氧化膜密接性优异的高强度铜合金板的制作方法

专利名称：氧化膜密接性优异的高强度铜合金板的制作方法
技术领域：
本发明涉及使氧化膜密接性提高的Cu-Fe-P系的铜合金板。
背景技术：
在以下的说明中，作为本发明的铜合金板的代表性的用途例，以用于作为半导体部件的引线框架的情况为中心进行说明。作为半导体引线框架用铜合金，一般使用的是含有Fe和P的Cu-Fe-P系的铜合金。另一方面，作为半导体装置的塑料封装，由热硬化性树脂包封半导体芯片的封装成为主流。但是，有在装配时和使用时发生的封装裂纹和剥离的问题。在此，所述问题是由于树脂和引线框架的密接性不良而引起的。对该密接性造成最大影响的是引线框架母材的氧化膜。在引线框架制作的各种加热工序中，在母材的表面，会形成数十 数百nm厚度的氧化膜，铜合金经由该氧化膜与树脂接触。该氧化膜与引线框架母材的剥离，直接带来树脂和引线框架的剥离，使引线框架和树脂的密接性显著降低。因此，封装裂纹和剥离的问题，在于该氧化膜与引线框架母材的密接性。因此，对于作为引线框架母材的所述Cu-Fe-P系的铜合金板，要求其经过各种加热工序而形成于表面的氧化膜的密接性高。 针对此课题，在特开2008-45204号公报(以下，称为专利文献I。)中提出，在将Fe含量降低至0.50质量％以下的组成中，通过控制铜合金板表面的集合组织和平均晶粒直径，而使氧化膜密接性提高。即，在专利文献I中，具有如下集合组织，即，通过使用了铜合金板表面的背散射电子衍射像EBSP的晶体取向分析方法进行测量的、Brass取向的取向分布密度为25%以上，并且使平均晶粒直径为6.0 μ m以下。另外，在特开2008-127606号公报(以下，称为专利文献2。)中提出，同样在使Fe含量降低到0.50质量％以下的组成中，通过控制铜合金板表面的表面粗糙度和表面形态，而使氧化膜密接性提高。即，铜合金板表面的表面粗糙度测量的中心线平均粗糙度Ra为
0.2μπι以下，最大高度Rmax为1.5μπι以下，并且，粗糙度曲线的梯度(陡度)Rku为5.0以下。但是，此专利文献1、2所公开的Cu-Fe-P系铜合金板，不能实现近年来所期望的更高水平的氧化膜密接性。

发明内容
本发明的目的在于，提供一种在使Fe含量实质上减少到0.5质量％以下的组成中，使高强度化的近年所期望的更高水平的氧化膜密接性并立的Cu-Fe-P系铜合金板。为了达成该目的，本发明的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其特征在于，具有如下组成，即以质量％计，分别含有Fe:0.02 0.5%、P:0.01 0.25%，余量由铜和不可避免的杂质构成，Fe和P的质量％比Fe/P为2.0 5.0，此外，通过EBSD分析对表面进行观察时，相对于观察面积的当量圆直径低于0.5μπι的微细晶粒的面积比为0.90以下，并且，基于XPS分析的表面的Cls的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p为
0.35以下。在上述氧化膜密接性优异的高强度铜合金板中，由XPS分析得到的表面的Cls/Cu2p,如后述,意思是铜合金板表面的相对性的C量。为了使铜合金板表面的Cls/Cu2p降低到0.35以下，在作为镀覆的前处理的加工等而一般被进行的碱性阴极电解清洗之前，需要预先从铜合金板的表面，把碱性阴极电解清洗中不能除去的C源大体上完全除去。换言之就是，如果从碱·性阴极电解清洗前的铜合金板的表面，将碱性阴极电解清洗中不能除去的C源大体上完全被除去，则在进行碱性阴极电解清洗后，能够得到通过XPS分析得到的表面的Cls/Cu2p为0.35以下，氧化膜密接性优异的铜合金板。本发明的铜合金板，与专利文献1、2所述的现有的铜合金板为同等的高强度。另夕卜，通过将以EBSD分析对于本发明的铜合金板的表面进行观察时的微细晶粒的面积比，和通过XPS分析得到的表面的Cls/Cu2p限制在0.35以下，能够实现近年来所期望的更高水平的氧化膜密接性。其结果是，根据本发明，能够提供防止封装裂纹和剥离，可靠性高的半导体装置。对于铜合金板，作为镀覆的前处理的加工等，一般进行碱性阴极电解清洗，但如果从该碱性阴极电解清洗前的铜合金板的表面，将碱性阴极电解清洗中不能除去的C源大体上完全除去，则能够得到在碱性阴极电解清洗后，通过XPS分析所得到的表面的Cls/Cu2p为0.35以下，氧化膜密接性优异的铜合金板。
具体实施例方式以下，作为半导体引线框架用等，具体说明用于满足需要的性能的、本发明的Cu-Fe-P系铜合金板的各要件的意义和实施方式。“铜合金板的成分组成”在本发明中，作为半导体引线框架用等，为了一并达到高强度和优异的氧化膜密接性，Cu-Fe-P系铜合金板具有如一基本组成:以质量％计，Fe的含量为0.02 0.5%的范围，P的含量为0.01 0.25%的范围，Fe和P的质量％比Fe/P为2.0 5.0，余量由Cu和不可避免的杂质构成。也可以有如下方式，即对于此基本组成，在下述范围再含有Sn、Zn的一种或二种的方式。另外，其他的不可避免的杂质元素，在不阻碍特性的范围内的含有也是允许的。还有，合金元素的不可避免的杂质元素的含量的表示％，全部是质量％的意思。(Fe)Fe作为Fe或Fe基金属间化合物析出，是使铜合金的强度和耐热性提高的主要元素。Fe的含量低于0.02%时，上述析出粒子的生成量少，对强度提高的帮助不足，强度不足。另一方面，若Fe的含量超过0.5%，则粗大的结晶/析出物粒子容易生成，蚀刻性(蚀刻加工面的平滑性)和镀覆性(Ag镀覆等的平滑性)降低，除此以外，对强度提高的帮助也饱和。因此，Fe的含量为0.02 0.5%的范围。另外，优选为0.04 0.4%，更优选为
0.06 0.35%。
(P)P除了有脱氧作用以外，还与Fe形成化合物，是使铜合金的强度和耐热性提高的主要元素。P含量低于0.01%时，化合物的析出不充分，因此得不到期望的强度。另一方面，若P含量超过0.25%，则热加工性和氧化膜密接性降低。因此，P的含量为0.01 0.25%的范围。另外，优选为0.015 0.2%，更优选为0.02 0.15%。(Fe/P)Fe和P的质量％比即Fe/P的规定，是为了使有助于强度的微细的Fe和P的化合物高效率地析出所需要的规定。Fe/P低于2.0时，相对于Fe的质量％，P的质量％过高，因此有助于强度的微细的Fe-P化合物的生成量不足，并且固溶状态的P大量残留，强度和氧化膜的密接性降低。另一方面，若Fe/P超过5.0,则相对于Fe的质量％ , P的质量％过低，因此同样有助于强度的微细的Fe-P化合物的生成量不足，并且固溶状态的Fe大量残留，强度和氧化膜的密接性降低。因此，Fe/P为2.0 5.0的范围。另外，优选为2.2 4.7，更优选为2.4 4.4。(Sn)Sn有助于铜合金的强度提高。Sn的含量低于0.005%时,无助于高强度化。另一方面，若Sn的含量超过3 %而过剩地含有，则Fe或Fe-P化合物的固溶量减少，Fe或Fe-P化合物的粗大的结晶/析出物粒子容易生成，强度提高的效果变小，并且热加工性和氧化膜密接性降低。因此，选择性地含有时的Sn含量，根据用途所要求的强度和氧化膜密接性的平衡，从0.005 3%的范围选择。另外，优选为0.008 2.7%，更优选为0.01 2.4%。(Zn)Zn改善引线 框架等所需要的铜合金的焊接和Sn镀覆的耐热剥离性，并且改善氧化膜密接性，有助于铜合金的强度提高。Zn的含量低于0.005%时，得不到期望的效果。另一方面，若超过3%，则Fe或Fe-P化合物的固溶量减少，Fe或Fe-P化合物的粗大的结晶/析出物粒子容易生成，强度提高的效果变小，并且热加工性降低。另外，氧化膜密接性的改善效果也饱和。因此，选择性地含有时的Zn的含量，考虑用途所要求的强度与氧化膜密接性，从0.005 3%的范围选择。另外，优选为0.008 2.7%，更优选为0.01 2.4%。(不可避的杂质)本发明所说的不可避的杂质，例如有Mn、Mg、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、T1、Co、N1、Au、Pt等的元素。若含有这些元素，则粗大的结晶/析出物粒子容易生成，此外还使强度降低。因此，优选以总量计，使之为0.2质量％以下的极少的含量。另外，在铜合金中微量含有的Hf、Th、L1、Na、K、Sr、Pd、W、S、S1、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、B1、Te、B、混合稀土金属等的元素也是不可避的杂质。若含有这些元素则粗大的结晶/析出物粒子容易生成，此外还使热加工性降低，因此以总量计，优选将其抑制在0.1质量％以下的極少的含量。此外，在铜合金中微量含有的O使添加元素氧化，因此使有效的添加元素量减少，使强度降低，由此优选将其抑制在50质量ppm以下的极少的含量。另外，在铜合金中微量含有的H成为使铜合金中产生缺陷(气孔和膨胀等)的要因，因此优选将之抑制在5质量ppm以下的极少的含量。“相对于以EBSD分析观察表面时的观察面积，当量圆直径低于0.5 μ m的微细晶粒的面积比为0.90以下”
以EBSD分析观察铜合金板的表面时，所谓相对于观察面积的微细晶粒(当量圆直径低于0.5μπι)的面积比，意思可以说就是铜合金板表面的微细晶粒的占有比例。在此，所谓EBSD分析,就是电子背散射衍射分析(Electron Backscatter Diffraction Analysis),是分析晶粒的大小和取向等的分布的方法。另外，在此所说的晶粒，是通过EBSD分析，将邻接的测量点间的取向差为5°以上的情况视为晶界，由此晶界完全包围的区域。本发明所说的当量圆直径，是与所述区域具有相同面积的圆的直径。此面积比在碱性阴极电解清洗的前后不发生变化。铜合金板表面的微细晶粒的面积比大，则微细的晶粒大量存在，具有大量的结晶晶界，由结晶晶界引起的缺陷被大量导入氧化膜中，氧化膜的密接性降低。因此，期望铜合金板表面的微细晶粒的面积比更小的一方，为0.90以下。另外，优选为0.85以下，更优选为0.80以下。“基于XPS分析的表面的Cls的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p为0.35以下”所谓基于XPS分析的表面的Cls的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p,意思可以说是铜合金板表面的相对的C量。所谓XPS分析，是X射线光电子能谱分析，也称 ESCA 分析(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis),是擅长于表面极薄的层的组成和状态分析的分析方法。从铜合金板的表面检测的C，通常来自各种污染物质(有机物、无机物)，并且也来自用于防止铜合金板的变色而处理的有机防锈膜(苯并三唑等)等。附着在铜合金板表面的这些C源的量，反映为铜合金板表面的所述Cls/Cu2p的大小。若上述C源存在于铜合金板表面，则全部对氧化膜的密接性造成不良影响。这被认为是由于，由上述C源引起的缺陷被导入氧化膜中，由此导致容易生成缺陷多的氧化膜。因此，期望所述Cls/Cu2p的值更小的一方，在本发明中为0.35以下。另外，优选为0.30以下，更优选为0.25以下。可是，半导体装置的 引线框架所使用的铜合金板，在进行了包含碱性阴极电解清洗的前处理之后，会部分性地进行Ag镀覆等的镀覆处理而被提供到装配工序。经该装配工序的热过程而生成的氧化膜的密接性将左右封装的可靠性。因此，对氧化膜的密接性造成影响的，是对于铜合金板进行包含碱性阴极电解清洗的前处理之后的C量。若该C量多，则在碱性阴极电解清洗前的铜合金板表面，会大量附着有不能被碱性阴极电解清洗除去的C源。还有，为了防止铜合金板的变色而一般使用的有机防锈膜(苯并三唑等)，由碱性阴极电解清洗容易除去。在此，所谓碱性阴极电解清洗，是在碱性的水溶液中，使对象物为阴极而进行电解，利用从对象物的表面发生的氢气带来的机械的搅拌作用来提高清洗力的清洗方法，其本身是从所周知的清洗方法。本方法所使用的碱性水溶液，一般是以氢氧化钠、硅酸钠、磷酸钠、碳酸钠等的碱盐为基础，添加表面活性剂和螯形化合物等的有机物而构成，由于以对象物作为阴极而进行电解，所以铜合金板的表面不会发生氧化和溶解等，不会受到任何损伤。因此，如果采用碱性阴极电解清洗，则在制造铜合金板时所使用的轧制油等的有机物和苯并三唑等的有机防锈膜能够很容易地除去。但是，即使运用碱性阴极电解清洗，轧制油等在热等的作用下而发生变质、劣化的有机物等(烤硬状等)仍不能除去。在碱性阴极电解清洗前的铜合金板的表面，若附着有这种不能由碱性阴极电解清洗除去的有机物等，则在碱性阴极电解清洗后，其仍会作为C源残留在铜合金板表面，铜合金板表面的Cls/Cu2p的值变高，氧化膜的密接性降低，封装的可靠性降低。因此，在碱性阴极电解清洗前的阶段，重要的是从铜合金板的表面，预先除去不能由碱性阴极电解清洗除去的C源。“与轧制方向平行的方向的抗拉强度为500MPa以上，与轧制方向平行的方向的断裂延伸率为5%以上”本发明的铜合金板，作为高强度材的目标，优选为与轧制方向平行的方向的抗拉强度为500MPa以上。此外，优选为与轧制方向平行的方向的拉伸试验的断裂延伸率为5%以上。本发明的铜合金板，通过具有适度的断裂延伸率，能够保持引线框架用原材所需要的适度的弯曲加工性，因此成为适合作为电气、电子部件的原材，特别是半导体装置用引线框架用原材的铜合金板。相对于此，与轧制方向平行的方向的拉伸试验的断裂延伸率低于5%时，则不能保持引线框架用原材所需要的适度的弯曲加工性，说不上适合作为电气、电子部件的原材，特别是半导体装置用引线框架用原材。还有，5%以上的断裂延伸率，如果是本发明的铜合金组成，则能够通过后述的制造方法很容易地达成。另外，关于500MPa以上的抗拉强度，除去合金元素量极其稀薄的区域，也能够由后述的制造方法很容易地达成。(制造条件)接下来，就用于使铜合金板组织为上述本发明规定的组织的期望的制造条件进行以下说明。S卩，首先，铸造调整为上述的成分组成的铜合金熔汤。然后，对铸块进行端面铣削后，进行加热或均质化热处理，其后进行热轧，对于热延后的板进行水冷。该热轧可以是通常的条件。其后，进行称为中轧的一次冷轧，经退火、清洗后，再进行加工(最终)冷轧、低温退火(也称最终退火、加工退火、去应变退火等)，成为制品板厚的铜合金板等。这些退火和冷轧也可以反复进行。还有，随着半导体装置的小型化、高集成化带来的引线框架的微细配线化，关于板的平直度(7 9 卜彳、7:flatness)和内部应力降低的品质要求日益提高，加工冷轧之后的低温退火对此品质提高有效。用于引线框架等的半导体用材料的铜合金板这一,清况下的制品板厚为0.1 0.4mm左右。还有，在一次冷轧之前，也可以进行铜合金板的固溶处理和由水冷进行的淬火处理。这时，固溶处理温度，例如从750 1000°C的范围选择。最终冷轧也遵循常规方法。为了使通过EBSD分析观察前述的铜合金板表面时的微细晶粒(当量圆直径低于
0.5ym)相对于观察面积的面积比为0.90以下，并且使基于XPS分析的表面的Cls的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p在0.35以下，实施下述这样的工序即可。首先，为了使通过EBSD分析观察前述的铜合金板表面时的微细晶粒(当量圆直径低于0.5μπι)相对于观察面积的面积比为0.90以下，重要的是在退火后不进行机械研磨，或增大机械研磨的(番手 )，由此减小研磨剂的粒度，使表层的晶粒保持得尽可能大。此外，即使进行机械研磨，其后，通过化学的溶解处理和电气化学的溶解处理等，除去机械研磨中生成的微细结晶层也是有效的手段。历来，在退火后大多进行机械研磨。这是由于在退火中生成的氧化膜坚固，存在仅通过酸洗很难除去的情况。因此，为了不进行机械研磨，或者减小机械研磨的负荷而减小微细晶粒的面积比，重要的是充分管理退火气氛，不使坚固的氧化膜生成。具体来说，重要的是使退火气氛为还元气氛(含有H2和CO等的还元性成分的气氛)，氧化性成分(O2和H2O等)管理在尽可能低的浓度，使坚固的氧化膜不要生成。特别是期望，在作为最终工序的低温退火工序中，充分管理退火气氛，以使坚固的氧化膜不生成的方式进行控制，由此可以进行只用酸洗的氧化膜除去，不进行机械研磨。接着，为了使基于XPS分析的铜合金板表面的Cls的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p为0.35以下，重要的是在退火的前后进行清洗处理。一般来说，在退火后，为了除去退火中生成的氧化膜和由轧制油引起的残渣而进行酸洗和研磨等，但只有退火后的清洗难以有效地进行特别是由轧制油引起的残渣等的除去，其在进行了作为镀覆的前处理的碱性阴极电解清洗后，仍会残留在铜合金板表面，铜合金板表面的C量变多，氧化膜密接性降低。另外，如果想要只通过退火后的清洗，充分进行由轧制油引起的残渣等的除去，则还会产生延长清洗的时间，或减小研磨剂的番号(增大研磨剂的粒度)等的损失。还有，若减小研磨剂的番手，则铜合金板表面的微细晶粒增加，并且粗糙度也变大，反而成为降低氧化膜密接性的要因。因此，为了有效地进行这样的由轧制油引起的残渣等的除去，有效的是不仅在退火后，而是在退火前也进行清洗处理，特别是必须在作为最终工序的低温退火前进行清洗处理，此外在低温退火后进行由酸洗等进行的氧化膜的除去处理也有效。作为这样的退火前的清洗处理，有溶剂清洗、碱清洗、碱性电解清洗等各种的清洗处理，根据需要使用适当的清洗方法。对于由以上的制造方法得到的铜合金板(碱性阴极电解清洗前)，再进行碱性阴极电解清洗，能够使基于XPS分析的表面的Cls/Cu2p比降低到0.35以下。该铜合金板作为半导体引线框架等的电气电子部件用使用，但这时，作为镀覆的前处理，通过进行包含碱性阴极电解清洗的处理，板表面的Cls/Cu2p比降低到0.35以下，能够得到优异的氧化膜密接性。 实施例1以下，就用于证实本发明的效果的发明例和比较例的试验结果进行说明。作为铜合金板的制造方法，首先在高频炉中熔炼铜合金熔汤后，以倾注式浇铸到石墨制的书型铸模中，得到厚50mm、宽200mm、长IOOmm的表1、2所示的组成的铸块。其后，从各铸块上切下厚50mm、宽180mm,长80mm的还块,对于轧制面进行端面统削而加热，到达950°C后，保持0.5至I小时间后，热轧至厚16mm，从700°C以上的温度进行水冷。对于该轧制板的表面进行端面铣削而除去氧化皮后，进行冷轧和退火，其后，进行最终的冷轧而得到厚0.2_的铜合金板。在最终冷轧后，进行低温退火。低温退火从200至500°C左右的温度范围和I至300秒左右的时间范围，选定能够确保强度降低少、断裂延伸率5%以上(进行与轧制方向平行的方向的拉伸试验时的断裂延伸率)的条件。在此，退火和低温退火，在N2+10%H2气氛(露点:-20°C以下，O2浓度:50ppm以下)中进行，退火前后的清洗处理以如下方式进行。关于退火，在退火前进行利用己烷的超音波清洗(20kHz、I分钟)，在退火后进行硫酸清洗(10%硫酸，10秒)后，进行机械研磨(#2400耐水研磨纸)。关于低温退火，在退火前进行利用己烷的超音波清洗(20kHz、I分钟)，低温退火后只进行硫酸清洗(10%硫酸，10秒)，不进行机械研磨。还有，表I所示的各铜合金,除去记述元素量的余量的组成为Cu,作为其他的杂质元素，Mn、Mg、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、T1、Co、N1、Au、Pt 等的元素总量为 0.2 质量％ 以下，Hf、Th、L1、Na、K、Sr、Pd、W、S、S1、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、B1、Te、B、混合稀
土金属等的元素，总量为0.1质量％以下。对于如上述这样得到的铜合金板，各例均从铜合金板上切下试料，评价各试料板表面的表面性状(Cls/Cu2p比、微细晶粒的面积比)、机械性质(抗拉强度、断裂延伸率)，以及氧化膜密接保持温度等的特性。这些结果分别显示在表1、2中。在表2中，脱离本发明的权利要求1 4的组成或成分比有下划线。(微细晶粒的面积比)微细晶粒的面积比，以先前记述的方法，测量以EBSD分析对铜合金板表面进行观察时的观察面积和微细晶粒(当量圆直径低于0.5 μ m)的面积，计处作为微细晶粒占有的面积比。(Cls/Cu2p 比)Cls/Cu2p比，是对于铜合金板表面进行碱性阴极电解清洗后，通过XPS分析测量表面的Cu2p的峰值面 积值和Cls的峰值面积值来计算。在此，碱性阴极电解清洗，使用含有氢氧化钠20g/L的水溶液，以液温:60°C、阴极电流密度:5A/dm2，时间:30秒的条件进行。(机械性质)机械性质是制作与轧制方向平行的方向的JIS-5号试验片，在拉伸试验中测量抗拉强度和断裂延伸率。(氧化膜密接保持温度)氧化膜密接保持温度，对铜合金板表面进行碱性阴极电解清洗，再进行水洗一酸洗(10%硫酸)一水洗一干燥后，在大气中以规定的温度进行5分钟和10分钟的加热，其后，以粘附胶带的剥落试验进行评价。碱性阴极电解清洗，以与Cls/Cu2p比的测量时的碱性阴极电解清洗相同的条件进行。由粘附胶带进行剥落试验是通过粘贴市场销售的胶带(住友7 U—工A社制J>々''7 — 7°)，并撕下的方法进行。这时，加热温度每10°C变化一次，将没有发生氧化膜的剥离的最高的温度作为氧化膜密接保持温度进行评价。表I
权利要求
1.一种氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其特征在于，以质量％计含有Fe:0.02 0.5%、P:0.01 0.25%，余量是铜和不可避免的杂质，并且，Fe和P的质量％比Fe/P 为 2.0 5.0， 并且，通过电子背散射衍射分析对表面进行观察时，当量圆直径低于0.5 μ m的微细晶粒相对于观察面积的面积比为0.90以下，并且，通过XPS分析得到的表面的Cls的峰值面积值相对于Cu2p的峰值面积值的比Cls/Cu2p为0.35以下。
2.根据权利要求1所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，以质量％计还含有 Sn:0.005 3%o
3.根据权利要求1或2所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，以质量％计还含有Zn:0.005 3%。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，所述铜合金板的与轧制方向平行的方向上的抗拉强度为500MPa以上，与轧制方向平行的方向上的断裂延伸率为5%以上。
5.根据权利要求1所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，所述XPS分析是进行碱性阴极电解清洗后的XPS分析。
6.根据权利要求5所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，以质量％计还含有 Sn:0.005 3%o
7.根据权利要求5或6所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，以质量％计还含有Zn:0.005 3%。
8.根据权利要求5 7中任一项所述的氧化膜密接性优异的高强度铜合金板，其中，所述铜合金板的与轧制方向平 行的方向上的抗拉强度为500MPa以上，与轧制方向平行的方向上的断裂延伸率为5%以上。
全文摘要
本发明是一种Cu-Fe-P系铜合金板，其以质量％计含有Fe0.02～0.5％、P0.01～0.25％、余量由铜和不可避免的杂质构成，Fe与P的质量％比Fe/P为2.0～5.0，以EBSD分析观察表面时，相对于观察面积的当量圆直径低于0.5μm的微细晶粒的面积比为0.90以下，并且基于XPS分析的表面的C1s的峰值面积值对于Cu2p的峰值面积值的比C1s/Cu2p为0.35以下。
文档编号C22C9/02GK103160703SQ20121050903
公开日2013年6月19日 申请日期2012年12月3日 优先权日2011年12月9日
发明者尾崎良一 申请人:株式会社神户制钢所