掩模框架组件、其制造方法及有机发光显示装置制造方法与流程

本发明的实施方式涉及掩模框架组件、其制造方法及有机发光显示装置的制造方法。

背景技术：

通常，作为有源发光型显示元件，作为平坦式显示器之一的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度优异的优点，而且还具有能够通过低电压驱动、呈轻量的扁平状并且响应速度快的优点，由此作为下一代显示元件而备受瞩目。

这种发光元件根据形成发光层的物质划分为无机发光元件和有机发光元件，并且相比于无机发光元件，有机发光元件具有亮度、响应速度等特性优秀、能够以彩色显示等的优点，因此对其的开发最近广为进行。

有机发光显示装置通过真空沉积法形成有机膜和/或电极。然而，随着有机发光显示装置逐渐被高分辨率化，沉积工艺中所用的掩模的开放式狭缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也需要被进一步减小。

此外，为了制造高分辨率有机发光显示装置，需要减少或去除阴影现象(shadow effect)。为此，在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在兴起用于改善衬底与掩模的附接度的技术的开发。

上述的背景技术是发明人为得出本发明而拥有的技术信息或者在得出过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的实施方式的申请前已公开于一般公众的公知技术。

技术实现要素：

本发明的实施方式提供掩模框架组件、其制造方法和有机发光显示装置的制造方法。

本发明的实施方式公开了掩模框架组件，其特征在于包括具有供沉 积物质通过的一个以上的沉积区域的掩模、具有基座部和从基座部凸出形成并支承掩模的支承部的框架，并且掩模的边角形成为朝着基座部弯曲。

在本实施方式中，沉积区域可以包括外围区域由支承部支承的主体部和形成于主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。

在本实施方式中，主体部的外围区域的边角可以形成为朝着基座部的方向弯曲。

在本实施方式中，框架还可以包括形成为连接支承部的面对掩模的面与基座部的面对掩模的面并且支承掩模的连接面。

在本实施方式中，沉积区域可以包括外围区域由支承部支承的主体部和形成于主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。

在本实施方式中，主体部的外围区域的边角可以形成为朝着连接面的方向弯曲。

在本实施方式中，连接面中可以形成有一个以上的凹陷部。

在本实施方式中，沉积区域可以包括外围区域由支承部支承的主体部和形成于主体部并且供沉积物质通过的一个以上的图案部。

在本实施方式中，主体部的外围区域的边角可以形成为朝着凹陷部的方向弯曲。

本发明的另一实施方式公开了掩模框架组件制造方法，该方法包括准备包括基座部和从基座部凸出的支承部的框架的步骤；准备包括供沉积物质通过的沉积区域和与沉积区域连接而成的盈余区域的掩模的步骤；将掩模对齐到框架上的步骤；用模具部从掩模与框架接触的面的相反侧对掩模施压而将掩模的形状变形为与框架的形状相对应的步骤；以及对盈余区域进行切割的步骤。

在本实施方式中，在将掩模对齐到框架上的步骤中，可以将沉积区域与盈余区域相接的界面定位到基座部上。

在本实施方式中，框架还可以包括形成为连接支承部的面对掩模的面与基座部的面对掩模的面并且支承掩模的连接面。

在本实施方式中，在将掩模对齐到框架上的步骤中，可以将沉积区域与盈余区域相接的界面定位到连接面上。

在本实施方式中，连接面中可以形成有一个以上的凹陷部。

在本实施方式中，在将掩模对齐到框架上的步骤中，可以将沉积区域与盈余区域相接的界面定位到凹陷部上。

在本实施方式中，作为切割盈余区域的方法，可以将激光照射到沉积区域与盈余区域的界面。

在本实施方式中，作为切割盈余区域的方法，可以用机械式切割器(mechanical cutter)对沉积区域与盈余区域的界面进行切割。

在本实施方式中，在将掩模对齐到框架上的步骤与用模具部对掩模施压的步骤之间还可以包括对框架与掩模进行接合的步骤。

本发明的又一实施方式公开了有机发光显示装置的制造方法，该方法包括将衬底和掩模框架组件安装到腔室内部的步骤；对衬底与掩模框架组件进行对齐的步骤；以及通过掩模框架组件的开口部将从沉积源喷射的沉积物质沉积到衬底上的步骤，并且掩模框架组件包括具有供沉积物质通过的一个以上的沉积区域的掩模和具有基座部和从所述基座部凸出形成并支承掩模的支承部的框架，并且掩模的边角形成为朝着基座部弯曲。

通过权利要求范围和发明的详细说明，除了上述以外的其他方面、特征、优点将变得明确。

根据本发明的实施方式，掩模框架组件、其制造方法和有机发光显示装置的制造方法提升了衬底与掩模的紧贴性，从而可以将沉积物质精密地沉积到衬底上。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件的分解立体图。

图2至图7是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件的制造方法的剖视图。

图8是示出使用图1中所示的掩模框架组件制造的有机发光显示装置的视图。

具体实施方式

本发明可以实施多种变型并且可以具有多种实施方式，并且旨在附图中示出特定实施方式并对其进行详细说明。通过参照结合附图详细说明的实施方式，本发明的效果和特征以及实现其的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下面所公开的实施方式，而是可以多种形态实现。在下面的实施方式中，“第一”、“第二”等的措辞并不具有限定的含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的使用。此外，除非文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辞是指说明书中所述记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。

此外，为了说明的便利，附图中构成要素的大小可以被夸大或被缩小。例如，为了说明的便利，附图中所示的各构件的大小和厚度被任意示出，因此本发明并不一定限定于图中所示。此外，当能够以不同的方式实现某些实施方式时，特定的工艺可以按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。

下面，将参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，将对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复描述。

图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件10的分解立体图。

参照图1，掩模框架组件10包括掩模100和框架200，并且掩模100与框架200接合为一体以使得待被沉积到衬底(未示出)上的沉积物质可以选择性地通过。

掩模100可以包括供沉积物质通过的沉积区域110、将在下文中描述的在掩模框架组件10的制造过程中待被切割的盈余区域120和接合掩模100与框架200的焊接部130。

沉积区域110可以包括外围区域由框架200的支承部220支承的主体部112和以孔(hole)或狭缝(slit)形状形成于主体部112并且供沉积物质通过的一个以上的图案部111。

沉积区域110被布置成与框架200的开口部230对应，图案部111形成贯穿掩模100的沉积用图案。主体部112被形成在各个图案部111之间以及 沉积区域110的外围，从而执行阻挡从沉积源(未示出)放射的沉积物质的作用。因此，从沉积源放射的沉积物质通过图案部111沉积到衬底上，这意味着沉积到衬底上的沉积物质的排列可以根据图案部111的形状而有所不同。

也就是说，图案部111不仅可以形成为如图1中所示的条纹(stripe)形态，而且还可以形成为例如多个点状(dot)形态。因此，图1中所示的图案部111的数量或位置也仅仅是一个示例，本发明的实施方式并不限于此。

此外，掩模100可以如图1中所示的那样形成为一个大型部件并接合到框架200，但是本发明的实施方式并不限于此。例如，掩模100可以包括分散掩模100的自身重量的多个条状物。然而，为了说明的便利，下文中将主要对如图1中所示的单张形态的掩模100进行说明。

另外，焊接部130形成在沉积区域110的外围并且对掩模100与框架200进行接合。用于形成焊接部130的方法，即，用于接合掩模100与框架200的方法通常为焊接(welding)方式，此外，也可以使用电铸法(electroforming)和/或无电解镀(electroless plating)等的多种方法。

然后，框架200作为与掩模100接合并支承掩模100的部件，其包括基座部210、从基座部210朝着衬底方向凸出形成的支承部220和供沉积物质通过的开口部230。

框架200可以由金属或合成树脂等制成，并且虽然在图1中示出了形成为四边形形状并具有一个以上的开口部230，但是本发明的实施方式并不限于此，例如，可以形成为圆形或多边形等多种形态。

基座部210作为框架200的本体部件，其支承凸出形成于框架200的支承部220和连接至支承部220的掩模100。

如上所述，支承部220作为支承掩模100的部件，其可以由安置面221和连接面222构成，其中，安置面221布置成与掩模100接触，连接面222形成为连接基座部210的面对衬底的面与安置面221，并且连接面222可以包括以面对衬底的方式凹陷形成的凹陷部223。

连接面222作为形成于支承部220的外围的段差()，其可以如附图所示的那样倾斜地形成，但是本发明的实施方式并不限于此，例如 ，也可以形成为与基座部210实质上垂直。然而，为了说明的便利，下文中将主要对连接面222具有倾斜而使连接面222与基座部210呈一定角度的情况进行说明。

沉积区域110的边角形成为朝着基座部210的方向处于比安置面221的高度低的高度处(参照图7)。具体地，焊接部130被布置在支承部220的安置面221上，而处于比焊接部130更外围的沉积区域110的边角可以被布置成朝着基座部210的方向弯曲。此时，朝着基座部210的方向弯曲的沉积区域110的边角可以形成为与连接面222接触，并且沉积区域110的边角可以形成为弯曲至凹陷部223。

另外，虽然未在图中示出，但是连接面222中也可以不形成有凹陷部223。此时，沉积区域110的边角也可以在朝着基座部210的方向上沿着连接面222弯曲，从而处于比布置在安置面221上的掩模100低的高度处。

此外，如上所述，当连接面222与基座部210构成的角度实质上为垂直时，即，当支承部220与基座部210类似地具有四边形形状时，沉积区域110的边角也可以形成为朝着基座部210的方向弯曲。此时，连接面222中也可以形成有凹陷部223。

另外，上述的沉积区域110的边角也是指主体部112的边角。这是因为如上所述，沉积区域110的边角处不形成有供沉积物质通过的图案部111，所以主体部112的边角作为沉积区域110的骨架，其也意味着沉积区域110的边角。

以这种方式将沉积区域110的边角(即，主体部112的外围区域的边角)形成为朝着基座部210的方向弯曲的理由如下。

在掩模框架组件10的制造工艺中切割将在下文中描述的盈余区域120时，掩模100的切割面上将形成毛刺(burr)。此处，毛刺(burr)是指在切割盈余区域120的过程中从掩模100的表面凸出形成的掩模100的残余物。

在将沉积物质沉积到衬底上的工艺中，掩模100与衬底紧贴。此时，当在掩模100上形成有毛刺(burr)的情况下使衬底与掩模100紧贴时，衬底与掩模100之间将形成与毛刺(burr)的高度相当的空的空间。这意味着衬底与掩模100因为毛刺(burr)而导致无法完全紧贴。

如果在沉积工艺中掩模100与衬底如上所述的那样彼此未紧贴时，则沉积物质将被沉积到衬底上的不期望的区域(即，盲区(dead zone))上，由此可能导致显示器产品的生产率和像素的准确性下降。

这种现象一般称之为阴影现象(shadow effect)。为了制造出要求大型化、高分辨率化的有机发光显示装置，需要减少或去除这种阴影现象。

因此，为了减少或去除阴影现象，有必要提升衬底与掩模100的紧贴度。即，有必要将掩模制造成使在掩模100的制造工艺中形成的毛刺(burr)不与衬底接触。

为了克服这种问题，可能附加地要求切削形成在掩模100上的毛刺(burr)的工艺。然而，这种切削毛刺(burr)的工艺作为附加工艺，可能导致生产效率下降和生产成本的上升。

为了解决这种问题，根据本发明的实施方式的掩模框架组件10将掩模100的边角形成为朝着基座部210作为一种特征。

下面，将参照图2至图7对通过使形成在掩模100的表面上的毛刺(burr)不与衬底接触的方式制造掩模框架组件10的方法进行说明。

图2至图7是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件的制造方法的剖视图。

参照图2至图7，掩模框架组件10的制造方法可以包括准备框架200的步骤、准备掩模100的步骤、对掩模100与框架200进行接合的步骤、用模具部50a/50b对掩模100施压的步骤、和对掩模100的盈余区域120进行切割的步骤。因为准备框架200的步骤和准备掩模100的步骤是制造上述的掩模100和框架200的步骤，因此将省略或简述对其的详细说明。

参照图2，掩模100的主体部112的外围区域可以被设置成与支承部220的安置面221接触。此时，掩模100的盈余区域120不与框架200接触，由此盈余区域120将被布置成与框架200的基座部210相隔一定间距，因此盈余区域120与基座部210之间可以形成一定的空的空间。

参照图3，掩模100可以通过焊接部130接合至框架200。这种焊接部130可以通过焊接(welding)方式形成，此外，也可以通过电铸法(electroforming)和/或无电解镀(electroless plating)等的多种方法形成，从而对掩模100与框架200进行接合。通过这种方式形成焊接部130来对掩 模100与框架200进行接合的理由是为了在掩模框架组件10的制造工艺中在精密地对齐掩模100与框架200的情况下进行工艺。

然后，将参照图4至图7对用模具部50a/50b对掩模100施压的步骤和对掩模100的盈余区域120进行切割的步骤进行说明。

参照图4，在掩模100与框架200彼此相接的面的相反方向上准备用于对掩模100施压的模具部50a。模具部50a的形状与框架200的形状相对应。这意味着与掩模100的沉积区域110相邻的模具部50a的内侧区域形成为凹陷。这样凹陷形成的模具部50a的内侧区域可以与从基座部210凸出形成的支承部220的形状相对应。

模具部50a具有如上所述的形状的理由是为了对处于掩模100的外围区域的盈余区域120和沉积区域110的外围区域进行施压而使得掩模100的外围区域变形为与安置面221、连接面222和基座部210的形状相对应。

图5示出了模具部50a对掩模100的外围区域施压而使掩模100的外围区域变形后的模样。如上所述，变形后的掩模100的外围区域变形为与安置面221、连接面222和基座部210的形状相对应。

图6a和图6b是示出对掩模100的盈余区域120进行切割的方法的视图。首先，图6a示出了从激光照射部60射出的激光L照射到沉积区域110与盈余区域120的界面B。

此处，通过模具部50a/50b的施压力，其外围区域变形后的掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B被布置在形成于连接面222中的凹陷部223上。另外，在不存在凹陷部223的其他变型例的情况下，根据连接面222与基座部210构成的角度，掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B也可以处于连接面222或基座部210上。

即，在连接面222与基座部210构成的角度实质上为垂直时，沉积区域110与盈余区域120的界面B可以处于基座部210上，而构成一定角度时，沉积区域110与盈余区域120的界面B可以处于连接面222上。

通过这种方式使沉积区域110与盈余区域120的界面B处于连接面222或凹陷部223上、或者处于基座部210上是为了如上所述通过将在之后的盈余区域120的切割过程中凸出形成在掩模100表面上的毛刺(burr)布置在比掩模100与衬底面对的面低的位置处从而使得毛刺(burr)不与衬底 接触。

如图6b中所示，掩模100的盈余区域120也可以用机械式切割器(mechanical cutter)70切割。与上述的激光L相同，机械式切割器70也对掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B进行切割，此时，沉积区域110与盈余区域120的界面B可以处于形成于连接面222中的凹陷部223上。在这种情况下，模具部50b可以包括接收机械式切割器70的接收槽55。

另外，在连接面222中未形成有凹陷部223时，上述的激光照射部60的激光L和机械式切割器70也能够对掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B进行切割。此外，即使是在连接面222与基座部210构成的角度实质上为垂直的情况下，上述的激光照射部60的激光L和机械式切割器70也能够对掩模100的沉积区域110与盈余区域120的界面B进行切割。

其结果，当用激光照射部60的激光L和机械式切割器70对沉积区域110与盈余区域120的界面B进行切割时，可以使沉积区域110的外围区域处于比掩模100与衬底面对的面低的位置处，即，将其沿着连接面222朝着基座部210弯曲的方向定位。由此，可以在之后的沉积工艺中提升掩模100与衬底的紧贴度，其结果，如上所述的那样，可以通过改善阴影现象来改善显示器产品的不良，并且可以省略不需要的工艺来减少费用。

如上所述，当通过激光L或机械式切割器70对用模具部50a/50b变形的掩模100的盈余区域120进行切割时，将完成作为本发明的实施方式的掩模框架组件10。

图7是示出根据上述的掩模框架组件10的制造方法制造的掩模框架组件10的示例的视图。

参照图7，掩模100的边角部(即，沉积区域110的外围区域)可以形成为弯曲至形成于连接面222中的凹陷部223。由此，可以在模具部50a/50b对掩模100施压的步骤中将沉积区域110与盈余区域120的界面B定位到连接面222上，具体地，定位到形成于连接面222中的凹陷部223上并进行切割而获得的掩模100的形状。

此时，弯曲至基座部210侧而布置成接触到连接面222上的沉积区域110的外围区域中可能存在有在盈余区域120的切割工艺中形成的毛刺(burr)。这种毛刺(burr)在沉积工艺中处于比与衬底接触的掩模100 的高度低的位置，具体地，处于图1至图4中所示的掩模100与框架200之间的空空间处，因此，在沉积工艺时将掩模100接触到衬底的情况下，可以与毛刺(burr)的存在无关地将掩模100紧贴到衬底。

即，根据本发明的实施方式的掩模框架组件10通过最小化与衬底的间距来提升紧贴度，所以能够执行精密的沉积工艺。

图8是示出使用图1中所示的掩模框架组件制造的有机发光显示装置的视图。

参照图8，有机发光显示装置300设置有衬底311。衬底311包括具有柔性的绝缘材料。例如，衬底311可以是玻璃衬底。此外，衬底311可以由聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚醚砜(polyethersulphone；PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephtalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚芳酯(polyarylate；PAR)或玻璃纤维增强塑料(fiber glass reinforced plastic；FRP)等的高分子材料构成。衬底311可以是透明的、半透明的或不透明的。

阻挡膜312可以被形成在衬底311上。阻挡膜312可以形成为整体地覆盖衬底311的上部面。阻挡膜312可以包括无机膜或有机膜。阻挡膜312可以形成为单层膜、或者层叠为多层膜。例如，阻挡膜312可以由选自诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(AlO)、铝氮氧化物(AlON)等的无机物和诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚酯等的有机物中的至少一种构成。

阻挡膜312执行阻挡氧气和水分的功能，防止水分或杂质通过衬底311扩散，并且为衬底311的上部提供平坦的表面。薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)可以被形成在阻挡膜312上。虽然图8中所示的薄膜晶体管示出为顶栅(top gate)型薄膜晶体管，但是应明确，也可以包括底栅(bottom gate)型等的其他结构的薄膜晶体管。

半导体有源层313可以被形成在阻挡膜312上。根据掺杂N型杂质离子或P型杂质离子，半导体有源层313上可以形成源区域314和漏区域315。源区域314与漏区域315之间的区域为不掺杂杂质的沟道区域316。

在半导体有源层313由多晶硅形成的情况下，可以形成非晶硅并且通 过使其结晶化来转变为多晶硅。此外，半导体有源层313可以由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可以包括如下物质的氧化物，其中所述物质选自诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)的4、12、13、14族金属元素及其组合。

栅极绝缘膜317可以被沉积在半导体有源层313上。栅极绝缘膜317包括诸如硅氧化物、硅氮化物或金属氧化物的无机膜。栅极绝缘膜317可以是单层或多层结构。

栅电极318可以被形成在栅极绝缘膜317上的一定区域中。栅电极318可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的单层膜或多层膜，或者可以包括如Al:Nd、Mo:W的合金。

层间绝缘膜319可以被形成在栅电极318上。层间绝缘膜319可以由硅氧化物或硅氮化物等的绝缘材料形成。此外，上述的层间绝缘膜319可以由绝缘有机膜形成。

源电极320和漏电极321可以被形成在层间绝缘膜319上。具体地，接触孔可以通过去除栅极绝缘膜317和层间绝缘膜319的一部分而形成在栅极绝缘膜317和层间绝缘膜319中，并且源电极320可以通过接触孔电连接到源区域314，漏电极321可以通过接触孔电连接到漏区域315。

钝化膜322可以被形成在源电极320和漏电极321上。钝化膜322可以由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机膜形成或者由有机膜形成。

平坦化膜323可以被形成在钝化膜322上。平坦化膜323可以包括丙烯酸树脂(acryl)、聚酰亚胺(polyimide)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene；BCB)等的有机膜。

有机发光元件OLED可以被形成在薄膜晶体管TFT上。有机发光元件OLED包括第一电极325、第二电极327和介于第一电极325与第二电极327之间的中间层326。

第一电极325通过接触孔与源电极320和漏电极321中的任一个电极电连接。第一电极325对应于像素电极。

第一电极325充当阳极，其可以由多种导电材料形成。第一电极325可以形成为透明电极或反射电极。

例如，当第一电极325以透明电极使用时，第一电极325包括ITO、IZO、 ZnO、In₂O₃等。当第一电极325以反射电极使用时，第一电极325可以在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成反射膜后在上述的反射膜上形成ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。

像素限定膜(pixel define layer；PDL)324可以被形成在平坦化膜323上以覆盖有机发光元件OLED的第一电极325的边角位置。像素限定膜324通过围绕第一电极325的边角位置来限定各个子像素的发光区域。

像素限定膜324由有机物或无机物形成。例如，上述的像素限定膜324可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、丙烯酸树脂、酚醛树脂等的有机物形成、或者由如SiNx的无机物形成。像素限定膜324可以形成为单层膜，或者可以形成多层膜。

中间层326可以被形成在通过蚀刻像素限定膜324的一部分而暴露的所述第一电极325的区域中。中间层326可以通过沉积工艺形成。

中间层326可以由低分子有机物或高分子有机物构成。中间层326可以包括有机发光层(emissive layer；EML)。作为可选的示例，除了包括有机发光层以外，中间层326还可以包括空穴注入层(hole injection layer；HIL)、空穴传输层(hole transport layer；HTL)、电子传输层(electron transport layer；ETL)、电子注入层(electron injection layer；EIL)中的任一个。本实施方式并不限于此，中间层326包括有机发光层，并且还可以包括其他多种功能层。

第二电极327可以被形成在中间层326上。第二电极327对应于公共电极。与第一电极325相似，第二电极327可以形成为透明电极或反射电极。

当第一电极325形成为透明电极或反射电极时，其可以形成为与各个子像素的开口对应的形态。相反，第二电极327可以将透明电极或反射电极整面地沉积在显示部上。可选地，第二电极327也可以由特定图案形成以替代整面沉积。应明确，第一电极325和第二电极327也可以位置倒置并层叠。

另外，第一电极325与第二电极327通过中间层326彼此绝缘。当向第一电极325和第二电极327施加电压时，中间层326中发出可见光来实现用户可识别的图像。

封装部(encapsulation)340可以被形成在有机发光元件OLED上。封 装部340是为了保护中间层326和其他薄膜免受外部水分或氧气等的影响而形成的。

封装部340可以是至少各层叠有一个有机膜和无机膜的结构。例如，封装部340可以是层叠有诸如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯，聚乙烯，聚丙烯酸酯等的至少一个有机膜341、342和诸如硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiNx)、铝氧化物(Al₂O₃)、钛氧化物(TiO₂)、锆氧化物(ZrOx)、锌氧化物(ZnO)等的至少一个无机膜343、344、345的结构。

封装部340可以是具有至少一个有机膜341、342和至少两个无机膜343、344、345的结构。封装部340中暴露到外部的最上层345可以由无机膜形成以防止水分渗进有机发光元件OLED。

如上所述，虽然参照附图中所示的实施方式对本发明进行了说明，但这仅仅是示例性的，本领域的普通技术人员应理解，能够由此进行多种变型和实施方式的变型。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附权利要求书中的技术思想来定义。

符号的说明

10：掩模框架组件 130：焊接部

60：激光照射部 200：框架

70：机械式切割器 210：基座部

100：掩模 220：支承部

110：沉积区域 221：安置面

111：图案部 222：连接面

112：主体部 223：凹陷部

120：盈余区域 230：开口部