等离子体显示器的制作方法

文档序号:2936735阅读:168来源:国知局
专利名称:等离子体显示器的制作方法
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示(Plasma Display)器,更具体来说,涉及等离子体显示器中所具备的面板(Panel)。
背景技术
等离子体显示板是形成于上部基板和下部基板之间的隔壁构成一个单位小室的构件,在各小室内填充有含有氖(Ne)、氦(He)、或氖及氦的混合气体(Ne+He)之类的主放电气体和少量氙的惰性气体。在利用高频电压放电时,惰性气体产生真空紫外线(Vacuum Ultraviolet rays),使形成于隔壁间的荧光体发光而显现出图像。此种等离子体显示板由于可以实现薄而轻的构成,因此作为下一代显示装置受到关注。
图1是表示一般的等离子体显示板的构造的图。如图1所示,等离子体显示板将上部面板100及下部面板110以在其间隔开一定距离地平行的方式结合,其中,上部面板100在作为显示图像的显示面的上部基板101上排列有成对地形成了扫描电极102及保持电极103的多个维持电极对,下部面板110在构成背面的下部基板111上与多个前述维持电极对交叉地排列有多个寻址电极113。
上部面板100成对地含有由用透明的ITO(Indium Tin Oxide)形成的透明电极102a、103a与总线电极102b、103b构成的扫描电极102及保持电极103。扫描电极102及保持电极103由上部电介质层104覆盖,在上部电介质层104上形成有保护层105。
下部面板110含有用于划分放电小室的隔壁112。另外,多个寻址电极113相对隔壁112平行地被配置。在寻址电极113上涂布有R(Red)、G(Green)、B(Blue)荧光体114。在寻址电极113和荧光体114之间形成有下部电介质层115。
另一方面,以往的等离子体显示板的构成扫描电极11或保持电极12的透明电极11a、12a由高价的ITO(Indium Tin Oxide)制成。透明电极11a、12a成为使等离子体显示板的制造成本上升的原因。所以,最近将着眼点放在制造可减少制造费用且确保使用者视听时获得足够的视觉特性及驱动特性等的等离子体显示板。

发明内容
本发明是为了解决前述的以往技术的问题而提出的,其目的在于,提供在等离子体显示器所具备的面板中可以将由ITO制成的透明电极除去而降低面板制造成本的等离子体显示器。
为此,根据本发明的等离子体显示器的特征是,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,其中,前述第一、二电极当中的至少一个由单一层(one layer)形成,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括含有玻璃粒子的无机成分、和含有感光性化合物的有机成分。
最好前述第一、二电极当中的至少一个包括形成于与前述第三电极交叉的方向上的线路部;从前述线路部中突出的突出部。
前述无机成分最好含有60重量%以上的前述玻璃粒子,前述无机成分的平均折射率与前述有机成分的平均折射率的差最好在0.2以下。另外,前述无机成分的平均折射率最好在1.5~1.65。
前述隔壁的上宽度最好为30至50μm,前述隔壁的下宽度最好为60至80μm,前述隔壁的高度最好为100至140μm。
前述隔壁的介电常数最好为6至10,在前述上部基板和下部基板当中的至少一个基板上最好形成有具有30至40μm的厚度的电介质层。
前述隔壁的上宽度与前述电介质层的厚度最好具有5∶3至3∶4的比率,前述隔壁的下宽度与前述电介质层的厚度最好具有8∶3至3∶2的比率。前述上部基板与下部基板结合而形成的等离子体显示板最好含有0.1重量%或1000PPM以下的铅(Pb)。
前述感光性材料最好含有50至96重量%的无机成分和5至50重量%的有机成分,前述无机成分最好含有氧化钛(TiO2)。前述玻璃粒子最好含有3至20重量%的氧化锂、氧化钠及氧化钾当中的至少一个,或含有5至50重量%的氧化铋(bismuth)、氧化铅当中的至少一个。
前述玻璃粒子最好含有5至30重量%的氧化铋(bismuth)、氧化铅当中的至少一个,且含有3至15重量%的氧化锂、氧化钠及氧化钾当中的至少一个。最好在前述上部基板上形成有电介质层,前述第一、二电极当中的至少一个与前述电介质层相比颜色更暗。
根据本发明,另一个的等离子体显示器的特征是,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,其中,前述第一、二电极当中的至少一个由单一层(one layer)形成,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括含有玻璃粒子的无机成分、和含有感光性化合物的有机成分,前述无机成分的平均折射率与前述有机成分的平均折射率的差为-0.1至0.2。
根据本发明的另一个等离子体显示器的特征是,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电盒子的隔壁,其中,前述第一、二电极当中的至少一个由单一层(one layer)形成,且包括形成于与前述第三电极交叉的方向上的线路部、和从前述线路部中突出的突出部,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括平均折射率为1.5至1.65的无机成分。
根据本发明涉及的等离子体显示器,可以将由ITO(Indium TinOxide)制成的透明电极除去而降低等离子体显示板的制造成本,通过形成从扫描电极或保持电极线路中向放电小室的中心方向或向其相反方向突出的突出电极,可以降低初始放电电压,提高放电小室内的放电扩散效率。


图1是说明等离子体显示器所具备的一般的面板(panel)的构造的图。
图2是表示针对本发明涉及的等离子体显示器构造的一个实施方式的立体图。
图3是表示针对本发明涉及的形成有隔壁的下部面板构造的一个实施方式的简要剖面图。
图4是表示针对等离子体显示板的电极配置的一个实施方式的剖面图。
图5是表示针对维持电极构造的第一实施方式的剖面图。
图6是表示针对维持电极构造的第二实施方式的剖面图。
图7是表示针对维持电极构造的第三实施方式的剖面图。
图8是表示针对维持电极构造的第四实施方式的剖面图。
图9是表示针对维持电极构造的第五实施方式的剖面图。
图10是表示针对维持电极构造的第六实施方式的剖面图。
图11是表示针对维持电极构造的第七实施方式的剖面图。
图12是表示针对维持电极构造的第八实施方式的剖面图。
图13是表示针对维持电极构造的第九实施方式的剖面图。
图14是表示针对维持电极构造的第十实施方式的剖面图。
图15A及图15B是表示针对维持电极构造的第十一实施方式的剖面图。
图16是表示针对将1个帧(frame)分为多个子域(subfield)而将等离子体显示板分时驱动的方法的一个实施方式的时序图。
图17是表示针对用于驱动等离子体显示板的驱动信号的一个实施方式的时序图。
其中符号说明如下
11、102、202扫描电极,11a、12a、102a、103a透明电极,12、103、203保持电极,100、200上部面板,101、211上部基板,102b、103b总线电极,104、204、214上部电介质层,105保护层,110、210下部面板,111、211下部基板,112、212、412、1080隔壁,113、213寻址电极,114、214荧光体,115、215下部电介质层 205保护膜层。
具体实施例方式
下面,参照附图,对本发明涉及的等离子体显示器进行详细说明。
但是,需要指明,本发明涉及的等离子体显示器并不限于本说明书中所记载的实施方式,而可以存在多个实施方式。
以下,参照附图2至附图17,对本发明涉及的等离子体显示器进行详细说明。图2是以立体图来表示针对本发明涉及的等离子体显示器所具备的面板的一个实施方式的图。
参照图2,等离子体显示板包括隔开规定的间隔地胶粘的上部面板200和下部面板210。包括在与维持电极对202、203交叉的方向上形成于下部基板211上的寻址电极213、及形成于下部基板211上且划分多个放电小室的隔壁212。
上部面板200包括在上部基板201上成对地形成的维持电极对202、203。维持电极对202、203根据其功能被分为扫描电极202和保持电极203。维持电极对202、203由限制放电电流并对电极对间进行绝缘的上部电介质层204来覆盖,在上部电介质层204的上面形成保护膜层205,而保护上部电介质层204免受气体放电时产生的带电粒子的溅射,提高二次电子的发射效率。
向设于上部基板201、下部基板211及隔壁212间的放电空间内注入放电气体。在前述放电气体中,优选含有10%以上的氙(Xe)。当在放电气体中以如前前述的混合比含有前述氙(Xe)时,就可以提高等离子体显示板的放电/发光效率及亮度。
下部面板210在下部基板211上形成有划分多个放电空间,即放电小室的隔壁212。另外,寻址电极213被配置于与维持电极对202、203交叉的方向上,在下部电介质层215和隔壁212的表面涂布有利用气体放电时产生的紫外线而发光并产生可见光的荧光体214。
此时,隔壁212由在与寻址电极213平行的方向上形成的纵隔壁212a、和在与寻址电极213交叉的方向上形成的横隔壁212b构成,且将放电小室物理性地进行区分,而防止因放电而生成的紫外线和可见光向相邻的放电小室泄漏的情况。
另外,本发明涉及的等离子体显示板中,维持电极对202、203与图1所示的以往的维持电极对102、103不同,仅由不透明的金属电极制成。即,不使用作为以往的透明电极材质的ITO,而使用作为以往的总线电极的材质的银(Ag)、铜(Cu)或铬(Cr)等来形成维持电极对202、203。即,本发明涉及的等离子体显示板的维持电极对202、203各自不含有以往的ITO电极,而由总线电极一个单一层(one layer)来构成。
例如,最好将本发明实施方式涉及的维持电极对202、203分别用银形成,而银(Ag)最好具有感光性性质。另外,最好本发明实施方式涉及的维持电极对202、203各自比在上部基板201上形成的上部电介质层204或下部电介质层215颜色更暗,具有光的穿透率更低的性质。
前述放电小室可以是R(Red)、G(Green)、B(Blue)各个荧光体层214的宽度(pitch)相互一样的对称构造,或者是宽度(pitch)相互不同的非对称构造。当放电小室具有非对称构造时,最好使之具有R(Red)小室的宽度<G(Green)小室的宽度<B(Blue)小室的宽度的大小顺序。
如图2所示,最好在1个放电小室内分别用多条电极线路形成维持电极202、203。即,最好第一维持电极202由2条电极线路202a、202b形成,第二维持电极203以放电小室的中心为基准与第一维持电极202对称地被排列,且由2条电极线路203a、203b形成。前述第一、二维持电极202、203最好分别为扫描电极和保持电极。这是考虑了因使用不透明的维持电极对202、203而造成的开口率和放电扩散效率的做法。即,考虑到开口率而使用具有狭窄的宽度的电极线路,另一方面,考虑到放电扩散效率而使用多条电极线路。此时,电极线路的条数最好同时考虑开口率和放电扩散效率而决定。
由于图2所示的构造只不过是针对本发明涉及的等离子体面板的构造的一个实施方式,因此本发明并不限于图2所示的等离子体显示板构造。例如,可以在上部基板201上形成具有吸收在外部产生的外部光而减少反射的光遮挡功能和提高上部基板201的纯度(Purity)及对比度的功能的黑矩阵(Black Matrix、BM),前述黑矩阵无论是分离型还是一体型BM构造都可以。这里,分离型BM是未将形成于维持电极202、203与上部基板201之间的层(Black layer)与黑矩阵连结的构造,一体型BM是指将前述层与黑矩阵连结而形成一体型的构造。另外,当形成分离型BM时,黑矩阵与前述层可以用不同的材质形成,当形成一体型BM时,黑矩阵与前述层可以用相同的材质形成。
另外,图2所示的面板的隔壁构造虽然表示了利用纵隔壁212a和横隔壁212b使放电小室具有封闭构造的闭合型(Close Type),但也可以是仅包含纵隔壁的条纹型(Stripe Type)、或在纵隔壁上隔开规定的间隔来形成突出部的鱼骨(Fish Bone)等构造。
本发明的一个实施方式不仅可以是图2所示的隔壁的构造,当然也可以是多样的形状的隔壁的构造。例如,可以是纵隔壁212a和横隔壁212b的高度不同的不等型隔壁构造、在纵隔壁212a或横隔壁212b当中的一个以上中形成有可以作为排气通路使用的沟槽(Channel)的沟槽型隔壁构造、在纵隔壁212a或横隔壁212b当中的一个以上中形成有槽(Hollow)的槽型隔壁构造等。这里,在为不等型隔壁构造的场合下,应当更优选为横隔壁212b的高度高的情况,在为沟槽型隔壁构造或槽型隔壁构造的场合下,应当优选为在横隔壁212b中形成沟槽或形成槽的情况。
另一方面,本发明的一个实施方式中,虽然图示及说明了R、G及B放电小室各自排列在相同的线上的情况,但也可以用其他的形状来排列。例如,也可以是R、G及B放电小室以三角形状排列的三角形(Delta)的排列。另外,放电小室的形状不仅可以是四角形状,当然也可以是五角形、六角形等多样的多角形状。
图3是表示针对本发明涉及的形成有隔壁的下板面板构造的一个实施方式的简要剖面图。如参照图2说明的那样,在下部基板211上形成有寻址电极213、下部电介质层215、隔壁212及荧光体层214。
如前所述,由于为了确保等离子体显示板的开口率,增加2个维持电极202、203间的间隔,从而使得放电小室的宽度(pitch)增加,因此为了确保每个而板所要求的象素数,最好以30至50μm形成隔壁212的上宽度X,以60至80μm形成下宽度Y,使隔壁212的介电常数达到6至10,且使隔壁212的高度达到100至140μm。
由于如上所述,隔壁212的宽度减少,为了有效地将2个维持电极202、203间绝缘,最好以30至40μm形成下部电介质层215的厚度Z或上部电介质层214的厚度。另外,为了确保本发明涉及的等离子体显示板中所要求的象素数,并且有效地将2个维持电极202、203间绝缘,最好使隔壁212的上宽度X与电介质层214、215的厚度间的比率达到5∶3至3∶4,最好使隔壁212的下宽度Y与电介质层214、215的厚度间的比率达到8∶3至3∶2。
本发明涉及的等离子体显示板的隔壁212优选采用由无机成分和含有感光性化合物的有机成分构成的感光性材料来形成。隔壁212通过在使用照相工序(光刻,Photolithography)形成了图案后,进行塑性加工而制成无机物的图案的工序来形成。前述照相工序(光刻,Photolithography)是通过隔着形成有图案的掩模以具有特定的波长的光使感光性材料曝光,引起光化学反应而形成图案的工序。
用于形成隔壁212的感光性材料可以采用包括含有60重量%以上的玻璃粒子的无机成分和含有感光性化合物的有机成分的感光性材料来形成,前述无机成分的平均折射率N1和前述有机成分的平均折射率N2的差最好具有-0.1至0.2的范围。另外,无机成分的平均折射率N1最好为1.5至1.65。
通过使感光性材料包含具有如前所述的比率及平均折射率的无机成分和感光性有机成分,就可以形成具有高精密度的图案的小宽度的隔壁。
另外,前述感光性材料最好含有50至96重量%的无机成分和5至50重量%的有机成分。通过使前述感光性材料含有如前所述的比率的无机成分和感光性有机成分,在隔壁212的塑性加工之时,可以减少收缩率及形状变化,由此可以容易地形成小宽度的隔壁。
作为感光性材料中所含的无机成分,可以广泛地使用玻璃、氧化铝、堇青石、金、铂、银、铜、镍、钯、钨、氧化钌等无机成分,更优选为使用以作为绝缘体的硅氧化物、硼氧化物或铝氧化物作为必需成分的玻璃或陶瓷。
为了促进前述感光性有机化合物的光化学反应,无机成分最好含有光催化剂,例如氧化钛(TiO2)。
无机成分中所含的玻璃粒子最好以整体3至20重量%的量来含有氧化锂、氧化钠、氧化钾当中的至少一种。当使用如前所述的玻璃粒子时,对于前述无机成分的热软化温度、热膨胀系数的控制十分容易,容易将与有机成分的平均折射率缩小为0.1以内。更优选为玻璃粒子含有氧化锂或氧化钾,提高感光性材料的安全性,减少无机成分的折射率。
玻璃粒子最好以整体5至50重量%的比例含有氧化铋(bismuth)、氧化铅当中的至少一种,这样就可以获得具有可以在作为玻璃基板的下部基板211上进行图案加工的温度特性的感光性隔壁材料,且可以增加感光性材料的接口寿命(ポ一ト寿命)。
而且,玻璃粒子更优选为含有5至30重量%的氧化铋(bismuth)、氧化铅当中的至少一种,且含有3至15重量%的氧化锂、氧化钠及氧化钾当中的至少一种。通过采用如前所述的玻璃粒子,就可以防止感光性材料的热膨胀系数偏离目的值,产生与玻璃基板的不匹配(mismatch),可以降低热软化点。
前述感光性隔壁材料可以不使用铅(Pb),即使使用,最好使之以等离子体显示板的总重量的0.1重量%或1000PPM(Pargs Per Million)以下少量地含有铅(Pb)。
这里,当将铅成分的整体含有量设为1000PPM以下时,可以使相对于等离子体显示板的重最,铅的含有量达到1000PPM以下。
或者,也可以将等离子体显示板的特定的构成要素中的铅成分的含有量设为1000PPM以下。例如,可以使隔壁的铅成分、电介质层的铅成分或电极中的铅成分的含有量相对于各个构成要素(隔壁、电介质层及电极)的重量达到1000PPM以下。
另外,也可以将等离子体显示板的隔壁、电介质层、电极、荧光体层等全部的构成要素的铅成分的含有量相对于等离子体显示板的重量分别设为1000PPM以下。如这样,将铅成分的整体含有量设为1000PPM以下的理由是因为,铅成分可以对人体造成不良影响。
有机成分含有包括感光性单体(monomer)、感光性低聚体(oligomer)或感光性聚合物(polymer)的感光性成分,最好还含有粘合剂(binder)、光聚合引发剂、紫外线吸收剂、敏化剂、敏化增稠剂、聚合禁阻剂、增塑剂、增稠剂、有机溶剂、防氧化剂、分散剂、有机或无机的防沉淀剂、或调平剂等添加剂成分。
作为感光性成分,对于光不可溶用或光可溶用,全都可以利用。作为光不可溶用,包括在分子内具有一个以上不饱和基等的官能性的单体(monomer)、低聚体(oligomer)或聚合物(polymer),或包括芳香族重氮(diazo)化合物、芳香族叠氮化物(azide)、有机卤素(halogen)化合物等感光性化合物,作为重氮类胺(amine)和甲醛(formaldehyde)的缩合物的重氮树脂等可以作为感光性成分加以使用。
另外,作为光可溶用,包括重氮化合物的无机盐与有机酸的复合体或醌重氮类,可以使用使醌(quinone)重氮类与适当的聚合物粘合剂缩合了的酚、酚醛清漆的萘醌-1,2-二叠氮基(デアジド)-5-磺酸酯等。
图4表示针对等离子体显示板的电极配置的一个实施方式,其中构成等离子体显示板的多个放电小室最好如图4所示以矩阵形态被配置。多个放电小室被设于各条扫描电极线路(Y1至Ym)、保持电极线路(Z1至Zm)及寻址电极线路(X1至Xn)的交叉部。扫描电极线路(Y1至Ym)依次被驱动,保持电极线路(Z1至Zm)被共同驱动。寻址电极线路(X1至Xn)被分割为奇数编号线路和偶数编号线路而驱动。
图4所示的电极配置只不过是针对本发明涉及的等离子体面板的电极配置的一个实施方式,而本发明并不限于图4所示的等离子体显示板的电极配置及驱动方式。例如,也可以是将前述扫描电极线路(Y1至Ym)当中的2条扫描电极线路同时驱动的双重扫描(dual scan)方式。
图5是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第一实施方式的图,其仅简要地示出了图2所示的等离子体显示板当中的形成于1个放电小室内的维持电极对202、203的配置构造。
如图5所示,本发明第一实施方式涉及的维持电极202、203以放电小室的中心为基准对称地成对形成在基板上。各个维持电极由线路部和突出部构成,其中,该线路部包括横切放电小室的至少2条电极线路202a、202b、203a、203b,该突出部包括与最接近前述放电小室的中心的电极线路202a、203a连结、且在前述放电小室内向放电小室的中心方向突出的至少一个突出电极202c、203c。另外,如图3所示,前述维持电极202、203最好各自还包括将前述2条电极线路202a和202b、203a和203b连结的1个桥电极202d、203d。
电极线路202a、202b、203a、203b横切放电小室,并沿等离子体显示板的一个方向延伸。为了提高开口率,本发明第一实施方式涉及的电极线路的宽度形成得较窄。另外,为了提高放电扩散效率,最好使用多条电极线路202a、202b、203a、203b,并且最好考虑到开口率而决定电极线路的条数。
突出电极202c、203c最好与在1个放电小室内最靠近放电小室的中心的电极线路202a、203a连结,且向放电小室的中心方向突出。突出电极202c、203c在等离子体显示板的驱动时,降低初始放电电压。由于初始放电电压随着电极线路202a、203a间的距离c而增加,因此本发明第一实施方式中,具备分别与电极线路202a、203a连结的突出电极202c、203c。由于在靠近形成的突出电极202c、203c间,即使是较低的初始放电电压,也可以开始放电,因此可以降低等离子体显示板的初始放电电压。这里,所谓初始放电电压是指,向维持电极对202、203当中的至少任意一个电极供给脉冲时,开始放电的电压水平。
这种突出电极202c、203c由于其大小非常小,因此,可以利用制造工序的公差,使实质上突出电极202c、203c的与电极线路202a、203a连结的部分的宽度W1形成为大于突出电极的端部的宽度W2,且根据需要,也可以使其端部的宽度W2更大。
构成各个维持电极对203、202的相邻的2条电极线路间的间隔,即203a和203b间的间隔或202a和202b间的间隔最好为80至120μm。当前述相邻的2条电极线路间的间隔具有如前所述的值时,可以充分地确保等离子体显示板的开口率并增加显示影像的亮度,且可以增加放电空间内的放电扩散效率。
突出电极202c、203c的宽度W1最好为35至45μm。当突出电极202c、203c的宽度具有如前所述的值时,可以防止等离子体显示板的开口率减小,并在显示器的全面反射而射出的光被前述突出电极202c、203c遮挡,而使得影像的亮度降低。
另外,突出电极202c、203c间的间隔a最好为15至165μm。当突出电极202c、203c间的间隔a具有如前所述的值时,可以防止在突出电极202c、203c间产生阈值以上的过度放电而使电极的寿命缩短的情况,且能够具有对等离子体显示板驱动来说适当的初始放电电压。
桥电极202d、203d将构成各个维持电极202、203的2条电极线路202a和202b、203a和203b连结。桥电极202d、203d有助于使得穿过突出电极202c、203c而开始的放电从放电小室的中心容易地扩散到较远的电极线路202b、203b。
如这样,本发明第一实施方式涉及的电极构造通过建议电极线路的条数,可以提高开口率。另外,通过形成突出电极202c、203c,可以降低初始放电电压。另外,利用桥电极202d、203d和距离放电小室中心较远的电极线路202b、203b来增加放电扩散效率,可以在整体上提高等离子体显示板的发光效率。即,由于可以与以往的等离子体显示板的明亮度相等,或者更为明亮,因此可以不使用ITO透明电极。
图6是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第二实施方式的图,其仅简要地示出了图2所示的等离子体显示板当中的1个放电小室内所形成的维持电极对402、403的配置构造。
如图6所示,维持电极402、403分别包括横切放电小室的至少2条电极线路402a、402b、403a、403b;与最接近放电小室的中心的电极线路402a、403a连结,且在放电小室内向放电小室的中心方向突出的第一突出电极402c、403c;将前述2条电极线路402a和402b、403a和403b连结的桥电极402d、403d;与距离放电小室的中心最远的电极线路402b、403b连结,且在放电小室内向放电小室的中心的相反方向突出的第二突出电极402e、403e。
电极线路402a、402b、403a、403b横切放电小室,且沿等离子体显示板的一个方向延伸。为了提高开口率,本发明第二实施方式涉及的维持电极线路的宽度最好形成得较窄。电极线路的宽度W1最好被设为20μm以上70μm以下,而使得提高开口率,且顺利地产生放电。
如图6所示,与放电小室的中心接近的电极线路402a、403a与第一突出电极402c、403c连结,与放电小室的中心接近的电极线路402a、403a在开始放电的同时,形成开始放电扩散的路径。与放电小室的中心较远的电极线路402b、403b与第二突出电极402e、403e连结。与放电小室的中心较远的电极线路402b、403b起到将放电扩散到放电小室周边部的作用。
第一突出电极402c、403c与在1个放电小室内靠近放电小室的中心的电极线路402a、403a连结,且向放电小室的中心方向突出。最好第一突出电极形成于电极线路402a、403a的中心。通过第一突出电极402c、403c相互对应地形成于电极线路中心,可以更有效地降低等离子体显示板的初始放电电压。
突出电极402c、403c的宽度W1最好为35至45μm,突出电极402c、403c间的间隔a最好为15至165μm。突出电极402c、403c的宽度及间隔的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
桥电极402d、403d将构成各个维持电极402、403的2条电极线路402a和402b、403a和403b连结。桥电极402d、403d有助于使得借助突出电极而开始的放电容易地扩展至与放电小室的中心较远的电极线路402b、403b。这里,虽然桥电极402d、403d位于放电小室内,但根据需要,也可以形成于划分放电小室的隔壁412上。
这样,针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第二实施方式中,也可以使放电向电极线路402b、403b和隔壁412间的空间中扩散。这样,通过增加放电扩散效率,可以提高等离子体显示板的发光效率。
另外,第二突出电极402e、403e与距离放电小室的中心较远的电极线路402b、403b连结,且向放电小室的中心方向的相反方向突出。第二突出电极402e、403e的长度最好为50至100μm,通过具有如前所述的值,可以使得放电有效地扩展到距离放电小室的中心较远的放电空间。
如图6所示,第二突出电极402e、403e可以延伸至划分放电小室的隔壁412处。另外,如果可以用其他的部分充分地补偿开口率,则为了进一步提高放电效率,也可以在隔壁412上局部地延长。但是,当第二突出电极402e、403e未延伸至隔壁412时,第二突出电极402e、403e和与之相邻的隔壁412间的间隔最好为70μm以下。在第二突出电极402e、403e与隔壁412间的间隔在70μm以下时,放电就可以有效地扩展到距离放电小室的中心较远的放电空间。
针对本发明的维持电极构造的第二实施方式中,最好在电极线路402b、403b的中心形成第二突出电极402e、403e,并使放电均等地向放电小室的周边部扩散。
另一方面,本发明的第二实施方式中,最好将划分放电小室的隔壁当中的位于第二突出电极402e、403e延伸的方向上的隔壁的宽度Wb形成为200μm以下。另外,最好在前述隔壁412上形成黑矩阵(未图示),该黑矩阵用于吸收外部光而确保室内对比度(明室コントラスト),防止所发射的放电光延及到相邻放电小室而显示的情况。通过将隔壁412的宽度建议为200μm以下,放电小室的面积增加。这样,可以增加发光效率,且可以补偿因第二突出电极等使开口率降低的情况。最好位于第二突出电极所延伸的方向上的隔壁的宽度Wb设为90至100μm,可以获得最佳的发光效率。
图7是表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第三实施方式的剖面图。省略对于图7所示的维持电极构造当中的与图6所示相同的内容的说明。
如图7所示,针对本发明涉及的维持电极构造的第三实施方式中,在维持电极602、603上分别形成2个第一突出电极602a、603a。第一突出电极602a、603a与靠近放电小室的中心的电极线路连结,且向放电小室的中心方向突出。最好第一突出电极602a、603a各自以电极线路的中心为基准相互对称地形成。
第一突出电极602a、603a的宽度最好为35至45μm。前述突出电极宽度的上限值与下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的相同,因此省略。
对于从1条电极线路中突出的2个第一突出电极间的间隔d1、d2,在等离子体显示板具有42英寸(inch)的大小及VGA的析像度的场合下,最好为50至100μm,在等离子体显示板具有42英寸(inch)的大小及XGA的析像度的场合下,最好为30至80μm,在等离子体显示板具有50英寸(inch)的大小及XGA的析像度的场合下,最好为40至90μm。
当第一突出电极的间隔d1、d2具有如前所述的范围时,能够确保可以显现出显示器所要求的影像的亮度的开口率,且可以防止第一突出电极与隔壁过于接近而使无效功率增加,从而使显示器所消耗的功率增加到极限值以上的情况。
通过在维持电极602、603中分别形成2个第一突出电极602a、603a,放电小室中心的电极面积即增加。这样,在开始放电前,可以在放电小室内形成较多的空间电荷,使初始放电电压进一步降低,使放电速度加快。同时,在放电开始后,壁电荷量增加,亮度上升,放电向整个放电小室中均一地扩散。
另外,第一突出电极602a、603a间的间隔a1、a2,即与电极线路602、603交叉的方向上的2个突出电极的间隔a1、a2,最好为15至165μm。突出电极间隔的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的相同,因此省略。
图8是表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第四实施方式的剖面图。省略对于图8所示的电极构造当中的与图6及图7所述的相同的内容的说明。
如图8所示,针对本发明涉及的维持电极构造的第四实施方式中,维持电极702、703分别形成有3个第一突出电极702a、703a。
第一突出电极702a、703a与电极线路当中的靠近放电小室的中心的电极线路连结,且向放电小室的中心方向突出。任意一个第一突出电极最好形成于电极线路的中心,且剩余的2个第一突出电极最好以电极线路的中间为基准相互对称地形成。通过在维持电极702、703中分别形成3个第一突出电极702a、703a,与图6和图7的场合相比,初始放电电压进一步降低,且放电速度也更为加快。同时,在放电开始后,亮度进一步上升,放电向整个放电小室中更为均一地扩散。
如上所述,通过增加第一突出电极的个数,放电小室的中心的电极面积增加而使初始放电电压降低,且使亮度增加。另一方面,应当考虑到从放电小室的中心产生最强的放电,且发射出最明亮的放电光这一点。即,最好将以下的方面与初始放电电压和亮度效率一起考虑,来选择最佳的个数并设计维持电极的构造,即该方面是指第一突出电极的个数增加越多,则越会遮挡从放电小室的中心发射出的光,从而使所发射的光显著地减少。
第一突出电极702a、703a的宽度最好为35至45μm,第一突出电极702a、703a间的间隔a1、a2、a3最好为15至165μm。对于第一突出电极702a、703a的宽度及间隔的前述上限值和下限值的临界的意思,由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
图9是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第五实施方式的图,其中维持电极800、810分别包括横切放电小室的3条电极线路800a、800b、800c、810a、810b、810c。电极线路横切放电小室且沿等离子体显示板的一个方向延伸。为了提高开口率,前述电极线路的宽度形成得较窄,最好具有20至70μm的宽度,从而能够提高开口率,并且顺利地产生放电。
维持电极对的电极线路800a、800b、800c、810a、810b、810c的厚度最好为3至7μm,构成各个维持电极的3条电极线路间的间隔a1、a2可以相互一样或不同,电极线路的宽度b1、b2、b3也可以相互一样或不同。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
图10是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第六实施方式的图,其中维持电极900、910分别包括横切放电小室的4条电极线路900a、900b、900c、900d、910a、910b、910c、910d。前述电极线路横切放电小室并沿等离子体显示板的一个方向延伸。为了提高开口率,前述电极线路的宽度形成得较窄,且最好具有20至70μm的宽度,从而能够提高开口率,并且顺利地产生放电。
维持电极对900、910的电极线路900a、900b、900c、900d、910a、910b、910c、910d的厚度最好为3至7μm。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
构成各个维持电极的4条电极线路间的间隔c1、c2、c3可以相互一样或不同,电极线路的宽度d1、d2、d3、d4也可以相互一样或不同。
图11是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第七实施方式的图,其中维持电极1000、1010分别包括横切放电小室的4条电极线路1000a、1000b、1000c、1000d、1010a、1010b、1010c、1010d。电极线路横切放电小室并沿等离子体显示板的一个方向延伸。
维持电极对的电极线路1000a、1000b、1000c、1000d、1010a、1010b、1010c、1010d的厚度最好为3至7μm。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
桥电极1020、1030、1040、1050、1060、1070分别将2条电极线路连结。桥电极1020、1030、1040、1050、1060、1070使得开始的放电很容易扩散到距离放电小室的中心较远的电极线路。如图11所示,桥电极1020、1030、1040、1050、1060、1070的位置也可以相互不一致,某一个桥电极1040也可以位于隔壁1080上。
图12是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第八实施方式的图,其与图11所示的情况不同,连结电极线路的桥电极形成于相同的位置上,相对于维持电极1100、1110分别形成有连结4条电极线路1100a、1100b、1100c、1100d、1110a、1110b、1110c、1110d的1个桥电极1120、1130。
维持电极对的电极线路1100a、1100b、1100c、1100d、1110a、1110b、1110c、1110d的厚度最好为3至7μm。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
图13是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第九实施方式的图,其中相对于电极线路1200、1210,分别形成有包括闭环(closed loop)的形态的突出电极1220、1230。借助如图13所示的包括闭环的突出电极1220、1230,可以降低初始放电电压,并且可以提高开口率。突出电极及闭环的形态可以多样化地变形。
维持电极对的电极线路1200、1210的厚度最好为3至7μm。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
突出电极1220、1230的线宽度W1、W2最好为35至45μm。当突出电极1220、1230的线宽度W1、W2具有如前所述的值时,可以确保足够的面板的开口率,并防止在显示器的全面反射而射出的光被前述突出电极遮挡,而使影像的亮度降低的情况。
另外,2个突出电极1220、1230间的间隔最好为15至165μm。突出电极间隔的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
图14是以剖面图表示来针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第十实施方式的图,其中相对于电极线路1300、1310,分别形成有包括四角形态的闭环的突出电极1320、1330。
维持电极对的电极线路1300、1310的厚度最好为3至7μm。电极线路的厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
突出电极1320、1330的线宽度W1、W2最好为35至45μm。前述突出电极1320、1330的线宽度W1、W2的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图12所说明的情况相同,因此省略。
另外,2个突出电极1320、1330间的间隔最好为15至165μm。突出电极间隔的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
图15A及图15B是以剖面图来表示针对本发明涉及的等离子体显示板的维持电极构造的第十一实施方式的图,其中相对于电极线路1400、1410,分别形成有向放电小室的中心方向突出的第一突出电极1420a、1420b、1430a、1430b和向前述放电小室的中心方向或其相反方向突出的第二突出电极1440、1450、1460、1470。
如图15A所示,最好相对于电极线路1400、1410,分别形成向放电小室的中心方向突出的2个第一突出电极1420a、1420b、1430a、1430b,且形成向放电小室中心方向的相反方向突出的1个第二突出电极1440、1450。或者,如图15B所示,第二突出电极1460、1470可以向放电小室的中心方向突出。
维持电极对的电极线路1400、1410的厚度最好为3至7μm。前述电极线路厚度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图2所说明的情况相同,因此省略。
第一突出电极1420a、1420b、1430a、1430b的宽度最好为35至45μm。突出电极宽度的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
关于从1条电极线路中突出的2个第一突出电极间的间隔d1、d2,在等离子体显示板具有42英寸(inch)的大小及VGA的析像度的场合下,最好为50至100μm,在等离子体显示板具有42英寸(inch)的大小及XGA的析像度的场合下,最好为50至100μm,在具有50英寸(inch)的大小及XGA的析像度的场合下,最好为40至90μm。第一突出电极间的间隔d1、d2的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图7所说明的情况相同,因此省略。
另外,其他第一突出电极间的间隔,即1420a与1430a间的间隔a1或1420b与1430b间的间隔a2最好为15至165μm。突出电极间隔的上限值和下限值的临界的意思由于与参考图5所说明的情况相同,因此省略。
图16是对于具有如前所述的构造的本发明涉及的等离子体显示板,以时序图表示了针对将一个帧(frame)分为多个子域(subfield)而进行分时驱动的方法的一个实施方式的图。为了实现分时灰度显示,可以将单位帧分割为规定个数,例如8个子域SF1、…、SF8。另外,各子域SF1、…、SF8被分割为复位区间(未图示)、寻址区间A1、…、A8及保持区间S1、…、S8。这里,根据本发明的一个实施方式,复位区间可省略为多个子域中的至少一个。例如,复位区间可以仅在最初的子域中存在,或仅在最初的子域和全体子域中,位于中间程度的子域中存在。
各寻址区间A1、…、A8中,对寻址电极X附加显示数据信号,且依次附加与各扫描电极Y相应的扫描脉冲。
各保持区间S1、…、S8中,对扫描电极Y和保持电极Z交互地附加保持脉冲,在寻址区间A1、…、A8中在形成有壁电荷的放电小室中引起保持放电。
等离子体显示板的亮度与在单位帧中所占的保持放电区间S1、…、S8内的保持放电脉冲个数成比例。在形成1个图像的1个帧由8个子域和256个灰度表现的场合下,对各子域可以依次以1、2、4、8、16、32、64、128的比例分配相互不同的保持脉冲的数目。如果要获得133个灰度的亮度,则只要在子域1区间、子域3区间及子域8区间期间对小室寻址并进行保持放电即可。
分配到各子域中的保持放电数目可以根据APC(Automatic PowerControl)步骤的对子域的加权值来可变地决定。即,图9中虽然以将1个帧分割为8个子域的场合为例进行了说明,但本发明并不限定于此,可以根据设计规格将形成1个帧的子域的数目多样化地变形。例如,可以将1个帧如12或16个子域等那样,分割为8个子域以上或以下,并驱动等离子体显示板。
另外,分配到各子域中的保持放电数目可以考虑到灰度系数特性或面板特性而多样化地变形。例如,可以将分配到子域4中的灰度值从8降低为6,将分配到子域6中的灰度值从32提高为34。
图17是相对于被分割了的子域,以时序图表示针对用于驱动等离子体显示板的驱动信号的一个实施方式的图。
首先,存在预复位(prereset)区间,其用于在扫描电极Y上形成正极性壁电荷,且在保持电极Z上形成负极性壁电荷,其后,各子域包括用于采用由预复位区间形成的壁电荷分布而将全部画面的放电小室初始化的复位(reset)区间、用于选择放电小室的寻址(address)区间及用于维持所选择的放电小室的放电的保持(sustain)区间。
复位区间由上置(setup)区间及下置(setdown)区间构成,前述上置区间中,对全部的扫描电极同时附加上升斜坡波形(Ramp-up),在所有的放电小室中产生微小放电,这样可以产生壁电荷。在前述下置区间中,对所有的扫描电极Y同时附加在低于前述上升斜坡波形(Ramp-up)的峰值电压的正极性电压处下降的下降斜坡波形(Ramp-down),并在所有的放电小室中产生消除放电,这样,就可以将由上置放电生成的壁电荷及空间电荷当中的无用电荷消除。
在寻址区间内,对扫描电极依次附加负极性的扫描信号(scan),与此同时,对前述寻址电极X附加正极性的数据信号(data)。利用这种前述扫描信号(scan)和数据信号(data)之间的电压差与在前述复位区间之间生成的壁电压,而产生寻址放电并选择小室。另一方面,在前述下置区间和寻址区间之间,对前述保持电极附加将保持电压(Vs)维持的信号。
在前述保持区间内,对扫描电极和保持电极交互地附加保持脉冲,并在扫描电极和保持电极之间以面放电形态产生保持放电。
图17所示的驱动波形,是针对用于驱动本发明涉及的等离子体显示板的信号的一个实施方式,但本发明并不受前述图17所示的波形限定。例如,可以省略前述预复位区间,图17所示的驱动信号的极性及电压水平可以根据需要而变更,在前述保持放电结束后,可以对保持电极附加用于消除壁电荷的消除信号。另外,也可以进行将前述保持信号仅附加于扫描电极Y和保持电极Z当中的任意一个而引起保持放电的单重保持(single sustain)驱动。
以上虽然对本发明的优选实施方式进行了详述,但对于本发明所属的技术领域中具有通常知识的人员来说可知,可以在不脱离由附加的技术方案范围所定义的本发明的精神及范围,对本发明进行各种变形或变更来实施。所以,本发明的今后的实施方式的变更应当无法脱离本发明的技术。
权利要求
1.一种等离子体显示器,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,该等离子体显示器的特征是前述第一、二电极当中的至少一个由单一层形成,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括含有玻璃粒子的无机成分、和含有感光性化合物的有机成分。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述第一、二电极当中的至少一个包括形成于与前述第三电极交叉的方向上的线路部、和从前述线路部中突出的突出部。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述无机成分含有60重量%以上的前述玻璃粒子。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述无机成分的平均折射率与前述有机成分的平均折射率的差在0.2以下。
5.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述无机成分的平均折射率为1.5~1.65。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述隔壁的上宽度为30至50μm。
7.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述隔壁的下宽度为60至80μm。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述隔壁的高度为100至140μm。
9.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述隔壁的介电常数为6至10。
10.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,在前述上部基板和下部基板当中的至少一个基板上形成有具有30至40μm的厚度的电介质层。
11.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,在前述上部基板和下部基板当中的至少一个基板上形成有电介质层,前述隔壁的上宽度与前述电介质层的厚度具有5∶3至3∶4的比率。
12.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,在前述上部基板和下部基板当中的至少一个基板上形成有电介质层,前述隔壁的下宽度与前述电介质层的厚度具有8∶3至3∶2的比率。
13.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述上部基板与下部基板结合而形成的等离子体显示板含有0.1重量%或1000PPM以下的铅。
14.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述无机成分含有氧化钛。
15.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述玻璃粒子含有3至20重量%的氧化锂、氧化钠及氧化钾当中的至少一个。
16.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述玻璃粒子含有5至50重量%的氧化铋、氧化铅当中的至少一个。
17.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,前述玻璃粒子含有5至30重量%的氧化铋、氧化铅当中的至少一个,且含有3至15重量%的氧化锂、氧化钠及氧化钾当中的至少一个。
18.根据权利要求1所述的等离子体显示器,其特征是,在前述上部基板上形成有电介质层,前述第一、二电极当中的至少一个与前述电介质层相比颜色更暗。
19.一种等离子体显示器,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,该等离子体显示器的特征是前述第一、二电极当中的至少一个由单一层形成,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括含有玻璃粒子的无机成分、和含有感光性化合物的有机成分,前述无机成分的平均折射率与前述有机成分的平均折射率的差为-0.1至0.2。
20.一种等离子体显示器,包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,该等离子体显示器的特征是前述第一、二电极当中的至少一个由单一层形成,且包括形成于与前述第三电极交叉的方向上的线路部、和从前述线路部中突出的突出部,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括平均折射率为1.5至1.65的无机成分。
全文摘要
本发明提供一种在等离子体显示器所具备的面板中,可以将由ITO制成的透明电极除去而减少面板制造成本的等离子体显示器。该等离子体显示器包含上部基板;形成于前述上部基板上的第一电极及第二电极;与前述上部基板相对置地配置的下部基板;形成于前述下部基板上的第三电极;形成于前述下部基板上且划分放电小室的隔壁,该等离子体显示器的特征是,前述第一、二电极当中的至少一个由单一层形成,前述隔壁采用感光性材料来形成,前述感光性材料包括含有玻璃粒子的无机成分、和含有感光性化合物的有机成分。
文档编号H01J11/22GK101086943SQ20061016083
公开日2007年12月12日 申请日期2006年11月30日 优先权日2006年6月9日
发明者裵钟运 申请人:Lg电子株式会社
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1