本发明涉及晶振片生产工艺，具体涉及晶振片镀膜工艺。
背景技术：
为提高晶振片的电性性能，研发了本工艺。
技术实现要素：
本发明针对上述问题，提供了一种晶振片镀膜工艺，在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：晶振片镀膜工艺，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，
镀膜过程如下：
步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，
步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。
步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，
步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。
作为上述方案的优选，步骤1）至步骤3）中，晶振片处于转动状态。
作为上述方案的优选，铬层厚度是30埃。
作为上述方案的优选，共金属层厚度是180埃。
作为上述方案的优选，金层厚度是4000埃。
本发明的有益效果是：在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。
晶振片镀膜工艺，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，
镀膜过程如下：
步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，
步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。
步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，
步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。
作为上述方案的优选，步骤1）至步骤3）中，晶振片处于转动状态。
作为上述方案的优选，铬层厚度是30埃。
作为上述方案的优选，共金属层厚度是180埃。
作为上述方案的优选，金层厚度是4000埃。
采用本镀膜工艺生产的晶振片，其电性性能如下：
fr--ac6ad14-f:5980-5995khz；fdld---max5ppm；co---max20pf；rr---max15omhs；dld2---max3omhs；q---min150k；pwr---max100μw；
对于本领域的技术人员来说，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。