，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制者O
【附图说明】
[0029]图1是本实用新型一实施例的显示面板的剖面示意图。
[0030]图2是本实用新型一实施例的的第一基板的概略俯视示意图。
[0031]图3是本实用新型一实施例的主动元件阵列层的局部结构示意图。
[0032]图4A是图3中沿线M-M’剖面所绘示的剖面示意图。
[0033]图4B是图4A中的使用状态剖面示意图。
[0034]图4C是图3中沿线N-N’剖面所绘示的使用状态剖面示意图。
[0035]图5是本实用新型另一实施例的显示面板的部分概略俯视示意图。
[0036]图6是本实用新型另一实施例的显示面板的部分概略俯视示意图。
[0037]图7是本实用新型另一实施例的显示面板的部分概略俯视示意图。
[0038][图的符号简单说明]:
[0039]100显示面板110 扫描线
[0040]120沟道层130 数据线
[0041]131漏极电极140 保护层
[0042]BI第一基板B2 第二基板
[0043]CFa遮光层CFb 彩色滤光片
[0044]LQ液晶层CF 彩色滤光层
[0045]Tl主动元件阵列层PI 配向膜
[0046]PS间隙子V1、V2通孔
[0047]IlOa第一内凹部AA 重叠区域
[0048]Al第一区域A2 第二区域
[0049]A3第三区域
[0050]El第一表面E2 第二表面
[0051]F1、F2、FN子像素单元Hl第一高度
[0052]H2第二高度LQ液晶层
[0053]PI配向膜
[0054]PX、PX’像素电极PXl凸部
[0055]SI?S6第一侧边?第六侧边
[0056]Ul数据线驱动单元U2扫描线驱动单元
[0057]Wl第一最短距离W2第二最短距离。
【具体实施方式】
[0058]在随附图式中展示一些例示性实施例，而在下文将参阅随附图式以更充分地描述各种例示性实施例。值得说明的是，本实用新型概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述之例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本实用新型将为详尽且完整，且将向熟习此项技术者充分传达本实用新型概念的范畴。在每一图式中，为了使得所绘示的各层及各区域能够清楚明确，而可夸示其相对大小的比例，而且类似数字始终指示类似元件。
[0059]图1是本实用新型一实施例的显示面板的剖面示意图。于本实施例中，显示面板100为一液晶面板。显示面板100包括第一基板B1、第二基板B2、彩色滤光层CF、液晶层LQ、主动元件阵列层Tl及间隙子PS。第一基板BI与第二基板B2结合，而液晶层LQ及主动元件阵列层Tl和间隙子PS位于第一基板BI与第二基板B2之间。一般来说，主动元件阵列层Tl配置于第一基板BI上，以形成一主动元件阵列基板。彩色滤光层CF可以配置于第二基板B2上且包括遮光层CFa及多片各种颜色的彩色滤光片CFb。液晶层LQ配置于第一基板BI与第二基板B2之间的间隙，用以改变入射光的方向。此外，显示面板100可以还包括配向膜PI。配向膜PI大致上位于液晶层LQ与主动元件阵列层Tl之间且夹置于液晶层LQ外侧，透过主动元件阵列层Tl以及配向膜PI来控制液晶旋转方向。
[0060]图2是本实用新型一实施例的第一基板的概略俯视示意图。图3是本实用新型一实施例的主动元件阵列层的局部结构示意图。请参阅图2及图3，数据线驱动单元Ul配置于主动元件阵列基板之其中一边，而扫描线驱动单元U2配置于主动元件阵列基板之另外一边。于本实施例中，主动元件阵列层Tl包括扫描线110、沟道层120及数据线130。扫描线110位于第一基板上BI，沟道层120配置于扫描线110上，而数据线130位于第一基板上BI上且与扫描线110交错设置，且位于沟道层120上。实务上，多条扫描线110以列的方向延伸且其彼此平行，而多条数据线130以行方向延伸且其彼此实质上平行。其中，这些扫描线110与数据线130彼此交错叠置且定义出复数个子像素单元FN，N大于1，例如是F1、F2等。
[0061]沟道层120为一半导体层，其材料可选自由多晶硅层、金属氧化物半导体层、与非晶硅层所组成的群组的其中之一。于本实施例中，沟道层120的材料可以是选自于氧化铟嫁锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、氧化锌(Zinc oxide, ZnO)、氧化锡(Stannousoxide，SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide，IZO)、氧化嫁锌(Gallium-Zinc Oxide,GaZnO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide, ΖΤ0)、氧化铟锡(Indium-Tin Oxide, IT0)及其混合所组成的群组之中的其中一种。于本实施例中，沟道层120的材料是氧化铟镓锌。不过，本实用新型并不对此加以限制。具体而言，沟道层120可以是透过磁控溅镀法(magnetixmsputtering)、金属有机化学气相沉积法(metal organic chemical-vapor deposit1n，MOCVD)或脉冲雷射蒸镀法(pulsed laser deposit1n, PLD)而制作。
[0062]保护层140配置于沟道层120上，且用以作为沟道层120的蚀刻终止层(etch stoplayer, ESL)以避免后续沟道层120于后续工艺过程中受到毁损而导致电性异常。保护层140的材料为氧化硅(S1x)等。保护层140可以透过微影蚀刻工艺将保护层140图案化以在保护层140形成通孔Vl及通孔V2，数据线130交叠于保护层140上且可通过通孔Vl形成与沟道层120接触的源极电极。于形成数据线与源极电极时，可通过相同工艺或同一工艺在通孔V2内壁形成与沟道层120接触的漏极电极131，且所述漏极电极131是与数据线130和源极电极绝缘设置。
[0063]间隙子PS(Spacer)位于主动元件阵列层Tl的数据线130与第二基板B2之间，以利于维持第一基板BI与第二基板B2之间的间隙(Cell gap)。于本实施例中，间隙子PS形成彩色滤光层CF上且朝向主动元件阵列层Tl的方向延伸。大致上，间隙子PS对应于扫描线110与数据线130交错之处，且约略接触于位于数据线130上方的配向膜PI。具体而言，间隙子PS可以设计成球形、多边角柱形、圆锥状、多边角锥状、多层堆栈状或是隔板状等。值得说明的是，间隙子PS可以是各色或是透明的光阻材料、高分子材料或是娃氧材料，以微影工艺、派镀(Sputtering process)、化学气相沉积法(Chemical VaporDeposit1n, CVD)或是喷洒(Spray)等方式形成。不过，本实用新型并不对间隙子PS的设计与工艺条件加以限定。
[0064]具体而言，扫描线110具有第一侧边SI及第二侧边S2，数据线130具有第三侧边S3及第四侧边S4。由俯视视角自间隙子PS往第一基板