防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体生产中的设备，具体地说是一种防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构。
【背景技术】
[0002]目前，半导体晶圆生产过程中，传统光刻胶收集杯的结构会使得在生产中产生的废液污染晶圆的正面和背面，造成生产的质量差和成品率低，传统的光刻胶收集杯，因为结构的缺陷解决不了突发的废液污染晶圆的问题，只能通过晶圆的报废，或者清洗晶圆之后，再进行重新的加工生产的这些方式来保证质量和成品率，这种方法不但效率低下，还增加了生产的时间成本和材料成本。为解决上诉问题，需要一种新型的光刻胶收集杯结构，在生产过程中避免废液污染晶圆的问题。
【发明内容】
[0003]针对上述问题，本发明的目的在于提供一种防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构。该光刻胶收集杯结构应用在半导体生产的涂胶过程中，防止涂胶过程产生的废液污染晶圆的正面和背面。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一种防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构，包括上杯和下杯，所述上杯的内壁上设有用于引导废液往下流的导流槽结构，所述下杯的上面边缘沿周向设有防止废液回流的防止回流结构。
[0006]所述导流槽结构为均匀分布在上杯内壁上、并沿内壁由上至下的多个沟槽。所述下杯的上面边缘设有环形挡圈，形成所述防止回流结构。
[0007]本发明的优点及有益效果是:
[0008]1.本发明结构简单，并提高了晶圆涂胶生产的成品率。
[0009]2.本发明是在匀胶显影设备中涂胶单元内部，光刻胶收集杯里面有两种结构防止污染，一种是导流槽结构，另外一种是挡圈结构，两种结构分别保护晶圆的正面和背面。
[0010]3.本发明应用在半导体生产的涂胶过程中，防止涂胶过程产生的废液污染晶圆的正面和背面。
【附图说明】
[0011 ]图1是本发明的立体示意图；
[0012]图2是本发明的主视图；
[0013]图3是图2中A-A剖视图；
[0014]图4是图3中I处放大图；
[0015]图5是本发明防止反溅的示意图。
[0016]其中:1为上杯，2为下杯，3为导流槽结构，4为防止回流结构，B为废液，M为导流槽废液，N为回流废液。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本发明作进一步描述。
[0018]如图1-3所示，本发明包括上杯I和下杯2，所述上杯I的内壁上设有用于引导废液往下流的导流槽结构3，所述下杯2的上面边缘沿周向设有防止废液回流的防止回流结构4。
[0019]如图4所示，所述导流槽结构3为均匀分布在上杯I的内壁上、并沿内壁从上向下的多个并排布置的沟槽。所述防止回流结构4为在下杯2的上面边缘设有的环形挡圈，形成防止回流结构。
[0020]本发明的工作原理是:
[0021]晶圆生产过程中，多余的废液(光刻胶和清洗液)在晶圆旋转的离心力带动下，分别从晶圆上面和下面离心甩出来，这些废液先是接触到光刻胶收集杯的上杯I的内壁，这时候上杯I内壁上的导流槽结构3就会引导废液沿着导流槽顺着上杯I的内壁流动。同时，落下来的多余废液也会落在光刻胶收集杯的下杯2的上面，这时候光刻胶下杯2的环形挡圈就会阻止多余的光刻胶反向回流到晶圆背面，如图5所示。
【主权项】
1.一种防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构，其特征在于:包括上杯(I)和下杯(2)，所述上杯(I)的内壁上设有用于引导废液往下流的导流槽结构(3)，所述下杯(2)的上面边缘沿周向设有防止废液回流的防止回流结构(4)。2.按权利要求1所述的防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构，其特征在于:所述导流槽结构(3)为均匀分布在上杯(I)内壁上、并沿内壁由上至下的多个沟槽。3.按权利要求1所述的防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构，其特征在于:所述下杯(2)的上面边缘设有环形挡圈，形成所述防止回流结构(4)。
【专利摘要】本发明涉及半导体生产中的设备，具体地说是一种防止晶圆正面和背面污染的光刻胶收集杯结构。包括上杯和下杯，所述上杯的内壁上设有用于引导废液往下流的导流槽结构，所述下杯的上面边缘沿周向设有防止废液回流的防止回流结构。所述导流槽结构为分布在上杯内壁上、并沿内壁向下的多个沟槽。所述防止回流结构为在下杯的上面边缘设有的环形挡圈。本发明结构简单，应用在半导体生产的涂胶过程中，防止涂胶过程产生的废液污染晶圆的正面和背面，提高了晶圆涂胶生产的成品率。
【IPC分类】G03F7/16
【公开号】CN105093835
【申请号】CN201410189103
【发明人】王阳, 胡延兵
【申请人】沈阳芯源微电子设备有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月6日