太阳光-热转换构件、太阳光-热转换装置和太阳热发电装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种太阳光-热转换构件，其包含β-FeSiz相材料。所述太阳光-热转换构件对数百nm波长下的可见光表现出高吸光率而对数千nm波长下的红外光表现出低吸光率，因此高效地吸收数百nm波长下的可见光并将其转换为热并且因在数百℃的温度下的热发射所致的热辐射很小。所述太阳光-热转换构件因此可高效地吸收太阳光和提供热并可防止因热发射所致的热辐射。
【专利说明】太阳光-热转换构件、太阳光-热转换装置和太阳热发电装
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳光-热转换构件、太阳光-热转换装置和太阳热发电装置。
【背景技术】
[0002]常规的太阳热发电装置将太阳光转换为热并使用该热来发电。在这些装置中，太阳光在集光部集中并使用该经集中的太阳光来加热容器或流动通道中的热介质(油、溶解盐、熔融钠等)。
[0003]已对涂布容器或流动通道的表面以用该涂层来促进经集中的太阳光的吸收和抑制因从容器或流动通道向外部的热发射所致的热辐射进行了研究(2002年7月，NREL/TP-520-31267, “Review of Mid-to High-Temperature Solar Selective AbsorberMaterials”, C.E.Kennedy (下文称为 Kennedy))。
[0004]关于这点，如图1中所示，太阳光谱(大约5500°C的黑体辐射温度下的热发射谱)延伸居中于数百nm波长下的可见光区。另一方面，在为太阳光-热转换装置中易于获得温度的数百。C (例如，大约580°C)下的热发射谱延伸居中于数千nm波长下的红外区。因此，在太阳光-热转换装置中获得的温度下的热发射谱的范围偏离太阳光谱的范围。
[0005]在特定温度下热发射的辐射率与对应于该温度的热发射谱中的光的吸光率相对应。因此，归因于数百。C的温度下的热发射的低热辐射意味着对应于数百。C的温度的热发射谱中的光的吸光率小，即，对数千nm波长下的红外光的吸光率小。
[0006]因此，对太阳光表现出高吸光率和由在数百。C的温度下的热发射所致的低热辐射的涂层可以说是这样一种涂层，其对数百nm波长下的可见光的吸光率大而对数千nm波长下的红外光的吸光率小。这样的涂层可有利地用来促进经集中的太阳光的吸收并抑制从容器或流动通道向外部的因热发射所致的热辐射。
[0007]Kennedy列出了用于此类涂层的材料并具体给出了 W、Mo03_掺杂的Mo、B-掺杂的S1、CaF2> HfC、ZrB2> SnO2> In2O3> Eu203> Re03、V2O5> LaB6 等。
[0008]除了用于此类涂层的材料自身的选择外，还常规上优化涂层的层结构。
[0009]例如Kennedy和W002/103257中明确描述了涂层结构。这些文件还提出，可利用因在多个具有不同折射率的层叠的层的界面处的反射所致的干涉来提供对数百nm波长下的可见光表现出高吸光率而对数千nm波长下的红外光表现出低吸光率的涂层。这里，Kennedy描述了例如金属层如Mo、Ag、Cu和Ni与介电层如A1203、Si02、CeO2和ZnS的层叠体的使用。
【发明内容】
[0010]本发明提供了新型太阳光-热转换构件。本发明还提供了太阳光-热转换装置和包括该太阳光-热转换构件的太阳热发电装置。
[0011]本发明人发现，P-FeSi2相材料适用于太阳光-热转换构件并因此实现下述发明。[0012]本发明的第一方面涉及一种包含β-FeSi2相材料的太阳光-热转换构件。
[0013]该P-FeSi2相材料在太阳光-热转换构件中的比例可为至少95体积％。由β -FeSi2相材料制成的颗粒可分散在无机材料的基质中。所述太阳光-热转换构件可为膜。膜厚度可为Inm至10 μ m。
[0014]本发明的第二方面涉及一种太阳光-热转换层叠体，其中由前述太阳光-热转换构件形成的第一层和由无机材料形成的第二层是层叠的。
[0015]所述第二层可包括由氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物
形成的陶瓷层。所述太阳光-热转换层叠体的最外层可为该陶瓷层。该第二层可包括金属层并且该金属层、所述陶瓷层和所述第一层可以此顺序层叠。第二层可包括金属层；所述陶瓷层可包括第一陶瓷层和第二陶瓷层；并且该金属层、所述第一陶瓷层、所述第一层和所述第二陶瓷层可以此顺序层叠。所述第二陶瓷层可为最外层。这里，所述太阳光-热转换层叠体可包括除了所述金属层、第一陶瓷层、第一层和第二陶瓷层之外的层。例如，所述太阳光-热转换层叠体可在所述第一层和所述第二陶瓷层之间包含不同于所述第一层并且含有太阳光-热转换构件的层以及含有氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物的第三陶瓷层。前述金属层可直接层叠在基材上或以其间插入另一层的方式层叠在基材上。所述金属层可为钥层并且所述陶瓷层可为SiO2层。
[0016]本发明的第三方面涉及一种太阳光-热转换装置，其具有由上述太阳光-热转换构件形成的第一层或上述太阳光-热转换层叠体。所述太阳光-热转换装置包括集光部、热介质以及用于所述热介质的容器和/或流动通道。优选地，上述第一层或太阳光-热转换层叠体设置在所述容器和/或流动通道的表面上；所述热介质保持在所述容器和/或流动通道内；在集光部中光集中在所述容器和/或流动通道上；和在所述容器和/或流动通道内的热介质被经集中的光加热。
[0017]所述热介质可被加热到300°C至900°C的温度。所述太阳光-热转换装置可为抛物面碟型、太阳塔型、抛物面槽型、菲涅耳型或线性菲涅耳型。
[0018]本发明的第四方面涉及一种太阳热发电装置，其包括上述太阳光-热转换装置和发电机。在此太阳热发电装置中，所述容器和/或流动通道中的热介质被所述太阳光-热转换装置加热，并且利用经加热的热介质的热能由发电机产生电力。
[0019]本发明的第五方面涉及一种制造太阳光-热转换构件的方法，其中通过在至少300°C的基材温度下的物理气相沉积(PVD)来获得上述β-FeSi2相材料。可将FeSi2相材料加热到至少300°C的温度以使FeSi2相转化为β -FeSi2相。
[0020]本发明的第六方面涉及β -FeSi2相材料作为太阳光-热转换构件的用途。
[0021]本发明的新型太阳光-热转换构件对数百nm波长下的可见光具有高吸光率并且还对数千nm波长下的红外光具有低吸光率。因此，数百nm波长下的可见光被高效地吸收并转换为热，而几乎没有因在数百。C的温度下的热发射所致的热辐射。相应地，本发明的新型太阳光-热转换构件可通过高效地吸收太阳光而产生热并且可抑制因热发射所致的热辐射。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]本发明的示例性实施方案的特征、优点以及技术和工业重要性将在下文结合附图描述，在附图中，相同的附图标记表示相同的要素，且其中:
[0023]图1为示出了太阳光谱(大约5500°C的黑体辐射温度下的热发射谱)与大约580°C下的热发射谱之间的关系的图，所述大约580°C为太阳光-热转换装置中易于获得的
温度;
[0024]图2A为示出了在600°C和室温(24°C )的基材温度下产生的Mo膜的透射和反射率谱图的图，图2B为示出了实施例1中在600°C和室温(24°C )的基材温度下产生的Mo膜的吸光率谱图的图；
[0025]图3A为示出了实施例1中在600°C和室温(24°C )的基材温度下产生的FeSi2膜的透射和反射率谱图的图，图3B为示出了实施例1中在600°C和室温(24°C )的基材温度下产生的FeSi2膜的吸光率谱图的图；
[0026]图4为示出了实施例1中在600°C和室温(24°C )的基材温度下产生的FeSi2膜的X-射线衍射分析结果的图；
[0027]图5A为示出了实施例2中通过计算获得的层叠体1-1至1_3的反射率谱图的图，图5B为示出了实施例2中通过计算获得的层叠体1-3和1-4的反射率谱图的图；
[0028]图6A为示出了实施例3中获得的层叠体的结构的图，图6B为示出了实施例3中获得的层叠体的反射率谱图的图；
[0029]图7A为示出了实施例4中获得的层叠体的结构的图，图7B为给出了用扫描电子显微镜(SEM)对实施例4中获得的层叠体的截面拍摄的照片的图；
[0030]图8A为示出了太阳光谱与大约580°C下的热发射谱之间的关系的图，图8B为示出了实施例4中获得的层叠体的反射率谱图的图；
[0031]图9A和图9B为示出了实施例5中获得的FeSi2-SiO2复合材料膜和Mo-SiO2复合材料膜的透射和反射率谱图的图；
[0032]图10为示出了实施例5中获得的FeSi2-SiO2复合材料膜和Mo-SiO2复合材料膜的吸光率谱图的图；
[0033]图1lA为示出了实施例6中获得的层叠体的结构的图，图1lB为给出了用SEM对实施例6中获得的层叠体的截面拍摄的照片的图；
[0034]图12A为示出了太阳光谱与大约580 V下的热发射谱之间的关系的图，图12B为示出了实施例6中获得的层叠体的反射率谱图的图；
[0035]图13A为示出了实施例7中获得的层叠体的结构的图，图13B为给出了用SEM对实施例7中获得的层叠体的截面拍摄的照片的图；
[0036]图14A为示出了太阳光谱与大约580°C下的热发射谱之间的关系的图，图14B为示出了实施例7中获得的层叠体的反射率谱图的图；
[0037]图15为太阳热发电装置的示意图；和
[0038]图16为集光部与发电机之间的热介质循环路径的示意图。
【具体实施方式】
[0039](太阳光-热转换构件)
[0040]本发明的一个实施方案中的太阳光-热转换构件包含β-FeSi2相材料。
[0041]本发明人确定，β -FeSid@材料的光学特性包括对数百nm波长下的可见光的大吸光率和对数千nm波长下的红外光的小吸光率。相应地，包含这样的P-FeSi2相材料的本实施方案的太阳光-热转换构件可有效地吸收太阳光并将其转换为热并可抑制因热发射所致的热辐射。
[0042]与该实施方案相关的β -FeSi2相材料指其中所含的Fe和Si中的至少一部分形成β-FeSi2相的材料以及基本上由β-FeSi2相构成的材料。更特别地，关于该实施方案，β -FeSi2相材料指其中所含的Fe和Si形成β -FeSi2相至在通过X-射线衍射分析进行分析时将识别出β -FeSi2相的存在的程度的材料。
[0043]〈太阳光-热转换构件(组成)>
[0044]本实施方案的太阳光-热转换构件可以以任何比例包含β -FeSi2相材料并且例如可以至少10体积％、至少20体积％、至少30体积％、至少40体积％、至少50体积％、至少60体积％、至少70体积％、至少80体积％、至少90体积％或至少95体积％的比例包含β -FeSi2相材料。另外,该比例可例如为小于100体积％、不大于95体积％、不大于90体积％、不大于80体积％、不大于70体积％、不大于60体积％、不大于50体积％、不大于40体积％或不大于30体积％。
[0045]本实施方案的太阳光-热转换构件可基本上仅由P-FeSi2相材料构成。另外，β -FeSi2相材料的比例可为至少80体积％、至少90体积％或至少95体积％。
[0046]本实施方案的太阳光-热转换构件也可为P-FeSi2相材料与另一材料的复合材料。
[0047]具体而言，例如，本实施方案的太阳光-热转换构件中的P-FeSi2相材料可为微粒并且β -FeSi2相材料的颗粒可分散在无机材料的基质中。
[0048]在这种情况下,可通过充当基质的无机材料来防止β-FeSi2相材料与另一材料之间的反应。另外，在这种情况下，可使用充当基质的无机材料来调节本实施方案的太阳光-热转换构件的折射率。
[0049]可使用可分散并保持β -FeSi2相材料颗粒的任何材料作为充当基质的无机材料，具体地说，可使用金属和半金属的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物和氧碳氮化物，例如二氧化硅(SiO2)。
[0050]〈太阳光-热转换构件(形式)>
[0051]原则上，本实施方案的太阳光-热转换构件可以以任何形式例如以膜、圆筒或板的形式来使用，特别是可以以膜的形式来使用。
[0052]当使用膜形式的太阳光-热转换构件时，其膜厚度可为至少lnm、至少5nm、至少10nm、至少20nm或至少30nm。另外，该膜厚度可不大于10 μ m、不大于5 μ m、不大于I μ m或不大于500nm。
[0053]〈太阳光-热转换构件(制造方法)>
[0054]本实施方案的太阳光-热转换构件可通过任意方法获得。用于本实施方案的太阳光-热转换构件的β-FeSi2相材料本身是可得的。例如，已考虑将其用作半导体材料(日本专利申请公开第10-153704号(JP10-153704A))及用于光学装置如光盘、照相机和激光打印机中的光吸收元件的光吸收层(日本专利申请公开第2004-303868号(JP-2004-303868A))。因此，关于β-FeSi2相材料的制备，可参考这些领域中的技术。
[0055]本实施方案的太阳光-热转换构件中的P-FeSi2相材料可例如通过在至少300°C、至少400°C或至少500°C的基材温度下的物理气相沉积(PVD)、特别是通过溅射获得。对于形成P-FeSi2相来说，这里优选较高的基材温度。另外，基材温度可例如不大于1000°C、不大于900°C、不大于800°C或不大于700°C。
[0056]本实施方案的太阳光-热转换构件中的P-FeSi2相材料也可通过如下方法获得，所述方法包括将FeSi2相材料例如沉积于基材上的FeSi2相材料膜加热到至少300°C、至少400°C或至少500°C的温度以将FeSi2相转化为β -FeSi2相。
[0057](太阳光-热转换层叠体)
[0058]本实施方案的太阳光-热转换层叠体具有与无机材料的单个层或多个层层叠的本实施方案的膜形式太阳光-热转换构件的单个层或多个层。
[0059]当使用本实施方案的太阳光-热转换构件的两个层或更多层时，太阳光-热转换构件层的性质、特别是光学性质如折射率可例如通过改变太阳光-热转换构件中存在的β -FeSi2相材料的比例或通过改变与β -FeSi2相材料组合的太阳光-热转换构件中存在的材料来调节。
[0060]采用本实施方案的这类太阳光-热转换层叠体，对数百nm波长下的可见光的吸光率可通过利用构成太阳光-热转换层叠体的不同层之间的干涉来进一步提高。具体而言，可使得在两个不同的层的表面处反射的光的光程差为可见光波长(例如，550nm)的n+1/2倍(当相位因来自两个层的每个表面的反射而偏移(shift) 1/2波长时或当相位未因来自两个层的每个表面的反射而偏移时)或可见光波长(例如，550nm)的η倍(当相位仅因来自一个层的表面的反射而偏移1/2波长时)(η为O或正整数)。
[0061]在这种情况下，可通过使光程差不为红外光波长(数千nm波长)的n+1/2倍或η倍来避免红外光干涉的发生。
[0062]在本实施方案的太阳光-热转换层叠体中，可使用单层或多层无机材料来抑制β -FeSi2相材料与其它材料之间的反应。
[0063]可用于该单层或多层无机材料的无机材料可依照预期用途自由地选择，具体地说，可使用金属或半金属的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物。
[0064]通过以所示顺序将金属层；氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物层；和太阳光-热转换构件的层直接层叠在基材上或以其间插入另一层的方式层叠在基材上，可获得因金属层产生的光学性质例如光反射、吸收等所致的效应，同时防止金属层与β-FeSi2相材料之间的反应。这里提及的金属层可为例如钥(Mo)层、钨(W)层、银(Ag)层、金(Au)层或铜(Cu)层，特别是钥(Mo)层。对于所述氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物层，可使用二氧化硅(SiO2)层。所述基材可为例如钢如不锈钢(SUS)。所述另一层可为例如氧化物如5102和八1203。钢与金属层之间的反应通过由氧化物形成的所述另一层而防止。因此，将抑制太阳光-热转换层叠体的性能下降和腐蚀降解。
[0065](太阳光-热转换装置)
[0066]本实施方案的太阳光-热转换装置具有本实施方案的太阳光-热转换层叠体或本实施方案的太阳光-热转换构件的层、集光部、热介质和用于所述热介质的容器和/或流动通道。所述太阳光-热转换构件层或太阳光-热转换层叠体涂布在该容器和/或流动通道的表面上；热介质保持在容器和/或流动通道内；在集光部中太阳光集中在容器和/或流动通道上；容器和/或流动通道中的热介质被经集中的太阳光加热。[0067]本实施方案的太阳光-热转换构件层或本实施方案的太阳光-热转换层叠体可高效地吸收太阳光并将其转换为热并且可在抑制因从经加热的容器和/或流动通道的热发射所致的热辐射的同时这样做。相应地，本实施方案的太阳光-热转换装置可用太阳光高效地加热热介质。
[0068]可使用本实施方案的太阳光-热转换装置将热介质加热到至少300°C、至少400°C或至少500°C。该热介质的加热温度可例如不大于1100°C、不大于1000°C、不大于900°C、不大于800°C或不大于700°C。
[0069]本实施方案的太阳光-热转换装置使用的集光部可为任何类型的集光部并且可例如为抛物面碟型、太阳塔型、抛物面槽型、菲涅耳型或线性菲涅耳型。
[0070]本实施方案的太阳光-热转换装置使用的容器和/或流动通道可为能够保持热介质的任何容器和/或流动通道。例如，对于该流动通道，可使用管，并且热介质可流过它。
[0071](太阳热发电装置)
[0072]本实施方案的太阳热发电装置具有本实施方案的太阳光-热转换装置和发电机；其使用太阳光-热转换装置加热容器和/或流动通道中的热介质并通过利用经加热的热介质的热能在发电机处产生电力。
[0073]本实施方案的太阳光-热转换装置可使用太阳光高效地加热热介质。本实施方案的太阳热发电装置可利用太阳热高效地发电。
[0074]采用本实施方案的太阳热发电装置的发电机，可使用任何机制来产生电力。相应地，例如，可通过用经加热的热介质来使蒸发介质如水或氨蒸发并使用该蒸气来使发电机的氨/蒸汽轮机转动而产生电力。
[0075]在实施例1至4中，与基本上由Mo构成的Mo单相膜和具有该单相膜的层叠体相比较来评价基本上由P-FeSi2相材料构成的P-FeSi2单相膜和具有该单相膜的层叠体。在实施例5至7中，与含有Mo和SiO2的Mo-SiO2复合材料膜和含有该复合材料膜的层叠体相比较来评价含有β -FeSi2相材料和SiO2的β -FeSi2-SiO2复合材料膜和含有该复合材料膜的层叠体。
[0076]实施例1
[0077]Mo膜和FeSi2膜的光学性质测定
[0078]通过溅射各自形成Mo膜和FeSi2膜并评价这些膜的透射、反射和吸光率谱图。具体而言，形成Mo膜和FeSi2膜并且如下进行评价。
[0079](Mo膜和FeSi2膜的形成)
[0080]使用石英玻璃(长30mmX宽20mmX厚Imm)作为基材，并设定基材温度为600°C或室温(24°C )。溅射过程中的气氛为Ar气氛(流量=20sCCm，压力=0.4Pa)。分别使用Mo金属和P-FeSiJt为靶。使用直流(DC)电源在50W的溅射功率下产生等离子体。两种情况下成膜时间均为30分钟。
[0081]对于Mo膜，所得膜厚度为大约160nm，对于？6312膜，所得膜厚度为大约90nm。
[0082](评价)
[0083]评价在600°C和室温(24°C )的基材温度下形成的Mo膜和FeSi2膜的透射率、反射率和吸光率谱图。对Mo膜的评价结果示于图2A和2B中，对β -FeSi2膜的评价结果示于图3Α和3Β中。[0084]图2B和图3B中针对吸光率的曲线图从图2A和图3A中针对透射率和反射率曲线图基于以下关系确定。
[0085](吸光率))= 100% _(透射率))_(反射率))
[0086]从图2A和2B以及图3A和3B很明显，当在室温下进行成膜时，Mo膜和FeSi2膜之间在透射率、反射率和吸光率方面不存在大的差异。
[0087]与此形成对照，并且从图2A和2B以及图3A和3B很明显，当在600°C下进行成膜时，Mo膜和FeSi2膜之间在透射率、反射率和吸光率方面出现大的差异。
[0088]具体而言，在针对在600°C下形成的FeSi2膜的吸光率谱图中，在靠近可见光波长的波长中观察到高的吸光率而在靠近1200nm的波长中吸光率急剧下降并且在近红外区中观察到相当低的吸光率。即，表明在600°C下形成的FeSi2膜高效地吸收数百nm波长下的可见光并将其转换为热并且表现出很小的因在数百。C的温度下的热发射所致的热辐射。
[0089]图4中示出了在600°C和室温下形成的FeSi2膜的X-射线衍射分析(薄膜法(Θ= 1.5° ))的结果。从该图4可了解，在600°C下形成的FeSi2的膜为β -相FeSi2的膜而在室温(24°C )下形成的FeSi2的膜为非晶FeSi2的膜。
[0090]因此，这些结果证实，β -FeSi2膜一而非非晶FeSi2膜——在太阳光-热转换方面具有优选的性质并且通过在高温下溅射获得了 β -FeSi2膜。
[0091]实施例2
[0092]含有P-FeSi2层的层叠体的光学性质研究
[0093]基于各个层的光学常数通过计算确定下面示出的层叠体1-1至1-4的反射率谱图。
[0094]表1
【权利要求】
1.一种太阳光-热转换构件，包含β-FeSii^g材料。
2.根据权利要求1所述的太阳光-热转换构件，其中所述P-FeSi2相材料在所述太阳光-热转换构件中的比例为至少95体积％。
3.根据权利要求1所述的太阳光-热转换构件，其中由所述P-FeSi2相材料制成的颗粒分散在无机材料的基质中。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳光-热转换构件，其中所述太阳光-热转换构件为月吴。
5.根据权利要求4所述的太阳光-热转换构件，其中所述膜的厚度为Inm至10μ m。
6.一种太阳光-热转换层叠体，包含: 第一层，所述第一层由根据权利要求1至5中任一项所述的太阳光-热转换构件形成；和 第二层，所述第二层由无机材料形成， 其中所述第一层和所述第二层是层叠的。
7.根据权利要求6所述的太阳光-热转换层叠体，其中所述第二层包括由氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧化物或氧碳氮化物形成的陶瓷层。
8.根据权利要求7所述的太阳光-热转换层叠体，其中所述太阳光-热转换层叠体的最外层为所述陶瓷层。
9.根据权利要求7所述的太阳光-热转换层叠体，其中 所述第二层还包括金属层，和 所述金属层、所述陶瓷层和所述第一层以此顺序层叠。
10.根据权利要求7或8所述的太阳光-热转换层叠体，其中 所述第二层还包括金属层， 所述陶瓷层包括第一陶瓷层和第二陶瓷层；和 所述金属层、所述第一陶瓷层、所述第一层和所述第二陶瓷层以此顺序层叠。
11.根据权利要求9或10所述的太阳光-热转换层叠体，其中所述金属层直接层叠在基材上或以其间插入另一层的方式层叠在基材上。
12.根据权利要求9至10中任一项所述的太阳光-热转换层叠体，其中 所述金属层为钥层，和 所述陶瓷层为SiO2层。
13.—种太阳光-热转换装置，包括: 由根据权利要求1至5中任一项所述的太阳光-热转换构件形成的第一层和根据权利要求6至12中任一项所述的太阳光-热转换层叠体中之一； 集光部； 热介质；和 用于所述热介质的容器和流动通道中的至少之一， 其中所述第一层或所述太阳光-热转换层叠体设置在所述容器和所述流动通道中的至少之一的表面上； 所述热介质保持在所述容器和所述流动通道中的至少之一内； 光集中在所述容器和所述流动通道中的至少之一上；和在所述容器和所述流动通道中的至少之一内的所述热介质被经集中的光加热。
14.根据权利要求13所述的太阳光-热转换装置，其中所述热介质被加热到300°C至900°C的温度。
15.根据权利要求13或14所述的太阳光-热转换装置，其中所述太阳光-热转换装置为抛物面碟型、太阳塔型、抛物面槽型、菲涅耳型或线性菲涅耳型。
16.一种太阳热发电装置，包括: 根据权利要求13至15中任一项所述的太阳光-热转换装置；和 发电机， 其中所述容器和所述流动通道中的至少之一中的所述热介质被所述太阳光-热转换装置加热，并且利用经加热的热介质的所述热能由所述发电机产生电力。
17.—种制造根据权利要求1至5中任一项所述的太阳光-热转换构件的方法，包括: 通过在至少300°C的基材温度下的物理气相沉积来获得所述β -FeSi2相材料。
18.制造根据权利要求1至5中任一项所述的太阳光-热转换构件的方法，包括: 将FeSi2相材料加热到至少300°C的温度并且使所述FeSi2相转化为所述β -FeSi2相。
19.β -FeSi2相 材料作为太阳光-热转换构件的用途。
【文档编号】C23C14/00GK103946645SQ201280055745
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2012年11月9日 优先权日:2011年11月14日
【发明者】佐藤彰伦, 奥原芳树, 须田圣一, 横江大作, 加藤丈晴, 笹谷亨 申请人:丰田自动车株式会社, 财团法人日本精细陶瓷中心, 株式会社丰田自动织机