技术特征：
技术总结
本发明涉及一种非晶钴基磁性薄膜的间歇式直流磁控溅射制备方法，包括以下步骤：1)采用铸造Co67FexMo5.5‑xSiyB27‑y(2<x<5；10<y<17)晶态合金作为靶材，石英为基片，先在石英基片上溅射一层纯金属缓冲层，采用间歇式直流磁控溅射的方法，控制基片温度50～70℃。磁控溅射工艺为：溅射功率为120～180W，氩气流量为40～200ml/min，氩气分压为0.4～1.2Pa；2)溅射态薄膜的退火处理：将溅射态Co67FexMo5.5‑xSiyB27‑y薄膜置于真空退火炉中，采用梯度升温的方式，在300～430℃的温度下保温1h，随炉冷却，制备的薄膜非晶程度高，饱和磁化强度达到了0.27T。本发明适合不同种类磁性薄膜的制备方法，操作简便，生产周期短，对设备要求低，易于实现工业化。
技术研发人员：罗国强;鄢凤麟;林耀军;张建;张联盟;沈强
受保护的技术使用者：武汉理工大学
技术研发日：2017.04.21
技术公布日：2017.08.15