专利名称：大气压等离子处理系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及在大气压下对被处理物实施等离子处理的大气压等离子处理系统。
背景技术：
一直以来，利用减压下产生的等离子体，对基板等被处理物进行表面处理。具体而言，在减压的腔室内，使气体发生等离子化，利用该等离子化的气体，进行被处理物的表面改性、表面清洗、形成薄膜等处理。在减压下的等离子处理中，为了对腔室内进行减压，而需要真空泵等，而且，为了维持减压状态，而需要对腔室进行密闭。因此，在减压下用于进行等离子处理的系统具有大型化且成本升高的倾向。而且，需要腔室的密闭工序、减压工序等，因此减压下的等离子处理所需的时间变得比较长。鉴于这种情况，近年来，在大气压下对被处理物实施等离子处理的大气压等离子处理系统的开发不断发展。在下述专利文献中示出了大气压等离子处理系统的一例。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006-140051号公报专利文献2:日本特开2006-331736号公报在基于等离子化的气体的处理中存在表面改性、表面清洗、形成薄膜等各个种类的处理，有时连续进行各种等离子处理。具体而言，例如，进行作为反应气体使氧等离子化而将基板表面的有机物除去的等离子处理，在除去有机物后的基板表面，进行通过用于形成薄膜的反应气体的等离子化而形成薄膜的等离子处理。并且，有时为了在所形成的薄膜上形成与该薄膜不同的薄膜，进行利用其他用于形成薄膜的反应气体的等离子处理。在减压下进行这多个等离子处理时，对各处理需要反复进行密闭工序及减压工序，总处理时间可能相当长。另一方面，在通过大气压等离子处理系统来进行多个等离子处理时，无需进行各处理的密闭工序及减压工序，因此能够相当缩短处理时间。在基于大气压等离子处理系统的多个等离子处理中，为了处理时间的进一步缩短，考虑将进行各处理的多个腔室配置成一列，并将相邻的两个腔室连通。但是，在将相邻的两个腔室连通时，需要避免各腔室内使用的反应气体彼此混合。在上述专利文献中记载了用于如下目的的技术，即:通过气帘将被处理物的向系统内的搬入口及被处理物的从系统内的搬出口分隔成系统的内部和外部，由此抑制反应气体从腔室内的流出、外部空气向腔室内的流入等。然而，在上述专利文献中，未考虑使两个腔室连通的情况，且并未考虑到防止两个腔室间的反应气体的混合。如此，可认为，在大气压等离子处理系统中还大量存在改良的余地，通过实施各种改良，而能提高大气压等离子处理系统的实用性。
实用新型内容本实用新型鉴于这种情况而作出，其课题在于提供一种高实用性的大气压等离子处理系统。为了解决上述课题，本申请的第一方面记载的大气压等离子处理系统具备:多个腔室，排成一列地配置；一个以上腔室间连通路，各个腔室间连通路分别将上述多个腔室中的相邻的两个腔室连通；搬运装置，经由上述一个以上腔室间连通路并通过上述多个腔室内来搬运被处理物；多个大气压等离子发生装置，与上述多个腔室对应设置，并且，各个大气压等离子发生装置分别能够在上述多个腔室中的与上述各个大气压等离子发生装置本身对应的腔室内部在大气压下产生等离子体；及一个以上腔室间分隔装置，与上述一个以上腔室间连通路对应设置，并且，各个腔室间分隔装置分别喷出气体以遮断上述一个以上腔室间连通路中的与上述各个腔室间分隔装置本身对应的腔室间连通路，利用所喷出的气流将相邻的两个腔室之间隔开；在上述多个腔室内依次对由上述搬运装置搬运的被处理物实施等离子处理。另外，第二方面记载的大气压等离子处理系统以第一方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述多个腔室内的气压被设定为相同。另外，第三方面记载的大气压等离子处理系统以第一或第二方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述多个腔室内的气压被设定为正压。另外，第四方面记载的大气压等离子处理系统以第一至第三方面中任一方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述多个腔室中的配置在两端的两个腔室分别具有用于供上述搬运装置搬出或搬入被处理物的搬出搬入口，且，上述搬出搬入口向大气开口，上述大气压等离子处理系统具备两个腔室大气间分隔装置，上述两个腔室大气间分隔装置与上述配置在两端的两个腔室对应设置，并且，各个腔室大气间分隔装置分别喷出气体以遮断上述搬出搬入口，利用所喷出的气流将与上述各个腔室大气间分隔装置本身对应的腔室和大气之间隔开。另外，第五方面记载的大气压等离子处理系统以第四方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述两个腔室大气间分隔装置的各自的每单位时间的喷出量比上述一个以上腔室间分隔装置的各自的每单位时间的喷出量多。另外，第六方面记载的大气压等离子处理系统以第一至第五方面中任一方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述一个以上腔室间连通路在被处理物的搬运方向上的长度比能够利用上述大气压等离子处理系统处理的最大被处理物在上述搬运方向上的长度长。另外，第七方面记载的大气压等离子处理系统以第一至第六方面中任一方面记载的大气压等离子处理系统为基础，其中，上述一个以腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。实用新型效果在第一方面记载的大气压等离子处理系统中，进行各处理的多个腔室配置成一列，通过连通路将相邻的两个腔室之间连通，并且被处理物通过多个腔室内而由搬运装置搬运。由此，对于由搬运装置搬运的被处理物，能够在多个腔室内依次实施等离子处理，从而能够缩短处理时间。此外，通过由分隔装置喷出的气流，能够将相邻的两个腔室之间隔开，由此，能够抑制在各腔室内使用的反应气体的混合。另外，在第二方面记载的大气压等离子处理系统中，能够消除相邻的两个腔室之间的气压差。由此，能够进一步抑制相邻的两个腔室间的反应气体的混合。另外，在第三方面记载的大气压等离子处理系统中，各腔室内的气压比大气压高。由此，能够防止大气向各腔室内的流入。另外，在第四方面记载的大气压等离子处理系统中，通过由分隔装置喷出的气流，能够将位于端部的腔室与大气之间隔开。由此，能够抑制反应气体从该腔室内向大气的流出及大气向该腔室内的流入。另外，在第五方面记载的大气压等离子处理系统中，使将位于端部的腔室与大气之间隔开的气流比将相邻的两个腔室之间隔开的气流强。在各腔室内，为了进行等离子处理而流有反应气体，且大多数的情况是腔室内的气压比大气压高。另一方面，反应气体的流量在各腔室大幅不同的情况少，相邻的两个腔室间的气压差不是太大。因此，位于端部的腔室与大气之间的气压差具有比相邻的两个腔室间的气压差大的倾向。因此，根据第五方面记载的大气压等离子处理系统，能够有效地抑制反应气体从位于端部的腔室内向大气的流出。另外，在第六方面记载的大气压等离子处理系统中，被处理物在搬运方向上的长度比腔室间连通路短。即，在搬运被处理物时，被处理物不会横跨相邻的两个腔室。由此，能够抑制喷出到腔室间连通路的气体的向腔室内的流入。详细而言，例如，被处理物在搬运方向上的长度比腔室间连通路长的情况下，在搬运被处理物时，被处理物有时会横跨相邻的两个腔室。如此，当被处理物横跨两个腔室时，喷出到腔室间连通路的气体容易沿着被处理物流入到腔室内。即，通过使被处理物在搬运方向上的长度比腔室间连通路短，而能够抑制喷出到腔室间连通路的气体向腔室内的流入。另外，在第七方面记载的大气压等离子处理系统中，从被处理物的侧方喷出气体。被处理物大多为板状，可认为，这样的话，从侧方喷出气体时的流路阻力变得最小。因此，根据第七方面记载的大气压等离子处理系统，喷出到腔室间连通路的气体容易隔着被处理物流动到喷出口的相反侧，从而能够抑制喷出的气体向腔室内的流入。
图1是表示本实用新型的实施例的大气压等离子处理系统的立体图。图2是以将上部罩拆下的状态表示图1所示的大气压等离子处理系统的俯视图。图3是图2的AA线的简要剖视图。图4是示意性地表示实施例的大气压等离子处理系统中的氮气流的图。图5是表示变形例的大气压等离子处理系统的简要剖视图。图6(a)、图6(b)是示意性地表示变形例的大气压等离子处理系统中的氮气流的图。标号说明10:大气压等离子处理系统34:处理室(腔室)38:等离子头(大气压等离子发生装置)40:第一连通路(搬出搬入口)42:第二连通路(腔室间连通路)44:第三连通路(腔室间连通路)46:第四连通路(搬出搬入口)50:搬运装置60:气帘装置(腔室大气间分隔装置)62:气帘装置(腔室间分隔装置)64:气帘装置(腔室间分隔装置)66:气帘装置(腔室大气间分隔装置)80:大气压等离子处理系统82:气帘装置(腔室间分隔装置)(腔室大 气间分隔装置)
具体实施方式
以下，作为用于实施本实用新型的方式，参照附图详细说明本实用新型的实施例及变形例。<大气压等离子处理系统的结构>图1 图3表示本实用新型的实施例的大气压等离子处理系统(以下，有时简称为“处理系统”)10。图1是处理系统10的立体图，图2是将上部罩拆除的状态下的处理系统10的以从上方的视点表示的简要俯视图，图3是图2的AA线的简要剖视图。处理系统10包括能够在大气压下实施等离子处理的3台大气压等离子处理装置(以下，有时简称为“处理装置”)12、14、16、4台连接装置18、20、22、24。上述3台处理装置12、14、16和4台连接装置18、20、22、24交替相邻排列，而配置成一列。顺便提一下，在以下的说明中，将处理装置12、14、16及连接装置18、20、22、24的排列方向称为左右方向，将与该方向垂直且水平的方向称为前后方向。并且，将图1中的左斜上方及图2、3中的左方称为左方，将图1中的右斜下方及图2、3中的右方称为右方。此夕卜，将图1中的左斜下方及图2中的下方称为前方，将图1中的右斜上方及图2中的上方称为后方。而且，在对3台处理装置12、14、16进行区别时，从配置在最左侧的处理装置开始，依次称为第一处理装置12、第二处理装置14、第三处理装置16，在对4台连接装置18、20、22,24进行区别时，从配置在最左侧的连接装置开始，依次称为第一连接装置18、第二连接装置20、第三连接装置22、第四连接装置24。处理装置12、14、16分别具备基体30、将该基体30的整个上表面包围的上部罩32，由上述基体30和上部罩32划分成进行等离子处理的处理室34。在处理室34的顶部即上部罩32的内表面固定地设有头保持部36，通过该头保持部36，保持等离子头38。等离子头38在内部对反应气体进行等离子化，将该等离子化后的气体从形成在下端面上的开口(未图示)朝向下方喷出，在大气压下能够产生等离子气体。能够在大气压下产生等离子气体的头的结构为公知的结构，因此，简单说明的话，为如下结构:使反应气体向形成在等离子头内部的气体流路中流动，在设置于该气体流路上的一对电极之间进行放电，由此使反应气体发生等离子化。另外，连接装置18、20、22、24将相邻的两台处理装置12、14、16的处理室34连通、或将处理室34与处理系统10的外部连通，且在内部形成有用于将它们连通的通路。详细而言，在第一连接装置18的内部形成有将第一处理装置12的处理室34与处理系统10的外部连通的第一连通路40，在第二连接装置20的内部形成有将第一处理装置12的处理室34与第二处理装置14的处理室34连通的第二连通路42。在第三连接装置22的内部形成有将第二处理装置14的处理室34与第三处理装置16的处理室34连通的第三连通路44，在第四连接装置24的内部形成有将第三处理装置16的处理室34与处理系统10的外部连通的第四连通路46。在处理系统10中，以沿左右方向贯穿其内部的方式配置有搬运装置50。搬运装置50具有一对传送带52，上述一对传送带52通过各连通路40、42、44、46，沿着左右方向延伸，且固定在各处理装置12、14、16的基体30上表面。搬运装置50为如下结构:通过一对传送带52对基板54进行支承，通过电磁电动机(未图示)使上述一对传送带52回转，由此将基板54朝向右方搬运。即，通过搬运装置50，从第一连接装置18的第一连通路40搬入基板54，并依次在第一处理装置12、第二处理装置14、第三处理装置16的各自的处理室34内搬运，然后从第四连接装置24的第四连通路46搬出。另外，在连接装置18、20、22、24的各连通路40、42、44、46设有气帘装置60、62、64、66，能够将由各连通路连接的两个处理室34之间、或处理室34与处理系统10的外部之间隔开。详细而言，各气帘装置60等由鼓风机构68和吸引机构70构成，鼓风机构68配置在连通路40等的后方，吸引机构70配置在连通路40等的前方。该鼓风机构68的鼓风口 72和吸引机构70的吸引口 74向连通路40等开口，隔着该连通路40等而相对。上述鼓风口72和吸引口 74分别在连通路40等的上下方向的整个长度上开口，鼓风口 72及吸引口 74的上下方向的长度与连通路40等的上下方向的长度相同。并且，鼓风机构68从鼓风口 72喷出氮气，吸引机构70将所喷出的氮气从吸引口 74吸引，通过气流而形成壁，通过气流壁将处理室34之间或处理室34与大气之间隔开。〈大气压等离子处理系统中的等离子处理〉在如上所述构成的处理系统10中，能够在3台处理装置12、14、16的处理室34的每一个处理室进行不同的等离子处理，对于通过搬运装置50搬运的基板54，依次进行三种等离子处理。具体而言，首先，在经由第一连通路40将基板54搬入的第一处理装置12的处理室34中，将氧气用作反应气体，进行利用等离子化的氧气将基板表面的有机物除去的等离子处理。等离子化的氧气通过与附着于基板表面的有机污染物进行化学结合，而将有机污染物分解，并从基板表面除去。接下来，将除去有机物后的基板54经由第二连通路42向第二处理装置14的处理室34搬运，在该处理室34中，通过等离子化的反应气体将薄膜蒸镀在基板表面。即，通过等离子CVD (Chemical VaporDeposition)来形成薄膜。作为反应气体，可采用娃烧、二氯二氢硅等各种气体，根据形成的薄膜来选择。接下来，在第二处理装置14的处理室34中，形成了 I层薄膜的基板54经由第三连通路44向第三处理装置16的处理室34搬运，在该处理室34中，通过等离子CVD形成第2层薄膜。该第三处理装置16的处理室34内的用于形成薄膜的反应气体采用与第二处理装置14的处理室34内的用于形成薄膜的反应气体不同的气体，形成于基板54的两个层成为不同的层。并且，实施了上述等离子处理的基板54经由第四连通路46，从处理系统10搬出。在处理系统10内进行上述等离子处理的期间，通过气帘装置60等将氮气向各连通路40等喷出，通过由氮气形成的气流壁，将相邻的两个处理室34之间、或位于端部的处理室34与处理系统10的外部之间隔开。该氮气流在从搬运方向的视点下如图4所示。气帘装置60等的鼓风机构68设置在各连通路40等的后方，从鼓风机构68的喷出口 72朝向前方喷出氮气。并且，该喷出的氮气被吸引到在各连通路40等的前方设置的吸引机构70的吸引口。通过这种氮气流，如图所示，在各连通路40形成气流壁，通过该气流壁，将相邻的两个处理室34之间、或位于端部的处理室34与处理系统10的外部之间隔开。由此，能够防止在相邻的两个处理室34中使用的不同种类的反应气体的混合，并且能够防止在位于端部的处理室34中使用的反应气体与大气的混合。另外，传送带52是将一根带的两端连接的环状带，因此，从传送带52的侧方喷出的氮气穿过环状带内部。从图可知，氮气从基板54的侧方喷出。因此，从喷出口 72喷出到基板54的氮气沿着基板54的上表面及下表面，向吸引口 74流入。如此，通过将氮气从薄板状的基板侧方喷出，而能够以少的流路阻力使氮气流动，从而能够适当地形成气流壁。在各处理室34中为了进行等离子处理，而流有反应气体，在各等离子处理中使用的反应气体的流量大致相同。因此，各处理室34的气压大致相同。即，处理室间的气压差几乎为0，从而能够更有效地防止处理室间的反应气体的混合。而且，由于在处理室34中流有反应气体，因此处理室34内的气压高于大气压。因此，在位于端部的处理室34与大气之间，适当地防止了大气向处理室34的流入。另外，如上所述，相邻的处理室34间的气压差几乎没有，且位于端部的处理室34内的气压比大气压高，因此位于端部的处理室34与大气之间的气压差大于相邻的处理室34间的气压差。因此，使在位于处理系统10的端部的连接装置18、24上设置的气帘装置60、66的每单位时间的喷出量比在位于处理装置12等之间的连接装置20、22上设置的气帘装置62、64的每单位时间的喷出量多。由此，能够适当地防止反应气体从位于端部的处理室34向大气的流出。<变形例>在上述处理系统10中，如下构成:氮气从基板54的侧方喷出，但也可以构成为氮气从基板54的上方喷出。如此构成的系统作为变形例的处理系统80如图5所示。该图是与表示上述处理系统10的图3相当的图，是以从前方的视点表示变形例的处理系统80的简要剖视图。另外，变形例的处理系统80除了气帘装置82之外，与上述处理系统10为大致同样的结构，因此对于与上述处理系统10同样的功能的结构要素，使用相同标号而省略说明或简略地进行说明。装备于处理系统80的气帘装置82包括配置在各连通路40等的上方的鼓风机构84和配置在各连通路40等的下方的吸引机构86，鼓风机构84的鼓风口 88和吸引机构86的吸引口 90隔着各连通路40等而相对。上述鼓风口 88和吸引口 90分别在各连通路40等的前后方向的整个长度上开口，鼓风口 88及吸引口 90的前后方向的长度与各连通路40等的前后方向的长度相同。并且，鼓风机构84为如下结构:从鼓风口 88喷出氮气，吸引机构86从吸引口 90吸引该喷出的氮气。通过这种结构，在变形例的处理系统80中，也与上述处理系统10同样地，通过氮气流来形成壁，通过气流壁将处理室34之间、或处理室34与大气之间隔开。另外,在变形例的处理系统80中，与上述处理系统10不同,将氮气朝向基板54的上表面喷出，以比较大的流路阻力使氮气流动。该氮气流在从前方的视点下如图6(a)所示。图6(a)表示基板54在连通路40等内被搬运的状态，该图中的基板54是能够在处理系统80中处理的最大基板。从图可知，连通路40等在搬运方向上的长度比基板54在搬运方向上的长度长，从鼓风机构84的鼓风口 88朝向基板54的上表面喷出的氮气在流入处理室34之前，由吸引机构86的吸引口 90吸引。另一方面，说明连通路在搬运方向上的长度比基板54在搬运方向上的长度短的情况下的氮气流。具体而言，如图6(b)所示，说明通过长度比基板54在搬运方向上的长度短的连通路92将两个处理室34连通的情况下的氮气流。这种情况下，基板54横跨两个处理室34，从鼓风口 88朝向基板54的上表面喷出的氮气在由吸引口 90吸引之前，向各处理室34流入。如此，若在流路阻力大的状态下使氮气流动，且基板54横跨两个处理室34，则氮气容易流入到处理室内。在变形例的处理系统80中，如上所述，虽然在比较大的流路阻力下使氮气流动，但连通路40等在搬运方向上的长度比基板54在搬运方向上的长度长。因此，根据变形例的处理系统80，能够适当地抑制氮气向处理室34内的流入。顺便提一下，在上述实施例及变形例中，处理系统10、80是大气压等离子处理系统的一例，搬运装置50是搬运装置的一例。而且，各处理装置12、14、16内的处理室34是腔室的一例，设置于各处理室34的等离子头38是大气压等离子发生装置的一例。将各处理室34连通的第二连通路42及第三连通路44是腔室间连通路的一例，将处理室34和大气连通的第一连通路40及第四连通路46是搬出搬入口的一例。设置在上述第二连通路42及第三连通路44上的气帘装置62、64、82是腔室间分隔装置的一例，设置在第一连通路40及第四连通路46上的气帘装置60、66、82是腔室大气间分隔装置的一例。并且，基板54是被处理物的一例。此外，本实用新型并不局限于上述实施例及变形例，基于本领域技术人员的知识，能够以实施各种变更、改良的各种方式来实施。具体而言，例如，在上述实施例及变形例中，作为大气压等离子发生装置，采用将等离子化的气体吹到被处理物上的结构的等离子头38、即所谓远距离方式的等离子发生装置，但也可以采用直接方式的等离子发生装置。具体而言，可以采用如下方式的等离子发生装置:在一对电极之间配置被处理物，在其间流过反应气体的状态下，在一对电极间放电，由此进行等离子处理。进一步而言，还可以采用远距离方式的等离子发生装置和直接方式的等离子发生装置这两种方式。即，也可以在第一台处理装置和第三台处理装置上设置远距离方式的等离子发生装置，并在第二台处理装置上设置直接方式的等离子发生装置。另外，在上述实施例及变形例中，采用氮气作为从气帘装置喷出的气体，但也可以采用氦气、氩气等各种气体。但是，优选缺乏反应性的气体、即所谓惰性气体。
权利要求1.一种大气压等离子处理系统，其特征在于，具备: 多个腔室，排成一列地配置； 一个以上腔室间连通路，各个腔室间连通路分别将所述多个腔室中的相邻的两个腔室连通； 搬运装置，经由所述一个以上腔室间连通路并通过所述多个腔室内来搬运被处理物；多个大气压等离子发生装置，与所述多个腔室对应设置，并且，各个大气压等离子发生装置分别能够在所述多个腔室中的与所述各个大气压等离子发生装置本身对应的腔室内部在大气压下产生等离子体；及 一个以上腔室间分隔装置，与所述一个以上腔室间连通路对应设置，并且，各个腔室间分隔装置分别喷出气体以遮断所述一个以上腔室间连通路中的与所述各个腔室间分隔装置本身对应的腔室间连通路，利用所喷出的气流将相邻的两个腔室之间隔开； 在所述多个腔室内依次对由所述搬运装置搬运的被处理物实施等离子处理。
2.根据权利要求1所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述多个腔室内的气压被设定为相同。
3.根据权利要求1所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述多个腔室内的气压被设定为正压。
4.根据权利要求2所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述多个腔室内的气压被设定为正压。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述多个腔室中的配置在两端的两个腔室分别具有用于供所述搬运装置搬出或搬入被处理物的搬出搬入口，且，所述搬出搬入口向大气开口， 所述大气压等离子处理系统具备两个腔室大气间分隔装置， 所述两个腔室大气间分隔装置与所述配置在两端的两个腔室对应设置，并且，各个腔室大气间分隔装置分别喷出气体以遮断所述搬出搬入口，利用所喷出的气流将与所述各个腔室大气间分隔装置本身对应的腔室和大气之间隔开。
6.根据权利要求5所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述两个腔室大气间分隔装置各自的每单位时间的喷出量比所述一个以上腔室间分隔装置各自的每单位时间的喷出量多。
7.根据权利要求1 4中任一项所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间连通路在被处理物的搬运方向上的长度比能够利用所述大气压等离子处理系统处理的最大被处理物在所述搬运方向上的长度长。
8.根据权利要求5所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间连通路在被处理物的搬运方向上的长度比能够利用所述大气压等离子处理系统处理的最大被处理物在所述搬运方向上的长度长。
9.根据权利要求6所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间连通路在被处理物的搬运方向上的长度比能够利用所述大气压等离子处理系统处理的最大被处理物在所述搬运方向上的长度长。
10.根据权利要求1 4中任一项所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
11.根据权利要求5所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
12.根据权利要求6所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
13.根据权利要求7所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
14.根据权利要求8所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
15.根据权利要求9所述的大气压等离子处理系统，其特征在于， 所述一个以上腔室间分隔装置分别形成向与被处理物的搬运方向垂直且水平的方向喷出气体的结构。
专利摘要本实用新型提供一种高实用性的大气压等离子处理系统。在大气压下进行等离子处理的系统中，具备(a)排成一列地配置的多个腔室(34)；(b)将相邻的两个腔室连通的一个以上连通路(42、44)；(c)经由连通路并通过腔室内而搬运基板(54)的搬运装置(50)；(d)能够在各腔室内在大气压下产生等离子体的多个等离子头(38)；(e)喷出气体以将各连通路遮断并通过该喷出的气流而将相邻的腔室间隔开的一个以上分隔装置(62、64)；对于通过搬运装置搬运的被处理物，在多个腔室内依次实施等离子处理。通过这种结构，能够缩短多个等离子处理所需的时间，并且能够通过喷出的气流抑制在各腔室内使用的反应气体的混合。
文档编号H01J37/32GK203013672SQ201220335340
公开日2013年6月19日 申请日期2012年7月11日 优先权日2011年7月12日
发明者岩城范明 申请人:富士机械制造株式会社