本发明涉及双面陶瓷研磨盘的合成，属于化学机械抛光领域。
背景技术：
随着半导体产业的快速发展，多层布线技术不断发展，导致对电子元件表面的平整度和精度的要求越来越高。从而推动了人们增大了对化学机械抛光技术(CMP)的研究力度。化学机械抛光(CMP)是目前半导体材料制作中用于半导体晶片或其他衬底平面平坦化的技术。它是将机械摩擦与化学腐蚀相结合形成的工艺，机械摩擦与化学腐蚀达到最佳平衡，从而获得完美的电子元件表面质量。
目前，研磨半导体材料如硅片、蓝宝石衬底等双面磨盘是最佳选择。磨盘的材质对磨盘的性能起到关键作用。目前磨盘的种类有铸铁、铜盘、金刚石等，存在的问题有易生锈、难保养，易磨损、寿命短，成本高等问题。为了提高研磨效率、研磨质量，降低物料和人工成本，人们在化学机械抛光领域不断地进行着研究。陶瓷具有耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、电绝缘、强度大、硬度高、无毒副作用等优良性能。选用陶瓷磨粒做双面研磨盘的基底材料实现了化学性质稳定，热稳定，耐磨等要求。
技术实现要素：
本发明提供双面陶瓷研磨盘的合成，用于化学机械研磨工艺中。要解决的技术问题是保证延长磨盘的使用寿命，提高削磨速率以及工件的表面质量且制造成本低廉的研磨盘。
为了达到上述目的，本发明提出双面陶瓷研磨盘的合成，所述双面陶瓷研磨盘包括基材：陶瓷磨粒、金刚石磨粒、刚玉磨粒，复合粘结剂。
所述陶瓷磨粒质量分数60％-70％，金刚石磨粒质量分数5％-10％，刚玉磨粒质量分数5％-10％，复合粘结剂质量分数10％-20％。
所述基材陶瓷磨粒的莫氏硬度为8、金刚石磨粒的莫氏硬度为10、刚玉磨粒的莫氏硬度为9。
所述复合粘结剂为环氧树脂、聚氨酯胶、碳化硅粘结剂中的两种或三种的复合。
所述双面陶瓷研磨盘的密度为3.2-3.7g/cm3，磨粒的粒径在20-70μm之间。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的内容、特点及功效，兹例举以下实施例，详细说明如下：
实施例1
1、制备方法
磨粒与复合粘结剂的质量比例为4∶1，磨粒中陶瓷磨粒∶金刚石磨粒∶刚玉磨粒的重量比为8∶1∶1。
在反应釜中各组分共120Kg，磨粒为96Kg，其中陶瓷磨为76.8Kg，粒金刚石磨粒为9.6Kg，刚玉磨粒9.6Kg；复合粘结剂24Kg，先将三种磨粒混合均匀共96Kg，再加入24Kg的复合粘结剂，将其搅拌均匀。放入专用模具中模压，在150℃下恒温加热，时间为4小时。加热结束后充分冷却。
2、技术指标
将该加工工艺的双面陶瓷盘用复合胶粘结在双面抛光机上，用自产的5μm氧化铝研磨液按1∶3稀释后对蓝宝石晶片进行研磨，流量：700ml/min，压力：400g/cm2，转速：70r/min，温度：40-50℃，研磨时间：15min，去除量：10μm。无划伤。
实施例2
1、制备方法
磨粒与复合粘结剂的质量比例为5∶1，磨粒中陶瓷磨粒：金刚石磨粒∶刚玉磨粒的重量比为16∶1∶1。
在反应釜中各组分共120Kg，磨粒为100Kg，其中陶瓷磨为88.8Kg，粒金刚石磨粒为5.6Kg，刚玉磨粒5.6Kg；复合粘结剂20Kg，先将三种磨粒混合均匀共100Kg，再加入20Kg的复合粘结剂，将其搅拌均匀。放入专用模具中模压，在200℃下恒温加热，时间为2.5小时。加热结束后充分冷却。
2、技术指标
将该加工工艺的双面陶瓷盘用复合胶粘结在双面抛光机上，用自产的5μm氧化铝研磨液按1∶3稀释后对蓝宝石晶片进行研磨，流量：700ml/min，压力：400g/cm2，转速：70r/min，温度：40-50℃，研磨时间：15min，去除量：12μm。无划伤。
以上仅为说明本发明专利的原理及其功效，而非限制本发明。因此任何熟悉于此技 术的人士对上述进行修改及变化仍不脱离本发明的精神。本发明的权利范围应如所述的权利要求所列。