专利名称：设有外支撑的射频连接结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种射频连接结构，特别涉及一种用于气相沉积反应腔的设有外支撑的射频连接结构。
背景技术：
非晶硅太阳能电池是20多年来国际上新发展起来的一项太阳能电池新技术。非晶硅薄膜太阳能电池的硅材料厚度只有1微米左右，是单晶硅太阳能电池硅材料厚度的 1/200-1/300，与单晶硅太阳能电池相比，制备这种薄膜所用硅原料很少，薄膜生长时间较短，设备制造简单，容易大批量连续生产，根据国际上有关专家的估计，非晶硅薄膜太阳能电池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太阳能电池。现有技术中，用于光伏组件规模制造的等离子体化学气相沉积真空设备，包括真空腔以及电极盒等主要部件。一个沉积电极盒包含多个射频电极，每个电极可以沉积四片太阳能电池，将预热完成的电极盒子放入一个真空沉积腔室当中，在真空室里完成非晶硅薄膜的沉积，沉积完成后将电极盒子取出进行冷却。在对反应腔内两个电极盒进行射频传输时采用将射频电缆一分为二远程耦合设计，但是射频电缆为软性电缆受重力作用弯曲，减少其在高温和真空环境下的使用寿命，影响射频信号的均勻传输。
实用新型内容本实用新型所要解决的问题是提供一种设有外支撑的射频连接结构，克服现有技术中存在的问题。本实用新型设有支撑的射频连接结构，其用于气相沉积反应腔，包括第一射频电缆和第二射频电缆，第一射频电缆的端部与第二射频电缆的中部相连并导通，第二射频电缆的两端分别与两个电极盒电连接，还包括T形支撑架，T形支撑架由套设在所述第一射频电缆上的第一支撑管和套设在第二射频电缆上的第二支撑管构成，第一支撑管的一端固定在第二支撑管上，第一支撑管的另一端固定在气相沉积反应腔的底板上。本实用新型所述支撑管为不锈钢支撑管。本实用新型所述第一射频电缆通过真空接口与所述反应腔固定连接。本实用新型所述第一射频电缆通过射频输入接口与所述射频匹配器相连。本实用新型所述电极盒的底部固定有绝缘顶块，所述第二射频电缆穿过绝缘顶块与所述电极盒内的射频电极相连。 本实用新型所述第二射频电缆通过射频输出接口与所述电极盒内的射频电极相导通。 通过以上技术方案，本实用新型设有外支撑的射频连接结构，通过外部支撑架的支撑，防止射频电缆的弯曲，也减少了固定焊点，增加了射频连接结构在真空和高温环境下的使用寿命。
图1本实用新型射频连接结构的具体结构图。图2为图1中A处局部放大图。图3为图1中B处局部放大图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型设有支撑的射频连接结构，其用于气相沉积反应腔，包括第一射频电缆1和第二射频电缆2，第一射频电缆1的端部与第二射频电缆2的中部相连并导通，第二射频电缆的两端分别与两个电极盒电连接，还包括T形支撑架，T形支撑架由套设在第一射频电缆上的第一支撑管9和套设在第二射频电缆上的第二支撑管3构成，第一支撑管9的一端固定在第二支撑管3上，第一支撑管的另一端固定在气相沉积反应腔的底板上。通过外部支撑架的支撑，防止射频电缆的弯曲，也减少了固定焊点，增加了射频连接结构在真空和高温环境下的使用寿命。为增加支撑架的支撑强度，上述支撑管3为不锈钢支撑管。电极盒的底部固定有绝缘顶块5，第二射频电缆2穿过绝缘顶块5与电极盒内的射频电极相连，绝缘顶块5与电极盒固定相连，以此增多固定点。第二射频电缆2通过射频输出接口 7与电极盒相导通，射频输出接口内的铜导体通过螺旋铜柱8与第二射频电缆内的铜导体相导通(见图2)，保证射频信号的均勻传输。如图3所示，第一射频电缆1通过射频输入接口 6与射频匹配器相连。并第一射频电缆1通过真空接口 4与反应腔底部固定连接，保证射频连接结构处于真空环境中，保证射频信号的均勻传输。本实用新型的射频连接结构，通过外加支撑架，防止射频电缆的弯曲， 增强了射频连接结构在真空和高温环境下的使用寿命，保证了射频信号均勻的传输到两个独立电极盒内。
权利要求1.一种设有外支撑的射频连接结构，包括第一射频电缆(1)和第二射频电缆O)，第一射频电缆的端部与第二射频电缆的中部相连并导通，第二射频电缆的两端分别与两个电极盒电连接，其特征在于，还包括T形支撑架，T形支撑架由套设在所述第一射频电缆上的第一支撑管(9)和套设在第二射频电缆上的第二支撑管C3)构成，第一支撑管(9)的一端固定在第二支撑管C3)上，第一支撑管(9)的另一端固定在气相沉积反应腔的底板上。
2.根据权利要求1所述的射频连接结构，其特征在于，所述支撑管(3)为不锈钢支撑管。
3.根据权利要求1所述的射频连接结构，其特征在于，所述第一射频电缆(1)通过真空接口(4)与所述反应腔固定连接。
4.根据权利要求1所述的射频连接结构，其特征在于，所述第一射频电缆(1)通过射频输入接口(6)与所述射频匹配器相连。
5.根据权利要求1所述的射频连接结构，其特征在于，所述电极盒的底部固定有绝缘顶块(5)，所述第二射频电缆O)穿过绝缘顶块与所述电极盒内的射频电极相连。
6.根据权利要求1所述的射频连接结构，其特征在于，所述第二射频电缆(2)通过射频输出接口(7)与所述电极盒内的射频电极相连。
专利摘要本实用新型设有外支撑的射频连接结构，其用于气相沉积反应腔，包括第一射频电缆和第二射频电缆，第一射频电缆的一端与第二射频电缆的中部相连并导通，第二射频电缆的两端分别与两个电极盒相连，还包括T形支撑架，T形支撑架由套设在第一射频电缆上的第一支撑管和套设在第二射频电缆上的第二支撑管构成，第一支撑管的一端固定在第二支撑管上，第一支撑管的另一端固定在气相沉积反应腔的底板上。本实用新型设有外支撑的射频连接结构，通过外部支撑架的支撑，防止射频电缆的弯曲，也减少了固定焊点，增加了射频连接结构在真空和高温环境下的使用寿命。
文档编号C23C16/24GK202201975SQ20112027059
公开日2012年4月25日 申请日期2011年7月28日 优先权日2011年7月28日
发明者郭锋 申请人:上海曙海太阳能有限公司