静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置制造方法

静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种静电吸盘，包括制造静电吸盘的主体部和基座；以及将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘；其中制造静电吸盘主体部的步骤包括形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部。本发明能够有效提高静电吸盘的耐等离子体侵蚀性能、结构稳定性及使用寿命。
【专利说明】静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置

【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种静电吸盘的制造方法，静电吸盘及包含该静电吸盘的等离子体处理装置。

【背景技术】
[0002]近年来，随着半导体制造工艺的发展，等离子体处理工艺被广泛应用于半导体元器件的制程中。上述制程，如沉积、刻蚀工艺等一般是在等离子体处理装置内进行。一般来说，等离子体处理装置包括腔室，用于将工艺气体从供气源提供至腔室内的气体喷淋头，以及固定、支撑基片的静电吸盘(Electrostatic chuck，简称ESC)。其中静电吸盘通常设置在等离子体处理装置的腔室底部，作为下电极与射频功率源连接，而在腔室顶部的气体喷淋头作为上电极与射频功率源或地连接。上下电极间形成射频电场，使被电场加速的电子等与通入处理腔室的蚀刻气体分子发生电离冲撞，产生由工艺气体形成的等离子体与基片进行反应，以进行所需的工艺制程。
[0003]其中，静电吸盘采用静电引力的方式来固定基片，现有技术中的静电吸盘包括主体部和基座，主体部和基座之间通过粘结剂如硅胶粘结，基座用来支撑主体部。主体部的材料例如为A1203、A1N等陶瓷材料，并可掺杂金属化合物(如T12)或含硅的化合物(如S12),基座则一般采用铝等金属或金属合金材质制作而成。
[0004]然而，在进行等离子体处理工艺如等离子体刻蚀时，由于等离子体中的离子轰击性和工艺气体的腐蚀性,也使暴露于高密度高腐蚀性高活性的等离子体环境中的主体部材料及其掺杂物非常容易被腐蚀，造成主体部形貌、组成、性能(如表面粗糙度，表面电阻系数等)以及与基片间静电引力的变化，更严重的将直接导致静电吸盘的损坏报废。此外，主体部因等离子体腐蚀所产生的颗粒也很可能污染固定于其上的基片，从而导致工艺缺陷。
[0005]为解决这一问题，现有技术中通过在静电吸盘表面涂覆一层耐侵蚀涂层，以防止其被等离子体侵蚀。为了形成致密性较好的耐侵蚀涂层，一种做法是在静电吸盘表面采用等离子体增强型物理气相沉积(PEPVD)淀积氧化钇(Y2O3)或氧化钇/氧化铝(Y2O3Al2O3)复合涂层。但是，在采用PEPVD淀积耐侵蚀涂层时，随着工艺时间的增长静电吸盘的温度容易超过100°C，将严重破坏主体部与基座之间的粘结剂的粘结力，甚至会发生主体部从基座脱落，导致静电吸盘的损坏报废。


【发明内容】

[0006]本发明的主要目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种耐等离子体侵蚀且性能较佳的静电吸盘的制造方法以及由该方法制造形成的静电吸盘。
[0007]为达成上述目的，本发明提供一种静电吸盘的制造方法，包括以下步骤:制造静电吸盘的主体部和基座，其中制造所述主体部的步骤包括:形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子体侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部；以及
[0008]将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘。
[0009]优选的，制造所述主体部的步骤还包括:去除所述陶瓷基板。
[0010]优选的，通过磨削方法去除所述陶瓷基板。
[0011]优选的，所述保护层的材料选自陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物。
[0012]优选的，所述保护层的材料为氧化钇或氧化钇/氧化铝的复合材料。
[0013]优选的，通过增强型等离子体物理沉积形成所述保护层。
[0014]优选的，所述保护层的厚度为大于等于0.1毫米。
[0015]优选的，所述保护层包覆所述多层薄膜结构的侧壁。
[0016]优选的，通过真空镀膜技术形成所述薄膜电极，通过热喷涂形成所述第一绝缘层。
[0017]优选的，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。
[0018]优选的，所述功能层为加热层或高电阻层或低电阻层。
[0019]优选的，通过真空镀膜技术形成所述功能层，通过热喷涂形成所述第二绝缘层。
[0020]优选的，所述薄膜电极的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为陶瓷。
[0021]优选的，所述功能层的材料为金属或金属合金，所述第二绝缘层的材料为陶瓷。
[0022]优选的，所述多层薄膜结构还包括加热层及第三绝缘层，所述加热层位于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间，所述第三绝缘层位于所述薄膜电极下方。
[0023]优选的，通过真空镀膜技术形成所述加热层，通过热喷涂形成所述第三绝缘层。
[0024]优选的，所述加热层的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为绝热陶瓷，所述第三绝缘层的材料为导热陶瓷。
[0025]优选的，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。
[0026]优选的，所述功能层为高电阻层或低电阻层。
[0027]优选的，通过真空镀膜技术形成所述功能层，通过热喷涂形成所述第二绝缘层。
[0028]优选的，通过增强型等离子体物理沉积工艺形成所述多层薄膜结构。
[0029]根据本发明的另一方面，本发明还提供了一种通过上述方法制造的静电吸盘。
[0030]根据本发明的另一方面，本发明还提供了一种包含上述方法制造的静电吸盘的等离子体处理装置。
[0031 ] 本发明的有益效果在于通过形成具有保护层的静电吸盘主体部，增强了主体部的抗等离子体性能，表面硬度，热传导性；进一步的，本发明的制造方法避免因对静电吸盘整体进行耐侵蚀涂层的涂覆工序而造成的静电吸盘的结构不稳定，提高了其使用寿命。

【专利附图】

【附图说明】
[0032]图1为本发明实施例的静电吸盘的制造方法的流程图；
[0033]图2a?2d为本发明实施例静电吸盘制造方法的示意图；
[0034]图3为利用本发明实施例制造方法形成的静电吸盘的示意图；
[0035]图4为包含图3所示的静电吸盘的等离子体处理装置的示意图；
[0036]图5为本发明另一实施例制造方法形成的静电吸盘的示意图；
[0037]图6a?6d为本发明另一实施例静电吸盘制造方法的示意图。

【具体实施方式】
[0038]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0039]以下将详细说明本发明的静电吸盘的制造方法。
[0040]图1所示为本发明的制造方法的流程示意图，其包括如下步骤:
[0041]步骤S1:制造静电吸盘主体部和基座；
[0042]步骤S2:将主体部和基座连接为一体以形成静电吸盘。
[0043]其中静电吸盘基座一般采用例如铝的金属、钛的合金、或不锈钢材料制成，利于射频能量的馈入；基座也可由提供良好强度和耐用性以及传热型的陶瓷和金属的合成物制成。静电吸盘基座的制造步骤可通过现有技术形成。将主体部和基座连接为一体的步骤例如是在形成主体部和基座之后，通过在基座上涂覆粘结剂，在粘结剂上放置静电吸盘主体部而将主体部固定在基座上，其中粘结剂可采用以硅胶为基的粘结剂。此外，也可采用其他的工艺，如扩散焊接等方法连接主体部与基座。
[0044]请继续参考图1，步骤SI中制造静电吸盘主体部的步骤进一步包括:
[0045]步骤Sll:形成陶瓷基板；
[0046]步骤S12:在陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，其中第一绝缘层位于陶瓷基板上表面，薄膜电极位于第一绝缘层上方；
[0047]步骤S13:在多层薄膜结构上沉积抗等离子侵蚀的保护层；
[0048]步骤S14:图形化保护层的上表面以形成静电吸盘的主体部。
[0049]接下来将结合图1及图2a?2d，详细说明本发明一实施例制造静电吸盘主体部的详细步骤。
[0050]首先，如图2a所示，进行步骤Sll:形成陶瓷基板11。
[0051]其中陶瓷基板11的适用材料例如氮化铝(ALN)，氧化铝(Al2O3)，碳化硅(SiC)，氮化硼(BN)，氧化锆(ZrO2)等陶瓷材料及它们的化合物，陶瓷基板通过现有技术烧结形成，为本领域技术人员所熟知，具体细节在此不作赘述。
[0052]请参考图2b，进行步骤S12:在陶瓷基板11上沉积多层薄膜结构13，其中多层薄膜结构13至少包括第一绝缘层13a以及薄膜电极13b。第一绝缘层13a位于陶瓷基板11的上表面，薄膜电极13b位于第一绝缘层13a上方。适用的薄膜电极13b材料为高熔点金属或金属合金材料，如钥，钨以及其化合物等，第一绝缘层13a的材料为陶瓷。多层薄膜结构13是通过镀膜工艺形成，具体来说，薄膜电极13b较佳通过真空镀膜技术如化学气相沉积或物理气相沉积形成，易于快速形成且形成的薄膜成分纯度高，组织致密，电阻率以及其它性能都大大改善或提高。第一绝缘层13a可通过热喷涂形成，由于热喷涂膜组织应力小，因而易于形成厚度相对大的膜。采用薄膜涂覆工艺可以非常容易地实现大面积均匀镀膜，所形成的多层薄膜结构致密度和均匀性都能够保证。
[0053]在本实施例中，多层薄膜结构13还包括第二绝缘层和功能层13c。这里提及的功能层13c可为加热层、低电阻层或高电阻层，用以实现或增强所形成静电吸盘的工艺性能。如加热层能够对基片表面温度实现调节和控制，提升静电吸盘的整体性能。第二绝缘层位于薄膜电极13b和功能层13c之间。其中功能层13c的材料和制作方法同薄膜电极的加工方法，也可采用真空镀膜技术涂镀金属或金属合金形成。第二绝缘层也可通过热喷涂陶瓷材料形成。
[0054]接着，请参考图2c，在多层薄膜结构13上沉积抗等离子侵蚀的薄膜保护层12。保护层12材料可选自陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物，包括Y203/A1203、Y2O3AF3> YF3Al2O3> ErO2Al2O3> 以及分别以 Y203、ErO2, YF3 为基并掺杂有 Al2O3'Zr203、AIN、S12, SiC等其它元素或陶瓷组分的材料，优选为氧化钇Y2O3或氧化钇/氧化铝复合材料Y203/A1203。在一较佳实施例中，保护层12的材料为氧化钇与氧化铝的复合材料Y2O3Al2O3，这是因为氧化钇本身具有良好的耐等离子体腐蚀特性，而氧化铝则表现出高硬度，高电阻率和高热传导性，因此由氧化钇与氧化铝的复合材料所形成的保护层能够兼具上述优点。保护层12较佳的是通过PEPVD沉积工艺形成，相较于热喷涂等其他镀膜方式，PEPVD沉积工艺所形成的保护层致密性更好且不具有孔隙缺陷的问题。PEPVD沉积工艺所形成的保护层12厚度为大于等于0.1毫米。在本发明的另一实施例中，也可采用PEPVD沉积工艺接续形成多层薄膜结构13和保护层12，采用相同的PEPVD沉积工艺可简化工艺步骤，所形成的薄膜致密性和均匀性也更佳。在本实施例中，功能层13c为多层薄膜结构13的顶层，可以理解的是，在其他实施例中功能层13c上方还可叠加其他薄膜层。
[0055]在本实施例中保护层12包覆多层薄膜结构13的上表面及侧壁，从而进一步防止主体部的侧壁被等离子体侵蚀。在其他实施例中，保护层12也可仅形成于多层薄膜结构的上表面。
[0056]最后，请参考图2d，进行步骤S13:图形化保护层12的上表面，从而形成静电吸盘的主体部10。通过图形化保护层12的上表面，如在保护层上表面形成由小正方格和沟槽组成或由小六方格和沟槽组成的图案(正方格或六方格图案用于静电吸引基片，沟槽用于流动氦气(He)以帮助释放基片或调节温度)有利于基片在静电吸盘上被静电力顺利地吸住或释放，以及对静电吸盘表面的温度控制。此外，由于本实施例中对保护层12进行图形化为形成主体部10的最后一道工序，能确保主体部表面图案被加工得更为精确。当然，对于静电吸盘的基座，在制造时也可采用如PEPVD沉积工艺在基座表面沉积抗等离子侵蚀的保护层，从而保护基座不受等离子体腐蚀。
[0057]由以上可知，本发明通过形成具有薄膜保护层的静电吸盘主体部，可使得由其所形成的静电吸盘主体部免于遭受等离子体冲击，降低了等离子体侵蚀及颗粒污染。此外主体部与基座的结合具有灵活性，且在形成静电吸盘之后，无需再进行耐侵蚀涂层的涂覆工序，能够有效避免涂覆耐侵蚀涂层时主体部与基座之间结合不稳定的缺陷。
[0058]图3为依据本实施例的方法所制造的静电吸盘的示意图。静电吸盘包括基座30和具有保护层的主体部10。基座30用来支撑主体部10，主体部10和基座30之间通过粘结剂20粘结或也可采用其他方式如扩散焊接连接。
[0059]主体部10包括陶瓷基板11、多层薄膜结构13及保护层12。多层薄膜结构13包括薄膜电极和第一绝缘层，第一绝缘层位于薄膜电极与陶瓷基板之间。通过对薄膜电极施加直流电源，在基片和主体部10之间产生静电力，使基片被牢牢地吸附在静电吸盘上。保护层12覆盖多层薄膜结构13的至少部分表面(如多层薄膜结构13的上表面或多层薄膜结构13的上表面及侧壁)，以作为用于保护静电吸盘主体部的暴露表面与等离子体隔离的耐侵蚀涂层。保护层12的材料可选自陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物，优选为Y2O3或Y2O3Al2O3的复合材料，如此，保护层12可兼具耐等离子体腐蚀性，高硬度，高电阻率和高热传导性。陶瓷基板通过烧结形成，多层薄膜结构13和保护层12均由薄膜涂覆工艺形成。其中保护层12较佳是通过等离子体增强物理气相沉积形成，从而具有致密性更好及减少孔隙缺陷的优点。
[0060]图4显示了本发明一种实施方式提供的包含图3所示的静电吸盘的等离子处理装置。应该理解，等离子体处理装置仅仅是示例性的，其可以包括更少或更多的组成元件，或该组成元件的安排可能与图4所示不同。
[0061]等离子处理装置包括设置于腔室I内的静电吸盘和反应气体气体喷淋头3。上电极3配置于反应气体喷淋头3中，薄膜电极13b配置于静电吸盘主体部10中。基片(图中未示)放置于静电吸盘主体部10的表面。工艺气体源向腔室供应等离子体处理工艺中所需的工艺气体。工艺气体从气体源中被输入至腔室I内，一个或多个RF射频功率源可以被单独地施加在薄膜电极13b上或同时被分别地施加在上电极3与薄膜电极13b上，用以将射频功率输送到薄膜电极13b上或上电极3与薄膜电极13b上，从而在反应腔室内部产生大的射频电场，此射频电场对少量存在于反应腔室内部的电子进行加速，使之与输入的反应气体的气体分子碰撞。这些碰撞导致反应气体的离子化和等离子体的激发，从而在反应腔室内产生等离子体。DC直流电压源将高压直流电源施加到薄膜电极13b，使静电吸盘表面产生极化电荷，并进一步在基片表面的对应位置产生极性相反的极化电荷，因而通过在基片和静电吸盘之间产生的库仑力或约翰逊?拉别克(Johnsen-Rahbek)力，使基片被牢牢地吸附在静电吸盘上。等离子体工艺处理完成后，RF射频功率源被关闭，通过DC直流电压源对薄膜电极13b施加反向直流电压来使基片从静电吸盘上释放。
[0062]图5为依据本发明另一实施例的方法所制造的静电吸盘主体部的示意图。
[0063]请参照图5，在本实施例中，多层薄膜结构还包括加热层13d和第三绝缘层。加热层13d位于第一绝缘层上，第三绝缘层位于加热层13d及薄膜电极13b之间。为了保证及增强加热层13d的有效加热功能，第一绝缘层的材料可为绝缘绝热陶瓷，第三绝缘层的材料可为绝缘导热陶瓷。通过加热层13d能够对基片表面温度实现调节和控制，提升静电吸盘的整体性能。加热层13d的材料和制作方法可与薄膜电极的加工方法相同，也采用真空镀膜技术涂镀金属或金属合金形成。第三绝缘层也可通过热喷涂形成。当然，在其他实施例中，多层薄膜结构13也可兼具位于薄膜电极13b下方的加热层以及位于薄膜电极13b上方的加热层之外的其他功能层，如高电阻层或低电阻层等。功能层的形成方法与上述实施例相同，在此不作赘述。
[0064]接下来请参考图6a?6c，其所示为本发明另一实施例静电吸盘主体部制造方法的示意图。
[0065]请参考图6a和图6b，首先形成陶瓷基板11，并在陶瓷基板11上形成具有第一绝缘层13a和薄膜电极13b的多层薄膜结构。多层薄膜结构13还可包括第二绝缘层和功能层13c。需要注意的是，在其他实施例中，多层薄膜结构13也可包括位于第一绝缘层13a上的加热层和位于加热层及薄膜电极13b之间的第三绝缘层；当然多层薄膜结构13也可兼具位于薄膜电极13b下方的加热层以及位于薄膜电极13b上方的加热层之外的其他功能层。陶瓷基板及多层薄膜结构的形成方法与材料与上述实施例相类似，在此不作赘述。
[0066]接着，如图6c所示，去除陶瓷基板11。陶瓷基板11可通过磨削方法去除。接着，在多层薄膜结构13表面沉积抗等离子侵蚀的保护层12。保护层的材料为陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物，优选为Y2O3或Y2O3Al2O3 ;保护层形成方法较佳的是通过PEPVD沉积工艺形成，以获得更好的致密性和均匀性。本实施例中，保护层12还覆盖多层薄膜结构的侧壁，提高了静电吸盘主体部侧壁的耐等离子体腐蚀性。
[0067]最后，如图6d所示，对保护层12的上表面图形化，最终形成静电吸盘的主体部10。
[0068]需要注意的是，本实施例的制造方法在沉积多层薄膜结构13后去除了底层的陶瓷基板11，在其他实施例中，也可在保护层12的上表面图形化完成后进行陶瓷基板11的去除。陶瓷基板去除后，形成的静电吸盘的主体部10由多层薄膜结构13和保护层12组成，而多层薄膜结构13和保护层12均由镀膜工艺形成，因此组织致密度和成分纯度更高，主体部10的性能也更为稳定。
[0069]综上所述，本发明的静电吸盘的制造方法，通过形成涂覆保护层的静电吸盘主体部，增强了主体部的抗等离子体性能，表面硬度，热传导性，以及与基座结合的灵活性；进一步的，本发明的制造方法无需对静电吸盘整体进行耐侵蚀涂层的涂覆工序，避免了因PEPVD工艺温度过高引起静电吸盘主体部从基座脱落的危险，提高了静电吸盘的结构稳定性及使用寿命。
[0070]虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
【权利要求】
1.一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 制造静电吸盘的主体部和基座，其中制造所述主体部的步骤包括: 形成陶瓷基板； 在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方； 在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子体侵蚀的保护层；以及 图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部；以及 将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，制造所述主体部的步骤还包括: 去除所述陶瓷基板。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过磨削方法去除所述陶瓷基板。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料选自陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化钇或氧化钇/氧化铝的复合材料。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积形成所述保护层。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于0.1毫米。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层包覆所述多层薄膜结构的侧壁。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述薄膜电极，通过热喷涂形成所述第一绝缘层。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层为加热层或高电阻层或低电阻层。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述功能层，通过热喷涂形成所述第二绝缘层。
13.根据权利要求12所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为陶瓷。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层的材料为金属或金属合金，所述第二绝缘层的材料为陶瓷。
15.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括加热层及第三绝缘层，所述加热层位于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间，所述第三绝缘层位于所述薄膜电极下方。
16.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述加热层，通过热喷涂形成所述第三绝缘层。
17.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述加热层的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为绝热陶瓷，所述第三绝缘层的材料为导热陶瓷。
18.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。
19.根据权利要求18所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层为高电阻层或低电阻层。
20.根据权利要求19所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述功能层，通过热喷涂形成所述第二绝缘层。
21.根据权利要求6所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积工艺形成所述多层薄膜结构。
22.—种由权利要求1-21中任一项所述的方法所制造的静电吸盘。
23.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包含权利要求22所述的静电吸盘。
【文档编号】H01J37/32GK104241181SQ201310227182
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月8日 优先权日:2013年6月8日
【发明者】贺小明, 倪图强 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司