技术特征：
技术总结
本发明公开了一种核聚变关键部件抗辐射涂层的方法，其中，制备该抗辐射涂层方法包括：采用考夫曼源对基材进行表面活化处理，随后利用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；在所述的金属″钉扎层″之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积合金应力释放层，紧接着采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)以及金属真空蒸汽离子源同时工作，在进气口通入10‑30sccm的氮气和50‑100sccm的乙炔，在基材表面沉积总厚度为1‑50微米的多相镶嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂层。该发明中磁过滤沉积系统、金属真空蒸汽离子源系统所用阴极为一定配比的四元合金靶材。通过实施本发明，在关键部件上沉积多相镶嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂层具有很好的抗辐射能力，防止在聚变堆中其因氦离子轰击引起发泡和脱落带来严重的表面腐蚀，影响服役寿命。
技术研发人员：廖斌;欧阳晓平;张旭;张丰收;吴先映;罗军;庞盼
受保护的技术使用者：北京师范大学
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2017.09.05