一种晶片扫光工艺的制作方法

本发明涉及晶片加工技术领域，具体涉及一种晶片扫光工艺。

背景技术：

扫光工艺，主要是用于材料的镜面抛光，它可以有效的完成材料表面的抛光流程。抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法，是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。抛光不能提高工件的尺寸精度或几何形状精度，而是以得到光滑表面或镜面光泽为目的，有时也用以消除光泽（消光）。通常以抛光轮作为抛光工具，抛光轮一般用多层帆布、毛毡或皮革叠制而成，两侧用金属圆板夹紧，其轮缘涂敷由微粉磨料和油脂等均匀混合而成的抛光剂。抛光时，高速旋转的抛光轮（圆周速度在20米/秒以上）压向工件，使磨料对工件表面产生滚压和微量切削，从而获得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可达Ra0.63～0.01微米；当采用非油脂性的消光抛光剂时，可对光亮表面消光以改善外观。公知抛光技术复杂，工艺流程繁琐，辅材易造成污染，清洁难度大，效率低下，需要改善。

技术实现要素：

本发明为了解决现有技术中的不足之处，提供一种晶片扫光工艺，可以有效的完成晶片表面的镜面抛光，加工效率高。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种晶片扫光工艺，包括以下步骤：

（1）晶片吸附固定：选取上表面涂覆有粘性层的安装板，将安装板加工成与真空吸附平台的吸附面相配合的形状，在粘性层上排布设置多个晶片安装位，将多个待加工晶片分别放置在对应的晶片安装位使其与粘性层粘接连接；之后将粘好待加工晶片的安装板放置到真空吸附平台的吸附面上，打开真空吸附平台的真空发生器，使安装板被吸附到真空吸附平台上；

（2）安装毛刷：机台的抛光轮选用毛刷，并将毛刷安装在旋转轴上；

（3）抛洒抛光液：在机台内抛洒抛光液，抛光液要洒在毛刷的刷毛上；

（4）抛光加工：开启旋转轴和真空吸附平台的旋转模式，然后上升真空吸附平台，直到真空吸附平台上的待加工晶片接触到毛刷，然后再上升若干高度，该高度为1～10mm，使待加工晶片与毛刷接触产生压力并旋转摩擦进行抛光，抛光持续时间为100～200min；

（5）取下晶片：关闭真空吸附平台的真空发生器，将带晶片的安装板取下来，然后从粘性层上取下加工后的晶片；

（6）清洗晶片；将取下的晶片放入晶片清洗结构中进行清洗。

所述步骤（1）中安装板与真空吸附平台的吸附面相接触的一侧面为光滑平面。

所述步骤（1）中安装板与所述空吸附平台的吸附面的尺寸及形状相同。

所述步骤（1）中待加工晶片与粘性层粘接连接后，用橡胶棒把待加工晶片和粘性层中间的空气挤压出去。

所述步骤（2）中毛刷采用猪鬃毛材质。

所述步骤（6）中晶片清洗结构包括清洗槽、曝气发生装置和气体混合管路，曝气发生装置设置在所述清洗槽底部，曝气发生装置包括上部敞口的曝气腔体，曝气腔体的上部敞口处设置有与其密封固定连接的微孔板，微孔板与曝气腔体围合形成通气腔，通气腔内设置隔板将其分隔为多个相互独立的子通气腔，每个子通气腔的底部均设有子通气孔；气体混合管路包括主进气管以及两个支进气管，其中一个支进气管外接压缩空气气源，其中另外一个支进气管外接氮气气源，主进气管穿过所述清洗槽，且主进气管的进气端位于清洗槽外部；两个支进气管通过混合阀与主进气管的进气端连接，主进气管的出气端通过分支管路与每个子通气腔底部的子通气孔连接。

所述步骤（6）具体为，在清洗槽内加入清洗液体，清洗液体的高度要高过曝气发生装置，打开外接氮气气源和压缩空气气源，使两个支进气管外接的压缩空气和氮气通过混合阀混合后进入主进气管，混合气体通过分支管路导入到每个子通气腔，并经子通气腔对应的微孔板均匀排出产生气泡，气泡带动清洗液体快速流动对加工后的晶片进行清洗。

本发明的有益效果是：

通过本发明的扫光工艺可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高，流程简单，并且有效减少上下料的时间，大大提高生产效率，保证生产的稳定，适合大批量晶片的抛光加工。

本发明的扫光工艺克服了现有晶片加工时易损伤晶片的缺陷，本发明在对多个晶片同时进行吸附并加工时，一旦其中一个晶片破裂，该晶片仍会粘结在粘性层上，继续加工时裂开的晶片碎片不会对其余晶片产生危害，避免造成连带损坏，从而减少了中途停机时间，保证加工效率及加工连续性。

本发明采用的晶片清洗结构气体可以均匀地从微孔板的微孔中排出，使清洗液体在溢流的同时，通过气体的作用使清洗液快速流动，从而使晶片在溢流的过程中增加液体的流动速度和液体本身的一个冲洗力，可以更加快速地达到带走晶片表面残留的抛光液和晶体粉末，既提升了晶片表面的清洗效果，提升了清洗效率，也降低了加工成本。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明中晶片吸附固定后的俯视图；

图3是本发明中晶片清洗结构的示意图；

图4是图3中曝气腔体部位的仰视图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明。

如图1至图4所示，本发明的一种晶片扫光工艺，包括以下步骤：

（1）晶片吸附固定：选取上表面涂覆有粘性层3的安装板，将安装板加工成与真空吸附平台1的吸附面相配合的形状，在粘性层3上排布设置多个晶片安装位，将多个待加工晶片4分别放置在对应的晶片安装位使其与粘性层3粘接连接；之后将粘好待加工晶片的安装板2放置到真空吸附平台1的吸附面上，打开真空吸附平台1的真空发生器，使安装板2被吸附在真空吸附平台1的吸附面上；

（2）安装毛刷：机台的抛光轮选用毛刷，并将毛刷5安装在旋转轴6上；

（3）抛洒抛光液：在机台内抛洒抛光液，抛光液要洒在毛刷5的刷毛上；

（4）抛光加工：开启旋转轴6和真空吸附平台1的旋转模式，然后上升真空吸附平台1，直到真空吸附平台1上的待加工晶片4接触到毛刷5，然后再上升若干高度，该高度为1～10mm，使待加工晶片4与毛刷5接触产生压力并旋转摩擦进行抛光，抛光持续时间为100～200min；

（5）取下晶片：关闭真空吸附平台的真空发生器，将带晶片的安装板2取下来，然后从粘性层3上取下加工后的晶片；

（6）清洗晶片；将取下的晶片放入晶片清洗结构中进行清洗。

一个抛光流程结束。

所述步骤（1）中安装板2与真空吸附平台1的吸附面相接触的一侧面为光滑平面。

所述步骤（1）中安装板2与所述空吸附平台1的吸附面的尺寸及形状相同。

所述步骤（1）中待加工晶片4与粘性层3粘接连接后，用橡胶棒把待加工晶片4和粘性层3中间的空气挤压出去。

所述步骤（2）中毛刷5采用猪鬃毛材质。

所述步骤（6）中包括清洗槽1、曝气发生装置和气体混合管路，曝气发生装置设置在所述清洗槽11底部，曝气发生装置包括上部敞口的曝气腔体12，曝气腔体12的上部敞口处设置有与其密封固定连接的微孔板13，微孔板13上的微孔呈阵列均布排设，且每个微孔的直径均相等。微孔板13与曝气腔体12围合形成通气腔，通气腔内设置隔板14将其分隔为多个相互独立并呈阵列均布排设的子通气腔15，每个子通气腔5的底部均设有子通气孔51。

气体混合管路包括主进气管16以及两个支进气管17，其中一个支进气管外接压缩空气气源，其中另外一个支进气管外接氮气气源；主进气管16穿过所述清洗槽11，且主进气管16的进气端位于清洗槽11外部；多个支进气管17通过混合阀18与主进气管16的进气端连接，主进气管16的出气端通过分支管路19与每个子通气腔15底部的子通气孔51连接。主进气管16上设置有止回阀，防止清洗槽11内的液体泄漏到外接的气源。

所述曝气发生装置12通过支撑架10安装在所述清洗槽11底部，所述气体混合管路中的分支管路19布置在曝气发生装置与清洗槽11之间形成的间隙处，支撑架10的设置便于曝气发生装置及支管路19的安装。

所述步骤（6）具体为，在清洗槽11内加入清洗液体，清洗液体的高度要高过曝气发生装置，打开外接氮气气源和压缩空气气源，使两个支进气管17外接的压缩空气和氮气通过混合阀18混合后进入主进气管16，混合气体通过分支管路19导入到每个子通气腔15，并经子通气腔15对应的微孔板13均匀排出产生气泡，气泡带动清洗液体快速流动对加工后的晶片进行清洗，可以更加快速地达到带走晶片表面残留的抛光液和晶体粉末，既提升了晶片表面的清洗效果，提升了清洗效率，也降低了清洗液体的使用量，降低加工成本。

通过本发明的扫光工艺可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高，流程简单，并且有效减少上下料的时间，大大提高生产效率，保证生产的稳定，适合大批量晶片的抛光加工。

本发明的扫光工艺克服了现有晶片加工时易损伤晶片的缺陷，本发明在对多个晶片同时进行吸附并加工时，一旦其中一个晶片破裂，该晶片仍会粘结在粘性层上，继续加工时裂开的晶片碎片不会对其余晶片产生危害，避免造成连带损坏，从而减少了中途停机时间，保证加工效率及加工连续性。

以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明进行修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围的任何修改或局部替换，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。