技术总结
一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上固定凸起或蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜。在晶片载盘受热时温度低于其它区域的凹槽的里面上固定凸起或蚀刻凹痕能够提高凹槽内表面的粗糙度，进而提高凹槽立面热发射率，使得低温区凹槽温度提高，进而提高整体温度均匀性。
技术研发人员：陈景升;黎静;田青林
受保护的技术使用者：江苏实为半导体科技有限公司
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2019.04.19