显示设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种显示设备，尤其指一种能够降低阻抗、并防止第一导电层和第二导电层间电性干扰的显示设备。
【背景技术】
[0002]随着显示器技术不断进步，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备。特别是，液晶显示设备可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示设备，其显示面板多使用液晶显示面板。近年来，随着操作人性化、简洁化的发展趋势，带有触控面板的显示设备被越来越广泛地应用于生活中。
[0003]薄膜晶体管液晶显不器(Thinfilm transistor liquid crystal display,TFT-1XD)是使用薄膜晶体管技术改善影像质量。简言之，TFT-1XD属于主动式矩阵IXD，TFT-LCD面板为两片玻璃基板中间夹设液晶层，上层为彩色滤光片基板、而下层为晶体管基板。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，以改变光线的偏极性，再利用偏光片调整像素的明暗状态，再通过像素发出光线，构成影像画面。常见的TFT-LCD类型包含:扭转向列型(TN)、超级扭转向列型(STN)、垂直配向型(VA)、平面内切换型(IPS)、边缘电场切换型图样(FFS)等。
[0004]现今液晶显示设备发展技术已渐趋成熟，而各家厂商仍致力于发展具有更高显示质量的显示设备，以满足消费者对显示质量的要求，因此，目前仍需发展一种提升显示质量的显示设备，期盼带给消费者更稳定的显示效果。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种显示设备，以能降低阻抗、并防止第一导电层和第二导电层间电性干扰。
[0006]为实现上述目的，本发明提供的显示设备，包含:一基板，包括一显示区及一非显示区，该非显示区位于该显示区外侧；一第一导电层，位于该基板上；一半导体层，位于该基板上并具有一第一部分及一第二部分，该第一部分与该基板间夹设有该第一导电层，该第二部分与该基板间不夹设该第一导电层；以及一第二导电层，迭置于该半导体层顶面且包括复数对应位于显示区中的数据线，该第一导电层、该半导体层与该第二导电层共同构成复数薄膜晶体管结构，其中每一数据线具有一第一侧边与一第二侧边，该第一侧边与该第二侧边间隔相对，且部分该第一侧边系与该至少一薄膜晶体管(TFT)结构中的载子通道(channel)相邻，其中，每一数据线的该第二侧边与其相邻近的该半导体层的第一部分侧边具有一第一距离，与其相邻近的该半导体层的第二部分侧边具有一第二距离，且该第一距离大于该第二距离。
[0007]本发明提供的显示设备，还包含:一基板，包括一显示区及一非显示区，该非显示区位于该显示区外侧；一第一导电层，位于该基板上；一半导体层，位于该基板上并部份覆盖该第一导电层；以及一第二导电层，形成于该半导体层的顶面，其中，对应位于该非显示区中的该第二导电层的一侧边至该半导体层的相邻一侧边间隔一第五距离，对应位于该显示区中的该第二导电层的一侧边至该半导体层的相邻一侧边间隔一第六距离，且该第五距离大于该第六距离。
[0008]据此，在本发明的显示设备中，由于显示区中，与基板间夹设有第一导电层的半导体层第一部分至相邻数据线的第二侧边的第一距离大于与基板间未夹设有第一导电层的半导体层第二部分至相邻数据线的第二侧边的第二距离，可确实避免第一导电层和第二导电层间的电性干扰，及避免无导电层存在的区域穿透率受到影响。并且，因对应位于非显示区中的第二导电层的一侧边至半导体层一相邻侧边的第五距离大于对应位于显示区中的第二导电层的一侧边至半导体层一相邻侧边的第六距离，可有效降低阻抗，并可避免寄生电容增加而影响液晶效率。
【附图说明】
[0009]图1是本发明一较佳实施例的显示设备示意图。
[0010]图2A是本发明一较佳实施例的显示区像素结构示意图。
[0011]图2B是图2A中a剖面线的剖视图。
[0012]图2C是图2A中b剖面线的剖视图。
[0013]图2D是图2A中c剖面线的剖视图。
[0014]图3是本发明另一较佳实施例的显示区像素结构示意图。
[0015]图4是本发明再一较佳实施例的显示区像素结构示意图。
[0016]图5A是本发明一较佳实施例的非显示区像素结构示意图。
[0017]图5B是图5A中d剖面线的剖视图。
[0018]图5C是图5A中e剖面线的剖视图。
[0019]图6是本发明又一较佳实施例的像素结构剖视图。
[0020]图7是本发明再一较佳实施例的像素结构剖视图。
[0021]附图中符号说明
[0022]I第一导电层33第一接触边界
[0023]2半导体层37，37’接触边界
[0024]21第一部分35第二接触边界
[0025]22第二部分4薄膜晶体管结构
[0026]23轮廓侧边5基板
[0027]3第二导电层51非显示区
[0028]31数据线52显示区
[0029]311第一侧边6绝缘层
[0030]312第二侧边7载子通道
[0031]32电极部100显示设备
[0032]34，36，36，侧边
【具体实施方式】
[0033]以下是由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可由其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
[0034]实施例1
[0035]请参照图1，本发明提供一种显示设备100，包含一非显示区51及一显示区52，非显示区51位于显示区52夕卜侧，其中显示区52的像素结构如图2所示，包括:一基板，包括对应的显示区52及非显示区51 ;—第一导电层1，位于该基板上；一绝缘层，位于该第一导电层I上且覆盖该第一导电层I ; 一半导体层2，位于该绝缘层上并具有一第一部分21及一第二部分22，该第一部分21与该基板间夹设有该第一导电层1，该第二部分22与该基板间不夹设该第一导电层I ;以及一第二导电层3，迭置于该半导体层2顶面且包括复数对应位于显示区52中的数据线31和电极部32，每一数据线31具有一第一侧边311与一第二侧边312，该第一侧边311与该第二侧边312是间隔相对，该第一导电层1、该半导体层2与该第二导电层3共同构成复数薄膜晶体管(TFT)结构4，且部分该第一侧边311与至少一薄膜晶体管(TFT)结构4中的载子通道7相邻，该第二侧边312与该薄膜晶体管(TFT)结构4中的载子通道7不相邻，且该第二侧边312与该半导体层2的侧边轮廓23形状相同。
[0036]请参照区域放大图，该些数据线31的该第二侧边312至该第一部分21的一相邻侧边间隔一第一距离，至该第二部分22的一相邻侧边间隔一第二距离，且第一距离大于第二距离。其中，a剖面线的剖视图如图2B所示，像素结构依序为:基板5、第一导电层1、绝缘层6、半导体层(在此剖面图中为第一部分21)、及第二导电层3。第二导电层3包含的该些数据线31的第二侧边312具有与半导体层2接触的一第一接触边界33，第一接触边界33至半导体层第一部分21的一相邻侧边间隔一第一距离D1，另外，b剖面线的剖视图如图2C所示，像素结构依序为:基板5、绝缘层6、半导体层(在此剖面图中为第二部分22)、及第二导电层3。第一接触边界33至半导体层第二部22的一相邻侧边间隔一第二距离D2，且第一距离Dl大于第二距离D2。
[0037]再者，请参照图2D，是图2A中c剖面线的剖视图，是对薄膜晶体管结构4作更详细的说明。像素结构依序为:基板5、第一导电层I (包含栅极(Gate))、绝缘层6、半导体层2 (包含载子通道7)、及第二导电层3 (包含分别由数据线31与电极部32构成的源极(Source)、漏极(Drain));其中第一侧边311即该数据线31靠近载子通道7的一侧，该第二侧边312即是与该第一侧边311间隔相对的另一侧。
[0038]于此实施例中，第一距离Dl为0.7um至1.5um，较佳为0.8um至1.1um ;第二距离D2为0.3um至1.0um,较佳为0.5um至0.7um。该第一距离Dl与该第二距离D2的比值较佳为1.3至1.7，而本发明并未受限于此；该第一距离D1、该第二距离D2主要是考虑该第二导电层3的宽度而加以变化。若该第一距离D1、该第二距离D2大于上述范围，则相邻半导体层2( S卩，相邻像素中的相邻半导体层2)在工艺上的可行性不高。并且，当该第一距离Dl与该第二距离D2的比值介于上述范围内，可达到本发明装置的电性干扰屏蔽的效果与数据线阻值的限制。
[0039]然而，本发明的显示区52像素结构并不受限于此，可为本领域中常见的结构，例如图3、图4所示的像素结构。在图3、图4中，结构特征皆与上述图2A相同；该些数据线31的该第二侧边312至该第一部分21的一侧边间隔一第一距离D1，至该第二部分22的一侧边间隔一第二距离D2，且第一距离Dl大于第二距离D2。
[0040]此外，非显示区51的像素结构如图5A所示，第二导电层3还可包括复数字于非显示区51的走线33，该些走线33的一侧边34至半导体层2第一部分21的一相邻侧边间隔一第三距离D3，至半导体层2第二部分22的一相邻侧边间隔一第四距离D4，且第三距离D3大于第四距离D4。其中，d剖面线的剖视图如图5B所示，像素结构依序为:基板5、第一导电层1、绝缘层6、半导体层2、及第二导电层3。第二导电层3包含的该些走线的侧边34具有与半导体层2接触的一第二接触边界35，第二接触边界35至半导体层第一部分21的一相邻侧边间隔一第三距离D3，另外，e剖面线的剖视图如图5C所示，像素结构依序为:基板5、绝缘层6、半导体层2、及第二导电层3。第二接触边界35至半导体层第二部分22的一相邻侧边间隔一第四距离D4，且第三距离D3