专利名称：偏转线圈及其使用的过饱和扼流圈的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种安装在电视显像管或显示装置等的阴极射线管(CRT)内的偏转线圈，特别是涉及一种改进用于调焦、校正光栅失真的过饱和扼流圈的结构的偏转线圈。
背景技术：
众所周知，在偏转线圈中，为了提高会聚特性、获得没有光栅失真的偏转特性，而装备了各种校正部件。过饱和扼流圈是偏转校正部件的一个。作为一个例子，特开2000-173497公报上记载了一种具有过饱和扼流圈的偏转线圈。
图35是表示记载在上述公报上的过饱和扼流圈的俯视图。在图35中，饱和控制线圈22绕在鼓形铁心21上。在该鼓形铁心21的两个外侧配置有作为鼓形铁心的过饱和铁心23a～23d，在过饱和铁心23a～23d上分别绕有阻抗控制线圈24a～24d。在过饱和铁心23a～23d的两个外侧配置有施加磁偏置的磁铁25a、25b。
如图35所示的过饱和扼流圈其连接如图36所示。阻抗控制线圈24a～24d全部串联连接，该阻抗控制线圈24a～24d与并联连接的水平偏转线圈12a、12b串联连接。饱和控制线圈22与串联连接的一对垂直偏转线圈13a、13b串联连接。根据上述连接，如图35所示的过饱和扼流圈可以校正如图37所示的在屏幕左右方向的中央和左右端部的各大致中央部位发生的纵向光栅的枕形失真。
如图35所示的现有过饱和扼流圈将饱和控制线圈22和阻抗控制线圈24a～24d绕在鼓形铁心21以及过饱和铁心23a～23d等五个鼓形铁心上，它们与两个磁铁25a、25b共同组装在盒体内，从而存在部件数量多、耗费大量组装工时的问题。此外，即使过饱和扼流圈安装在偏转线圈上之后，也必须对从五个线圈引出的电线进行如图36所示的连线，从而存在导致组装工时增多的问题。由此，具有如图35所示的过饱和扼流圈的偏转线圈存在成本升高的问题。
本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种低成本的过饱和扼流圈以及使用该过饱和扼流圈的偏转线圈，该偏转线圈具有与现有技术同等以上的偏转校正特性，同时减少了部件数量和组装工时。
发明内容
为了解决上述现有技术的问题，本发明具有以下构成。
(a)一种偏转线圈，具有水平偏转线圈12a、12b，垂直偏转线圈13a、13b以及用于校正偏转特性的过饱和扼流圈，其特征在于，上述过饱和扼流圈由以下部件构成至少一个过饱和铁心1、1a、1b；阻抗控制线圈2a、2b，绕在上述过饱和铁心上，与上述水平偏转线圈连接；至少一个磁铁5、5a、5b，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心3，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；饱和控制线圈4，绕在上述磁心上，流过垂直偏转电流。此外，还具有使上述饱和控制线圈产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时的方向相同的装置8、9、10。
(b)一种过饱和扼流圈，用于校正偏转特性，其特征在于，由以下部件构成至少一个过饱和铁心1a、1b；阻抗控制线圈2a、2b，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁5、50，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心3，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；线圈架14，安装在上述磁心上；饱和控制线圈4，绕在上述线圈架上，流过垂直偏转电流；盒体20，容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁。上述磁心和绕有上述饱和控制线圈的上述线圈架构成第一部件100，该第一部件安装在上述盒体内。
(c)一种偏转线圈，具有水平偏转线圈12a、12b，垂直偏转线圈13a、13b以及用于校正偏转特性的过饱和扼流圈，其特征在于，上述过饱和扼流圈由以下部件构成至少一个过饱和铁心1a、1b；阻抗控制线圈2a、2b，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁5、50，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心3，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；线圈架14，安装在上述磁心上；饱和控制线圈，绕在上述线圈架上，流过垂直偏转电流；盒体20，容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁。上述磁心和绕有上述饱和控制线圈的上述线圈架构成第一部件100，该第一部件安装在上述盒体内。此外，还具有使上述饱和控制线圈产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时的方向相同的装置8、9、10。
图1是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第一实施方式的俯视图。
图2是表示如图1所示的第一实施方式的连接示例的电路图。
图3是表示如图1所示的第一实施方式的连接示例的电路图。
图4是表示用于说明在本发明的偏转线圈中使用的过饱和扼流圈的动作的屏幕上的偏转点的图。
图5是用于说明在本发明的偏转线圈中使用的过饱和扼流圈的动作的特性图。
图6是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第二实施方式的俯视图。
图7是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第三实施方式的俯视图。
图8是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第四实施方式的俯视图。
图9是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第五实施方式的俯视图。
图10是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第六实施方式的俯视图。
图11是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第七实施方式的俯视图。
图12是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第八实施方式的俯视图。
图13是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第九实施方式的俯视图。
图14是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十实施方式的俯视图。
图15是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的十一实施方式的俯视图。
图16是表示在屏幕左右方向的中央发生的弓形失真的图。
图17是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十二实施方式的俯视图。
图18是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十三实施方式的俯视图。
图19是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十四实施方式的俯视图。
图20是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十五实施方式的俯视图。
图21是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十六实施方式的俯视图。
图22是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十七实施方式的俯视图。
图23是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十八实施方式的俯视图。
图24是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十九实施方式的基本构成的俯视图。
图25是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的第一部件100的透视图。
图26是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的第一部件100的透视图。
图27是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的第一部件100的俯视图。
图28是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的盒体20的透视图。
图29是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的盒体20的透视图。
图30是表示将第一部件100向盒体20内安装的中途的状态的透视图。
图31是表示已将第一部件100安装在盒体20内的状态的透视图。
图32是表示对图31的状态组装了其他部件的状态的透视图。
图33是表示第十九实施方式的过饱和扼流圈整体的透视图。
图34是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第二十实施方式的透视图。
图35是表示现有的过饱和扼流圈的分解透视图。
图36是表示现有的过饱和扼流圈的连接实例的电路图。
图37是表示纵向光栅的枕形失真的图。
具体实施例方式
以下参照附图，对本发明的偏转线圈进行说明。图1是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第一实施方式的俯视图，图2和图3是表示如图1所示的第一实施方式的连接示例的电路图，图4是表示用于说明在本发明的偏转线圈中使用的过饱和扼流圈的动作的屏幕上的偏转点的图，图5是用于说明在本发明的偏转线圈中使用的过饱和扼流圈的动作的特性图，图6～图15是分别表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第二～第十一实施方式的俯视图，图16是表示在屏幕左右方向的中央发生的弓形失真，图17～图23是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十二～第十八实施方式的俯视图，图24是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第十九实施方式的基本构成的俯视图，图25和图26是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的第一部件100的透视图，图27是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的第一部件100的俯视图，图28和图29是表示作为第十九实施方式的过饱和扼流圈的一部分的盒体20的透视图，图30是表示将第一部件100向盒体20内安装的中途状态的透视图，图31是表示已将第一部件100安装在盒体20内状态的透视图，图32是表示对图31的状态组装了其他部件状态的透视图，图33是表示第十九实施方式的过饱和扼流圈整体的透视图，图34是表示用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第二十实施方式的透视图。在图2和图3中与图36相同的部分标以相同的标号。(第一实施方式)在图1中，在作为鼓形铁心的过饱和铁心1a、1b上分别绕有阻抗控制线圈2a、2b。在过饱和铁心1a、1b之间配置有产生磁偏置的磁铁5。过饱和铁心1a、1b和磁铁5配置在大致为コ字状的磁心3的两个脚部31、32之间。磁心3的躯干30上绕有饱和控制线圈4。通过过饱和铁心1a、1b和磁铁5以及磁心3，形成封闭磁路6。
如图1所示的第一实施方式的过饱和扼流圈的连接如图2和图3所示。首先，在图2中，阻抗控制线圈2a、2b串联连接，该阻抗控制线圈2a、2b与并联连接的水平偏转线圈12a、12b串联连接。流过水平偏转线圈12a、12b的水平偏转电流全部流过阻抗控制线圈2a、2b。
饱和控制线圈4与二极管电桥电路8的输出(两个输出端子之间)连接，该二极管电桥电路8与串联连接的一对垂直偏转线圈13a、13b串联连接。二极管电桥电路8同与垂直偏转线圈13a、13b串联连接的电阻7是并联连接的。流过垂直偏转线圈13a、13b的垂直偏转电流几乎全部流过饱和控制线圈4。
二极管电桥电路8是使饱和控制线圈4产生的垂直偏转饱和控制磁场在屏幕上侧偏转和屏幕下侧偏转时方向相同的装置。饱和控制线圈4产生的磁场被设定为与磁铁5产生的磁场方向相反。此外，阻抗控制线圈2a、2b卷绕成使其产生彼此方向相反的磁场。
接下来，对图3所示的连接示例进行说明。阻抗控制线圈2a、2b与图2同样串联连接，该阻抗控制线圈2a、2b与并联连接的水平偏转线圈12a、12b串联连接。流过水平偏转线圈12a、12b的水平偏转电流全部流过阻抗控制线圈2a、2b。
饱和控制线圈4由将两根电线成双股状缠绕在一起的两个线圈构成。彼此方向相反的二极管9、10与该两个饱和控制线圈4串联连接。两个饱和控制线圈4和二极管9、10与串联连接的一对垂直偏转线圈13a、13b串联连接。两个饱和控制线圈4和二极管9、10的串联电路同与垂直偏转线圈13a、13b串联连接的电阻7是并联连接的。流过垂直偏转线圈13a、13b的垂直偏转电流几乎全部流过饱和控制线圈4。
二极管9、10是使饱和控制线圈4产生的垂直偏转饱和控制磁场在向屏幕上侧偏转和向屏幕下侧偏转时方向相同的装置。与图2相同，饱和控制线圈4产生的磁场被设定为与磁铁5产生的磁场方向相反，阻抗控制线圈2a、2b卷绕成使其产生彼此方向相反的磁场。图2和图3的过饱和扼流圈的动作相同。
以下参照图4和图5，对该过饱和扼流圈的动作进行说明。图4表示CRT的屏幕上的偏转位置。图5的横轴H表示施加在绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b上的磁场，纵轴L表示阻抗控制线圈2a、2b的电感。图4的C点，即当向屏幕的中心偏转时，水平偏转电流和垂直偏转电流均未流过，所以只有磁铁5产生的磁场HDC产生作用，阻抗控制线圈2a、2b的动作点为图5的P1。
当向图4的MR点偏转时，由于阻抗控制线圈2a、2b卷绕成使其产生的磁场HM彼此方向相反，所以阻抗控制线圈2a的动作点为Ma1，阻抗控制线圈2b的动作点为Mb1。当向图4的R点偏转时，由于阻抗控制线圈2a、2b产生的磁场HR的作用，阻抗控制线圈2a的动作点为Ra1，阻抗控制线圈2b的动作点为Rb1。
接下来，当向图4的T点偏转时，由于不流过水平偏转电流，此外如上所述，由垂直偏转电流而使饱和控制线圈4产生的磁场HV与磁铁5产生的磁场HDC方向相反，所以动作点为P2。当向图4的TTR点偏转时，阻抗线圈2a的动作点为Ma2，阻抗线圈2b的动作点为Mb2。同样，当向图4的TR点偏转时，阻抗线圈2a的动作点为Ra2，阻抗线圈2b的动作点为Rb2。
因此，图4的各偏转点的过饱和扼流圈的电感为MR点的电感LMR＝Ma1+Mb1R点的电感LR＝Ra1+Rb1TTR点的电感LTTR＝Ma2+Mb2TR点的电感LTR＝Ra2+Rb2由于LTR＞LR，所以图4的TR点的水平偏转量小于图4的R点的水平偏转量，从而左右端部的纵线光栅的枕形失真减小。同样，由于LTTR＞LMR，所以图4的TTR点的水平偏转量小于图4的MR点的水平偏转量，从而中央与左右端部之间的大致中央部分的纵线光栅的枕形失真也减小。此时，由于(LTTR-LMR)＞(LTR-LR)，所以中央与左右端部之间的大致中央部分比左右端部的改善量大，从而可以校正图37所示的纵线光栅的枕形失真。(第二实施方式)参照图6，对用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第二实施方式进行说明。在图6中，对与图1实质上相同的部分标以相同的标号。在图6中，绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b在图6的上下方向上并列配置，在其一侧(这里为右侧)配置有磁铁5。过饱和铁心1a、1b和磁铁5配置在大致为コ字形的磁心3的两个脚部31、32之间。磁心3的躯干30上绕有饱和控制线圈4。通过过饱和铁心1a、1b和磁铁5以及磁心3，形成封闭磁路6。
如图6所示的过饱和扼流圈的连接与图2和图3相同。根据该第二实施方式，也可以校正图37所示的纵线光栅的枕形失真。(第三实施方式)参照图7，对用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第三实施方式进行说明。在图7中，对与图1实质上相同的部分标以相同的标号。在图7中，过饱和铁心1具有与两个鼓形铁心形成一个整体的形状，两个绕线部分上绕有阻抗控制线圈2a、2b。在过饱和铁心1的一侧(这里为右侧)配置有磁铁5。过饱和铁心1a、1b和磁铁5配置在大致为コ字形的磁心3的两个脚部31、32之间。磁心3的躯干30上绕有饱和控制线圈4。通过过饱和铁心1a、1b和磁铁5以及磁心3，形成封闭磁路6。
如图7所示的过饱和扼流圈的连接与图2或图3相同。根据该第三实施方式，也可以校正图37所示的纵线光栅的枕形失真。(第四实施方式)参照图8，对用于本发明的偏转线圈的过饱和扼流圈的第四实施方式进行说明。在图8中，对与图1实质上相同的部分标以相同的标号。在图8中，绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b在图8的左右方向上并列配置，并且配置有磁铁5a、5b，将上述过饱和铁心1a、1b夹在中间。过饱和铁心1a、1b和磁铁5a、5b配置在大致为コ字形的磁心3的两个脚部31、32之间。磁心3的躯干30上绕有饱和控制线圈4。通过过饱和铁心1a、1b和磁铁5a、5b以及磁心3，形成封闭磁路6。
如图8所示的过饱和扼流圈的连接与图2和图3相同。根据该第四实施方式，也可以校正图37所示的纵线光栅的枕形失真。
由于以上说明的第一～第四实施方式的过饱和扼流圈的任何一个都形成封闭磁路6，所以可以减少阻抗控制线圈的数量，减少磁铁的数量，实现小型化。此外，也可以减少阻抗控制线圈和饱和控制线圈的匝数，减少使用的电线量。通过第一～第四实施方式的过饱和扼流圈，可以减少构成部件，控制组装工时和成本的上升，而且可以获得优于现有技术的偏转校正特性。因此，本发明的偏转线圈具有优良的偏转校正特性(枕形失真校正特性)，同时可实现低成本。
第一～第四实施方式的过饱和铁心1、1a、1b与磁铁5、5a、5b之间、过饱和铁心1、1a、1b与磁心3之间，磁铁5、5a、5b与磁心3之间既可以彼此接触，如果在不明显减小偏转校正效果的范围内，也可以有若干间隙。本发明不限于以上说明的实施方式，在不违背本发明的要旨的范围内，可以进行各种变更。
但是在以上说明的第一～第四实施方式中，作为磁心3的材质，如果考虑成本和加工的难易程度，使用硅钢板是有效的。在第一～第三实施方式中，由于磁心3与过饱和铁心1、1a、1b接触，或者非常接近，所以当使用金属作为磁心3的材料时，通过过饱和铁心1、1a、1b产生的水平偏转周期的磁场，将在与磁心3的过饱和铁心1、1a、1b接触部分产生涡流而发热。当该发热成为问题时，可以对第一～第三实施方式进行若干改进，分别如下所述构成。(第五实施方式)如图9所示的第五实施方式是对如图1所示的第一实施方式进行改进的实施方式，以不产生发热问题。在图9中，与图1相同的部分标以相同的标号，并省略其说明。如图9所示，在磁心3的脚部31、32和过饱和铁心1a、1b之间插入由不易产生涡流的磁体构成的磁块11a、11b。作为一个优选的例子，磁块11a、11b由铁氧体构成。由于磁块11a、11b介于磁心3的脚部31、32和过饱和铁心1a、1b之间，所以可以减小在磁心3中产生的涡流，抑制发热。而且磁块11a、11b自身中也不产生涡流，从而磁块11a、11b不发热。
由于即使插入磁块11a、11b也会保持闭合磁路6，所以对上述过饱和扼流圈的动作(失真的校正特性)没有任何影响。根据该第五实施方式，与第一实施方式相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得30℃的温度降低效果。(第六实施方式)如图10所示的第六实施方式是对如图6所示的第二实施方式进行改进的实施方式，以不产生发热问题。在图10中，与图6相同的部分标以相同的标号，并省略其说明。如图10所示，在磁心3的脚部31、32和过饱和铁心1a、1b之间插入由不易产生涡流的磁体构成的磁块11。作为一个优选的例子，磁块11由铁氧体构成。由于磁块11介于磁心3的脚部31、32和过饱和铁心1a、1b之间，所以可以减小在磁心3中产生的涡流，抑制发热。而且磁块11自身中也不产生涡流，从而磁块11不发热。
由于即使插入磁块11也会保持封闭磁路6，所以对上述过饱和扼流圈的动作(失真的校正特性)没有任何影响。根据该第六实施方式，与第二实施方式相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得30℃的温度降低效果。(第七实施方式)如图11所示的第七实施方式是对如图7所示的第三实施方式进行改进的实施方式，以不产生发热问题。在图11中，与图7相同的部分标以相同的标号，并省略其说明。如图11所示，在磁心3的脚部31和过饱和铁心1之间插入由不易产生涡流的磁体构成的磁块11。由于磁块11介于磁心3的脚部31和过饱和铁心1之间，所以可以减小在磁心3中产生的涡流，抑制发热。而且磁块11自身中也不产生涡流，从而磁块11不发热。
由于即使插入磁块11也会保持封闭磁路6，所以对上述过饱和扼流圈的动作(失真的校正特性)没有任何影响。根据该第七实施方式，与第三实施方式相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得30℃的温度降低效果。
在第五～第七实施方式中，使用铁氧体作为磁块11、11a、11b，但只要是不易产生涡流(或不产生涡流)的磁体，也可以使用其他的材料。当磁心3的材料使用铁氧体等不产生涡流的材料时，由于不会发生发热问题，所以在这种情况下，没有必要特别采用第五～第七实施方式，而可以采用第一～第三实施方式。(第八实施方式)如图12所示的第八实施方式是对如图10所示的第六实施方式进行改进的实施方式，以获得更好的温度降低效果。在图12中，与图10相同的部分标以相同的标号，并省略其说明。如图12所示，在磁心3的脚部31和过饱和铁心1a、1b之间插入磁块11a。此外，在磁心3的脚部32和磁铁5之间也插入磁块11b。
在第八实施方式中，由于磁铁5以及磁块11b介于磁心3的脚部32和过饱和铁心1a、1b之间，所以可以减小在磁心3的脚部32中产生的涡流，与图10所示的第六实施方式相比，可以进一步抑制发热。根据该第八实施方式，与第二实施方式相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得36℃的温度降低效果。其温度降低效果比第六实施方式还要好6℃。(第九实施方式)如图13所示的第九实施方式是如图12所示的第八实施方式的变形例，其区别在于交换了磁铁5和磁块11b的位置。即，在过饱和铁心1a、1b和磁铁5之间插入磁块11b。该第九实施方式的温度降低效果与第八实施方式大致相同。(第十实施方式)如图14所示的第十实施方式是对如图11所示的第七实施方式进行改进的实施方式，以获得更好的温度降低效果。在图14中，与图11相同的部分标以相同的标号，并省略其说明。如图14所示，在磁心3的脚部31和过饱和铁心1之间插入磁块11a。此外，在磁心3的脚部32和磁铁5之间插入磁块11b。
在第十实施方式中，由于磁铁5以及磁块11b介于磁心3的脚部32和过饱和铁心1之间，所以可以减小在磁心3的脚部32中产生的涡流，与图11所示的第七实施方式相比，可以进一步抑制发热。根据该第十实施方式，与第三实施方式相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得36℃的温度降低效果。其温度降低效果比第七实施方式还要好6℃。(第十一实施方式)如图15所示的第十一实施方式是如图14所示的第十实施方式的变形例，其区别在于交换了磁铁5和磁块11b的位置。即，在过饱和铁心1和磁铁5之间插入磁块11b。该第十一实施方式的温度降低效果与第十实施方式大致相同。
但是，最近的显示装置还组合有各种光栅失真校正功能。由于该光栅失真校正功能而造成的屏幕左右的校正特性的非对称性等，所以如图16(A)、(B)所示，会在屏幕左右方向的中央产生纵线光栅的弓形失真的情况。如图17～图21所示的实施方式是在上述基本构成的基础上而构成的，以校正如图16(A)、(B)所示的纵线光栅的失真。在图17～图21中，与图1、图6～图11相同的部分标以相同的标号，并适当省略其说明。(第十二实施方式)如图17所示的第十二实施方式是对如图10所示的第六实施方式改进的实施方式，以校正如图16(A)、(B)所示的纵线光栅的失真。比较图17和图10可知，在图17所示的第十二实施方式中，使磁铁5的位置向图17的下方偏移。即磁铁5不是与过饱和铁心1a、1b均等地接触而配置，而是使其与两个凸缘不均等地接触而配置。
由此，磁铁5与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘接触的面积彼此是不同的。这样，施加于过饱和铁心1a、1b的磁偏置是彼此不同的，绕在过饱和铁心1a、1b上的阻抗控制线圈2a、2b的电感是彼此不同的。阻抗控制线圈2a的电感大于阻抗控制线圈2b的电感。
如果阻抗控制线圈2a、2b的电感彼此相等，则由于阻抗控制线圈2a、2b卷绕成使其产生彼此方向相反的磁场，所以由饱和控制线圈4的磁场产生的流过阻抗控制线圈2a、2b的感应电流互相抵消。但是，在如图17所示的构成中，在阻抗控制线圈2a、2b的电感中产生差时，感应电流也产生差，不会互相抵消。
这样，该感应电流流过连接在阻抗控制线圈2a、2b上的水平偏转线圈12a、12b，在屏幕上侧和下侧使电子束向水平方向偏转。其结果是，如图16(A)、(B)所示，可以在屏幕上侧和下侧使纵线光栅变为弓形。因此，有意识地使阻抗控制线圈2a、2b的电感产生不平衡，以使磁铁5产生的向过饱和铁心1a、1b的磁偏置变化，抵消在屏幕左右方向的中央的纵线光栅的弓形失真。
由此，如图17所示的第十二实施方式可以校正如图16所示的纵线光栅的弓形失真。纵线光栅变化的方向，即究竟成为图16(A)、(B)中的哪一个，由阻抗控制线圈2a、2b的电感的大小关系和方向决定。(第十三实施方式)作为对图17的磁铁5的替代，如图18所示的第十三实施方式使用较其长度短的磁铁50。图17的磁铁5具有与过饱和铁心1a、1b的凸缘的两端间距离大致相等的长度，但图18的磁铁50具有比其两端间距离短的长度。在图18的例子中，磁铁50配置成其长方向的一端与过饱和铁心1b的凸缘的端部对齐。
在该第十三实施方式中，磁铁50也是与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘不均等地接触，所以施加于过饱和铁心1a、1b上的磁偏置彼此不同，绕在过饱和铁心1a、1b上的阻抗控制线圈2a、2b的电感彼此不同。阻抗控制线圈2a的电感大于阻抗控制线圈2b的电感。因此，与第十二实施方式相同，可以校正如图16所示的纵线光栅的弓形失真。(第十四实施方式)作为图17的磁铁5的替代，如图19所示的第十四实施方式使用彼此大小不同的两个磁铁50a、50b。磁铁50a小于磁铁50b。磁铁50b具有与过饱和铁心1b的凸缘的两端间距离大致相等的长度，而磁铁50a具有比过饱和铁心1a的凸缘两端间距离短的长度。根据该第十四实施方式，也可以校正如图16所示的纵线光栅的弓形失真。(第十五实施方式)如图20所示的第十五实施方式是对如图8所示的第四实施方式改进的实施方式，以校正如图16(A)、(B)所示的纵线光栅的失真。比较图20和图8可知，在图20所示的第十五实施方式中，使磁铁5a的位置向图20的下方偏移。在上述构成中，施加于过饱和铁心1a、1b的磁偏置也是彼此不同的，阻抗控制线圈2a的电感大于阻抗控制线圈2b的电感。因此，根据该第十五实施方式，也可以校正如图16所示的纵线光栅的弓形失真。(第十六实施方式)作为对图20的磁铁5a的替代，如图21所示的第十六实施方式使用较其长度短的磁铁50a。磁铁50a小于磁铁50b。因此，施加于过饱和铁心1a、1b的磁偏置彼此不同，阻抗控制线圈2a的电感大于阻抗控制线圈2b的电感。根据该第十六实施方式，也可以校正如图16所示的纵线光栅的弓形失真。
在第十二～第十六实施方式中，作为使磁偏置不同的方法，是使与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘接触的磁铁的位置偏移，或者使磁铁的长度不同。但也可以使与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘接触的磁铁的厚度或形状不同，或者使磁化量不同。
在如图12～图15所示的第八～第十一实施方式中，当发生如图16(A)、(B)所示的屏幕左右方向的中央发生纵线光栅的弓形失真时，校正该失真，与第十二～第十六实施方式相同，只要使由磁铁5产生的向过饱和铁心1a、1b的磁偏置不同即可。
如上所述，如图12所示的第八实施方式与如图13所示的第九实施方式相比，其温度降低效果没有差别，但在使磁偏置不同而校正纵线光栅的弓形失真时，磁铁5接近过饱和铁心1a、1b的第八实施方式其失真校正效果好。因此，就屏幕左右方向的中央的纵线光栅的失真校正效果来说，第八实施方式优于第九实施方式。同样，第十实施方式的失真校正效果优于第十一实施方式。(第十七实施方式)当使过饱和扼流圈动作时，过饱和铁心1、1a、1b以水平偏转周期振动，绕有饱和控制线圈4的磁心3以垂直偏转周期振动，与和它们连接的磁铁5、5a、5b、50、50a和磁块11、11a、11b碰撞，产生噪音(蜂鸣音)。如图22所示的第十七实施方式是改进第六实施方式，抑制蜂鸣音的产生的实施方式。
在图22中，在过饱和铁心1a、1b和磁块11之间、过饱和铁心1a、1b和磁铁5之间，设有聚酯胶带15a、15b。作为一个例子，聚酯胶带15a贴在磁块11上，聚酯胶带15b贴在磁铁5上。由于设置了聚酯胶带15a、15b，在过饱和铁心1a、1b和磁块11之间，以及过饱和铁心1a、1b和磁铁5之间的部分，在封闭磁路6中形成磁间隙。聚酯胶带15a、15b的厚度为0.1mm左右，对过饱和扼流圈的动作不会产生特别的影响。
根据上述构成，可以大幅度抑制由于过饱和铁心1a、1b振动与磁块11和磁铁5碰撞而产生的蜂鸣音。也可以使用其他振动吸收物质(缓冲材料)来代替聚酯胶带15a、15b，也可以在过饱和扼流圈的盒体上设置支撑肋来形成一个空间。(第十八实施方式)在图23中，在磁心3的脚部31和磁块11之间、磁心3的脚部32和磁铁5之间，设有聚酯胶带15a、15b。作为一个例子，聚酯胶带15a贴在磁块11上，聚酯胶带15b贴在磁铁5上。该第十八实施方式也与第十七实施方式相同，可以大幅度抑制蜂鸣音的产生。
在第十七、第十八实施方式中，设置了封闭磁路6的两个磁间隙，但如果在过饱和铁心1a、1b的两端、磁心3的脚部31和磁块11之间、磁心3的脚部32和磁铁5之间的四处中的任何一处设置磁间隙，都可以降低蜂鸣音。如果增加封闭磁路6的磁间隙的数量，可以增加蜂鸣音的降低效果。根据设置了两处磁间隙的第十七、第十八实施方式，可以确认能改善到实用上没有问题的程序。
第十七、第十八实施方式是在如图10所示的第六实施方式中设置了用于降低蜂鸣音的聚酯胶带15a、15b，在其他实施方式中也可以采用完全相同的构成。(第十九实施方式)第十九实施方式是当将如图10所示的第六实施方式的过饱和扼流圈作为实际安装在偏转线圈上的部件而形成时，一个优选结构的例子。首先，对第十九实施方式的过饱和扼流圈的基本构成进行说明。在图24中，在作为鼓形铁心的过饱和铁心1a、1b上分别绕有阻抗控制线圈2a、2b。过饱和铁心1a、1b在图24的上下方向上并列配置。在过饱和铁心1a、1b的一侧(这里为右侧)配置有施加磁偏置的磁铁5，在另一侧(这里为左侧)配置有由不易产生涡流的磁铁形成的磁块11。作为一个优选例，磁块11由铁氧体构成。
过饱和铁心1a、1b和磁铁5以及磁块11配置在大致为コ字形的磁心3的两个脚部31、32之间。在磁心3的躯干30上安装有由树脂形成的线圈架14，包围在躯干30的中间。线圈架14上绕有饱和控制线圈4。根据以上的构成，通过过饱和铁心1a、1b、磁铁5、磁块11、磁心3，形成如图中虚线所示的封闭磁路6。该图24所示的过饱和扼流圈可如图2和图3一样连接。
如图24的构成的磁块11可以减小在磁心3中产生的涡流，由此可以抑制磁心3的发热。而且在磁块11自身中实际上也不产生涡流，所以磁块11几乎不发热。由于即使插入磁块11也会保持封闭磁路6，所以对上述过饱和扼流圈的动作(失真的校正特性)不会产生任何影响。根据上述构成，与没有磁块11的构成相比，在不减少失真的校正量的情况下，可以获得大约30℃的温度降低效果。此外，当可以不考虑发热问题时，可以去除磁块11。
接下来，利用图25～图33，对包括第十九实施方式的过饱和扼流圈的盒体的更为具体的构成进行详细说明。首先，图25～图27表示由磁心3、饱和控制线圈4以及线圈架14构成的第一部件100。图25和图26是第一部件100的透视图，图27是第一部件100的俯视图。在图25、图26中省略了饱和控制线圈4的图示。
在利用图24的说明中，磁心3呈大致的コ字形，但在本实施方式中，脚部31、32不在一个平面上，而是如图25～图27所示的形状。即，脚部31、32从整个躯干30侧开始在大约1/3的地方，在与躯干30大致平行的方向上向内侧弯折，而且在大约2/3的地方向与躯干30大致直交的方向弯折。这样弯折的脚部31、32的各个部分分别被称为基础部分31a、32a，中间部分31b、32b，以及前端部分31c、32c。从图25可知，在前端部分31c、32c上，在其宽度方向的大致中央部分形成狭缝31cs、32cs。
作为一个例子，具有上述形状的磁心3由JIS规格50A470的厚度t为0.5的电磁钢板制成，是通过将一片平面状的钢板弯折而形成的。在本实施方式中，两片磁心3a层叠在磁心3的躯干30上，线圈架14包围着躯干30和磁心3a的三片钢板。磁心3a是为了获得作为过饱和扼流圈所希望的校正特性而插入的，其片数是任意的，也可以根据情况去除。
线圈架14通过插入成形安装在躯干30和磁心3a上，但并不限于此。也可以例如通过合页将自由弯折的部件弯折，嵌入躯干30和磁心3a中而构成。
在线圈架14的两端形成凸缘14a、14b，在该凸缘14a、14b上分别形成用于缠绕绕在线圈架14上的饱和控制线圈4的引线的大致为锚状的突起14c。此外，在凸缘14a、14b的磁心3的脚部31、32一侧的端部，形成用于嵌入后面说明的第二部件200的盒体20的突起14d、14e。突起14d在设置凸缘14a、14b的突起14c的一侧的端部向外方向突出，突起14e在凸缘14a、14b的另一侧端部向与凸缘14a、14b的平面平行的方向突出。
接下来，利用图28～图33，对由绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b、磁铁5、磁块11以及用于容纳上述部件的盒体20构成的第二部件200，以及将第一部件100向第二部件200内安装的方法进行说明。
图28、图29表示盒体20，图28是从容纳绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b、磁铁5以及磁块11一侧看的透视图，图29是从相反一侧看的透视图。首先，利用图28对容纳侧的详细构造进行说明。如图28所示，盒体20由容纳侧半体20a和盖侧半体20b构成，容纳侧半体20a和盖侧半体20b的连接部分为合页20c。盖侧半体20b通过合页20c，可以对容纳侧半体20a自由开闭。作为一个例子，盒体20由合页20c的弯曲特性优良的聚丙烯树脂一体形成。
容纳侧半体20a具有用于容纳过饱和铁心1a、1b的容纳室20a1、20a2、用于容纳磁铁5的容纳室20a3、以及容纳磁块11的容纳室20a4。
这些容纳室20a1～20a4的具体构成如下。在容纳侧半体20a的底部形成两个立壁20a6，具有与过饱和铁心1a、1b的各个凸缘分别接触的倾斜面20a5，在中央的倾斜面20a5之间形成柱状突起20a7。两个立壁20a6之间是过饱和铁心1a、1b的容纳室20a1、20a2。容纳室20a1、20a2通过柱状突起20a7被彼此划分开。两个立壁20a6的两个外侧分别是用于容纳磁铁5的容纳室20a3和容纳磁块11的容纳室20a4。
此外，在容纳侧半体20a的合页20c侧的端部附近形成壁20a8i，在与合页20c相反一侧的端部附近形成壁20a8o。上述两个立壁20a6形成于上述壁20a8i和20a8o之间。在与容纳侧半体20a的合页相反一侧的端部形成钩状突起。
另一方面，在盖侧半体20b上形成在与合页20c相同方向上延伸的细长板状肋20b1，以及与板状肋20b1邻接的细长板状肋20b2。此外，在盖侧半体20b上形成散热用的两个开口20b3。在盖侧半体20b的宽度方向的两个端部形成台阶状的壁20b4。一对壁20b4之间的距离Lb4比上述磁心3的脚部31、32的前端31c、32c的外侧的间隔Lco(参照图27)稍大。
此外，在设置于与盖侧半体20b的合页20c相反一侧的端部的壁20b5的内面一侧，在壁20b4的附近形成肋20b6。在与盖侧半体20b的合页20c相反一侧的端部，在壁20b5的上端面形成嵌合孔20b7。在盖侧半体20b的宽度方向的两端，形成用于将该过饱和扼流圈安装在图中未表示的基板等上的钩状突起20b8。
过饱和铁心1a、1b、磁铁5、磁块11分别容纳在容纳室20a1～20a4中，当将盖侧半体20b折叠起来时，盖侧半体20b上形成的板状肋20b1与过饱和铁心1a、1b的各个凸缘上端接触，容纳侧半体20a和盖侧半体20b将过饱和铁心1a、1b夹在中间，板状肋20b2与磁铁5、磁块11的上端接触，容纳侧半体20a和盖侧半体20b将磁铁5、磁块11夹在中间。
此时，容纳侧半体20a的钩状突起20a9插入盖侧半体20b的嵌合孔20b7中，从而容纳侧半体20a和盖侧半体20b嵌合在一起，盖侧半体20b成为对着容纳侧半体20a关闭的状态。
接下来，利用图29对与容纳侧相反一侧的里面一侧的详细构造进行说明。如图29所示，在容纳侧半体20a的宽度方向的两端形成导向壁20a10。一对导向壁20a10之间的距离La10与上述线圈架14的凸缘14a、14b的外侧间隔L14(参照图27)大致相等。与导向壁20a10邻接的容纳侧半体20a里面的底部成为导向面20a11。
第一部件100可以在容纳侧半体20a的里面自由滑动。图30表示将第一部件100在容纳侧半体20a的里面安装、滑动到中途的状态。在图30中省略了绕在线圈架14上的饱和控制线圈4的图示。第一部件100设置将有凸缘14a、14b的突起14e的一侧在前面，安装在容纳侧半体20a的里面。此时，导向壁20a10和导向面20a11对凸缘14a、14b进行导向。容纳侧半体20a的导向壁20a10和导向面20a11起到作为保持第一部件100自由滑动状态的保持装置的作用。
现在回到图29，在导向面20a11的内侧的容纳侧半体20a两侧的合页20c一侧的端部，形成孔20a12，与突起14e几乎无间隙地配合。此外，在导向壁20a10的前侧(插入第一部件100一侧)，形成凹部20a13，与凸缘14a、14b的突起14d几乎无间隙地配合。如图30所示，当第一部件100滑动到箭头A所示的最里侧时，则凸缘14a、14b的突起14e嵌入容纳侧半体20a的孔20a12中，突起14d嵌入凹部20a13，第一部件100对容纳侧半体20a定位。
由此，第一部件100在与容纳侧半体20a的底面直交的如图30所示的箭头B方向上的位置受到限制。此外，由于突起14d、14e几乎无间隙地分别嵌入凹部20a13、孔20a12，所以第一部件100在滑动方向(箭头A方向及其相反方向)上的位置也受到一定程度的限制。此时，第一部件100相对于容纳侧半体20a处于被固定的状态。突起14d、14e以及与其嵌合的凹部20a13、孔20a12起到将第一部件100临时固定在容纳侧半体20a内的临时固定装置的作用。
如上所述，第一部件100安装到容纳侧半体20a的里面后，将绕有阻抗控制线圈2a、2b的过饱和铁心1a、1b、磁铁5、磁块11分别放入容纳侧半体20a的容纳室20a1～20a4中。图31表示各部件放入容纳室20a1～20a4之前的状态，图32表示各部件放入容纳室20a1～20a4之后的状态。在图31和图32中，为了简化，省略了阻抗控制线圈2a、2b的图示。
参照图31、图32可知，在将第一部件100安装在容纳侧半体20a里面的状态下，磁心3的脚部31、32的中间部分31b、32b向容纳侧半体20a的内侧延伸，一直到容纳室20a3、20a4的附近。由此，将第一部件安装到容纳侧半体20a的里面，即使滑动到中途，第一部件100也不会从容纳侧半体20a上落下来。磁心3的脚部31、32的前端31c、32c位于容纳室20a3、20a4的两外侧。
磁铁5的厚度、过饱和铁心1a、1b的纵向长度以及磁块11的厚度的总尺寸比脚部31、32的前端31c、32c的内侧间隔Lci(参照图27)稍大。使前端31c、32c的间隔略向外方向挠曲，然后将过饱和铁心1a、1b、磁铁5以及磁块11分别放入容纳室20a1～20a4，从而磁心3挤压保持上述全部部件。
为了使插入容易且获得合适的挤压力，磁铁5的厚度、过饱和铁心1a、1b的纵向长度以及磁块11的厚度的总尺寸与脚部31、32的前端31c、32c的内侧间隔Lci的差最好在0.3mm左右。
如上所述，由于在前端31c、32c的宽度方向的大致中央部位形成狭缝31cs、32cs，所以被狭缝31cs、32cs分割的前端31c、32c的各片可以独立弯曲。由此，各部件的插入变得容易，同时各片可以很好地夹持部件整体。
即，即使过饱和铁心1a、1b的纵方向的尺寸有一些误差，也可以吸收该误差，对各个过饱和铁心1a、1b施加均匀的挤压力。由此，不会发生短方的过饱和铁心窜动，或者磁铁5、磁块11之间产生间隙而无法形成封闭磁路6等问题。
如图32所示，将各部件放入容纳侧半体20a，将阻抗控制线圈2a、2b的引线(未图示)向规定位置引出，以合页20c为中心使盖侧半体20b向容纳侧半体20a方向弯折，并且使钩状突起20a9嵌入嵌合孔20b7。由此，如图33所示，可以获得将第一部件100和第二部件200一体化的本发明的过饱和扼流圈。
在图33的状态下，盖侧半体20b的壁20b4的端面20b41大致与磁心3的脚部31、32的中间部分31b、32b的合页20c的相反一侧端面接触，所以第一部件100最终在滑动方向(图30的箭头A方向及其相反方向)的位置受到限制。即，在盖侧半体20b对着容纳侧半体20a打开状态下，安装到容纳侧半体20a内的第一部件100如上所述对上述容纳侧半体20a(盒体20)处于临时固定的状态，当使盖侧半体20b对容纳侧半体20a关闭时，第一部件100相对于盒体20几乎没有间隙地固定。
此外，在图33的状态下，盖侧半体20b的两个肋20b6大致与容纳侧半体20a的壁20a8o的宽度方向的两个外侧接触，从而可以防止容纳侧半体20a与盖侧半体20b在宽度方向上的间隙。根据以上构成，即使将第一部件100和第二部件200一体化之后，也可以再次分解第一部件100和第二部件200，但也可以在如图33所示的过饱和扼流圈上涂覆粘接剂，将过饱和扼流圈整体固定。
根据上述构成，本发明的过饱和扼流圈以及使用该过饱和扼流圈的偏转线圈可以校正如图37所示的纵线光栅的枕形失真，具有与现有技术同等以上的偏转校正特性，同时可以减少部件数量以及组装工时，从而实现低成本。(第二十实施方式)第二十实施方式是在上述图24～图33基本构成的基础上而构成的，以校正如图16(A)、(B)所示的纵线光栅的弓形失真。在图34中，与图25～图33相同的部分标以相同的标号，并适当省略其说明。
比较图34和图32可知，在如图34所示的第二十实施方式中，作为磁铁5的替代，使用比其长度短的磁铁50。图32的磁铁5具有与过饱和铁心1a、1b的凸缘的两端之间距离大致相等的长度，而图34的磁铁50具有比该两端之间距离短的长度。在图34的例子中，磁铁50其纵方向一侧的端部配置成与壁20a8i接触。
磁铁50不是与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘均等地接触，而是配置成与两个凸缘不均等地接触。由此，磁铁50与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘的接触面积是彼此不同的。从而，施加于过饱和铁心1a、1b的磁偏置是彼此不同的，绕在过饱和铁心1a、1b的阻抗控制线圈2a、2b的电感是彼此不同的。
当在如图34构成的阻抗控制线圈2a、2b的电感上产生差异时，感应电流中也产生差异，不会互相抵消。由此，如图16(A)、(B)所示，使屏幕上侧和下侧的纵线光栅变为弓形，从而可以抵消屏幕左右方向的中央的纵线光栅的弓形失真。
在图34的第二十实施方式中，作为使磁偏置相异的方法，可以使磁铁50与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘的接触面积不同，但也可以使形状不同的磁铁与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘接触，或者使着磁量不同的磁铁与过饱和铁心1a、1b的两个凸缘接触。
本发明不限于以上说明的实施方式，在不违背本发明的要旨范围内，可以进行各种变更。例如，在没有必要考虑发热问题的情况下，也可以不使用磁块11。当然，如果去除磁块11，则上述机构的构成要进行相应的修改。
正如以上详细说明的一样，本发明的偏转线圈作为用于校正偏转特性的过饱和扼流圈，包括至少一个过饱和铁心；阻抗控制线圈，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁，对过饱和铁心施加磁偏置；磁心，与过饱和铁心和磁铁共同形成封闭磁路；饱和控制线圈，绕在上述磁心上，流过垂直偏转电流。此外，由于还设置有使饱和控制线圈产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时的方向相同的装置，所以本发明具有与现有技术同等以上的偏转校正特性，同时可以减少部件数量以及组装工时，从而实现偏转线圈的低成本。
在上述构成的基础上，通过将不易产生涡流的磁体置于过饱和铁心和磁心之间，可以大幅度减少发热量。此外，在具有多个过饱和铁心的构成中，由于磁铁对多个过饱和铁心施加互相不同的磁偏置，所以可以校正屏幕左右方向的中央的纵线光栅的弓形失真。
此外，本发明的过饱和扼流圈由以下部件构成至少一个过饱和铁心；阻抗控制线圈，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁，对过饱和铁心施加磁偏置；磁心，与过饱和铁心和磁铁共同形成封闭磁路；线圈架，安装在磁心上；饱和控制线圈，绕在上述线圈架上，流过垂直偏转电流；盒体，容纳绕有阻抗控制线圈的过饱和铁心和磁铁。磁心和绕有饱和控制线圈的线圈架构成第一部件，该第一部件安装在盒体内。由此，根据本发明，可以减少部件数量以及组装工时，实现低成本。
权利要求
1.一种偏转线圈，具有水平偏转线圈、垂直偏转线圈、用于校正偏转特性的过饱和扼流圈，其特征在于，上述过饱和扼流圈由以下部件构成至少一个过饱和铁心；阻抗控制线圈，绕在上述过饱和铁心上，与上述水平偏转线圈连接；至少一个磁铁，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；饱和控制线圈，绕在上述磁心上，流过垂直偏转电流，此外，还具有使上述饱和控制线圈产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时相同的装置。
2.根据权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于，上述装置是与上述垂直偏转线圈以及上述饱和控制线圈连接的二极管电桥电路。
3.根据权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于，上述饱和控制线圈由并联连接的第一和第二线圈构成，上述装置是分别与上述第一和第二线圈彼此反向连接的二极管。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的偏转线圈，其特征在于，在上述过饱和铁心和上述磁心之间，设置有不易产生涡流的磁体。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的偏转线圈，其特征在于，具有多个过饱和铁心，上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加彼此不同的磁偏置。
6.根据权利要求5所述的偏转线圈，其特征在于，上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心接触，并使上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心的接触面积彼此不同，由此上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加不同的磁偏置。
7.一种过饱和扼流圈，用于校正偏转特性，其特征在于，由以下部件构成至少一个过饱和铁心；阻抗控制线圈，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；线圈架，安装在上述磁心上；饱和控制线圈，绕在上述线圈架上，流过垂直偏转电流；盒体，容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁，上述磁心和绕有上述饱和控制线圈的上述线圈架构成第一部件，该第一部件安装在上述盒体内。
8.根据权利要求7所述的过饱和扼流圈，其特征在于，上述盒体由以下部件构成容纳侧半体，具有容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁的容纳室；盖侧半体，与上述容纳侧半体连接，形成为可以对着上述容纳侧半体自由开闭，上述容纳侧半体具有使上述第一部件保持自由滑动的保持装置。
9.根据权利要求8所述的过饱和扼流圈，其特征在于，上述容纳侧半体具有将上述第一部件临时固定在上述容纳侧半体的临时固定装置，通过将上述盖侧半体对着上述容纳侧半体关闭，上述第一部件被固定在上述盒体内。
10.根据权利要求7至9任意一项所述的过饱和扼流圈，其特征在于，上述磁心挤压支持上述过饱和铁心和上述磁铁。
11.根据权利要求7至10任意一项所述的过饱和扼流圈，其特征在于，具有多个过饱和铁心，上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加彼此不同的磁偏置。
12.根据权利要求11所述的过饱和扼流圈，其特征在于，上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心接触，并使上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心的接触面积彼此不同，由此上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加不同的磁偏置。
13.一种偏转线圈，具有水平偏转线圈、垂直偏转线圈、用于校正偏转特性的过饱和扼流圈，其特征在于，上述过饱和扼流圈由以下部件构成至少一个过饱和铁心；阻抗控制线圈，绕在上述过饱和铁心上，与水平偏转线圈连接；至少一个磁铁，对上述过饱和铁心施加磁偏置；磁心，与上述过饱和铁心和上述磁铁共同形成封闭磁路；线圈架，安装在上述磁心上；饱和控制线圈，绕在上述线圈架上，流过垂直偏转电流；盒体，容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁，上述磁心和绕有上述饱和控制线圈的上述线圈架构成第一部件，该第一部件安装在上述盒体内，此外，还具有使上述饱和控制线圈产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时相同的装置。
14.根据权利要求13所述的偏转线圈，其特征在于，上述盒体由以下部件构成容纳侧半体，具有容纳绕有上述阻抗控制线圈的上述过饱和铁心和上述磁铁的容纳室；盖侧半体，与上述容纳侧半体连接，形成为相对于上述容纳侧半体可以自由开闭，上述容纳侧半体具有使上述第一部件保持自由滑动的保持装置。
15.根据权利要求14所述的偏转线圈，其特征在于，上述容纳侧半体具有将上述第一部件临时固定在上述容纳侧半体的临时固定装置，通过将上述盖侧半体对着上述容纳侧半体关闭，上述第一部件被固定在上述盒体内。
16.根据权利要求13至15任意一项所述的偏转线圈，其特征在于，上述磁心挤压支持上述过饱和铁心和上述磁铁。
17.根据权利要求13至16任意一项所述的偏转线圈，其特征在于，具有多个过饱和铁心，上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加彼此不同的磁偏置。
18.根据权利要求17所述的偏转线圈，其特征在于，上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心接触，并使上述磁铁分别与上述多个过饱和铁心的接触面积彼此不同，由此上述磁铁对上述多个过饱和铁心施加不同的磁偏置。
全文摘要
本发明提供一种低成本的偏转线圈，该偏转线圈设有过饱和扼流圈，具有与现有技术同等以上的偏转校正特性，同时减少了部件数量和组装工时。过饱和扼流圈由以下部件构成过饱和铁芯1a、1b；阻抗控制线圈2a、2b，绕在过饱和铁芯1a、1b上，与水平偏转线圈连接；磁铁5，对过饱和铁芯1a、1b施加磁偏置；磁芯3，形成封闭磁路6；饱和控制线圈4，绕在磁芯3上，流过垂直偏转电流。饱和控制线圈4产生的垂直偏转饱和控制磁场的方向在屏幕上侧偏转时和屏幕下侧偏转时的方向相同。
文档编号H01J29/76GK1393904SQ02122590
公开日2003年1月29日 申请日期2002年6月14日 优先权日2001年6月27日
发明者野泽崇浩, 横塚克久, 长南雄介 申请人:日本胜利株式会社