一种显示屏、显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型描述了一种显示屏、显示装置。所述显示屏包括：阵列基板，包括显示区和非显示区；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置且包括显示区和非显示区；多条数据线，设置于所述阵列基板上；多个像素电极，设置于所述阵列基板上；公共电极，设置于所述阵列基板或所述彩膜基板；导电引线，位于所述阵列基板的非显示区，用于给所述显示区的导电元件传输驱动信号；以及屏蔽层，与所述导电引线相对设置并被施加恒定电位，所述屏蔽层用于屏蔽所述导电引线因电压变化而激发的空间电磁波辐射；其中，所述导电引线与所述屏蔽层之间至少设置有一绝缘层。本实用新型提供的显示屏能够有效外围走线的电磁场辐射。
【专利说明】
一种显示屏、显示装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及液晶显示领域，特别是涉及一种显示屏、包含该显示屏的显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示(LiquidCrystal Display，LCD)作为目前主要的显示方式，其具有诸多的优点，例如，低压驱动、功耗低、寿命长等。液晶显示器通过在像素电极和公共电极之间形成电场以驱动液晶分子旋转，从而控制光线能否穿过液晶层。其中，公共电极为电连接的面状或者具有空隙的面状。通常情况下，为了获得高的透过率，公共电极采用透明的导电材料，例如，氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)。虽然采用ITO提高了透过率，但是由于ITO阻抗与金属相比较高，因此，为了降低公共电极在信号传输过程中产生的信号延迟，会在公共电极的外围设置与公共电极电连接的金属公共走线。
[0003]对于一些驱动方式的液晶显示屏，公共电极需要接入变化的信号，此时，金属公共走线会向外辐射出大量的电磁波。一方面，显示屏辐射的电磁波会对某些电磁波产生干扰从而会限制其在无线通信中的应用，例如，当液晶显示屏应用于汽车的仪表盘时，由于目前的汽车都设置有导航装置，因此液晶显示屏会对导航装置的性能产生影响；另一方面，显示屏辐射的电磁波会对身体产生伤害。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供一种显示屏，以及包含该显示屏的显示装置。
[0005]本实用新型提供了一种显示屏，包括:
[0006]阵列基板，包括显示区和非显示区；
[0007]彩膜基板，与所述阵列基板相对设置且包括显示区和非显示区；
[0008]多条数据线，设置于所述阵列基板上；
[0009]多个像素电极，设置于所述阵列基板上；
[0010]公共电极，设置于所述阵列基板或所述彩膜基板；
[0011]导电引线，位于所述阵列基板的非显示区，用于给所述显示区的导电元件传输驱动信号；
[0012]以及屏蔽层，与所述导电引线相对设置并被施加恒定电位，所述屏蔽层用于屏蔽所述导电引线因电压变化而激发的空间电磁波辐射；
[0013]其中，所述导电引线与所述屏蔽层之间至少设置有一绝缘层。
[0014]进一步的，所述公共电极被施加变化的电位，所述导电引线为公共电极外引线。
[0015]进一步的，所述公共电极外引线在所述阵列基板上的垂直投影落在所述屏蔽层在所述阵列基板上的垂直投影范围内。
[0016]进一步的，所述屏蔽层与接地点连接。
[0017]进一步的，所述公共电极与所述屏蔽层均设置在所述阵列基板。
[0018]进一步的，所述屏蔽层与所述数据线同层设置。
[0019]进一步的，所述屏蔽层与所述像素电极同层设置。
[0020]进一步的，所述公共电极设置在所述阵列基板，且所述屏蔽层设置在所述彩膜基板。
[0021 ]进一步的，所述屏蔽层设置在所述彩膜基板靠近所述阵列基板的一侧。
[0022]进一步的，所述彩膜基板包括黑矩阵，且所述黑矩阵与所述屏蔽层之间至少存在一绝缘层。
[0023]进一步的，所述显示屏还包括导电胶，且所述导电胶与所述屏蔽层连接。
[0024]进一步的，所述屏蔽层设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧。
[0025]进一步的，所述屏蔽层通过银胶与接地点电连接。
[0026]进一步的，所述屏蔽层为金属。
[0027]本实用新型还提供了一种包含该显示屏的显示装置。
[0028]本实用新型提供的显示屏及其显示装置能够有效屏蔽外围走线发出的电磁辐射，从而使得显示屏应用于需要无线通信的装置时对其他性能没有影响。
【附图说明】
[0029]图1是本实用新型实施例提供的一种显示屏；
[0030]图2是图1所示的显示屏的一种彩膜基板结构示意图；
[0031]图3是图2所示的彩膜基板在A-A’处的一种截面结构示意图；
[0032]图4是图2所示的彩膜基板在A-A’处的另一种截面结构示意图；
[0033]图5是图2所示的彩膜基板在A-A’处的又一种截面结构示意图；
[0034]图6是图2所示的彩膜基板在A-A’处的再一种截面结构示意图；
[00；35]图7是图1所示显示屏的一种阵列基板结构示意图；
[0036]图8是图7所示的阵列基板在B-B’处的一种截面结构示意图；
[0037]图9是图7所示的阵列基板在B-B’处的另一种截面结构示意图；
[0038]图10是图1所不显不屏的另一种阵列基板结构不意图；
[0039]图11是图10所示的阵列基板在C-C’处的一种截面结构示意图；
[0040]图12是图1O所不的阵列基板在C-C’处的另一种截面结构不意图；
[0041]图13是本实用新型实施例提供的一种显示装置。
【具体实施方式】
[0042]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
[0043]需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的【具体实施方式】的限制。
[0044]请参考图1至图3，图是I本是本实用新型实施例提供的一种显不屏，图2是图1所不的显示屏的一种彩膜基板结构示意图，图3是图2所示的彩膜基板在A-A’处的一种截面结构示意图。具体地，如图1所示，显示屏包括相对设置的阵列基板11和彩膜基板22，以及位于阵列基板11和彩膜基板22之间的液晶层33。其中，阵列基板11和彩膜基板22均包括显示区和非显示区(图中未示出)。阵列基板11包括多条数据线1106和栅极线1102，数据线1106和栅极线1102互相交叉。在数据线1106和栅极线1102对应的位置，彩膜基板22相应的设置有黑矩阵2112。此外，阵列基板11在显示区设置有像素电极，在非显示区设置有导电引线，公共电极设置于阵列基板11或者彩膜基板12(图1中未示出)。其中，导电引线用于给显示区的导电元件传输驱动信号。例如，导电引线为公共电极传输驱动电压。
[0045]进一步地，图2示出了图1所示的显示屏的彩膜基板22的详细结构。彩膜基板22包括显示区A-A和非显示区non A_A，非显示区non A-A围绕显示区A-A设置，在显示区A-A中包括相互交叉的黑矩阵2112和色阻层2114;在非显示区non A-A中，设置有屏蔽层2110，屏蔽层2110用于屏蔽导电引线因电压变化而激发的空间电磁波辐射。如图所示，屏蔽层2110绕显示区A-A—圈形成环状结构。需要说明的是，导电引线包括公共电极外引线、栅极外引线等，但由于公共电极外引线占导电引线的比重较大且电势变化频率高，因此，只要公共电极外引线在阵列基板11上的垂直投影落在屏蔽层2110在阵列基板11上的垂直投影范围内就能够明显降低电磁辐射。
[0046]具体地，图3示出了图2所示的彩膜基板在A-A’处的一种截面结构。结合图1至图3，屏蔽层2110设置在彩膜基板22远离阵列基板11的一侧。具体地，彩膜基板22包括在基板200的一侧设置的黑矩阵2112、色阻层2114、平坦化层2120和间隔柱2122，以及在基板200的另一侧设置的背屏蔽电极2116和屏蔽电极2110。其中，屏蔽电极2110位于非显示区non A-A,背屏蔽电极2116位于显示区A-A和非显示区non A_A。在本实施方式中，屏蔽层2110为金属，且屏蔽层2110设置在背屏蔽电极2116之上。但是本使用新型实施例并非限于此，在其他的实施方式中，屏蔽层2110可以为导电的非金属材料。其中，屏蔽层2110被给予一个恒定的电位或者与接地点电连接。具体地，其可以通过导电胶、导电柱以及导电引线等方式与阵列基板上的驱动芯片IC电连接或者接地线电连接，也可以是先在彩膜基板上连接到柔性电路板，再通过电路板与电源或者接地点连接。
[0047]进一步地，请继续参考图4，图4是图2所示的彩膜基板在A-A’处的另一种截面结构示意图。与图3所示的彩膜基板不同的是，屏蔽层2110设置在非显示区non A-A且位于背屏蔽层2116的下面;在显示区A-A中，还有与屏蔽层2110位于同一层的透明电极2118。其他部分的结构与图3所示的彩膜基板一致，如图所示，在基板200的下方，设置有依次形成的黑矩阵2112、的色阻2114、平坦化层2120、间隔柱2122。其中，这里所说的“屏蔽层2110与透明电极2118位于同一层”并非是屏蔽层2110与透明电极2118是同一次成膜工艺形成，而是指空间位置上位于相同的层叠结构。
[0048]目前，背屏蔽电极2116为透明的导电材料，例如，氧化铟锡(IndiumTin Oxides，ΙΤ0)，这是防止显示面板的透过率降低。背屏蔽电极2116用于屏蔽外部静电，同时，也能屏蔽数据线、栅极线等发出的电磁辐射。然而，背屏蔽电极2116只能屏蔽显示屏正上方的电磁辐射，显示屏侧边的电磁辐射依然很严重。
[0049]上述实施例提供的显示屏在彩膜基板远离阵列基板的一侧的非显示区设置金属屏蔽层，能够进一步减少显示屏侧边的电磁辐射。需要说明的是，由于屏蔽层为金属，与背屏蔽电极相比，其导通电阻较小，因此其屏蔽电磁辐射的能力更强。此外，由于金属为不透光材料，因此将金属屏蔽层设置在彩膜基板外侧的非显示区不仅不会降低显示面板的透过率，还具有黑矩阵的作用，能够降低显示屏侧面漏光的风险。
[0050]优选地，继续参考图5，图5是图2所示的彩膜基板在A-A’处的又一种截面结构示意图。如图所示，在基板200的下方设置有依次形成的的黑矩阵2112、色阻2114、平坦化层2120、屏蔽层2110以及间隔柱2122;在基板200的上方设置有背屏蔽电极2116。其中，屏蔽层2110通过导电胶与设置在阵列基板11的接地点电连接，或者与阵列基板11上的通有恒定电位的导线引线电连接，所述导电胶可以是银胶。此外，屏蔽层2110为金属材料，但是在其他实施方式中，屏蔽层2110可以是其他导电材料。该实施方式中，屏蔽层2110设置在彩膜基板靠近阵列基板的一侧，由于与导电引线的距离与图3或/和图4所示的实施方式相比较近，因此其屏蔽导电引线发出的电磁辐射的能力更强，能够进一步减弱显示面板侧边的电磁辐射。
[0051]然而，本实施例的实现方式并非局限于图5所示，具体地，如图6所示，图6是图2所示的彩膜基板在A-A’处的再一种截面结构示意图。如图所示，在基板200的上方设置有背屏蔽电极2116，在基板200的下方依次设置黑矩阵2112和色阻层2114、平坦化层2120、间隔柱2122以及屏蔽层2120，屏蔽层2120优选金属材料，但是在其他实施方式中，屏蔽层2120可以是其他导电材料。其中，屏蔽层2120通过导电胶与设置在阵列基板11的接地点电连接，或者与阵列基板11上的通有恒定电位的导线引线电连接，所述导电胶可以是银胶。同样地，该实施方式中屏蔽层2120设置在彩膜基板靠近阵列基板的一侧，因此其屏蔽导电引线发出的电磁辐射的能力更强，能够进一步减弱显示面板侧边的电磁辐射。需要说明的是，在该实施方式中，屏蔽层2120是在形成间隔柱2122后形成的，其屏蔽层2120的具体形成过程如下:在基板上形成屏蔽材料层，然后采用掩模对屏蔽材料层进行刻蚀形成屏蔽层2120。采用一道掩模对屏蔽材料层进行刻蚀的工艺来形成屏蔽层2120是为了防止屏蔽层2120具有位于间隔柱2122表面的区域。
[0052]上述实施例中，屏蔽层均设置在彩膜基板，然而本实用新型实施例并非局限于此，例如，屏蔽层可以设置在阵列基板。具体地，图7是图1所示显示屏的一种阵列基板结构示意图，如图所示，阵列基板11分为显示区A-A和非显示区non A_A。在显示区A-A中，阵列基板11包括多条数据线1106，多条栅极线1102，多条数据线1106和多条栅极线1102相互交叉形成像素区域Pix。在非显示区non A-A中，阵列基板11包括用于给所述显示区A-A的导电元件传输驱动信号的导线引线1108。此外，阵列基板还包括与导电引线1108相对设置的屏蔽层1110，屏蔽层1110用于屏蔽导电引线1108因电压变化而激发的空间电磁波辐射。其中，导电引线1108与屏蔽层1110均与驱动芯片IC电连接，且驱动芯片IC给屏蔽层1110通直流电压。
[0053]继续参考图8，图8是图7所示的阵列基板在B-B’处的一种截面结构示意图，其示出了一像素区域(显示区A-A)和非显示区non A-A的截面结构。一像素区域包括一像素电极1112，一薄膜晶体管以及公共电极1114。其中，各像素区域的公共电极1114之间电连接;薄膜晶体管包括栅极G、源极S、漏极D以及半导体层1120。在非显示区non A-A设置有接地线GND、导线引线1108以及屏蔽层1110。具体地，栅极G、公共电极1114、导电引线1108以及连接接地点的接地线GND位于基板100上且同层设置;在半导体层1120与栅极G之间设置栅极绝缘层1116;屏蔽层1110与源极S、漏极D同层设置，即屏蔽层1110与数据线1106同层设置。其中，屏蔽层1110可以与源极S、漏极D采用相同的材料并通过一道掩模一次成型，屏蔽层1110与导电引线1108之间设置有栅极绝缘层1116。像素电极1112与源极S之间设置有绝缘层1118，故需要通过过孔连接。同样地，屏蔽层1110为金属材料，也可以是其他的导电材料。
[0054]进一步地，本实施例中位于阵列基板的屏蔽层的设置方式还可以是如图9所示的结构。同样地，阵列基板11包括在基板100上的设置的薄膜晶体管、导电引线1108、屏蔽层1110、接地线GND、公共电极1114、像素电极1112、栅极绝缘层1116以及绝缘层1118，薄膜晶体管包括栅极G、源极S、漏极D和半导体层1120。其中，与图8所示的阵列基板不同的是，非显示区non A-A的屏蔽层1110与显示区A-A的像素电极1112位于同一层。同样地，屏蔽层1110为金属材料，也可以是其他导电材料。
[0055]与屏蔽层设置在彩膜基板的实施例相比，本实施例提供的实施方式均将屏蔽层设置在阵列基板，且导电引线与屏蔽层之间仅仅设置有一层绝缘层，因此，发出电磁辐射的导电引线与屏蔽层之间的距离大大降低，显示屏屏蔽电磁辐射的能力大大增强。
[0056]此外，本实用新型实施例还提供了另一种阵列基板。图10是图1所示显示屏的另一种阵列基板结构示意图，如图所示，阵列基板11分为显示区A-A和非显示区non A_A。在显示区A-A中，阵列基板11包括多条数据线1106，多条栅极线1102，多条数据线1106和多条栅极线1102相互交叉形成像素区域Pix。在非显示区non A-A中，阵列基板11包括用于给所述显示区A-A的导电元件传输驱动信号的导线引线1108，以及与接地点连接的接地线GND，接地线GND与柔性电路板FPC电连接并接地。此外，阵列基板还包括与导电引线1108相对设置的屏蔽层1110，屏蔽层1110用于屏蔽导电引线1108因电压变化而激发的空间电磁波辐射。
[0057]请继续参考图11，图11是图10所示的阵列基板在C-C’处的一种截面结构示意图。其示出了一像素区域(显示区A-A)和非显示区non A-A的截面结构。一像素区域包括一像素电极1112，一薄膜晶体管以及公共电极1114。其中，各像素区域的公共电极1114之间电连接;薄膜晶体管包括栅极G、源极S、漏极D以及半导体层1120。在非显示区non A-A设置有接地线GND、导线引线1108以及屏蔽层1110。具体地，栅极G、公共电极1114、导电引线1108以及连接接地点的接地线GND位于基板100上且同层设置;在半导体层1120与栅极G之间设置栅极绝缘层1116;屏蔽层1110与源极S、漏极D同层设置，即屏蔽层1110与数据线1106同层设置。其中，屏蔽层1110与接地线GND之间具有栅极绝缘层1116，因此需要通过过孔连接。像素电极1112与源极S之间设置有绝缘层1118，故需要通过过孔连接。同样地，屏蔽层1110为金属材料，也可以是其他的导电材料。
[0058]同样地，在其他的实施方式中，屏蔽层可以与像素电极位于同一层，如图12所示，图12是图10所示的阵列基板在C-C’处的另一种截面结构示意图。具体地，一像素区域(显示区A-A)包括一像素电极1112，一薄膜晶体管以及公共电极1114。其中，各像素区域的公共电极1114之间电连接；薄膜晶体管包括栅极G、源极S、漏极D以及半导体层1120。在非显示区non A-A设置有接地线GND、导线引线1108以及屏蔽层1110。具体地，栅极G、公共电极1114、导电引线1108以及连接接地点的接地线GND位于基板100上且同层设置;在半导体层1120与栅极G之间设置栅极绝缘层1116;屏蔽层1110与源极S、漏极D同层设置，即屏蔽层1110与数据线1106同层设置。其中，屏蔽层1110与接地线GND之间具有栅极绝缘层1116和绝缘层1118，因此需要通过过孔连接。同样地，屏蔽层1110为金属材料，也可以是其他的导电材料。
[0059]同样地，采用本实施例的阵列基板的显示屏能够大大降低电磁辐射。进一步地，与图7至图9所示的阵列基板相比，本实施例中屏蔽层直接通过接地线直接与接地点电连接，无需在非显示区设置额外的走线，这不仅没有增加工艺难度，且没有增加非显示区的面积。
[0060]—般地，导电引线包括公共电极外引线和栅极外引线。对于内置触摸显示屏，其导电引线还包括用于触摸的电极引线等。由于公共电极外引线的电压变化频率最高，因此，在本实用新型所述实施例中，如果屏蔽层在阵列基板的投影包括公共电极外引线在阵列基板的投影，屏蔽层就能够屏蔽显示屏产生的大量电磁辐射。
[0061]最后，本实用新型还提供了一种显示装置，如图13所示，图13是本实用新型实施例提供的一种显示装置。具体地，该显示装置包括外壳2，上述实施例或者实施方式所示的任意一个显示屏4、摄像头6以及信号灯8。其中，显示屏4包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板和彩膜基板均包括显示区和非显示区；多条数据线，设置于阵列基板上；多个像素电极，设置于阵列基板上;公共电极，设置于阵列基板或彩膜基板;导电引线，位于阵列基板的非显示区，用于给显示区的导电元件传输驱动信号；以及屏蔽层，与导电引线相对设置并被施加恒定电位，屏蔽层用于屏蔽导电引线因电压变化而激发的空间电磁波辐射;其中，导电引线与屏蔽层之间至少设置有一绝缘层。其中，该显示装置具有很低的电磁辐射，显示正常。本实施例提供的显示装置并不局限于此，其显示装置还可以是汽车导航仪，带有显示屏的医疗器械，带有显示屏的自动取款机以及带有显示屏的自动刷卡机等。
[0062]以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种显不屏，包括: 阵列基板，包括显示区和非显示区； 彩膜基板，与所述阵列基板相对设置且包括显示区和非显示区； 多条数据线，设置于所述阵列基板上； 多个像素电极，设置于所述阵列基板上； 公共电极，设置于所述阵列基板或所述彩膜基板； 导电引线，位于所述阵列基板的非显示区，用于给所述显示区的导电元件传输驱动信号； 以及屏蔽层，与所述导电引线相对设置并被施加恒定电位，所述屏蔽层用于屏蔽所述导电引线因电压变化而激发的空间电磁波辐射； 其中，所述导电引线与所述屏蔽层之间至少设置有一绝缘层。2.根据权利要求1所述的显示屏，所述公共电极被施加变化的电位，所述导电引线为公共电极外引线。3.根据权利要求2所述的显示屏，所述公共电极外引线在所述阵列基板上的垂直投影落在所述屏蔽层在所述阵列基板上的垂直投影范围内。4.根据权利要求1所述的显示屏，所述屏蔽层与接地点连接。5.根据权利要求1所述的显示屏，所述公共电极与所述屏蔽层均设置在所述阵列基板。6.根据权利要求1所述的显示屏，所述屏蔽层与所述数据线同层设置。7.根据权利要求1所述的显示屏，所述屏蔽层与所述像素电极同层设置。8.根据权利要求1所述的显示屏，所述公共电极设置在所述阵列基板，且所述屏蔽层设置在所述彩膜基板。9.根据权利要求8所述的显示屏，所述屏蔽层设置在所述彩膜基板靠近所述阵列基板的一侧。10.根据权利要求9所述的显示屏，所述彩膜基板包括黑矩阵，且所述黑矩阵与所述屏蔽层之间至少存在一绝缘层。11.根据权利要求9所述的显示屏，所述显示屏还包括导电胶，且所述导电胶与所述屏蔽层连接。12.根据权利要求8所述的显示屏，所述屏蔽层设置在所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧。13.根据权利要求12所述的显示屏，所述屏蔽层通过银胶与接地点电连接。14.根据权利要求1-13任一项所述的显示屏，所述屏蔽层为金属。15.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的显示屏。
【文档编号】G02F1/1333GK205656396SQ201620325010
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年4月18日 公开号201620325010.7, CN 201620325010, CN 205656396 U, CN 205656396U, CN-U-205656396, CN201620325010, CN201620325010.7, CN205656396 U, CN205656396U
【发明人】丁宗财, 杜勇, 毛冰, 姚莎, 张强, 李峻
【申请人】上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司