折射率大于所述绝缘层；
[0028]所述器件层与所述玻璃基板之间还设置有所述第一层紫外防护层和所述第二层紫外防护层。
[0029]优选的，在所述的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括:
[0030]缓冲层，位于所述玻璃基板与所述器件层之间；
[0031]所述缓冲层为多层结构，并包括所述第一层紫外防护层和所述第二层紫外防护层。
[0032]相对现有技术，本发明通过在器件层的同侧设置有两层紫外防护层，第一层紫外防护层靠近UV光源，为光密介质；第二层紫外防护层远离UV光源，为光疏介质；所述第一层紫外防护层对UV光的折射率大于所述第二层紫外防护层。当所述UV光源从所述第一层紫外防护层照射至所述第二层紫外防护层时，在所述位置处发生全反射，以保护所述器件层。以使本发明在不增加任何工艺和成本的前提下，改善成膜条件得到高密的二氧化硅薄膜，利用全反射特性，避免UV照射的影响，可减少一道UV mask，保证器件特性不受影响。
[0033]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0034]图1为本发明实施例一提供的液晶显不面板的结构不意图；
[0035]图2是本发明实施例提供的器件层的结构示意图；
[0036]图3为本发明实施例一■提供的液晶显不面板的结构不意图。
[0037]图4为本发明实施例提供的缓冲层的结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0038]本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。
[0039]本发明的显不面板可以是诸如TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显不面板)、AMOLED (Active Matrix Organic Light EmittingD1de，有源矩阵有机发光二极管面板)等显示面板。
[0040]在本发明实施例中，通过在器件层的同侧设置有两层紫外防护层，第一层紫外防护层靠近UV光源，为光密介质；第二层紫外防护层远离UV光源，为光疏介质；所述