同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明 书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或 改变。
[0033] 上述及其它技术特征和有益效果，将结合实施例及附图2-5对本发明的制作光刻 胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法进行详细说明。
[0034] 如图2所示，本发明提供了一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，包 括以下步骤：
[0035] 步骤S01、提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，晶圆模板被划分为至少两 个不同表面高度的区域，区域包括至少一个曝光单元。
[0036] 具体的，本实施例中，晶圆模板被划分为2~100个区域，各区域内可以由单个 曝光单元组成，也可以由多个曝光单元组成，且曝光单元可以在晶圆模板内随机组合（如 图3所示），图3为晶圆模板被划分为多个区域的结构示意图，如3中的晶圆模板被划分 为ABCD等区域，其中各区域由不同数量的曝光单元组成；同一区域内的晶圆模板的表面高 度是一致的，不同区域内的晶圆的表面高度不同，不同区域的晶圆模板的表面高度范围为 0~800 Λ。
[0037] 晶圆模板在表面形成高度梯度之前，需经过N次涂胶、曝光、显影等工艺步骤，每 次涂胶后，只需在一个区域曝光，其他区域不曝光，如图4所示，显影后，留下该区域的刻蚀 模板，调节每个区域的刻蚀工艺参数，使得每个区域刻蚀的深度梯度变化，得到表面具有高 度梯度的晶圆模板。
[0038] 步骤S02、在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜，并测量光刻胶 膜的膜厚分布。
[0039] 如图5所示，光刻胶膜的膜厚按划分区域渐变，且膜厚的渐变范围为〇:~8Q:Q L 且晶圆模板上形成的光刻胶膜的厚度范围为1000~3000A。光刻胶膜形成后可采用膜厚 测量仪测量光刻胶膜的膜厚分布。值得说明的是，形成于晶圆模板上的光刻胶膜为可去除， 以便于晶圆模板的重复使用，降低时间和工艺成本。
[0040] 步骤S03、对晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚 度所对应的关键尺寸。
[0041] 具体的，可采用线宽测量扫描电镜测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸。
[0042] 步骤S04、根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关 系曲线。
[0043] 综上所述，本发明提供的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，通过在表 面具有高度梯度的晶圆模板上涂布光刻胶，获得具有厚度梯度分布的光刻胶膜，并测量不 同厚度的光刻胶膜对应的关键尺寸，从而使用单片晶圆就可以获得光刻胶厚度和关键尺寸 关系曲线。本发明制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法大大降低了成本，且节省了 工艺时间，通过晶圆模板的高度梯度将图形转移到光刻胶膜上可控性好，光刻胶膜的变化 空间大，且适合不同区间范围的光刻胶膜厚和关键尺寸关系曲线的制作。
[0044] 上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明 并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、 修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识 进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发 明所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1. 一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S01、提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，所述晶圆模板被划分为至少两 个不同表面高度的区域，所述区域包括至少一个曝光单元； 步骤S02、在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜，并测量光刻胶膜的 膜厚分布； 步骤S03、对所述晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚 度所对应的关键尺寸； 步骤S04、根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲 线。2. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤SOl中，所述晶圆模板被划分为2~100个区域。3. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤SOl中，所述区域包括多个曝光单元。4. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤SOl中，同一区域内的晶圆模板的表面高度是一致的。5. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤SOl中，所述不同区域的晶圆模板的表面高度范围为〇~800 A。6. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤S02中，所述光刻胶膜的膜厚按划分区域渐变，且膜厚的渐变范围为0〃~8〇() Λ。7. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述晶圆模板上形成的光刻胶膜的厚度范围为丨000~3000Λ。8. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤S02中，形成在晶圆模板上的光刻胶膜可去除。9. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤S02中，采用膜厚测量仪测量光刻胶膜的膜厚分布。10. 根据权利要求1所述的制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于， 所述步骤S03中，采用线宽测量扫描电镜测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸。
【专利摘要】本发明公开了一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，首先提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，晶圆模板被划分为至少两个不同表面高度的区域，区域包括至少一个曝光单元；接着在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜；然后对晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；最后根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本发明制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法大大降低了成本，且节省了工艺时间，通过晶圆模板的高度梯度将图形转移到光刻胶膜上可控性好，光刻胶膜的变化空间大，且适合不同区间范围的光刻胶膜厚和关键尺寸关系曲线的制作。
【IPC分类】G03F7/20, G03F7/16
【公开号】CN105159031
【申请号】CN201510547788
【发明人】刘必秋, 毛智彪, 甘志锋
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月31日