消偏振分光膜的制备方法
【专利摘要】本发明提出了一种消偏振分光膜的制备方法，包括：镀膜扩散泵预热；电子枪坩埚中加入硫化锌，热蒸发坩埚或热蒸发舟中加入银；将清洁后的光学元件基片放入真空室中，抽低真空，抽高真空；之后充氩气轰击光学元件基片去除有机物增加表面活性；将经过轰击处理后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助；将经过电子枪蒸镀后的光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助；将经过热蒸发蒸镀后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助；之后充气取件。本发明用考夫曼离子源轰击光学元件表面，增加了硫化锌和基片表面附着力；用考夫曼充Ar气来辅助蒸发硫化锌，使硫化锌具有很强的附着力和膜层硬度。
【专利说明】消偏振分光膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及分光膜制备【技术领域】，特别是指一种消偏振分光膜的制备方法。
【背景技术】
[0002]光学镀膜器件已经广泛应用于光学、电子、信息、通讯、军事、生物、医学、环保、材料等各个领域，发挥着非常重要的作用。特别是由于光通信产业的蓬勃发展，几乎每个光通信元器件都离不开光学镀膜，要求光学镀膜实现的功能越来越多。消偏振分光膜广泛应用于显微镜等各种光学系统中。以前用纯金属膜为分光，因金属的吸收过大、光能损失太多、效果差。而用纯介质的方法做又很难消除偏振效应，分光膜要求分光的比例十分精确，否则光路两边会有明暗不同和色差，这就要求选用的介质膜折射率要非常的稳定，否则精度难以控制，成品率会很低。同时要求所选用磨料有足够大的折射率，硫化锌是一个好的选择，但硫化锌是软膜难以保证膜层的牢固度。
【发明内容】
[0003]本发明提出一种消偏振分光膜的制备方法，解决了现有技术中光能损失太多、效果差的问题。
[0004]本发明的技术方案是这样实现的:
[0005]—种消偏振分光膜的制备方法，包括:
[0006]镀膜扩散泵预热；
[0007]电子枪坩埚中加入硫化锌，热蒸发坩埚或热蒸发舟中加入银；
[0008]将清洁后的光学元件基片放入真空室中，抽低真空< 5Pa，抽高真空< 2X 10_3Pa ；之后充氩气轰击所述光学元件基片去除有机物增加表面活性；
[0009]将上述经过轰击处理后的所述光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助；
[0010]将上述经过电子枪蒸镀后的所述光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助；
[0011]将上述经过热蒸发蒸镀后的所述光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助；之后充气取件即得。
[0012]作为优选的技术方案，所述抽低真空为3-5Pa。
[0013]作为优选的技术方案，所述抽高真空为l_2X10_3Pa。
[0014]作为优选的技术方案，所述轰击采用离子源束流为60_80mA，电压> 500V。
[0015]作为优选的技术方案，所述轰击电压为500-600V。
[0016]作为优选的技术方案，所述蒸镀硫化锌或热蒸发蒸镀银时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度。
[0017]作为优选的技术方案，所述热蒸发蒸镀银设定为6A/S。
[0018]有益效果
[0019](I)本发明的制备方法简单，成本低，适合于工业化生产；
[0020](2)本发明制得的消偏振分光膜大量减少光损，同时具有很好的消偏振效果，可以广泛应用光路系统中；
[0021](3)本发明用考夫曼离子源轰击光学元件表面，增加了硫化锌和基片表面附着力；
[0022](4)本发明用考夫曼充Ar气来辅助蒸发硫化锌，使硫化锌具有很强的附着力和膜层硬度；
[0023](5)本发明的制备方法精确控制银的厚度和重复性以及均匀性。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本发明实施例1的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0026]下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]一种消偏振分光膜的制备方法，该制备使用的设备是市售的真空镀膜机，包括:
[0029]S1:预热镀膜扩散泵；用于抽真空；
[0030]S2:在电子枪坩埚中加入硫化锌，在热蒸发坩埚中加入银；
[0031]S3:清洁的光学元件基片，之后放入镀膜夹具中，然后放入真空室中，抽低真空5Pa，抽高真空2X10_3Pa ;之后充氩气轰击光学元件基片去除有机物增加表面活性；
[0032]S4:将S3经过轰击处理后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中离子源束流60mA，电压500V。设备中的晶控薄厚仪器能够精确控制镀膜的厚度；
[0033]S5:将S4经过电子枪蒸镀后的光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中设定银为6A/s ；
[0034]S6:将S5经过热蒸发蒸镀后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；之后充气取件即得。
[0035]实施例2
[0036]一种消偏振分光膜的制备方法，该制备使用的设备是市售的真空镀膜机，包括:
[0037]S1:预热镀膜扩散泵；用于抽真空；
[0038]S2:在电子枪坩埚中加入硫化锌，在热蒸发坩埚中加入银；
[0039]S3:清洁的光学元件基片，之后放入镀膜夹具中，然后放入真空室中，抽低真空3Pa，抽高真空2X10_3Pa ;之后充氩气轰击光学元件基片去除有机物增加表面活性；
[0040]S4:将S3经过轰击处理后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中离子源束流80mA，电压600V。设备中的晶控薄厚仪器能够精确控制镀膜的厚度；
[0041]S5:将S4经过电子枪蒸镀后的光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中设定银为6A/s ；
[0042]S6:将S5经过热蒸发蒸镀后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；之后充气取件即得。
[0043]实施例3
[0044]—种消偏振分光膜的制备方法，该制备使用的设备是市售的真空镀膜机，包括:
[0045]S1:预热镀膜扩散泵；用于抽真空；
[0046]S2:在电子枪坩埚中加入硫化锌，在热蒸发坩埚中加入银；
[0047]S3:清洁的光学元件基片，之后放入镀膜夹具中，然后放入真空室中，抽低真空4Pa，抽高真空lX10_3Pa ;之后充氩气轰击光学元件基片去除有机物增加表面活性；
[0048]S4:将S3经过轰击处理后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中离子源束流70mA，电压500V。设备中的晶控薄厚仪器能够精确控制镀膜的厚度；
[0049]S5:将S4经过电子枪蒸镀后的光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；其中设定银为6A/s ；
[0050]S6:将S5经过热蒸发蒸镀后的光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助，此时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度；之后充气取件即得。
[0051]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种消偏振分光膜的制备方法,包括: 镀膜扩散泵预热； 电子枪坩埚中加入硫化锌，热蒸发坩埚或热蒸发舟中加入银； 将清洁后的光学元件基片放入真空室中，抽低真空彡5Pa，抽高真空彡2X10_3Pa ;之后充氩气轰击所述光学元件基片去除有机物增加表面活性； 将上述经过轰击处理后的所述光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助； 将上述经过电子枪蒸镀后的所述光学元件基片开热蒸发蒸镀银，离子源辅助； 将上述经过热蒸发蒸镀后的所述光学元件基片开电子枪蒸镀硫化锌，考夫曼离子辅助；之后充气取件即得。
2.根据权利要求1所述的一种消偏振分光膜的制备方法，其特征在于，所述抽低真空为 3-5Pa。
3.根据权利要求1所述的一种消偏振分光膜的制备方法，其特征在于，所述抽高真空为 1-2 X 1^3Pa0
4.根据权利要求1所述的一种消偏振分光膜的制备方法，其特征在于，所述轰击采用离子源束流为60-80mA，电压> 500V。
5.根据权利要求4所述的一种消偏振分光膜的制备方法，其特征在于，所述轰击电压为 500-600V。
6.根据权利要求1所述的一种消偏振分光膜的制备方法，其特征在于，所述蒸镀硫化锌或热蒸发蒸镀银时通过晶控薄厚仪器控制镀膜厚度。
7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的一种消偏振分光膜的制备方法,其特征在于，所述热蒸发蒸镀银设定为6A/S。
【文档编号】C23C14/30GK104233200SQ201310247081
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月19日 优先权日:2013年6月19日
【发明者】杨仁贵 申请人:嘉兴市华正光电科技有限公司