发光模块的制作方法

本发明的实施例涉及一种发光模块。

背景技术：

包括诸如gan、algan等的化合物的半导体装置可以具有诸如带隙能量宽且可容易地调节等的诸多优点，并且可以多样地用于半导体装置、光接收元件和各种二极管。

特别地，使用包括iii-v族元素或ii-vi族元素的化合物半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的半导体装置随着薄膜生长技术和元件材料的发展可以实现各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外光，并且通过使用荧光材料或组合颜色还可以实现具有高效率的白光。与诸如荧光灯、白炽灯等的传统光源相比，半导体装置具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。

另外，随着元件材料的发展，使用包括iii-v族元素或ii-vi族元素的化合物半导体材料制造的诸如光电探测器或太阳能电池的光接收元件通过吸收各种波长范围内的光产生光电流，能够利用从伽马射线到无线电波长的各种波长范围内的光。此外，光接收元件具有诸如响应速度快、安全、环保和元件材料的控制简单的优点，因此可以容易地用于功率控制、微波电路或通信模块。

因此，半导体装置越来越多地应用于光通信装置的传输模块、取代构成液晶显示(lcd)装置的背光的冷阴极荧光灯(ccfl)的发光二极管背光、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、汽车前灯、交通信号灯以及检测气体和火灾的传感器。此外，半导体装置能够广泛应用于高频应用电路、其他功率控制装置以及通信模块。

技术实现要素：

技术问题

本发明的一个实施例旨在提供一种能够增加光分布的发光模块以及包括该发光模块的照明系统。

本发明的另一实施例旨在提供一种能够提高反射效率的发光模块以及包括该发光模块的照明系统。

本发明的又一实施例旨在提供一种能够提高中心区域的发光强度并增加光分布的发光模块以及包括该发光模块的照明系统。

本发明的又一实施例旨在提供一种能够通过实现薄化(slimming)来提高设计自由度的发光模块以及包括该发光模块的照明系统。

本发明的又一实施例旨在提供一种用于改善光分布并且容易处理的发光模块以及包括该发光模块的照明系统。

技术方案

根据实施例的发光模块包括：驱动单元，所述驱动单元设置在基板上并与基板的一侧相邻；第一发光单元，所述第一发光单元设置成与基板的另一侧相邻，并且设置在基板的一个表面上；第二发光单元，所述第二发光单元设置成与基板的另一侧相邻，并且设置在基板的另一表面上，并且所述第二发光单元被配置为发射具有与第一发光单元的波长不同的波长的光；以及反射部，所述反射部被配置为围绕第一发光单元和第二发光单元，并且包括面向第一发光单元和第二发光单元的第一区域和第二区域，其中，第一发光单元和第二发光单元中的每一个包括至少一个发光芯片，并且第一区域和第二区域中的每一个包括相对于第一发光单元和第二发光单元中的每一个的发光芯片具有抛物线的多个子区域。

根据实施例，反射部可以包括多个小平面(facet)，反射部可以包括发射表面，光通过所述发射表面发射，并且反射部具有在发射表面的方向上逐渐增加的宽度，并且多个小平面可以设置在多个子区域中的每一个中，其中，彼此相邻的小平面可以相对于与基板的一个表面平行的第一方向具有不同的倾斜角。

根据实施例，多个小平面可以在反射部的内侧表面上具有凸面或凹面。

根据实施例，多个小平面可以在反射部的周向和深度方向上设置有十二个以上的小平面。

根据实施例，反射部可以包括设置在发射表面的相对侧上的底表面，并且发射表面和底表面可以在多个子区域的边界区域中包括具有彼此对称的倾斜角的边界部。

根据实施例，边界部可以包括沿着反射部的外侧表面凹入地相遇的第一表面和第二表面。

根据实施例，边界部可以从多个子区域延伸，并且沿着反射部的外侧表面对应于多个子区域的倾斜角而彼此相遇。

根据实施例，可以通过以下表达式获得设置在多个子区域中的每个子区域中的多个小平面的比率，

m:n(m≥8且n>3)，

其中，m表示在反射部的周向上设置的小平面的数量，

n表示在反射部的深度方向上设置的小平面的数量。

根据实施例，多个小平面可以在反射部的周向上具有相同的宽度和相同的面积。

根据实施例，第一发光单元和第二发光单元可以在基板的方向上彼此重叠，并且可以设置在反射部的底表面的外围(outerperiphery)上。

根据实施例，基板可以包括从反射部的底表面突出到反射部的内侧的端部，并且

端部和反射部的深度可以满足以下关系，

d1:d2(1≤d1≤10，10≤d2≤15)，

其中，d1表示从反射部的底表面到端部的距离，

d2表示反射部的深度方向上的距离。

根据实施例的发光模块包括：驱动单元，所述驱动单元设置在基板上并与基板的一侧相邻；第一发光单元，所述第一发光单元设置成与基板的另一侧相邻，并且设置在基板的一个表面上；第二发光单元，所述第二发光单元设置成与基板的另一侧相邻，并且设置在基板的另一表面上，并且所述第二发光单元被配置为发射具有与第一发光单元的波长不同的波长的光；反射部，所述反射部被配置为围绕第一发光单元和第二发光单元，并且包括面向第一发光单元和第二发光单元的第一区域和第二区域，其中，第一发光单元和第二发光单元中的每一个包括至少一个发光芯片，并且第一区域和第二区域中的每一个包括相对于第一发光单元和第二发光单元中的每一个的发光芯片具有抛物线的多个子区域，并且在第一区域和第二区域的边界区域中包括具有彼此对称的倾斜角的边界部。

根据实施例，反射部可以包括多个小平面，反射部可以包括光通过其发射的发射表面并且具有在发射表面的方向上逐渐增加的宽度，并且多个小平面可以设置在多个子区域中的每个子区域中，其中彼此相邻的小平面可以相对于与基板的一个表面平行的第一方向具有不同的倾斜角。

根据实施例，第一区域可以包括第一子区域和第二子区域，第二区域可以包括第三子区域和第四子区域，多个小平面中的设置在第一子区域和第二子区域的边界区域中的小平面可以共用第一子区域和第二子区域，并且多个小平面中的设置在第三子区域和第四子区域的边界区域中的小平面可以共用第一子区域和第二子区域。

根据实施例的照明系统包括：上述沿第一方向设置的多个发光模块中的任一个；以及设置在发光模块上的盖部。

有益效果

根据实施例，可以通过设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部提高反射效率。

根据实施例，可以减小反射部的发射表面的宽度并实现发射表面的薄化，从而提高设计自由度。

根据实施例，可以改善发光强度的降低。

根据实施例，多个小平面可以被包括在相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域中，以在各个方向上反射光，从而增加光分布。

根据实施例，可以通过减少小平面的数量改善可加工性。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光模块的平面图。

图2是示出图1的发光单元的视图。

图3是示出沿图1的线a-a截取的发光模块的剖视图。

图4是示出在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

图5是示出根据反射部在第一方向上的长度的光分布的变化的视图。

图6是示出根据反射部在第三方向上的长度的光分布的变化的视图。

图7是示出根据设置在反射部内部的基板在第三方向上的长度的散热变化的视图。

图8是示出根据第二实施例的发光模块的平面图。

图9是示出根据第二实施例的在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

图10是示出根据第三实施例的发光模块的剖视图。

图11是示出根据第三实施例的在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

图12是示出根据第四实施例的发光模块的平面图。

图13是示出包括根据实施例的发光模块的照明系统的平面图。

图14是示出从图13的第一发光单元发射的光的分布的视图。

图15是示出从图13的第二发光单元发射的光的分布的视图。

图16是示出图13的照明系统的透视图。

图17是示出图14的第一发光单元和基板的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本领域技术人员容易执行的本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以各种不同的形式实现，而不限于在此描述的实施例。

在以下描述中，当存在某部分“包括”一些结构元件的表述时，这意味着该某部分不排除另一结构元件，而可以进一步包括另一结构元件，除非另有说明。应当理解的是，当层、膜、区域、板等的一部分被描述为在另一部分“上”时，其可以直接形成在另一部分上，或者第三部分可以插设于这些部分之间。否则，当一部分“直接形成在另一部分上”时，意味着在这些部分之间没有第三部分。

此外，为了清楚地描述本发明，在附图中未示出与详细描述无关的结构和元件，厚度可能被放大以清楚地说明各种层和区域，并且以下描述中相似的元件通过相似的附图标记表示。

图1是示出根据第一实施例的发光模块的平面图，图2是示出图1的发光单元的视图，图3是示出沿图1的线a-a截取的发光模块的剖视图，图4是示出在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

图5是示出根据反射部在第一方向上的长度的光分布的变化的视图。图6是示出根据反射部在第三方向上的长度的光分布的变化的视图。图7是示出根据设置在反射部内部的基板在第三方向上的长度的散热变化的视图。

如图1至图4所示，根据第一实施例的发光模块100可以包括发光单元和反射部120。发光单元可以包括基板140、设置在基板140的一个表面140a上的第一发光单元150以及设置在基板140的另一表面140b上的第二发光单元160。也就是说，第一发光单元150和第二发光单元160可以在第一方向x上与插设在它们之间的基板140重叠。第一实施例可以具有杯形反射部120，杯形反射部120能够提高从在第一方向x上分离的第一发光单元150和第二发光单元160发射的光的反射效率，从而提高发光模块100的发射部的中心区域的发光强度并且提高光分布效率。

基板140可以包括电连接到第一发光单元150和第二发光单元160的电路图案(未示出)。基板400可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(pcb)。基板140可以包括金属芯pcb(mcpcb)、陶瓷基板和柔性pcb(fpcb)以及树脂pcb中的至少一者。基板140可以包括用于保护其表面上的电路图案的抗蚀剂材料层或用于反射的反射材料层。用于散热的金属层或散热板可以设置在基板140的下部上。

基板140可以包括在反射部120的向内方向上突出的端部。这里，基板140的一个表面140a和另一表面140b在与第一方向x正交的第二方向y上平行设置。基板140的端部可以设置在与第一方向x和第二方向y正交的第三方向z上。基板140的端部可以设置在从反射部120的底表面120s到发射表面120e的方向上。

在第一实施例中，基板140的一部分可以设置在反射部120内部，使得可以确保从第一发光单元150和第二发光单元160产生的热被传导的区域并且可以提高散热。具体地，基板140的端部的位置和反射部120的深度方向上的距离可以满足关系d1:d2(1≤d1≤10且10≤d2≤15)。这里，d1表示从设置第一发光单元150和第二发光单元160的区域到基板140的端部的距离d1，d2表示反射部120的深度方向上的距离d2。这里，反射部120的深度方向可以对应于第三方向z。

在满足d1:d2(d1<1且10≤d2≤15)的关系的情况下，由于从设置第一发光单元150和第二发光单元160的区域到基板140的端部的短距离导致散热效率可能降低，使得第一发光单元150和第二发光单元160的寿命可能降低。在满足d1:d2(d1>10且10≤d2≤15)的关系的情况下，基板140的端部与反射部120的发射表面120e相邻，因此，通过由于基板140导致阻挡光路而可能难以满足光分布标准。

在满足d1:d2(1≤d1≤10且d2<10)的关系的情况下，基板140的端部与反射部120的发射表面120e相邻，因此，通过由于基板140导致阻挡光路而可能难以满足光分布标准。在满足d1:d2(1≤d1≤10且d2>15)的关系的情况下，随着反射部120的深度增加，发光模块100的总尺寸由于反射部120而增加，因此可能难以使发光模块100纤薄化(slimandthin)。

距离d1可以在2mm至20mm的范围内，距离d2可以在20mm至30mm的范围内。具体地，距离d1可以在2mm至16mm的范围内，距离d2可以在20mm至30mm的范围内。当距离d1小于2mm时，散热效率可能降低，当距离d1大于20mm时，散热效率可能降低，并且通过由于基板140导致阻挡光路而可能难以满足光分布标准。当距离d2小于20mm时，反射部120的发射表面120e与基板140相邻，因此，通过由于基板140导致阻挡光路而可能难以满足光分布标准，并且当距离d2大于30mm时，发光模块100的总尺寸增大，因此可能难以使发射模块100纤薄化。

参照图6和图7，在第一实施例的发光模块100中，基板140的端部可以在反射部120的向内方向上突出，因此不仅可以改善散热功能而且可以满足光分布标准。

第一发光单元150可以设置在基板140的一个表面140a上。第二发光单元160可以设置在基板140的另一表面140b上。第一发光单元150和第二发光单元160可以在第一方向x上与插设在它们之间的基板140彼此重叠。第一发光单元150和第二发光单元160可以发射具有不同波长的光。因此，第一实施例的发光模块100可以选择性地发射具有不同波长的光。

第一发光单元150可以包括至少一个发光芯片。第一实施例的第一发光单元150可以是包括第一发光芯片151和第二发光芯片153的双芯片半导体装置封装。第一发光芯片151和第二发光芯片153可以发射具有相同波长的光。例如，第一发光单元150可以发射具有白色波长的光。

第二发光单元160可以包括至少一个发光芯片。第一实施例的第二发光单元160可以是包括第三发光芯片161和第四发光芯片163的双芯片半导体装置封装。第三发光芯片161和第四发光芯片163可以发射具有相同波长的光。例如，第二发光单元160可以发射具有黄色波长、红色波长和橙色波长中的至少一者的光。

第一发光单元150和第二发光单元160可以发射紫外(uv)线、可见光线和红外线的波长带中的至少一个波长带的光。第一发光单元150和第二发光单元160可以包括具有磷光体的层或膜，但是本发明不限于此。第一至第四发光芯片151、153、161和163可以各自包括uv发光二极管(led)芯片、绿色led芯片、蓝色led芯片、红色led芯片和红外led芯片中的至少一个。第一至第四发光芯片151、153、161、163例如可以各自包括蓝色led芯片。第一至第四发光芯片151、153、161和163可以各自包括iii-v族化合物半导体和ii-vi族化合物半导体中的至少一个。第一至第四发光芯片151、153、161和163可以各自包括堆叠有化合物半导体层的发光结构。发光结构可以包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层。第一至第四发光芯片151、153、161和163可以以倒装芯片方式设置，或者可以设置成垂直芯片结构或水平芯片结构。

第一发光单元150和第二发光单元160可以设置成与反射部120的底表面120s相邻，并且可以不设置在反射部120内部。第一发光单元150和第二发光单元160可以是在一个方向上发射光的侧视型，并且第一发光单元150和第二发光单元160的发光方向可以是第三方向z。

具体地，第一发光单元150和第二发光单元160可以设置在反射部120的外围上。第一发光单元150和第二发光单元160中的每一个的一个侧表面可以在第一方向x和第二方向y上设置在与反射部120的底表面120s相同的平面上，但是本发明不限于此。第一发光单元150和第二发光单元160可以设置在反射部120的外围上，因此可以提高从第一发光单元150和第二发光单元160发射的光的反射效率。此外，由于第一发光单元150和第二发光单元160设置在反射部120的外围上使得第一发光单元150和第二发光单元160暴露于外部，所以可以改善散热特性。当第一发光单元150和第二发光单元160设置在反射部120内部时，光路可能被限制在反射部120的设置有侧视型的第一发光单元150和第二发光单元160的区域周围。也就是说，反射效率在反射部120的在第一方向x和第二方向y上与第一发光单元150和第二发光单元160重叠的区域中可能降低。

作为另一示例，第一发光单元150和第二发光单元160可以在第三方向z上与反射部120的反射表面120s隔开预定间隔。第一发光单元150和第二发光单元160可以根据光分布特性，在反射部120的底表面120s周围没有光损失的条件下，在第三方向z上与反射表面120隔开预定间隔。在另一示例中，当第一发光单元150和第二发光单元160有缺陷时，可以容易地修复第一发光单元150和第二发光单元160，并且散热特性可以由于第一发光单元150和第二发光单元160与反射部120间隔开的空间而得到改善。

作为又一示例，第一发光单元150和第二发光单元160中的每一个的至少一部分可以设置在反射部120内部。第一发光单元150和第二发光单元160中的每一个的至少一部分可以根据光分布特性设置在反射部120内部。第一发光单元150和第二发光单元160可以在不降低反射效率的条件下设置在反射部120内部。在又一示例中，第一发光单元150和第二发光单元160可以设置在反射部120内部，使得可以改善第一发光单元150和第二发光单元160不被外力损坏。

反射部120可以具有杯状结构，该杯状结构包括与第一发光单元150和第二发光单元160相邻的底表面120s以及光通过其发射的发射表面120e。发射表面120e和底表面120s可以具有孔结构并且可以具有相同的形状，但是本发明不限于此。发射表面120e的宽度可以大于底表面120s的宽度。例如，发射表面120e在第一方向上的第一宽度w1可以等于在第二方向y上的第二宽度w2，或者可以小于第二宽度w2。例如，第一宽度w1和第二宽度w2可以满足w1:w2(0.5≤w2≤1且w2＝1)的关系。这里，w1表示反射部120的发射表面120e在第一发光单元150和第二发光单元160重叠的第一方向x上的宽度，w2表示与宽度w1正交的发射表面120e的宽度。这里，宽度w2可以对应于第二方向y。

具体地，第一宽度w1可以在10mm至20mm的范围内，第二宽度w2可以是20mm。这里，第二宽度w2不限于20mm，并且可以根据照明系统的设计要求或光分布要求而改变。第一宽度w1可由于第二宽度w2而在满足w1:w2(0.5≤w2≤1且w2＝1)的关系的范围内改变。

参照图5，随着第一宽度w1增加，第一方向x上的光分布可以增加。例如，第一宽度w1可以在与第二宽度w2相同的条件下实现最大光分布。由于反射部120的第一宽度w1和第二宽度w2的相对比率条件，第一实施例的发光模块100可以满足光分布标准。

反射部120可以包括第一区域121和第二区域123，在第一区域121中反射第一发光单元150的光，在第二区域123中反射第二发光单元160的光。

第一区域121可以面向第一发光单元150。第一区域121可以面向基板140的一个表面140a。第一区域121可以包括具有不同抛物线的第一子区域121a和第二子区域121b。具体地，第一子区域121a可以具有从其上设置有第一发光芯片151的第一基准c1开始的抛物线。第二子区域121b可以具有从其上设置有第二发光芯片153的第二基准c2开始的抛物线。第一实施例的发光模块100可以提供相对于第一发光芯片151和第二发光芯片153的位置具有抛物线曲率的反射部120，因此考虑到发射光的第一发光芯片151和第二发光芯片153，发光模块100的光分布可以增加。

第二区域123可以面向第二发光单元160。第二区域123可以面向基板140的另一表面140b。第二区域123可以包括具有不同的抛物线的第三子区域123a和第四子区域123b。具体地，第三子区域123a可以具有从其上设置有第三发光芯片161的第三基准c1开始的抛物线。第四子区域123a可以具有从其上设置有第四发光芯片163的第四基准c4开始的抛物线。第一实施例的发光模块100可以提供相对于第三发光芯片161和第四发光芯片163的位置具有抛物线曲率的反射部120，因此考虑到发射光的第三发光芯片161和第四发光芯片163，发光模块100的光分布可以增加。

第一实施例的反射部120可以包括多个小平面120f。这里，多个小平面120f可以在反射部120的表面上设置有具有不同倾斜角的多个表面。多个小平面120f可以提供以不同倾斜角在各个方向上反射的光，因此发光模块100的光分布可以增加。多个小平面120f可以具有凹面形状。多个小平面120f可以具有凸面形状。此外，多个小平面120f可以具有彼此相邻的小平面的凹面或凸面被连接的结构。

第一实施例的多个小平面120f可以在反射部120的周向上设置有十二个以上的个小平面120f。此外，多个小平面120f可以在与反射部120的第三方向z相对应的深度方向上设置有十二个以上的小平面120f。随着小平面120f的数量在反射部120的周向和深度方向上增加，存在光的各种反射角度，因此光分布可以增加。

反射部120可以包括设置在第一至第四子区域121a、121b、123a和123b之间的边界部120b。边界部120b可以各自包括具有彼此对称的倾斜角的第一表面120b1和第二表面120b2。例如，第一表面120b1可以从第一子区域121a延伸，第二表面120b2可以从第二子区域121b延伸。边界部120b可以包括多个小平面120f，并且小平面120f在第三方向z上的数量可以对应于小平面120f在与第一至第四子区域121a、121b、123a和123b中的每一个的第三方向z相对应的深度方向上的数量。

第一表面120b1和第二表面120b2可以在反射部120的外侧表面上沿反射部120的向内方向凹入地彼此相遇。第一表面120b1和第二表面120b2可以根据彼此连接的第一至第四子区域121a、121b、123a和123b中的每一者的抛物线曲率延伸。也就是说，边界部120b可以具有沿着反射部120的外围凹入地形成的结构。

在第一实施例中，可以设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部120，因此反射效率可以提高。因此，在第一实施例中，反射部120的发射表面120e的第一宽度w1和第二宽度w2可以减小到小于一般的反射结构，从而可以实现发光模块100的发射表面120e的薄化。因此，第一实施例可以提供给各种设计的照明系统，因此可以提高设计的自由度。

此外，在第一实施例中，在基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间的状态下设置有具有不同波长的第一发光单元150和第二发光单元160的发光模块100中，可以设置包括相对于第一发光单元150和第二发光单元160中所包括的每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部120，并因此发光模块100的发射表面120e的中心区域中的发光强度的减小可以得到改善。

此外，在第一实施例中，可以设置反射部120的发射表面120e的满足w1:w2(0.5≤w2≤1且w2＝1)的关系的第一宽度w1和第二宽度w2，因此可以增加光分布。

此外，在第一实施例中，多个小平面120f可以被包括在每个子区域中以在各个方向上反射光，从而增加光分布。

图8是示出根据第二实施例的发光模块的平面图，图9是示出根据第二实施例的在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

在参考图8和图9对第二实施例的发光模块200的描述中，可以省略与参照图1至图7描述的内容相同的描述。

反射部220的发射表面的宽度可以采用第一实施例的发光模块的技术特征。

反射部220可以包括第一区域221和第二区域223，在第一区域221中反射第一发光单元150的光，在第二区域223中反射第二发光单元160的光。

第一区域221可以面向第一发光单元150。第一区域221可以面向基板140的一个表面140a。第一区域221可以包括具有不同抛物线的第一子区域221a和第二子区域221b。具体地，第一子区域221a可以具有从其上设置有第一发光芯片151的第一基准c1开始的抛物线。第二子区域221b可以具有从其上设置有第二发光芯片153的第二基准c2开始的抛物线。第一实施例的发光模块200可以提供相对于第一发光芯片151和第二发光芯片153的位置具有抛物线曲率的反射部220，因此考虑到发射光的第一发光芯片151和第二发光芯片153，发光模块200的光分布可以增加。

第二区域223可以面向第二发光单元160。第二区域223可以面向基板140的另一表面140b。第二区域223可以包括具有不同抛物线的第三子区域223a和第四子区域223b。具体地，第三子区域223a可以具有从其上设置有第三发光芯片161的第三基准c1开始的抛物线。第四子区域223b可以具有从其上设置有第四发光芯片163的第四基准c4开始的抛物线。第一实施例的发光模块200可以提供相对于第三发光芯片161和第四发光芯片163的位置具有抛物线曲率的反射部220，因此考虑到发射光的第三发光芯片161和第四发光芯片163，发光模块100的光分布可以增加。

第二实施例的反射部220可以包括多个小平面220f。这里，多个小平面220f可以在反射部220的表面上设置有具有不同倾斜角的多个表面。多个小平面220f可以提供以不同倾斜角在各个方向上反射的光，从而发光模块200的光分布可以增加。多个小平面220f可以具有凹面形状。多个小平面220f可以具有凸面形状。此外，多个小平面220f可以具有彼此相邻的小平面的凹面或凸面被连接的结构。

第二实施例的多个小平面220f可以在反射部220的周向上设置有十个以下的小平面220f。例如，多个小平面220f可以在反射部220的周向上设置有八个小平面220f。此外，多个小平面220f可以在与反射部220的第三方向z相对应的深度方向上设置有五个以下的小平面220f。例如，多个小平面220f可以在与反射部220的第三方向z相对应的深度方向上设置有三个小平面220f。小平面220f的数量可以减少到第一实施例中的小平面数量的25％的水平，因此用于形成多个小平面220f的反射部220的可加工性可以得到改善。

反射部220可以包括设置在第一至第四子区域221a、221b、223a和223b之间的边界部220b。边界部220b可以各自包括具有彼此对称的倾斜角的第一表面220b1和第二表面220b2。例如，第一表面220b1可以从第一子区域221a延伸，第二表面220b2可以从第三子区域223a延伸。边界部220b可以包括多个小平面220f，并且小平面220f在第三方向z上的数量可以对应于小平面220f在与第一至第四子区域221a、221b、223a和223b中的每一个的第三方向z相对应的深度方向上的数量。

第一表面220b1和第二表面220b2可以在反射部220的外侧表面上沿反射部220的向内方向凹入地彼此相遇。第一表面220b1和第二表面220b2可以根据彼此连接的第一至第四子区域221a、221b、223a和223b中的每一者的抛物线曲率延伸。也就是说，边界部220b可以具有沿着反射部220的外围凹入地形成的结构。

在第二实施例中，可以设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部220，因此反射效率可以提高。因此，在第二实施例中，反射部220的发射表面的宽度可以减小到小于一般的反射结构中的宽度，因此可以实现发光模块200的发射表面的薄化。因此，第二实施例可以提供给各种设计的照明系统，因此可以提高设计的自由度。

此外，在第二实施例中，在基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间的状态下设置有具有不同波长的第一发光单元150和第二发光单元160的发光模块200中，可以设置包括相对于第一发光单元150和第二发光单元160中所包括的每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部220，因此发光模块200的发射表面的中心区域中的发光强度的减小可以得到改善。

此外，在第二实施例中，多个小平面220f可以被包括在第一至第四子区域221a、221b、223a和223b以及边界部220b中的每一个中以在各个方向上反射光，从而增加光分布。

此外，在第二实施例中，小平面200f的数量可以减少到第一实施例中的小平面数量的25％的水平，因此用于形成多个小平面220f的反射部220的可加工性可以得到改善。

图10是示出根据第三实施例的发光模块的剖视图。

图11是示出根据第三实施例的在第一方向和第二方向上包括小平面的反射部的后表面的透视图。

在参照图10和图11对第三实施例的发光模块300的描述中，可以省略与参照图1至图7描述的内容相同的描述。

反射部320的发射表面的宽度可以采用第一实施例的发光模块的技术特征。

反射部320可以包括第一区域321和第二区域323，在第一区域321中反射第一发光单元150的光，在第二区域323中反射第二发光单元150的光。

第一区域321可以面向第一发光单元150。第一区域321可以面向基板140的一个表面140a。第一区域321可以包括具有不同抛物线的第一子区域321a和第二子区域321b。具体地，第一子区域321a可以具有从其上设置有第一发光芯片151的第一基准c1开始的抛物线。第二子区域321b可以具有从其上设置有第二发光芯片153的第二基准c2开始的抛物线。第三实施例的发光模块300可以提供相对于第一发光芯片151和第二发光芯片153的位置具有抛物线曲率的反射部320，因此考虑到发射光的第一发光芯片151和第二发光芯片153，发光模块300的光分布可以增加。

第二区域323可以面向第二发光单元160。第二区域323可以面向基板140的另一表面140b。第二区域323可以包括具有不同抛物线的第三子区域323a和第四子区域323b。具体地，第三子区域323a可以具有从其上设置有第三发光芯片161的第三基准c3开始的抛物线。第四子区域323b可以具有从其上设置有第四发光芯片163的第四基准c4开始的抛物线。第三实施例的发光模块300可以提供相对于第三发光芯片161和第四发光芯片163的位置具有抛物线曲率的反射部320，因此考虑到发射光的第三发光芯片161和第四发光芯片163，发光模块300的光分布可以增加。

第三实施例的反射部320可以包括多个小平面320f。这里，多个小平面320f可以在反射部320的表面上设置有具有不同倾斜角的多个表面。多个小平面320f可以提供以不同倾斜角在各个方向上反射的光，从而发光模块300的光分布可以增加。多个小平面320f可以具有凹面形状。多个小平面320f可以具有凸面形状。此外，多个小平面320f可以具有彼此相邻的小平面的凹面或凸面被连接的结构。

第三实施例的多个小平面320f可以在反射部320的周向上设置有十个以下的小平面320f。例如，多个小平面320f可以在反射部320的周向上设置有八个小平面320f。此外，多个小平面320f可以在与反射部320的第三方向z相对应的深度方向上设置有五个以下的小平面320f。例如，多个小平面320f可以在与反射部320的第三方向z相对应的深度方向上设置有三个小平面320f。小平面320f的数量可以减少到第二实施例中的小平面数量的50％的水平，因此用于形成多个小平面320f的反射部320的可加工性可以得到改善。

在第三实施例中，第一至第四子区域321a、321b、323a和323b可以彼此连接。例如，第一子区域321a和第二子区域321b可以彼此连接，第一子区域321a和第三子区域323a可以彼此连接，第二子区域321b和第四子区域323b可以彼此连接，第三子区域323a和第四子区域323b可以彼此连接。第一至第四子区域321a、321b、323a和323b的边界区域可以在沿着反射部320的外围凸出地形成的结构中彼此直接接触。

在第三实施例中，可以设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部320，因此可以提高反射效率。因此，在第二实施例中，反射部320的发射表面的宽度可以减小到小于一般反射结构中的宽度，从而可以实现发光模块300的发射表面的薄化。因此，第三实施例可以提供给各种设计的照明系统，因此可以提高设计的自由度。

此外，在第三实施例中，在基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间的状态下设置有具有不同波长的第一发光单元150和第二发光单元160的发光模块300中，可以设置包括相对于第一发光单元150和第二发光单元160中所包括的每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部320，并因此发光模块300的发射表面的中心区域中的发光强度的减小可以得到改善。

此外，在第三实施例中，多个小平面320f可以被包括在第一至第四子区域321a、321b、323a和323b中的每一个中以在各个方向上反射光，从而增加光分布。

此外，在第三实施例中，小平面320f的数量可以减少到第二实施例中的小平面数量的50％的水平，因此用于形成多个小平面320f的反射部320的可加工性可以得到改善。

图12是示出根据第四实施例的发光模块的平面图。

在参照图12对第四实施例的发光模块400的描述中，可以省略与参照图1至图7描述的内容相同的描述。

反射部420的发射表面的宽度可以采用第一实施例的发光模块的技术特征。

反射部420可以包括第一区域421和第二区域423，在第一区域421中反射第一发光单元160的光，在第二区域423中反射第二发光单元160的光。

第一区域421可以面向第一发光单元150。第一区域421可以面向基板140的一个表面140a。第一区域421可以包括具有不同抛物线的第一子区域421a和第二子区域421b。具体地，第一子区域421a可以具有从其上设置有第一发光芯片151的第一基准c1开始的抛物线。第二子区域421b可以具有从其上设置有第二发光芯片153的第二基准c2开始的抛物线。第四实施例的发光模块400可以提供相对于第一发光芯片151和第二发光芯片153的位置具有抛物线曲率的反射部420，因此考虑到发射光的第一发光芯片151和第二发光芯片153，发光模块400的光分布可以增加。

第二区域423可以面向第二发光单元160。第二区域423可以面向基板140的另一表面140b。第二区域423可以包括具有不同抛物线的第三子区域423a和第四子区域423b。具体地，第三子区域423a可以具有从其上设置有第三发光芯片161的第三基准c3开始的抛物线。第四子区域423b可以具有从其上设置有第四发光芯片163的第四基准c4开始的抛物线。第四实施例的发光模块400可以提供相对于第三发光芯片161和第四发光芯片163的位置具有抛物线曲率的反射部420，因此考虑到发射光的第一发光芯片161和第二发光芯片163，发光模块400的光分布可以增加。

第四实施例的反射部420可以包括多个小平面420f。这里，多个小平面420f可以在反射部420的表面上设置有具有不同倾斜角的多个表面。多个小平面420f可以提供以不同倾斜角在各个方向上反射的光，从而发光模块400的光分布可以增加。多个小平面420f可以具有凹面形状。多个小平面420f可以具有凸面形状。此外，多个小平面420f可以具有彼此相邻的小平面的凹面或凸面被连接的结构。

第四实施例的多个小平面420f可以在第一子区域421a和第二子区域421b的边界区域中彼此连接。此外，多个小平面420f可以在第三子区域423a和第四子区域423b的边界区域中彼此连接。在第四实施例中，在第一子区域421a和第二子区域421b的边界区域中具有相同倾斜角的小平面420f可以在第二方向y上被共用。第一子区域421a和第二子区域421b的边界区域中的小平面420f可以共用第一子区域421a和第二子区域421b。具体地，第一子区域421a和第二子区域421b的边界区域中的小平面420f的一部分设置在第一子区域421a中，其他部分可以设置在第二子区域421b中。在第四实施例中，在第三子区域423a和第四子区域423b的边界区域中具有相同的倾斜角的小平面420f可以在第二方向y上被共用。因此，在第四实施例中，小平面420b的总数量可以减少，因此可加工性可以得到改善并且光分布可以增加。

反射部420可以包括设置在第一子区域421a和第三子区域423a之间的边界部420b。进一步，反射部420可以包括设置在第二子区域421b与第四子区域423b之间的边界部420b。也就是说，边界部420b可以设置在第一区域421和第二区域423之间的边界区域中。边界部420b可以包括具有彼此对称的倾斜角的第一表面420b1和第二表面420b2。例如，第一表面420b1可以从第一子区域421a延伸，第二表面420b2可以从第二子区域421b延伸。边界部420b可以包括多个小平面420f，并且小平面420f在第三方向z上的数量可以对应于小平面420f在与第一至第四子区域421a、421b、423a和423b中的每一个的第三方向z相对应的深度方向上的数量。

第一表面420b1和第二表面420b2可以在反射部420的外侧表面上沿反射部420的向内方向凹入地彼此相遇。第一表面420b1和第二表面420b2可以根据彼此连接的第一区域421和第二区域423中的每一者的抛物线曲率延伸。也就是说，边界部420b可以具有沿着反射部420的外围凹入地形成的结构。

在第四实施例中，可以设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部420，因此可以提高反射效率。因此，在第四实施例中，反射部420的发射表面的宽度可以减小到小于一般的反射结构中的宽度，因此可以实现发光模块400的发射表面的薄化。因此，第四实施例可以提供给各种设计的照明系统，从而可以提高设计的自由度。

此外，在第四实施例中，在基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间的状态下设置有具有不同波长的第一发光单元150和第二发光单元160的发光模块400中，可以设置包括相对于第一发光单元150和第二发光单元160中所包括的每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部420，因此发光模块400的发射表面的中心区域中的发光强度的减小可以得到改善。

此外，在第四实施例中，多个小平面420f可以被包括在第一至第四子区域421a、421b、423a和423b中的每一个中以在各个方向上反射光，从而增加光分布。

此外，在第四实施例中，多个小平面420f可以在第一子区域421a和第二子区域421b的边界区域中以及在第三子区域423a和第四子区域423b的边界区域中彼此连接，因此小平面420f的总数可以减少，并且可加工性可以得到改善。

图13是示出包括根据实施例的发光模块的照明系统的平面图。图14是示出从图13的第一发光单元发射的光的分布的视图，图15是示出从图13的第二发光单元发射的光的分布的视图。

图16是示出图13的照明系统的透视图，图17是示出图14的第一发光单元和基板的平面图。

如图1、图13至图16所示，根据实施例的照明系统可以包括多个发光模块100、200、300和400以及覆盖多个发光模块100、200、300和400的盖部440。可以省略与参照图1至图12描述的内容相同的多个发光模块100、200、300和400的描述。

在根据实施例的照明系统中，可以设置发射具有不同波长的光的第一发光单元150和第二发光单元160，其中基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间。例如，根据实施例的照明系统可以被包括在汽车的前部的照明装置中。例如，第一发光单元150可以发射白光并且可以包括日光驱动光功能。第二发光单元160可以发射具有黄色波长、红色波长和橙色波长中的至少一者的光，并且可以是转向信号灯。第一发光单元150和第二发光单元160不限于此，并且第一发光单元150和第二发光单元160的发光波长可以改变并且功能也可以改变。

在根据实施例的照明系统中，可以设置发射具有不同波长的光的第一发光单元150和第二发光单元160，其中基板140插设在第一发光单元150和第二发光单元160之间。可以设置包括相对于第一发光单元150和第二发光单元160中所包括的每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部120，因此发光强度可以得到改善并且光分布可以增加。

在根据实施例的照明系统中，可以设置包括相对于每个发光芯片具有抛物线曲率的多个子区域的反射部120，因此可以提高反射效率。因此，在实施例中，反射部120的第一宽度w1和第二宽度w2可以减小到比在一般的反射结构中小，因此可以实现反射部120的薄化。因此，在根据实施例的照明系统中，设计的自由度可以提高。

在根据实施例的照明系统中，多个反射部120、220、320和420可以设置在基板140的一侧，并且第一发光单元150和第二发光单元160可以沿第二方向y设置在基板140上。第二方向y可以对应于基板140的长轴方向。

第一区域141和第二区域143可以沿第二方向y设置在基板140中。电路驱动元件(未示出)可以安装在第一区域141中，并且第一发光单元150和第二发光单元160可以安装在第二区域143中。此外，反射部120、220、320和420可以设置在第二区域143中。

其间设置有基板140的第一发光单元150和第二发光单元160的布置位置可以沿第二方向y在第二区域143中满足d3:d4(1≤d3≤7.5，1≤d4≤7.5)的关系。这里，d3表示在第二方向y上的第一发光单元150与第一区域141之间的距离，d4表示在第二方向y上的第一发光单元150与第二区域143的端部之间的距离。当第一发光单元150的布置位置不满足d3:d4(1≤d3≤7.5，1≤d4≤7.5)的关系时，第一发光单元150与基板140的边缘或电路驱动元件之间的间隔可能减小，并且散热效率可能降低。

根据实施例的照明系统可以用于各种目的，例如指示装置、照明装置、街灯、室内照明和室外照明。

在上述实施例中描述的特征、结构和效果被包括在至少一个实施例中，但不限于一个实施例。此外，本领域技术人员可以针对其他实施例组合或修改每个实施例中示出的特征、结构和效果。因此，应该理解的是，与这种组合和这种修改有关的内容被包括在本发明的范围内。

另外，以上主要描述了实施例。然而，它们仅是示例，并不限制本发明。本领域技术人员可以理解的是，在不背离实施例的本质特征的情况下，可以进行以上未呈现的若干变型和应用。例如，可以改变实施例中具体示出的每个组件。另外，应该理解的是，与这种变型和这种应用有关的差异被包括在以下权利要求中限定的本发明的范围内。