1.一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，其特征在于，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜；所述在凹槽立面上蚀刻凹痕，为对凹槽立面进行喷砂处理；所述喷砂处理，采用刚玉作为喷砂介质，刚玉目数为80-100目，所用气压在0.6-0.8MPa范围内，喷砂距离在12-15cm范围内，喷射角度以凹槽立面为基准，喷射方向与立面之间的夹角在60°-75°范围内。
2.一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，其特征在于，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜；所述在凹槽立面上刻蚀凹痕，为通过化学蚀刻在凹槽立面上蚀刻凹痕；所述化学蚀刻包括以下步骤：1)在凹槽立面上通过旋转涂胶的方式涂敷正性光刻胶；2)对光刻胶进行曝光显影去除部分光刻胶，暴露凹痕蚀刻区域；3)利用KOH和K2CO3混合溶液刻蚀凹痕蚀刻区域，蚀刻深度为1.3-1.6微米，宽度为0.8-1.2微米。
3.一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，其特征在于，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上固定凸起，在晶片载盘表面上沉积保护膜；所述在凹槽的立面上固定凸起，为在凹槽立面上粘结高热辐射率材料，形成凸起；所述高热辐射率材料由10-15％的MnO2、8-10％的Co2O3、8-10％的CuO，1-2％的CeO和余量Fe2O3组成，混合物混合均匀后在1300℃-1350℃下反应烧结1-2小时，烧结后经粉末研磨制成320目以下的粉料颗粒，称取1g粉料与1mL耐热胶混均后利用丝网印刷法涂布在凹槽立面上。
4.根据权利要求3所述的提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，其特征在于，所述耐热胶为0.5-1％的铬酐，化学式为CrO3，1-2％的铝溶胶，化学式为Al2O3`nH2O，余量为硅胶组成的水基胶。
5.根据权利要求1至4任一项所述的提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，其特征在于，所述保护膜为SiC薄膜或TiC薄膜。