面，提供一种用于检测在源收集器设备的燃料液滴流中的伴 生液滴的形成的方法，其中所述燃料液滴流由燃料液滴生成器生成，且其中所述燃料液滴 流由护罩保护，所述方法包括提供用于检测在所述护罩中燃料液滴的融合出现所在的部位 或位置的设备。
[0025] 在对于本领域技术人员适合的情况下，本发明的一个更多个方面可以被与本文所 述的一个或更多个其它的方面组合，和/或与本文所述的任何一个或更多个特征组合。
[0026] 本发明的另外的特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作被参考附图在 下文更详细地描述。注意到，本发明不限于此处描述的特定实施例。这样的实施例被在此 处显示，仅用于说明性的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实 施例。
【附图说明】
[0027] 现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，其中相应 的参考标记表示相应的部件，在附图中：
[0028] 图1示意性地示出根据本发明的一实施例的光刻设备；
[0029] 图2是光刻设备的更详细的示意图；
[0030] 图3是本发明的第一实施例的示意图；
[0031] 图4是本发明的第二实施例的示意图；和
[0032] 图5(a)和（b)分别示出本发明的另一实施例的示意图和所检测到的信号的示例。
[0033] 在结合附图的情况下，根据下文给出的详细描述，本发明的特征和优点将变得更 加清晰；在所有附图中，同样的附图标记表示对应的元件。在附图中，同样的参考标号通常 表示相同的、功能相似和/或结构相似的元件。元件首次出现的附图由对应的参考标号中 的最左边的数字表示。
【具体实施方式】
[0034] 本说明书公开了包括本发明的特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅仅 示例性地描述本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求限 定。
[0035] 本说明书中所描述的实施例以及对于" 一个实施例"、"实施例"、"示例性实施例" 等等的提及表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例不一 定包括该特定的特征、结构或特性。另外，这种措辞不一定表示同一实施例。另外，当特定的 特征、结构或特性结合实施例进行描述时，应当理解，不论是否被明确地描述，将这种特征、 结构或特性与其他的实施例结合使用在本领域技术人员的知识范围内。
[0036] 图1示意地示出了根据本发明一个实施例的包括源收集器设备SO的光刻设备 100。所述光刻设备包括：
[0037] 照射系统（照射器）IL，其配置成调节辐射束B(例如EUV辐射）；
[0038] 支撑结构（例如掩模台）MT，其构造用于支撑图案形成装置（例如掩模或掩模版）MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
[0039] 衬底台（例如晶片台）WT，其构造用于保持衬底（例如涂覆有抗蚀剂的晶片）W，并 与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
[0040] 投影系统（例如反射式投影系统）PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐 射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯）上。
[0041] 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
[0042] 所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案 形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可 以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框 架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装 置位于所需的位置上（例如相对于投影系统）。
[0043] 术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截 面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可 以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
[0044] 图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程 反射镜阵列以及可编程液晶显示（LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二 元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模 类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾 斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。
[0045] 与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型和静电型光学部件、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用 的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空用 于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空栗可以在整个 束路径上提供真空环境。
[0046] 如此处所示，所述设备是反射型的（例如采用反射式掩模）。
[0047] 光刻设备可以是具有两个（双平台）或更多衬底台（和/或两个或更多的掩模 台）的类型。在这种"多平台"机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个 台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
[0048] 参照图1，所述照射器IL接收从源收集器设备SO发出的极紫外辐射束。用于产 生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有至少一种元素 (例如氙、锂或锡），其中在EUV范围内具有一个或更多个发射线。在一种这样的方法中，通 常称为激光产生等离子体（"LPP"），所需的等离子体可以通过以激光束照射燃料来产生， 燃料例如可以是具有所需线发射元素的材料的液滴、流或簇团。源收集器设备SO可以是包 括用于提供激发燃料的激光束的激光器（图1中未示出）的EUV辐射系统的一部分。所形 成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器设备内的辐射收 集器收集。激光器和源收集器设备可以是分立的实体（例如当使用CO2激光器提供用于燃 料激发的激光束时）。
[0049] 在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如 合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述激光束从激光器传到源收集 器设备。
[0050] 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以 对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围（一般分别称 为〇-外部和内部）进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢 面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置（或称为多小面反射镜装置和多小面光瞳反射镜 装置）。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度 分布。
[0051] 所述辐射束B入射到保持在支撑结构（例如，掩模台）MT上的所述图案形成装置 (例如，掩模）MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置（例如， 掩模）M反射后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W 的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2 (例如，干涉仪器件、线性编码器 或电容传感器）的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位 于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个